第六实验 霍耳效应
霍尔效应实验报告文库
一、实验背景霍尔效应是一种重要的物理现象，最早由美国物理学家霍尔于1879年发现。
当电流通过置于磁场中的导体或半导体时，会在垂直于电流和磁场方向上产生电压，这种现象称为霍尔效应。
霍尔效应不仅揭示了电荷运动规律，而且在许多领域有着广泛的应用，如磁场测量、半导体材料分析、传感器等。
二、实验目的1. 理解霍尔效应的基本原理和实验方法；2. 通过实验测量霍尔元件的霍尔电压与磁场、电流的关系；3. 学习对称测量法消除副效应的影响；4. 确定样品的导电类型、载流子浓度和迁移率。
三、实验原理霍尔效应的原理是基于洛伦兹力定律。
当电流通过导体或半导体时，其中的载流子（电子或空穴）会受到洛伦兹力的作用，从而在垂直于电流和磁场方向上产生横向电场，导致电压的产生。
四、实验仪器1. 霍尔效应实验仪；2. 电源；3. 电流表；4. 磁场发生器；5. 测量线；6. 霍尔元件；7. 导线等。
五、实验内容1. 连接实验电路，确保霍尔元件处于磁场中间；2. 调节电源，使电流表读数稳定；3. 测量不同磁场强度下的霍尔电压；4. 测量不同电流下的霍尔电压；5. 测量不同磁场强度和电流下的霍尔电压；6. 根据测量数据绘制霍尔电压与磁场、电流的关系曲线；7. 使用对称测量法消除副效应的影响；8. 根据霍尔电压、电流和磁场强度计算样品的载流子浓度和迁移率。
六、实验步骤1. 按照实验仪说明书连接实验电路，确保霍尔元件处于磁场中间；2. 调节电源，使电流表读数稳定；3. 测量不同磁场强度下的霍尔电压，记录数据；4. 保持磁场强度不变，改变电流大小，测量霍尔电压，记录数据；5. 改变磁场强度，重复步骤3和4，记录数据；6. 根据测量数据绘制霍尔电压与磁场、电流的关系曲线；7. 使用对称测量法消除副效应的影响，计算样品的载流子浓度和迁移率；8. 分析实验结果，得出结论。
七、实验结果与分析1. 根据实验数据绘制霍尔电压与磁场、电流的关系曲线；2. 通过分析曲线，确定样品的导电类型、载流子浓度和迁移率；3. 讨论实验过程中可能出现的误差，并提出改进措施。
实验报告霍尔效应
实验报告霍尔效应一、前言本实验即为霍尔效应实验，目的为观察材料中的自由电子在磁场中的漂移情况，并通过测量霍尔电压、磁场强度、电流等参数计算出材料中的载流子浓度、电荷载流子的载流率和电导率等物理参数，加深对材料物理性质的理解。
二、实验原理1. 霍尔效应霍尔效应是指在垂直磁场中，导电体中的自由电子感受到的洛伦兹力使其沿着垂直于电流方向的方向漂移，从而产生一侧的电荷密度增加，另一侧的电荷密度减小，形成的电势差即为霍尔电势差（VH），如下图所示：其中，e为元电荷，IB为电流，B为磁场强度，d为样品宽度，n为电子浓度。
2. 实验装置本实验装置如下图所示：其中，UH为霍尔电势差测量电压，IB为电流源，B为电磁铁控制磁场强度，R为电阻，L1，L2为长度为d的导线，L3为长度为l的导线。
3. 实验步骤（1）将实验装置按照图中所示连接好。
（2）打开电源，调节电流源的电流大小，使其稳定在0.5A左右。
（3）打开电磁铁电源，调节磁场强度大小。
（4）读取测量电压UH值。
（5）更改电流大小、磁场强度等参数进行多次实验重复测量。
三、实验结果通过多次实验测量，我们得到了以下测量数据：IB/A B/T UH/mV0.5 0 00.5 0.1 60.5 0.2 120.5 0.3 180.5 0.4 240.5 0.5 30四、实验分析1. 计算样品电子浓度根据式子：UH=IBBd/ne，可以计算得出样品中电子浓度n，如下表所示：2. 计算材料电导率IB/A B/T UH/mV R/Ω J/A.m^-2 E/V.m^-1 σ/(S.m^-1)0.5 0 0.22 1.18 4.24E+5 0.64 3.59E+50.5 0.1 6.22 1.18 4.24E+5 0.64 3.59E+50.5 0.2 12.22 1.18 4.24E+5 0.64 3.59E+50.5 0.3 18.22 1.18 4.24E+5 0.64 3.59E+50.5 0.4 24.22 1.18 4.24E+5 0.64 3.59E+50.5 0.5 30.22 1.18 4.24E+5 0.64 3.59E+53. 计算电子的载流率通过本实验可以得到如下结论：1. 随着磁场强度的增加，霍尔电势差也随之增加。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
霍耳效应实验报告原理
一、实验背景霍尔效应是电磁学中的一个重要现象，由美国物理学家霍尔于1879年首次发现。
当电流垂直于磁场通过一个导体或半导体时，会在导体或半导体的垂直方向上产生一个电压，这个电压称为霍尔电压。
霍尔效应的研究不仅对基础物理学具有重要意义，而且在工程应用中也具有广泛的应用价值。
二、实验目的1. 理解霍尔效应的产生原理和基本规律。
2. 掌握霍尔效应实验的原理和方法。
3. 学习使用霍尔效应原理测量磁场的强度和方向。
4. 分析霍尔元件的特性，如霍尔系数、载流子浓度等。
三、实验原理1. 霍尔效应基本原理霍尔效应的产生可以用洛伦兹力来解释。
当电流通过半导体薄片时，载流子（电子或空穴）在电场作用下定向移动，形成电流。
当薄片置于垂直于电流方向的磁场中时，载流子会受到洛伦兹力的作用，导致其运动方向发生偏转。
由于载流子的偏转，薄片两侧会产生电荷积累，形成电势差，即霍尔电压。
2. 霍尔电压的计算根据洛伦兹力公式和电流密度公式，霍尔电压 \( U_H \) 可以表示为：\[ U_H = R_H \cdot I \cdot B \]其中：- \( R_H \) 为霍尔系数，与材料的性质有关；- \( I \) 为工作电流；- \( B \) 为磁感应强度。
3. 霍尔元件的特性霍尔元件是利用霍尔效应原理制成的传感器，具有以下特性：- 霍尔系数：霍尔系数是表征材料霍尔效应强度的一个重要参数，与材料的电子迁移率、载流子浓度和电荷量有关。
- 载流子浓度：载流子浓度越高，霍尔效应越明显。
- 温度依赖性：霍尔系数和载流子浓度都会受到温度的影响。
四、实验方法1. 实验装置霍尔效应实验装置主要包括霍尔元件、电源、电流表、电压表、磁铁等。
2. 实验步骤（1）将霍尔元件固定在实验装置上，确保其工作面与磁场方向垂直。
（2）调节电源，使霍尔元件中通过一定的工作电流。
（3）将磁铁置于霍尔元件附近，调整磁铁的位置和方向，使霍尔元件受到不同的磁场。
（4）测量霍尔元件的霍尔电压，记录数据。
大学物理实验报告系列之霍尔效应
大学物理实验报告【实验名称】霍尔效应【实验目的】1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2．学习用“对称测量法”消除付效应的影响，测量试样的VH—IS；和VH—IM 曲线。
3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
【实验仪器】霍尔效应实验仪【实验原理】霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。
对于图1（a）所示的N型半导体试样，若在X方向通以电流1s，在Z方向加磁场B，试样中载流子（电子）将受洛仑兹力F B= e v B （1）则在Y方向即试样A、A'电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场一霍尔电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对N型试样，霍尔电场逆Y方向，P 型试样则沿Y方向，有：Is (X)、B (Z) E H (Y) <0 (N型)E H (Y) >0 (P型)显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力HeE与洛仑兹力eVB相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有HeE= B v e（2）其中HE为霍尔电场，v是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为n，则bdvneIs=（3）由（2）、（3）两式可得dBIRdBInebEV SHSHH===1（4）即霍尔电压HV（A、A'电极之间的电压）与IsB乘积成正比与试样厚度成反比。
比例系数neRH1=称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，)2.00 8.21 8.3 8.04 8.20 0.0852.50 10.25 10.06 10.04 10.27 0.1053.00 12.33 12.05 12.05 12.29 0.1304.00 16.39 16.07 16.09 16.41 0.160)(mA IM)(1mvV)(2mvV)(3mvV)(4mvV)(44321mvVVVVVH-+-=BIS++...BIS-+...BIS+-...BIS--...0.300 4.18 4.02 3.95 4.18 0.0975 0.400 5.52 5.37 5.30 5.49 0.085 0.500 6.84 6.68 6.67 6.84 0.0825 0.600 8.19 8.04 8.03 8.21 0.0825 0.700 9.55 9.04 9.38 9.55 0.170 0.800 10.90 10.75 10.74 10.92 0.0825mvV1.167=σmmd5.0=mml3=mmb5=TAKGSB364.0/64.3==由公式ccmBIdVRSHH/0549.01036401105.004.0103848=⨯⨯⨯⨯=⨯=-由公式1719108.8106.10549.011--⨯=⨯⨯==eRnH由公式63.143105.051.167233=⨯⨯⨯⨯==-SVlISσσ西门子/米由公式89.763.1430549.0=⨯==σμHR【小结与讨论】(1)了解了霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件丢材料的要求的知识，了解到一些物理量比如说霍尔系数，迁移率，电导率霍尔灵敏度等(2)如何判别霍尔元件的载流子类型？讨论知道电流方向一定，载流子的受力方向就一定，载流子会在受力方向积累，然后观测其正负。
实验报告 霍尔效应
实验报告霍尔效应一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪器，测量霍尔电压、电流等物理量。
二、实验原理1、霍尔效应将一块半导体薄片置于磁场中，当在薄片的纵向通以电流时，在薄片的横向两侧会产生一个电位差，这种现象称为霍尔效应。
这个电位差称为霍尔电压，用＄U_H$ 表示。
霍尔电压的产生是由于运动的载流子在磁场中受到洛伦兹力的作用而发生偏转，在薄片的两侧积累了正负电荷，从而形成了电场。
当电场力与洛伦兹力达到平衡时，电荷的积累停止，霍尔电压达到稳定值。
2、霍尔电压的计算设半导体薄片的厚度为＄d$，载流子的浓度为＄n$，电流为＄I$，磁感应强度为＄B$，则霍尔电压＄U_H$ 可以表示为：＼U_H ＝＼frac{1}｛nq}IBd\其中，＄q$ 为载流子的电荷量。
3、测量磁场如果已知半导体薄片的参数（如载流子浓度＄n$、薄片厚度＄d$）以及通过的电流＄I$，测量出霍尔电压＄U_H$，就可以计算出磁感应强度＄B$：＼B ＝＼frac{nqdU_H}｛I}＼三、实验仪器1、霍尔效应实验仪，包括霍尔元件、电磁铁、电源、电压表、电流表等。
2、特斯拉计，用于测量磁场强度。
四、实验步骤1、连接实验仪器按照实验电路图连接好霍尔效应实验仪的各个部分，确保连接正确无误。
2、调整磁场打开电磁铁电源，逐渐增加电流，使磁场强度逐渐增大。
使用特斯拉计测量磁场强度，并记录下来。
3、测量霍尔电压（1）保持磁场强度不变，改变通过霍尔元件的电流＄I$，分别测量不同电流下的霍尔电压＄U_H$，记录数据。
（2）保持电流＄I$ 不变，改变磁场强度，测量不同磁场强度下的霍尔电压＄U_H$，记录数据。
4、数据处理（1）根据测量的数据，绘制霍尔电压＄U_H$ 与电流＄I$ 的关系曲线。
（2）绘制霍尔电压＄U_H$ 与磁场强度＄B$ 的关系曲线。
（3）根据实验原理中的公式，计算出半导体薄片的载流子浓度＄n$ 和薄片厚度＄d$。
霍尔效应实验
霍尔效应及其应用置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，那么在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。
随着半导体物理学的迅速开展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。
通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。
假设能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。
如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的开展，利用该效应制成的霍尔器件，由于构造简单、频率响应宽〔高达10GHz〕、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。
了解这一富有实用性的实验，对日后的工作将有益处。
一、实验目的1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识。
2．学习用“对称测量法〞消除副效应的影响，测量并绘制试样的V H－I S和V H －I M曲线。
3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
二、实验原理霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子〔电子或空穴〕被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。
对于图〔1〕〔a〕所示的N型半导体试样，假设在X方向的电极D、E上通以电流Is，在Z方向（N型） 0 (Y)E （P型）0 (Y)E (X)、B（Z） IsH H <>加磁场B ，试样中载流子〔电子〕将受洛仑兹力〔1〕其中e 为载流子〔电子〕电量， 为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B 为磁感应强度。
无论载流子是正电荷还是负电荷，F z 的方向均沿Y 方向，在此力的作用下，载流子发生便移，那么在Y 方向即试样A 、A ´电极两侧就开场聚积异号电荷而在试样A 、A ´两侧产生一个电位差V H ，形成相应的附加电场E —霍尔电场，相应的电压V H 称为霍尔电压，电极A 、A ´称为霍尔电极。
大学物理实验报告霍尔效应
大学物理实验报告霍尔效应霍尔效应是一种基于磁场作用的物理现象，在大学物理实验中经常被用来研究材料的电导性质和载流子的性质。
在本文中，我们将探讨霍尔效应的原理、实验方法以及实验结果的分析。
首先，让我们来了解一下霍尔效应的原理。
霍尔效应是由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年发现的，他发现当电流通过一块导体时，如果在导体上施加一个垂直于电流方向的磁场，就会在导体的侧边产生一种电势差。
这个电势差被称为霍尔电压，它与电流、磁场以及导体材料的性质有关。
为了观察和测量霍尔电压，我们需要进行一系列的实验。
首先，我们需要准备一块导体样品，通常是一个长方形的薄片。
然后，在样品的两侧分别接上一个电源，以产生电流。
接下来，我们需要在样品上方放置一个磁场，可以使用一个恒定磁场产生器或者一个电磁铁。
在实验过程中，我们可以通过改变电流和磁场的大小来观察霍尔电压的变化。
在实验中，我们通常使用一个霍尔探头来测量霍尔电压。
霍尔探头由一个细长的导线和一个敏感的电压测量器组成。
将探头放置在导体样品的侧边，使导线与电流方向垂直，并将电压测量器连接到导线的两端。
当磁场施加到样品上时，导线中就会产生霍尔电压。
通过测量电压测量器的读数，我们可以得到霍尔电压的大小。
通过实验测量得到的霍尔电压与电流和磁场的关系可以用下面的公式表示：VH = RHBIL其中，VH是霍尔电压，RH是霍尔系数，B是磁场的大小，I是电流的大小，L是导体样品的长度。
从这个公式可以看出，霍尔电压与电流和磁场成正比，与导体样品的长度成正比。
通过实验测量得到的数据，我们可以绘制出霍尔电压与电流和磁场的关系曲线。
通过分析曲线的斜率，我们可以得到材料的霍尔系数。
霍尔系数是一个描述材料载流子性质的重要参数，它可以告诉我们材料中载流子的类型（正电荷还是负电荷）、密度以及迁移率等信息。
除了测量霍尔电压，我们还可以通过实验测量样品的电阻和磁阻。
通过测量电阻和磁阻的变化，我们可以进一步了解材料的导电性质和载流子的性质。
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霍耳效应
【实验目的】
1、了解霍耳效应的原理及霍耳元件有关参数的含义及作用。
2、测绘霍耳元件的H V –s I 、H V –M I 曲线，了解霍耳电压H V 与霍耳元件控制电流s I 、励磁电流
M I 之间的关系。
3、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
【实验仪器】
ZKY —HS 霍耳效应实验仪，ZKY —HC 霍耳效应测试仪 【实验原理】
霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累，从而形成附加的横向电场。
如图所示，把一载流半导体板垂直于磁场B 放置，如果磁场B
垂直于导体板中电流S I ，那么在导
体中垂直于B
和S I 的方向就会出现一定的电势差H V ，这一现象叫做霍耳效应，H V 叫做霍耳电势差（或
霍耳电压）。
本实验用N 型半导体（其载流子为电子），设它的长为l ，宽为b ，厚为d 。
沿Z 轴正向加一磁场
B
，沿Y 轴正向通一工作电流S I ，半导体中的载流子将在X 方向受到一个洛仑兹力(如图中所示)
B v e F d B
⨯= （1）
式中e 、d v
分别是载流子的电量和平均漂移速度。
载流子受力偏转在半导体的一侧堆积负电荷，在另一
侧堆积正电荷，结果在X 方向形成霍耳电势差H V ，从而形成一个霍耳电场H E。
由于霍耳电场对载流子
的作用力E F 总是与洛伦茨B F 的方向相反，所以，当B E F F
-=时，载流子的聚集就达到动态平衡，在
半导体两侧形成以稳定的霍尔电场，形成稳定的霍尔电压。
电场力的大小为
H
E H eV
F eE b
==
（2） 设霍耳元件中载流子的浓度为n ，则电流强度为bd env I d S =，因此有
S d I
v enbd
= （3）
于是洛仑兹力的大小可表示为
S B d I B
F ev B nbd
==
（4）
由E B F F =可得
S H I B
V ned
=
（5）
令
1
H R ne
=
（6） H R 称为霍耳系数，它是反映材料霍耳效应强弱的重要参数。
于是有
H S H R I B
V d
= （7）
若令
1
H H R K d ned
=
= （8） 则有
B I K V S H H = （9）
H K 称为霍耳灵敏度，对一定的霍耳元件是一个常数。
实际测量时所测得的电压不只是V H ，还包括其他因素带来的附加电压。
如不等势电势0V 、爱廷豪森效应产生附加电动势E V 、能斯脱效应产生附加电势差N V 、里记-勒杜克效应产生附加电势差R V 。
因
此，在确定磁场B
和工作电流S I 的条件下，实际测量的电压包括H V 、0V 、E V 、N V 、R V 五个电压的
代数和。
为了减少和消除以上效应引起的附加电势差，利用这些附加电势差与霍耳元件工作S I 、励磁电流M I 的关系，采用对称（交换）测量法进行测量。
测量时可用改变S I 和B
（励磁电流M I ）的方向的方法，抵消负效应的影响。
例如测量时首先任取某一方向的S I 和M I 为正，用M I +、S I +表示，当改变它们的方向时为负，用M I -、S I -表示，保持S I 、B
的数值不变，在（M I +、S I +）、（M I -、S I +）、
（M I -、S I -）、（M I +、S I -）四种条件进行测量，测量结果分别为：12341
()4
H V V V V V =
-+- 四、实验步骤
1、测试仪面板上的“S I 输出”、“M I 输出”和“H V 输入”三对接线柱分别与实验仪上的三对相应的接线柱连接好。
2、将S I 、M I 调节旋钮逆时针方向旋到底。
然后打开电源。
3、将K 1、K 2、K 3电键均倒向上方接通电路（此时为“+”）。
4、测H V ～S I 曲线，调节励磁电流M I =0.600A 不变，调节工作电流，按表1要求调节电流S I ，并分别改变B
、S I 的方向，测出相应的霍耳电势差H V ，填入表1中。
5、测H V ～M I 曲线，保持工作电流S I =3.00mA 不变，调节M I =0.3~0. 8A ，分别测量霍耳电压H V ，填入表2。
6、根据测量数据在坐标纸上绘出H V ～S I 曲线与H V ～M I 曲线。
【数据记录】 1、 测H V ～S I 曲线，
表一 M I =0.600A
S I (mA)
1V (mV) ＋Ｂ，＋S I 2V (mV)
－Ｂ，＋S I 3V (mV)
－Ｂ，－S I 4V (mV)
(＋Ｂ，－S I
H V =44
321V V V V -+-
1.00 1.50
2.00 2.50
3.00
4.00
2、M H I V -曲线
表二 S I ＝3.00mA
M I (A)
1V (mV) ＋Ｂ，＋
S
I 2V (mV) －Ｂ，＋
S
I 3V (mV) －Ｂ，－
S
I 4V (mV) (＋Ｂ，－
S
I
H V =44321V V V V -+- 0.300
0.400 0.500 0.600 0.700 0.800
【数据处理】
根据测量数据用坐标纸绘出S I ～H V 曲线与M I ～H V 曲线。