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反渗透纯水机 去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。
纯水机 净化设备
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清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有 毒，不可食用。
主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、 净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI 装置、 离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV 紫外线 杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、
高速高精度运动定位及控制技术 从国际划片机发展过程来看，从 Ф150mm 到 Ф200mm，精度仅提高 1μm，但这是在行程增大的条 件下提高的，对导轨、丝杠等机械部件的精度及变形 要求极严，要确保划切精度和芯片安全，决不允许有 误差积累，因此，只能选择闭环控制。要在不影响或 尽量小地影响效率的前提下实现闭环控制，必须采用 高速高精度定位及其控制系统。高效能、快速响应驱 动系统 Ф200mm 硅片尺寸大、密度高、划切刀痕小， 因此，它对各方向动态响应和静态稳定性都有极高的 要求，而各方向运行的速度曲线也比较特殊。在做图 像对准时，各运动方向的动态响应、运动速度和精度 都直接影响到自动对准的准确性、对准效率和硅片的 对准通过率。 全自动划片机一般由主机部分、自动对准、自 动上下片和自动清洗 4 个单元组成，其核心部分是主 机。HP-821 精密自动划片机是作为全自动划片机的主 机部分进行研制的，已具有双轴划切和自动对准功能， 并留有其他配套部分的软硬件接口，具备良好的可扩 展性。该机的研制成功，在为生产线提供一种 Ф200mm 自动划片机的同时，为 Ф200mm 全自动划片机的整机 研制奠定了基础。
真空烘箱广泛应用于各实验室和各工业领域。 真空烘 箱可在低温下对热敏材料进行干燥。
为了适应集成电路的发展，划片设备技术和 工艺也有了较快发展。国外已经推出代表最高技术水 平的双轴对装式 Ф300mm(12 英寸)全自动划片机，而 国内也克服技术难点，推出 Ф200mm(8 英寸)系列划片 设备，这些设备已陆续进入实用化阶段。
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术原理是利用 低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电 的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升 温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经 一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固 态薄膜。
金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)主要应用于化合 物半导体材料的研究和生产，是当今世界上生产半导 体光电器件和微波器件材料的主要手段，如激光器、 发光二极管、高效太阳能电池、光电阴极的制备，是 光电子等产业不可缺少的设备。
电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨 抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一 起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料 硬度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。其 方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电 锉或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如 模具）接到电源的阳极。
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LPCVD PVD
溅射台 磁控溅射 真空烘箱
划片机
LPCVD 工艺在衬底表面淀积一层均匀的介质薄膜，用 作微机械结构层材料、牺牲层、绝缘层、掩模材料， LPCVD 工艺淀积的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。 不同的材料淀积采用不同的气体。
PVD（物理气相沉积）涂层也被证明有效加工高温合金。 TiN（氮化钛）PVD 涂层是最早使用的并仍然是最受欢 迎的。最近，TiAlN（氮铝化钛）和 TiCN（碳氮化钛） 涂层也能很好使用。过去 TiAlN 涂层应用范围和 TiN 相比限制更多。但是当切削速度提高后它们是一个很 好的选择，在那些应用提高生产率达 40%。
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《集成电路产业大全》
表一、半导体工艺主要设备大全
清洗机
超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技 术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。
超声波清洗机
“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声 波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股 强劲的清洗风暴。超声波清洗机（超声波清洗器）利 用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭 缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗 器件的养护，提高寿命起到了重要作用。 CSQ 系列超 声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提 高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有 频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构 设计， 适应不同清洗要求。 CSQ 系列超声波清洗机 适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件， 医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等 的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡， 涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效 果。 恒威公司生产 CSQ 系列超声波清洗机具有以 下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连 接，运行安全；使用 IGBT 模块，性能稳定；专业电源 设计，性价比高。
与 Ф150mm 划片机相比，Ф200mm 划片机总体 继承了 Ф150mm 的机械机构和成熟单元技术，控制系 统平台由 DOS 操作系统上升为 WindowsNT 操作系统， 并在设备机械结构尺寸变大的同时，精度进一步提高， 而控制功能也进一步增强，自诊断系统更加完善，可 靠性进一步提高。
本土克服大尺寸划片机技术难点 由于其技术复杂性问题，大尺寸精密划片机需 要有效解决一系列技术问题： 机械系统要高刚度、高稳定性、低损耗 当划片机的工作台处在高速运动状态 (400mm/s)之下时，产生加速度的驱动力及相应的反作 用力极易使机械结构产生共振。在划片独特的高速运 行条件下，许多高频的共振状态也受到激发，使得在 低速条件下完全刚性的结构显示出显著的柔性，极大 地影响设备的性能。划片设备典型的密集短促往复运 动更加剧了这种情况。高精度的要求，需要设备具有 高速运动下抗振动的极大刚度，通常对应着厚重的机 械结构；而极高的速度要求，又必须采用轻质的结构 来尽量减轻负载。因此，对高精度和高速度的要求， 促使机械结构设计向两个截然相反的方向发展，存在 着本质的矛盾。这也正是划片设备机械结构设计的困 难和挑战所在。 空气静压主轴设计制造技术 空气静压主轴是划片机的核心，在 60000r/min 的高转速下实现振动值小于 0.5μm，消除 它与不锈钢冷却防水罩、机械系统的共振或共鸣，以 及它高速旋转引起的部件材料变形等，是划片机设计
以离子束溅射为例，它由离子源、离子引出极和沉积 室 3 大部分组成，在高真空或超高真空中溅射镀膜法。 利用直流或高频电场使惰性气体（通常为氩）发生电 离，产生辉光放电等离子体，电离产生的正离子和电 子高速轰击靶材，使靶材上的原子或分子溅射出来， 然后沉积到基板上形成薄膜。
磁控溅射技术已经成为沉积耐磨、耐蚀、装饰、光学 及其他各种功能薄膜的重要手段.探讨了磁控溅射技 术在非平衡磁场溅射、脉冲磁控溅射等方面的进步, 说明利用新型的磁控溅射技术能够实现薄膜的高速沉 积、高纯薄膜制备、提高反应溅射沉积薄膜的质量等, 并进一步取代电镀等传统表面处理技术.最后呼吁石 化行业应大力发展和应用磁控溅射技术.
球栅阵列封装的引线则可引导到布满封装底部的焊球上这样对于引线数量相同的封装尺寸而言较之于四方扁平封装bga封装自然更具优势由于基板是分层的因而具有电源和接地平面可进一步提高电气性能起初bga封装的典型焊球间距为127mm与间距为05mm的四方扁平封装相比板级装配更加轻集成电路产业大全ylynzy163com球栅阵列封装的自然发展使得相同芯片的焊球间距及其封装尺寸减小当间距降低为04至08mm时就创造了精细间距球栅阵列该封装是手持式产品的解决方案虽然不是真正的芯片级封装品文档
为了适应集成电路的发展，划片设备技术和工 艺也有了较快发展。
2000 年，占有国际划片机市场最大份额的日 本 DISCO 公司推出了引领划片机潮流，代表了划片机 最高技术水平的双轴对装式 Ф300mm 全自动划片机， 它已逐渐进入实用化阶段。
国内划片机研制起步晚，但发展较快，特别是 我们中国电子科技集团公司第 45 研究所推出的 Ф150mm 划片机，已将控制平台提升到了国际上普遍 采用的通用计算机操作系统，有效缩短了与国际水平 的差距。我所研制的 HP-602 型精密自动划片机，其主 要性能指标已接近或达到国际同类机型先进水平，在 此基础上研制的 HP-801 型精密自动划片机是国内第 一台 Ф200mm 自动划片机，已于 2004 年达到实用化， 新型的双轴精密自动划片机 HP-821，日前已发给用户 进行工艺考核。
又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感 染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液 体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固 化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、 亲合 性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可 溶性部 分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版 过程）。 光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造 以及印刷制 版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。 根据其化学 反应机理和显影原理，可分负性胶和正性 胶两类。光照 后形成不可溶物质的是负性胶；反之， 对某些溶剂是不 可溶的，经光照后变成可溶物质的即 为正性胶。利用这 种性能，将光刻胶作涂层，就能在 硅片表面刻蚀所需的 电路图形。基于感光树脂的化学 结构，光刻胶可以分为 三种类型。①光聚合型，采用 烯类单体，在光作用下生 成自由基，自由基再进一步 引发单体聚合，最后生成聚 合物，具有形成正像的特 点。②光分解型，采用含有叠 氮醌类化合物的材料， 经光照后,会发生光分解反应,由 油溶性变为水溶性， 可以制成正性胶。③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸
光刻机用于将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺设 备，可以在晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。
电子回旋共振等离子体刻蚀机涉及的是一种集成电路 制作工艺中的微电子芯片加工设备。结构具有真空室、 微波系统、磁场、真空抽放气系统、配气系统、监控 系统，真空抽放气系统由机械泵、扩散泵和相应管道、 阀门组成，其特征是真空室由等离子体发生室，等离 子体约束室，处理室组成，等离子体发生室外套有两 组串接的磁场线圈，在等离子体约束室周围均布永久 磁钢，处理室内装有基片架。