第七章-CCD光电图像传感器
CCD图像传感器
CCD图像传感器激光位移计-CCD的工作原理与应用(初稿)CCD,Charge Coupled Devices,电荷耦合器件～是70年代初发展起来的新型半导体器件。
它由美国贝尔实验室的W. S. Boyle和G. E. Smith于1970年首先提出～在经历了一段时间的研究之后～建立了以一维势阱模型为基础的非稳态CCD基本理论。
几十年来～CCD的研究取得了惊人的进展～特别是在像感器应用方面发展迅速～已成为现代光电子学和现代测试技术中最活跃～最富有成果的新兴领域之一。
实验目的1、了解二相线阵CCD的基本工作原理2、了解二相线阵CCD驱动信号时序3、了解线阵CCD在位移测量中的应用方法实验仪器1. CCD激光位移计2. 数字示波器准备好坐标纸、铅笔和直尺～也可用相机。
实验原理1( CCD的基本结构电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号～而不同于其它大多pseudonym Ding Bingcheng), to Jiangsu and Zhejiang in Taihu Lake area opened work, towards armed, carried out guerrilla race. 4 people such as Ding Bingcheng took Zhang Yan, Zhou Fen, from Shanghai, Zhao Anmin troopsstationed at the border of Jiangsu and Zhejiang. Ding Bingcheng reach dual-COR, and "anti-" established contact of Communist Party members, when the Kuomintang military Committee in Jiangsu, Zhejiang and Deputy Commander of the Brigade in Taihu Lake and Qian Kangmin, Director of the Department of the Commission (CPC) accompanied by consultations with Commander Zhao Anmin placement I was personnel related issues. Qian Kangmin efforts, Zhao Anmin also agreed to subordinate Gong Shengxiang Brigade guns to form a band in Taihu Lake. Qian Kangmin hired a boat to bring Gong Shengxiang, together with Zhang Yan start, boats to crossnear the fan, was seized by Cheng Wanjun. After Cheng Buzheng Jin Lu Wang, Director of training helps releasing personnel, but the weapon lost. Is autumn, Ding Bingcheng Wujiang was ordered to open up again,its task is: towards reconstruction guerrillas, Communist-led team.Along with Liu Zirong (Liu), Zhang Yan (Liu), huada busy (Chen Zhengzhi), Yu Zhe (Zhou Fen), Ye Chu Xiao (Lu Qiusheng), Henry (nandeqin), "anti-" players. Flat looking men Shen Yuezhen as a guide. Shen Yuezhen Ding Bingcheng single leader, Shen Yuezhen specializing in intelligence work, in September, through Mao Xiaocen served as the KMT's County Clerk, Shen Yuezhen after entering the County, deftly juggling between elites, was Chang Shen Liqun, who appreciated, has created favorable conditions for gathering intelligence. Meanwhile, Shen Yuezhen introduce jindapeng (Kanewaka Wang), xiaoxin was joined the "resistance", also activelydoing the standing political instructor Yu Qingzhi Shen Wenchao, Secretary of Justice and County Government数器件是以电流或者电压为信号。
ccd图像传感器基础知识精讲【可编辑的PPT文档】
★LK-G系列CCD激光位移传感器
❖ 产品特性
全新开发的Li-CCD （直线性CCD）高精度 Ernostar 物镜以及其它独一无二的先进技术。 KEYENCE 进一步改进了成熟的LK系列的CCD传感 器工艺并开发了包括Li-CCD 和高精度Ernostar 物 镜在内的全新技术。
如图所示
Li-CCD减少了像素边缘错误，精确度是传统型号
ＣＣＤ传感器有以下优点：
❖ 1. 高解析度（High Resolution）：像点的大小为 μm级，可感测及识别精细物体，提高影像品质。从 早期1寸、1/2寸、2/3寸、1/4寸到最近推出的1/9寸， 像素数目从初期的10多万增加到现在的400～500万 像素；
❖ 2. 低杂讯（Low Noise）高敏感度：ＣＣＤ具有很 低的读出杂讯和暗电流杂讯，因此提高了信噪比 （SNR），同时又具高敏感度，很低光度的入射光 也能侦测到，其讯号不会被掩盖，使ＣＣＤ的应用 较不受天候拘束；
IL-PI4096具体应用
❖ IL-P1-4096的精度高、感光响应快，在工业控制 和测量领域（如流水线产品检测、分类，文字与图 像的识别，机械产品尺寸非接触测量等），该器件 具有很强的实用性。
❖ IL-PI4096的工作频率要求很高、相位关系复杂， 使用高速CPLD作为CCD的基本时序发生器。推荐 设计时可使用Lattic公司的 ispMACH4000C/B/V系 列芯片，该芯片的工作时钟可以达到400MHz，完 全可以满足此CCD的工作时序要求。
需要注意的是，IL -P1-4096传感器是两路输出， 奇像素和偶像素分别从不同的输出通道输出，是一 种双排的线列阵CCD，光敏单元在中间，奇、偶单 元的信号电荷分别传到上下两列移位寄存器后分两 路串行输出。这种CCD的优点是具有较高的封装密 度，转移次数减少一半，因而可提高转移效率，改 善图像传感器的信号质量。
ccd图像传感器的工作原理
ccd图像传感器的工作原理
CCD（Charged Coupled Device）图像传感器是一种将光信号
转换为电信号的电子器件。
它具有由一系列电荷耦合转移器件组成的阵列。
其工作原理如下：
1. 光感受：图像传感器的表面涂有光敏材料，例如硅或硒化铟。
当光照射到传感器上时，光子会激发光敏材料中的电子。
2. 电荷耦合：在CCD传感器中，光激发的电子通过电场力被
引导至特定位置。
在传感器的一侧，存在着电荷耦合器件（CCD）的阵列。
这些器件由一系列电容构成，能将移动的
电子推入下一个电容。
3. 移位寄存：一旦电子被推入下一个电容，电荷耦合器件会以逐行或逐列的方式将电子移动到存储区域。
这些存储区域称为移位寄存器，在这里，电荷可以被暂时存储和传输。
4. 电荷读出：当所有行或列的电荷都被移动到相应的移位寄存器时，电子的集合就可以被读出。
通过将电荷转换为电压信号，其可以被进一步处理和转换为数字信号。
总结：CCD图像传感器的工作原理可以分为光感受、电荷耦合、移位寄存和电荷读出四个步骤。
通过光激发、电荷移动和存储，最终将光信号转换为电信号，并进一步处理为数字信号。
ccd图像传感器的原理
ccd图像传感器的原理
CCD图像传感器是一种基于电荷耦合器件（Charge-Coupled Device）的光学传感技术。
其原理是利用PN结以及电荷耦合
的原理将光信号转换为电荷信号，并通过逐行读取的方式将这些电荷信号转换为数字图像。
当一个光子击中CCD图像传感器上的感光表面时，它会激发
感光表面上的电子，并将它们转换成电荷信号。
这些电荷信号会被储存在电荷耦合器件中的位势阱中，由于耦合电介质介导电耦合效应，使电荷可以在电荷耦合器件中进行传输。
在图像采集过程中，电荷信号会被逐行读取。
首先，所有的电荷信号都会被传输到传感器芯片的顶部电荷传输区域。
然后，通过逐行读取的方式，将每行中的电荷信号传输到图像信号处理电路中进行进一步处理。
在逐行读取的过程中，每行的电荷信号会根据时钟脉冲的控制，被顺序地传输到图像信号处理电路中。
在图像信号处理电路中，电荷信号会被放大、调整和数字化，最终形成完整的数字图像。
CCD图像传感器具有高灵敏度、高动态范围和低噪声等优点，因此广泛应用于数码相机、摄像机、望远镜等领域。
它的原理基于光电效应和电荷耦合效应，为数字图像采集和处理提供了高质量的解决方案。
CCD图像传感器课件
CCD实物
•CCD图像传感器课件
常见的基于CCD光电耦器件的设备
•CCD图像传感器课件
•CCD图像传感器课件
嫦娥二号携带的CCD立体摄像机
•CCD图像传感器课件
CCD图像传感器
• CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS（金属— 氧化物—半导体）电容器组成的阵列。在P型或N 型硅衬底上生长一层很薄（约120nm）的二氧化硅 ,再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶 硅电极（栅极）,形成规则的MOS电容器阵列，再 加上两端的输入及输出二极管就构成了CCD芯片。
•CCD图像传感器课件
• 自动流水线装置，机床、自动售货机、自动监视 装置、指纹机；
• 作为机器人视觉系统；
• 用于传真技术，文字、图象 、 车 牌 识别。例如用 CCD识别集成电路焊点图案，代替光点穿孔机的作 用；
• M2A摄影胶囊（Mouth anus）,由发光二极管做光 源，CCD做摄像机，每秒钟两次快门，信号发射到 存储器，存储器取下后接入计算机将图像进行下 载。
3 t1 t2 t3 t4 t5
三个时钟脉冲的时序
•CCD图像传感器课件
输入二极输管入栅Ф1 Ф2
Ф3
SiO2
输出栅 输出二极管
耗尽区
P型Si 电荷转移方向
CCD的MOS结构
•CCD图像传感器课件
3、信号电荷的传输（耦合）
CCD工作过程的第三步是信号电荷包的转移，就是 将所收集起来的电荷包从一个像元转移到下一个 像元，直到全部电荷包输出完成的过程。 通过按一定的时序在电极上施加高低电平，可以 实现光电荷在相邻势阱间的转移。
•CCD图像传感器课件
(a)初始状态； (b)电荷由①电极向电极②转移； (c)电荷在①②电极下均匀分 布；(d)电荷继续由①电极向②电极转移；(e)电荷完全转移到②电极； (f)三相 转移脉冲
光电传感技术第七八章答案
1，设光敏二极管的光敏面积为1 mm×1 mm，若用它扫描500 mm×400 mm的图像，问所获得的图像水平分辨率最高能达到多少？答：水平分辨率最高可以达到500 mm/1 mm=500。
2，上题中光敏二极管在水平方向（沿图像500 mm方向）正程运动的速度为5 m/s，逆程运动的速度达50 m/s，垂直方向正程运动的速度应为多少？扫描一场图像的时间需要多少？答：水平扫描周期应为垂直方向行进到下一行的时间，因此垂直方向正程速度为：。
扫描一场图像需时间为：。
3，上述扫描出来的图像怎样显示出来？能直接用什么制式的电视监视器显示？为什么？若想看到用线阵CCD扫描出来的图像，应采用怎样的措施？4，比较逐行扫描与隔行扫描的优缺点，说明为什么20世纪的电视制式要采用隔行扫描方式？我国的PAL电视制式是怎样规定的？答：逐行扫描闪烁感低，扫描方式和控制扫描的驱动设计也要简单，隔行扫描对行扫描频率的要求只是逐行扫描的一半，对信号传输带宽要求也小。
20世纪的显示器行扫描频率达不到逐行扫描的行频要求，因此用隔行扫描技术。
PAL制式规定场周期为20 ms，其中场正程时间为18.4 ms，场逆程时间为1.6 ms，行频为15625 Hz，行周期为64μs，行正程时间为52 μs，行逆程时间为12 μs。
5，现有一台线阵CCD图像传感器（如ILX521）为256像元，如果配用PAL电视制式的显示器显示他所扫描出来的图像需要采用怎样的技术与之配合？6，如何理解“环保的绿色电视”？100 Hz场频技术是基于怎样的基础？答：100 Hz扫描技术就是利用数字式场频转换技术，它把PAL制的50 Hz场频的信号，通过数字式存储器DARM，采用“慢存快取”的方法，即读出的时钟频率是存入时钟频率的2倍，实现信号场频率的倍频转换，使场扫描数倍增，从而成为场频为100 Hz的视频信号。
7，图像传感器的基本技术参数有哪些？他们对成像质量分别有怎样的影响？答：1，成像物镜的焦距f’，决定了被摄劲舞在光电成像器件上成像的大小；2，相对孔径D/f’，决定了物镜的分辨率、像面照度和成像物镜的成像质量；3，视场角2ω，决定了能在光电图像传感器上成像良好的空间范围。
ccd传感器工作原理
ccd传感器工作原理
ccd传感器的工作原理是基于光电转换效应。
它可以将光信号转化为电信号。
CCD（Charge-Coupled Device）传感器是一种由多个电容阵列组成的芯片。
每个电容都对应着图像上的一个像素点。
当光线通过透镜进入传感器后，首先会被透镜聚焦到每个像素点上。
光子的能量会导致在每个像素点的电荷量发生改变。
CCD传感器的每个像素点都包含了一个光电二极管（photodiode）和一个电容。
当光子进入光电二极管时，会产生电子-空穴对。
电子会被光电二极管的电场吸引，并被保留在像素点内的电容中。
这个过程被称为光电转换。
在拍摄过程中，相机的快门会打开，允许光线进入CCD传感器。
每个像素点会记录下通过透镜传入的光子数量，转变成电子数量，并储存在电容中。
拍摄完毕后，快门关闭，传感器上的电荷被传到读出电路中。
读出电路会将电荷转化为电压，再经过模数转换器（ADC）转化为数字信号。
数字信号被传送到图像处理器中进行后续的图像处理和压缩，最终形成一张数字图像。
值得注意的是，CCD传感器中的像素是按行排列的，并且通过逐行扫描的方式进行读取。
这意味着每一行的像素点会被逐个读取出来，然后传输到图像处理器中。
当读取完一行后，传感器会自动跳到下一行继续读取，直到整个图像被读取完成。
通过以上的工作原理，CCD传感器能够将光信号高效地转化为电信号，并实现对图像的捕捉和处理。
这使得CCD传感器在数字相机、摄像机等设备中得到广泛应用。
CCD图像传感器的原理及应用
CCD图像传感器的原理及应用摘要：随着科技的迅猛发展，人们希望在生活生产中更多地实现自动化，而在实现自动化的过程中，传感器起着举足轻重的地位。
传感器其实就是人类感官的延伸，因此也叫“电五官”。
而图像传感器就是“电视觉”，本文就图像传感器中的一种——CCD图像传感器的原理及应用做一介绍。
关键字：CCD图像传感器原理应用CCD图像传感器是通过将光学信号转换为数字电信号来实现图像的获取、存储、传输、处理和复现。
光学信号转化为数字信号主要由CCD感光片完成。
CCD感光片由三部分组成，即镜片，彩色滤镜和感应电路，如下图。
镜片和彩色滤镜主要是对接受的光线（即图像）进行一定的预处理，感应电路为CCD传感器的核心，它又可分为光敏元件阵列和电荷转移器件两部分。
下面我们介绍一下感应电路的构成，CCD的感应电路是由若干个电荷耦合单元组成，该单元的结构如图所示。
其最小单元是在P型（或N型）硅衬底上生长一层厚度约为120nm的SiO2作为光敏器件，再在SiO2层上依次沉积铝电极而构成MOS的电容式转移器。
将MOS阵列加上输入、输出端，便构成了CCD的感应电路。
当光照射到ＣＣＤ硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子－空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。
当向SiO2表面的电极加正偏压时，P型硅衬底中形成耗尽区（势阱），耗尽区的深度随正偏压升高而加大。
其中的少数载流子（电子）被吸收到最高正偏压电极下的区域内，形成电荷包（势阱）电荷转移的控制方法，类似于步进电极的步进控制方式。
也有二相、三相等控制方式之分。
下面以三相控制方式为例说明控制电荷定向转移的过程。
三相控制是每一排像素上有三个金属电极P1,P2,P3,依次施加三个相位不同的脉冲，使得每排电极下电荷包向一侧移动，如下页图。
随着控制脉冲的分配，电荷包从一侧转移到最终端，由输出二极管收集后送给放大器处理，实现电荷移动。
当各排电荷全部移出感应区即扫描完成一幅画面，这些电荷最终以二进制的形式存储或修改。
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七、 CCD光电图像传感器
2、 CCD工作原理
电荷存储
通常在半导体硅片上制有成千上 万个相互独立的MOS光敏单元， 如果在金属电极上加上正电压， 则在半导体硅片上就形成成千 上万的个相互独立的势阱。如 果此时照射在这些光敏单元上 是一幅明暗起伏的图像，那么 这些光敏元就会产生出一幅与 光照强度相对应的光电荷图像。
获得目标尺寸和像素的变换关系 根据几何光学原理，被测物体尺寸计算公式为D=np/M
式中： n——覆盖的光敏像素数； p——像素间距； M——倍率。
D
被测 物体
成像 透镜
CCD
七、 CCD光电图像传感器
5、典型线阵CCD图像传感器 TCD1209D的像敏单元阵列由2075个光电二极管构成，其中
有27个光电二极管（前边D13～D31和后边的D32～D39）被遮蔽， 中间的2048个光电二极管为有效的像敏单元。每个像敏单元的 尺寸为14µm×14µm，相邻的两个像元的中心距为14µm。像敏单 元阵列的总长度为28.672mm。
特性参数
七、CCD光电图像传感器
5、典型线阵CCD图像传感器 （2）灵敏度
特性参数
线阵CCD的灵敏度参数定义为单位曝光量(lx.s)的作用下器
件的输出信号电压，即
R UO
式中的UO为线阵CCD输出的信号H电V 压，HV光敏面上的曝光量。
衡量器件灵敏度的参数还常用器件输出信号电压饱和时光敏面
上的曝光量表示，称为饱和曝光量，记为SE。饱和曝光量SE越
电源 输出
驱动脉冲
控制脉冲
钳位脉冲 复位脉冲TCD1209D原理结构图
七、CCD光电图像传感器
TCD1209D驱动脉冲波形图
控制脉冲
驱动脉冲
复位脉冲 嵌位脉冲 输出
七、CCD光电图像传感器
5、典型线阵CCD图像传感器 （1）光谱响应特性 TCD1209D的光谱响应的 峰值波长为550nm，短波响 应在400 nm处大于70%（实 践证明该器件在300nm处仍 有较好的响应），光谱响应 的长波限为1100nm。响应范 围远远超出人眼的视觉范围。
七、 CCD光电图像传感器
D原理
每一个光敏单元 （MOS电容）的电子 势阱收集根据光照强 度而产生的光生电子， 每个势阱中收集的电 子数与光照强度成正 比。
七、 CCD光电图像传感器
D原理
在CCD电路时钟脉冲的作用 下，势阱中的电荷信号会依 次向相邻的单元转移，从而 有序地完成载流子的运输— 输出，成为视频信号。
七、 CCD光电图像传感器
D原理
电荷转移
七、 CCD光电图像传感器
D原理
电荷转移
七、 CCD光电图像传感器
D原理
电流输出方式 ：
电荷输出
反偏二极管
衬底P和N+区构成输出二极管（反偏压）
七、 CCD光电图像传感器
D原理
电荷输出
复位脉冲RS
10－>2V
5V
Id Qs 信号电荷
博伊尔(Willard S. Boyle）和乔治·史密斯（George
E. Smith）发明。 2009年，科学家因博伊尔和乔治-E-史密斯因“发
明了成像半导体电路——电荷耦合器件图像传感器
CCD” 与高锟一同获得了当年的诺贝尔物理学奖。
七、CCD光电图像传感器
1、 CCD概念
七、 CCD光电图像传感器
小的器件其灵敏度越高。TCD1209D的饱和曝光量SE仅为
0.06(lx.s)。
七、CCD光电图像传感器
5、典型线阵CCD图像传感器
特性参数
（3）动态范围
动态范围参数DR定义为饱和曝光量与信噪比等于1时的曝光 量之比 。
DR USAT U DAk
TCD1209D的特性参数
特性参数 灵敏度
像敏单元的不均匀 性
160 98 0.2 2 000 5.5
0.6 1
由一系列排紧密的MOS（金ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ氧化物-半导体)电容器组成称为电 荷耦合器件（Charge Coupled Device, CCD）。
以电荷作为信号，经过其产生 、存储、转移和检测等过程，实现 光图像变成电信号。
CCD阵列表面结构（放 大1000倍）
七、 CCD光电图像传感器
1、 CCD概念
历史
CCD于1969年由美国贝尔实验室（Bell Labs）的维·
面阵CCD
可见光CCD 红外CCD X光CCD 紫外CCD
黑白CCD 彩色CCD 微光CCD
七、 CCD光电图像传感器
小 结：
电荷存储
CCD 电荷注入
电荷输出
电荷转移
七、 CCD光电图像传感器
小为什结么：称为电荷耦合器件？
电荷－－器件中的信息是以电荷形式出现的，
不同于其他探测器的“电流”或“电压”。
饱和输出电压 饱和曝光量 暗信号电压 暗信号电压不均匀
性 直流功率损耗 总转移效率
输出阻抗 动态范围 输出信号的直流电
位 噪声 驱动频率
参数符号 R
PRNU PRNU(V)
VSAT SE VDAK DSNU
PD TTE ZO DR VOS
NDO F
最小值 25 1.5 0.04
92 4.0
典型值 31 3 4 2.0 0.06 1.0 1.0
深度耗尽状态
1）势阱的形成 施加正电压 空穴耗尽区
势阱
栅极G 金属 氧化物
UG>0
半导体 P
七、 CCD光电图像传感器
2、 CCD工作原理
势阱的形成
栅极正向电压增加 时，势阱变深。
－－改变UG，调 节势阱深度
七、 CCD光电图像传感器
2、 CCD工作原理
电荷产生
依靠半导体的光电特性，用光注入的办法产生。
§7 CCD光电图像传感器
固体摄像器件
摄像头 CCD摄象机 输出视频信号：
电视墙
－－摄像型光电成像器件
固体摄像器件的功能：把入射到传感器光敏面上按空间分 布的光强信息（可见光、红外辐射等），转换为按时序串 行输出的电信号—— 视频信号。其视频信号能再现入射 的光辐射图像。
固体摄像器件
固体摄像器件主要有三大类： 电荷耦合器件（Charge Coupled Device，即CCD） 互补金属氧化物半导体图像传感器（即CMOS） 电荷注入器件（Charge Injenction Device， 即CID）
分辨率
实际中，CCD器件的分 辨率一般用像素数表示， 像素越多，则分辨率越 高。
44万（768*576）、100万 （1024*1024）、200万 （1600*1200）、600万 （2832*2128）
七、 CCD光电图像传感器
4.对光源的要求 –光源的类型
检测被检测物体的像 白炽灯或卤钨灯
CCD检测系统
当外界有光信号入射到MOS电容器的P型半导体内时， 会产生电子-空穴对，光越强，电子-空穴对越多，产 生信号电荷，光信号转换为电信号。
七、 CCD光电图像传感器
2、 CCD工作原理
电荷产生
光注入： 产生产电生子电－子空－穴空对穴对
空穴
－－栅极电压排斥
电子
－－被吸入势阱
七、 CCD光电图像传感器
2、 CCD工作原理
电荷存储
耗尽区对于带负电的电子来讲 是一个势能很低的区域，若注 入电子，电场则吸引它到电极 下的耗尽区。表面处构成了对
于电子的“陷阱”，称之为表面势阱，势阱积累电子 的容量取决于势阱的“深度”，而表面势的大小近似 与栅压VG成正比。
七、 CCD光电图像传感器
2、 CCD工作原理
电荷存储
MOS电容具有存储电荷的能力
3.特性参数
工作频率
（a）工作频率的下限f下
1 f 1
3 c
3 g
电荷包在相邻两电极之间的转移时间t
t＜τc
三相CCD：
t
T 3
,
f下
1
3 c
二相CCD
：
t
T 2
,
f下
1
2 c
七、 CCD光电图像传感器
3.特性参数
工作频率
（b）工作频率的上限f上 三相CCD f 1
3 g f 1
3 d
电荷从一个电极转移到另一个 电极的固有时间
七、 CCD光电图像传感器
D原理
在CCD电路时钟脉冲的作用 下，势阱中的电荷信号会依 次向相邻的单元转移，从而 有序地完成载流子的运输— 输出，成为视频信号。
七、 CCD光电图像传感器
D原理
在CCD电路时钟脉冲的作用 下，势阱中的电荷信号会依 次向相邻的单元转移，从而 有序地完成载流子的运输— 输出，成为视频信号。
栅极G 金属 氧化物
半导体 P
UG>0
七、 CCD光电图像传感器
2、 CCD工作原理
势阱的形成
• UG＞ Uth时，半导体与绝缘体 界面上的电势变得非常高，以 致于将半导体内的电子(少子) 吸引到表面，形成一层极薄但 电荷浓度很高的反型层（沟 道）。
栅极G 金属 氧化物
半导体 P
UG>0
N型(P沟道） P型(N沟道）
2、 CCD工作原理
CCD结构
MOS结构 单元－像素
P
基本单元：MOS电容器。
在半导体硅上氧化生成一层薄 (约0.1μm)的
SiO2绝缘层，再镀上一层小面积金属作为电极，称 栅极。
七、 CCD光电图像传感器
2、 CCD工作原理
CCD结构
由多个像素组成线阵, 金属栅极是分立的， 氧化物与半导体是连 续的。