电力电子技术题库及答案整理版

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《电力电子技术》题库含答案

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分,共50分)1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。

2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________________________________。

3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM ________ U BO。

4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____,设U2为相电压有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。

6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______________________。

7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_____________________________________________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________________________________________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。

14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 电力电子技术主要研究的是()。

A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案:C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件?()A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案:C3. 电力电子变换器的主要功能是()。

A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案:D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛?()A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案:B5. 晶闸管的导通条件是()。

A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案:D二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用?()A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案:ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能?()A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案:ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式?()A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 电力电子技术中,______是一种常用的交流-直流变换器。

答案:整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。

答案:开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。

答案:新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。

答案:调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。

答案:伺服驱动四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。

答案:电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。

电力电子技术试题20套及答案

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是( B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。

电力电子技术题库及答案整理版

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电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空题(每空1分,共50分)1、对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。

2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是______智能功率集成电路_________。

3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为,UDSM__小于__UBO。

4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_UFm为相电压有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。

6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______下降______。

7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_________________输出电压基波________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。

14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。

15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为:_____________________维持电流_______________________。

电力电子技术试题20套及答案解析

电力电子技术试题20套及答案解析

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即 ,其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为 逆变,如果接到负载,则称为 逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。

电力电子技术试题(卷)20套与答案解析

电力电子技术试题(卷)20套与答案解析

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1)0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2)t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3)t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4)t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5)t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。

(完整版)电力电子技术试题20套及答案

(完整版)电力电子技术试题20套及答案

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。

电力电子技术知识考核题库与答案

电力电子技术知识考核题库与答案

电力电子技术知识考核题库一、单选题1、()出现前的时期可称为电力电子技术的史前期或黎明期。

[单选题] *A、电力二极管B、水银整流器C、晶闸管√D、IGBT2、()属于全控型器件,它是MOSFET 和BJT的复合。

其性能十分优越,使之成为现代电力电子技术的主导器件。

[单选题] *A、电力二极管B、晶闸管C、GTOD、IGBT√3、()是MOSFET 和GTO 的复合。

其目前也取得了相当的成功,已经获得大量应用。

[单选题] *A、SITB、晶闸管C、IGBTD、IGCT√4、晶闸管属于半控型器件,它的触发信号加在()之间。

[单选题] *A、阳极与阴极B、门极与阴极√C、栅极与集电极D、栅极与发射极5、IGBT属于电压驱动型器件,它的驱动控制信号加在()之间。

[单选题] *A、阳极与阴极B、门极与阴极C、栅极与集电极D、栅极与发射极√6、随着全控型电力电子器件的不断进步,电力电子电路的工作频率也不断提高,电力电子器件的()也随之增大。

[单选题] *A、通态损耗B、断态损耗C、开关损耗√D、开通损耗7、电化学工业大量使用直流电源,电解铝、电解食盐水等都需要大容量()。

[单选题] *A、整流电源√B、逆变电源C、直流斩波电源D、变频器8、以前的电梯大都采用直流调速系统,而近年来()调速已成为主流。

[单选题] *A、斩波B、交流变相C、交流调压D、交流变频√9、轻型直流输电主要采用()器件。

[单选题] *A、晶闸管B、电力MOSFETC、GTOD、IGBT√10、通信设备中的程控交换机所用的直流电源以前用晶闸管整流电源,现在已改为采用全控型器件的()。

[单选题] *A、逆变电源B、直流斩波电源C、线性稳压电源D、高频开关电源√11、逆导IGBT相当于将一个IGBT 两端反并联一个()。

[单选题] *A、快速二极管√B、晶闸管C、电力MOSFETD、GTO12、下列器件中,()与SIT速度相当。

[单选题] *A、晶闸管B、GTOC、电力MOSFET√13、以下器件中,开关速度达几百kHZ,甚至高达1MHZ的是()。

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一、填空题(每空1分,共50分)1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L __大于__ I H。

2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是______智能功率集成电路_________。

3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM __小于__ U BO。

U _,设U2 4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_Fm2为相电压有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。

6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______下降______。

7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_________________输出电压基波________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。

14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。

15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为:_____________________维持电流 _______________________。

16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较_____小___的规化值。

17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,双向晶闸管的额定电流用____正弦电流有效值___标定。

18、晶闸管的导通条件是:晶闸管______阳极____和阴极间施加正向电压,并在___门极____和阴极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

19、温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而____减小__,正反向漏电流随温度升高而____增大___,维持电流I H会_____减小______,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而____减小____。

导通后流过晶闸管的电流由_____负载阻抗____决定,负载上电压由_____输入阳极电压UA _____决定。

20、晶闸管的派生器件有: __快速晶闸管____ 、 ___双向晶闸管__ 、 ____逆导晶闸管___ 、 __光控晶闸管___等。

21、功率场效应管在应用中的注意事项有:(1)____________过电流保护________,(2)___________过电压保护________,(3)____________过热保护______________,(4)______________防静电___________。

22、整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为_______逆变_______,它是对应于整流的逆向过程。

23、____________开关损耗___________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。

24、如果将逆变电路交流侧接到交流电网上,把直流电逆变成同频率的交流电,反送到电网上去称为:_________________有源逆变________。

25、__有源逆变__电路是把逆变电路的交流侧接到电网上,把直流电逆变成同频率的交流反送到电网去。

__无源逆变__电路的交流侧直接接到负载,将直流电逆变成某一频率或可变频率的交流供给负载。

26、_缓冲电路__的作用是抑制电力电子器件的内因过电压du/dt 或者过电流di/dt,减少器件的开关损耗。

27、VDMOS 的安全工作区分为:(1)____正向偏置安全工作区_______。

(2)____开关安全工作区___。

(3)________换向安全工作区______。

28、晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为_关断时间_,即t q =t rr +t gr 。

29、IGBT 有三个电极,分别是_____集电极C 、发射极E 、栅极G___。

如果__集电极C_接电源的正极,__发射极E _接电源的负极,它的导通和关断由__栅极电压UGE___来控制。

30、电流从一个臂向另一个臂转移的过程称为________________换流_______________。

二、单项选择题:(每小题2分,从每小题的四个备选选答案,选出一个正确答案,并将正确答案的号码填在题干后面的括号内 )1、功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( B )A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止2、逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( B )A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管3、在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( A )A.干扰信号B.触发电压信号C.触发电流信号D.干扰信号和触发信号4、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( B )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定5、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( D )A.90°B.120°C.150°D.180°6、单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为( B )A. 222 C. 22 7、单相全控桥电阻性负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为( C )2 B. 2 C. 222 8、单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是( A )A.0°~90°B.0°~180°C.90°~180°D.180°~360°9、单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ=( C )A.π-αB.π+αC.π-δ-αD.π+δ-α10、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角γ与哪几个参数有关( A )A.α、负载电流I d 以及变压器漏抗X CB.α以及负载电流I dC.α和U 2D.α、U 2以及变压器漏抗X C11、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°12、可在第一和第四象限工作的变流电路是( A )A.三相半波可控变电流电路B.单相半控桥C.接有续流二极管的三相半控桥D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路13、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( D )A.功率晶体管B.IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管14、若增大SPWM 逆变器的输出电压基波频率,可采用的控制方法是( C )A.增大三角波幅度B.增大三角波频率C.增大正弦调制波频率D.增大正弦调制波幅度15、采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( C )A.减小输出幅值B.增大输出幅值C.减小输出谐波D.减小输出功率16、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( B )A.电容B.电感C.蓄电池D.电动机三、名词解释(每小题4分,)1、电力电子技术 将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域,利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能的变换和控制,构成了一门完整的学科,被国际电工委员会命名为电力电子学(Power Electronics )或称为电力电子技术。

2、二次击穿 一次击穿发生时IC 增大到某个临界点时会突然急剧上升,并伴随电压的陡然下降。

常常立即导致器件的永久损坏,或者工作特性明显衰变 。

3、安全工作区 是指在输出特性曲线图上GTR 能够安全运行的电流、电压的极限范围。

按基极偏置分类可分为正偏安全工作区FBSOA 和反偏安全工作区RBSOA 。

4、相控方式 这种通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式,简称相控方式。

5、换相重叠角γ 实际工作中,整流变压器存在漏抗,晶闸管之间的换流不能瞬时完成,会出现参与换流的两个晶闸管同时导通的现象,同时导通的时间对应的电角度称为换相重叠角γ6、电力电子器件 电力电子电路中能实现电能的变换和控制的半导体电子器件称为电力电子器件。

7、 7、电流波形的波形系数K f 电流波形的波形系数:定义某电流波形的有效值与平均值之比为这个电流波形的波形系数,用K f 表示:8、晶闸管的伏安特性 晶闸管阳极与阴极之间的电压Ua 与阳极电流Ia 的关系曲线称为晶闸管的伏安特性。

9、门极触发电流I GT 在室温下,晶闸管加6V 正向阳极电压时,使元件完全导通所必须的最小门极电流,称为门极触发电流I GT 。

10、电流关断增益βoff 电流关断增益:GTO 的门极可关断能力可用电流关断增益βoff 来表征,最大可关断阳极电流I ATO 与门极负脉冲电流最大值I GM 之比称为电流关断增益:βoff = I ATO / I GM11、换流 电流从一个臂向另一个臂转移的过程称为换流(或换相)电流平均值电流有效值f K12、整流器利用电力电子器件的可控开关特性把交流电能变为直流电能的整流电路构成的系统称为整流器。

整流器的输出电压是脉动的,其中除了有主要的直流成分外,还有一定的交流谐波成分。

13、电压纹波系数γu 定义整流器的输出电压的交流纹波有效值U H与直流平均值U D之比为电压纹波系数γu。

即γu= U H / U D14、输入功率因数PF 定义交流电源输入有功功率平均值P与其视在功率S之比为输入功率因数PF (Power factor), 即PF=P/S,S=U S I S15、相控方式这种通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式,简称相控方式。

16、移相范围整流输出电压Ud的平均值从最大值变化到零时,控制角α的变化范围为移相范围。

17、换相重叠角γ实际工作中,整流变压器存在漏抗,晶闸管之间的换流不能瞬时完成,会出现参与换流的两个晶闸管同时导通的现象,同时导通的时间对应的电角度称为换相重叠角γ。

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