《模拟电子技术基础》试卷2009-2010-1

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模拟电子技术试卷及答案

模拟电子技术试卷及答案

《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1.P型半导体掺入三价元素,多子是自由电子,少子是空穴。

2.PN结主要特性是具有单向导电性,即正导通,反向截止。

3.三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。

4.在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的放大区;在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区,此时也称它工作在开关状态。

5.幅度失真和相位失真统称为频率失真,它属于线性失真。

6.功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率,乙类功率放大电路的效率最高。

7.放大电路中为了稳定静态工作点,应引入a(a.直流负反馈,b.交流负反馈)。

8.三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。

9.分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用,其原理是构成电压串联负反馈。

10.集成运算放大器是直接耦合放大电路。

集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端同相;后者的极性同输出端反相。

11.根据MOS管导电沟道的类型,可分为PMOS和NMOS型。

二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)1.常温下,硅二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V;锗二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V。

CA) 0.3,0.5,0.5,0.7 B) 0.5,0.7,0.3,0.5C) 0.5,0.7,0.1,0.2 D) 0.3,0.5,0.1,0.22.下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D )A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;N沟道结型3.在共射基本放大电路中,当β一定时,在一定范围内增大I E,电压放大倍数将(A)A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4.如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。

模拟电子技术基础试卷(含答案)

模拟电子技术基础试卷(含答案)

电路与电子技术基础复习资料一、填空(25分)1.二极管最主要的特性是。

2.三极管是控制型器件,而场效应管是控制型器件。

3.射极输出器具有______________恒小于1、接近于1,______________ 和__________同相,并具有_____________高和_______________低的特点。

5.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V,经过电容滤波后为________V二极管所承受的最大反向电压为 V。

6、在门电路中,最基本的三种门电路是门门和门。

7.时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为时序电路和时序电路。

8. 逻辑代数又称为代数。

最基本的逻辑关系有、、三种。

9、T触发器的特征方程为,JK触发器的特征方程为。

10、二进制码11000101表示的十进制数为,相应的8421BCD码为。

二、单项选择题(每小题 2分,总共20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为()。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的()。

A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大4.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( )。

A.不用输出变压器 B.不用输出端大电容 C.效率高 D.无交越失真5.稳压二极管稳压时,其工作在( ),发光二极管发光时,其工作在( )。

A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。

A7.同步时序电路和异步时序电路比较,其差异在于后者。

A.没有触发器B.没有统一的时钟脉冲控制C.没有稳定状态D.输出只与内部状态有关8. 基本RS触发器的原始状态Qn为“0”态,只要SD来负脉冲触发,就会使触发器。

《模拟电子技术基础》考试样卷

《模拟电子技术基础》考试样卷

《模拟电子技术基础》考试样卷一、填空题(本大题共10道小题,每空1分,共20分) 二极管加正向电压时,二极管 ,加反向电压时,二极管 。

2. 为了保证放大器不失真的放大信号,放大器必须设置合适的静态工作点,以保证三极管始终工作在 区,场效应管工作在 区。

3. 某放大器输入电压为3mV ,输入电流是1mA ,输出电压是3V ,输出电流是0.1A ,则该放大器电压放大倍数为 ,转换成电压增益为 dB 。

4. 共发射极放大器(NPN 管),若静态工作点设置偏高,产生 失真,此时集电极电流出现 (上、下)削峰失真。

5. 为了提高带负载能力,要求一个电压放大器有较 的输出电阻,为了减轻信号源的负担,要求一个电压放大器有较 的输入电阻。

6. 正弦波振荡器的幅度起振条件为: ; 相位起振条件为: 。

7. 乙类功放会产生 失真,为了克服这种失真,应使功放管工作在 状态。

8. 在题图理想运放中,稳压管的稳压值=Z U 4V ,R =5k Ω,R 1=20k Ω,R F =40 k Ω,则=Z o U U / , =o U V 。

U Z+_+15V+_题一.(9)图题一.(8)图9. 在题图中,若输入电压为1V 时,则输出电压为 V ,若输入电压为-2V 时,则输出电压为 V 。

10. 采用集成三端稳压器7812构成的稳压电路的输出电压为 V ,其输入电压必须大于 V,才能可靠的稳压。

二、判断题(对的打“√”错的打“×”。

本大题共10道小题,每小题1分,共10分) 先出现电击穿,再出现热击穿,电击穿可逆,热击穿不可逆。

( )2. 温度升高时晶体管三极管的β和I CEO 减小。

( )3. N 沟道的结型场效应管工作在放大区时,U GS 大于零 。

( )4. 当场效应管工作于放大区时,其漏极电流i D 只受输入电压u GS 的控 制,与电压u DS 几乎无关。

( )5. 电压串联负反馈可使输出电流稳定。

模拟电子技术试卷-2009年

模拟电子技术试卷-2009年

得分
四、综合分析计算题,共 38 分。 1.(本题 15 分)阻容耦合放大电路如图 7 所示,已知 T 的β=50,UBE=0.7V。
. . .
2. (本题 9 分)电路如图 8 所示,设 A1~A4 为理想运放,三极管 T 的 UCES=0,UBE=0。设 t=0 时,电容器上的 初始电压 uc(0)=0 , ⑴求 t=1s 时 A、B、C、D、E 各点对地的电压。 ⑵和 t=2s 时 A、B、C、D、E 各点对地的电压。
Rb1 60kΩ + 1kΩ Ui _ Rb2 50μF 10μ F 100Ω Re 20 kΩ 2kΩ R’ e Rc 3kΩ T 10μF RL 3kΩ 50μ F _ +VCC +15V +
2R1 u 2 =0.3V u1 =0.3V R1 R1
_
T
R10
20KΩ
A1
+
R2 100kΩ R3 A 100kΩ R4
B.由于不满足相位平衡条件不能产生正弦波振荡
(d)
图4
(e)
C.满足振荡条件可能产生正弦波振荡 D.由于放大电路不能正常工作,不能产生正弦波振荡 10.图 3 所示电路出现故障,经测量得知 UE=0,UC=VCC,故障可能原因为 A. RC 开路 B. RC 短路 C. RE 短路 D. RB1 开路
(a)
(b)
+
R1 1kΩ T
(c)
+

R1 R u1 u2
+ _ +
8.N 型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。 A.电子 B.空穴 C.三价元素 D.五价元素

Ui DZ
_
A

模拟电子技术基础考试试题答案-(1)

模拟电子技术基础考试试题答案-(1)

第1页 共5页 一、填空(共20空, 每空 1 分, 共 20 分, 所有答案均填写在答题纸上)1.场效应管被称为单极型晶体管是因为 。

2.晶体三极管的输出特性可分三个区域, 当三极管工作在 区时, 。

3.场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中, 共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。

5、在绘制电子放大电路的直流通路时, 电路中出现的 视为开路, 视为短路, 信号源可视为为短路但应保留其内阻。

6.多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。

7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。

8、放大电路的交流通路用于研究 。

9、理想运放的两个输入端虚断是指 。

10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈, 通常令输出电压为零, 看反馈是否依然存在。

若输出电压置零后反馈不复存在则为 。

11.仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。

12.通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。

13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时, 输出端的瞬时极性也为正, 该输入端是 相输入端, 否则该输入端是 相输入端。

14.差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。

二、单项选择题(共10题, 每题 2 分, 共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1.稳压二极管如果采用正向接法, 稳压二极管将 。

A: 稳压效果变差 B: 稳定电压变为二极管的正向导通压降 C: 截止 D: 稳压值不变, 但稳定电压极性发生变化2.如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置, 集电结正向偏置, 则此管的工作状态为 。

A: 饱和状态 B: 截止状态 C: 放大状态 D: 不能确定3.测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示, 该管为 。

A: PNP 型硅管 B: NPN 型锗管 C: NPN 型硅管 D: PNP 型锗管图1 图27V0.7V0V①②③4.电路如图2所示, 二极管导通电压UD=0.7V, 关于输出电压的说法正确的是。

(完整版)模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(1)

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(完整版)模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(1)模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题(这是四选一选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共22分)1.某放大电路在负载开路时的输出电压4V ,接入Ωk 12的负载电阻后,输出电压降为3V ,这说明放大电路的输出电阻为()a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2.某共射放大电路如图1-2所示,其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ,若已知I C =1mA,V CE =7V ,V BE =0.7V ,r be =1.6Ωk ,50=β,则说明()a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入()。

a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时,若i v 为正弦波,则o v ()a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在()。

a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在()情况下容易引起自激。

a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ,可选用()。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

模拟电子技术考试试题汇总及答案
5.设运放A是理想的,试分析图5-5所示正弦波振荡电路,其中 , , , :⑴为能起振, 和 两个电阻之和应大于何值?⑵此电路的振荡频率 。
参考答案
一、1.C 2.D 3.B 4.A 5.图1(C) B 6.C 7.C 8.A
二、1.-Rf/R12.虚短和虚断 3.反馈网络、选频网络 4.方波
5.单向导电性。6. 石英晶体
如何调整?⑶若 , 和 的 , ,
,假设 、 、 中任意一个开路,将会产生什么后果?
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值),RL=20Ω, C=2000µF。试问:①正常时 ?②如果电路中有一个二极管开路, 是否为正常值的一半?③如果 为下列数值,可能出了什么故障?
(a) (b) (c)
(5)假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4k ,图d的输入电阻为60k ,输出电阻为50 ,当用图a和d构成两级放大电路,其输入信号取自内阻为200 的电压源信号,输出端带4k 负载时,试问:由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大,还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大?
图3
三、(1)(a) CE (b) CB (c) CS (d) CC
(2)c
(3)d
(4)b
(5)a—d
四、(10分)
电路如图4所示。
(1)R5、R6和T4构成的电路有什么作用?
(2)希望在不增加其它任何元器件情况下,通过图中反馈电阻Rf引入负反馈,以稳定输出电压 。试画出反馈通路的连线,并说明该反馈是什么组态;
(3)假设引入的负反馈为深度负反馈,可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时,若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压,反馈电阻Rf应取多大?此时负载获得的功率有多大?

模拟电子技术基础试卷一及参考答案(真题).docx

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模拟电子技术基础试卷一及参考答案(总分150分)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。

在每小题给岀的四个选项中, 只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。

)1.用万用表的RX100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Q,若改用RXlk档,测量同一二极管,则其正向电阻值()a.增加b.不变c.减小d.不能确定2.某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管()a.处于放大区域b.处于饱和区域c.处于截止区域d.已损坏图23.某放大电路在负载开路吋的输出电压为6V,当接入2kG负载后,其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为()a. 10kQb. 2kQc. lkQd. 0.5kQ4.某放大电路图4所示.设V CC»V BE,L CEO"0,则在静态时该三极管处于()a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定5.图5所示电路工作在线性放大状态,设R「RMR L,则电路的电压增益为()g"尺a. b. 1 + gnA C. 一弘尺; d. 一庄/弘6. 图5屮电路的输入电阻&为( a.Rg+(l?jj//7?g2) c. RJRjlR 立7. 直流负反馈是指()a.存在于RC 耦合电路小的负反馈c.总流通路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是() a.输入信号所包含的干扰和噪声c.反馈环外的干扰和噪声 9. 在图9所示电路屮,A 为理想运放,a. -2.5Vb. -5V图910. 在图10所示的单端输出羌放电路中,若输入电压△5尸80诃,二60mV,则差模输入电压为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV—nu^— — 1 R 1LICH;Rd rnHX ・ R c--4P_1T- o +Vcc Vo) b. /?g.//(/?g]+/?g2) d. [R g +(心〃他b.放人直流信号时才有的负反馈 d.只存在于直接耦合电路中的负反馈b.反馈环内的十扰和噪声d.输出信号中的干扰和噪声 则电路的输出电压约为()c. -6.5Vd. -7.5V图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。

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成都理工大学2009—2010学年第一学期
《模拟电子技术基础》试卷
一、填空题;(本大题有8小题,25空,每空1分,共25分)。

1、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。

PN 结加反向电压时,空间电荷区将 。

2、三极管工作在放大状态时,其 结必须正偏, 结必须反偏。

3、集成运放一般由 、 、 和 四部分组成。

4、为了稳定静态工作点应引入 负反馈;为了稳定输出电压应引入 负反馈;为了稳定输出电流应引入 负反馈。

5、在差分放大电路中,将大小相等、方向相反的输入信号称为 信号;将大小相等、方向相同的输入信号称为 信号。

差分放大电路有放大 信号,抑制 信号的作用。

若V U V U i i μμ500,150021+=+=,则可知差动放大电路的id U ∆= ,ic U ∆= 。

6、理想运放的两个重要特点(即结论)是:(1) ;(2) 。

7、W7805输出电压 V ,而W7912则输出电压 V 。

8、根据功率放大电路所设置静态工作点的不同,可分为 、 、 三种功率放大电路。

效率最高的是 类工作状态。

二、判断题;(判断下列说法是否正确,并在相应的括号内画√或⨯。

每小题2分,共20分)。

1.P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

( ) 2.只要是理想运放,不论它工作在线性状态还是非线性状态,其反相输入端和同相输入端之间电位差都为零。

( ) 3.只要是理想运放,不论它工作在线性状态还是非线性状态,其反相输入端和同相输入端均不从信号源索取电流。

( ) 4.有一乙类功放电路,其电源电压V CC =16V 、V EE =-16V ,R L =8Ω,在理想情况
下可得到最大输出功率为16W。

()5.同相输入比例运算放大器的闭环电压放大倍数数值一定大于或等于1。

()
6、集成电路内部可以制作二极管、三极管、电容、电阻和电感。

()
7、负反馈可以提高放大器的增益。

()
8、电压负反馈使输出电阻减小;并联负反馈使输入电阻增加。

()
9、整流电路能把交流电变换成脉动直流电。

()
10、整流滤波电路中,电容C不变,当负载电阻R
L 减小时,输出电压平均值U
O
应保持不变。

()三、计算题;(13分)。

电路如图所示,R
b1=20kΩ,R
b2
=10kΩ,Rc=3kΩ,Re=2kΩ,β=50试求(1):静态
工作点。

(2):画出微变等效电路:(3)动态参数Ri,Ro,Av,若U
i
mV
30,
试求输出电压U
o。

四、计算题(8分)。

正弦波振荡电路如图所示。

R P 在0~5k Ω之间可调,设运放A 是理想的,振幅稳定后二极管的动态电阻R D =450Ω,试求R P 的阻值以及电路的振荡频率f 0。

五、电路设计 (8分)。

设计电路,使其完成运算21045i i U U U -=。

(注:元器件与单元电路自主选择;给出简单的设计过程及元件参数的取值;画出电路图。


六、计算题;(10分)。

在图示电路中,已知V CC=12V,V EE=-6V,恒流源电路I=1mA,R B1=R B2=1kΩ,R C1=R C2=10kΩ;两只晶体管特性完全相同,且β1=β2=100,r be1=r be2=2kΩ。

估算:
(1)电路静态时T1和T2管的集电极电位;
(2)电路的差模放大倍数A d、共模放大倍数A C、输入电阻R i和输出电阻R0。

七、反馈类型判断;(本大题有3小题,每小题4分,共12分)。

下列所示放大电路是否存在反馈,如存在指出反馈网络,判断反馈类型。

八、电路如图所示,合理连线,构成5V的直流电源。

(本题4分)。

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