TLP185全新原装东芝光藕
TLP701场管输出光藕

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TLP701
TOSHIBA Photocoupler GaAℓAs IRED + Photo IC
TLP701
Industrial inverters Inverter for air conditioners IGBT/Power MOS FET gate drive
TLP701 consists of a GaAℓAs light-emitting diode and an integrated photodetector.
• Supply current
: 2 mA (max)
• Power supply voltage
: 10 to 30 V
• Threshold input current
: IFLH = 5 mA (max)
• Switching time (tpLH / tpHL)
: 700 ns (max)
• Common mode transient immunity
: ±10 kV/µs (min)
• Isolation voltage
: 5000 Vrms (min)
• Construction mechanical rating
7.62-mm pitch standard type
10.16-mm pitch TLPXXXF type
TLP152原装东芝光藕中文资料及电路图

家用光伏电源微型逆变器 等离子平板显示器(PDP) 通用逆变器、AC伺服驱动器 工业缝纫机
电路实例
轮廓图
TOSHIBA深圳部:恒信宇
1
2012-09-14 Rev.3.0
IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器:TLP152
TLP152是SO6封装的IC光耦,可以直接驱动中型IGBT或功率 MOSFET。本产品可以达到SO6封装的工业最低输出电流2.5A。与 现有的产品TLP700(SDIP)相比,本产品的安装面积降低了50%。 而且,由于本产品与前一型号的产品相比,其工作电源电压从 15V(最小值)降到10V(最小值),所以其功耗有所下降。 凭借着可以保证的5mm的最小间隙和爬电距离以及0.4mm的内 部绝缘厚度,该产品符合加强绝缘类的海外安全标准。本产品可 以应用于众多要求减少尺寸的产品中,包括光伏电源微型逆变 器、数码家电、工业设备以及控制器件,本产品有助于减小产品 组件大小和降低成本。 *:由功率器件直接驱动的光耦,截止于2012年9月(根据东芝 的调查)
特征
峰值输出电流:IOP=±2.5A(最大值) 传播延迟时间:tpHL=190ns(最大值), tpLH=170ns(最大值) 宽广的工作温度范围保证: Topr=-40°C至100°C 工作电源电压:VCC=10至30V 隔离电压:BVs=3750Vrms 已取得EN60747-5-5标准认证
东芝(TOSHIBA)复印机耗材对照表

黑色粉盒
东芝E288/358/458/2800/3500
T-3500c
载体
288/358/458/2800/3500/4500/350/450/352/452
T-3500c
硒鼓
288/358/458/2800/3500/4500/350/450/352/452
T-2320c
黑色粉盒
东芝E230/230s/280/280s
T-1600c
载体
东芝E168/169/208/209/258/259
T-1600c
硒鼓
168/169/208/209/258/259/1600/2500/232\s/282\s
163/203/165/205/166/167/206/207/237/230\s/280\s
T-2500c
黑色粉盒
东芝E169/168/208/209/258/260
东芝(TOSHIBA)复印机耗材对照表
型号
颜色
适用机型
T-1820
黑色粉盒
东芝E180s
T-1640c5k
黑色粉盒
东芝E163/203/165/205/166/167
T-1640c
黑色粉盒
东芝E163/203/165/205/166/168
T-1600c
黑色粉盒
东芝E169/168/208/209/258/259
T-1710C
硒鼓
东芝T-1710/2310/2500/2540/2050/1650/2532/3210
T-2060C
黑色粉盒
2040/2060/2068/2860/2868/2870/2878
T-2060C
载体
C1815中文资料参数

C1815中文资料参数-2Sc1815引脚图-三极管c1815管脚排列-代换
本译文译自FAIRCHILE公司东芝飞利浦的1815特性与之基本相同
C1815三极管排列引脚图
命名:2SC1815如果叫法省略通常的叫法C1815 1815
2SC1815代换型号:2SC945 管脚排列一是样的
主要参数:
Symbol符号Parameter 参数Value数值Un VCBO Collector-Base Voltage 集电极-基极电压60
VCEO Collector-Emitter Voltage 集电极-射极电压50
VEBO Emitter-Base Voltage 射极-基极电压 5
IC Collector Current 集电极电流150
电参数:
放大倍数表示:
后缀符号O Y GR L 放大倍数70-140120-240200-400350-700
C1815特性曲线:
静态特性曲线
传输特性曲线
直流电流增益曲线
基极-发射饱和电压曲线集电极-射极饱和电压曲线
输出电容曲线
电流增益带宽曲线
外形封装图。
TLP521中文资料 datasheet

TLP521是可控制的光电藕合器件,光电耦合器广泛作用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
东芝TLP521-1,-2和-4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521-2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装,而TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压: 55V(最小值)经常转移的比例: 50 %(最小)隔离电压: 2500 Vrms (最小)图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)注:使用连续负载很重的情况下(如高温/电流/温度/电压和重大变化等),可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
Recommended Operating Conditions建议操作条件*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃)Switching Characteristic 开关特性参数(Ta = 25℃)图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图图5 TLP521-4 封装图图6 开关时间测试电路特性曲线图:应用电路:图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图74HC04 特性:∙缓冲输入∙传输延迟(典型值): 6ns at V CC = 5V, C L = 15pF, T A= 25°C∙扇出(驱动)能力: (在温度范围内)- 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads- 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads ∙宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C∙对称的传输延迟和转换时间∙相对于LSTTL逻辑IC,功耗减少很多∙HC Types- 工作电压:2V到6V- 高抗扰度: N IL = 30%, N IH= 30% of V CC at V CC = 5V∙HCT Types- 工作电压:4.5V到5.5V- 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, V IL= 0.8V (Max), V IH = 2V (Min)- 兼容CMOS逻辑输入, I l1μA at V OL, V O该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件,低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。
C1815

-
-
0.1
μA
hFE1 hFE2
DC Current Gain直流电流增益
VCE=6V, IC=2mA
VCE=6V, IC=150mA
70
25
-
700
-
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射极饱和电压
IC=100mA, IB=10mA
℃
电参数:
Symbol符号
Parameter参数
Test Condition测试条件
Min.最小
Typ.平均
Max.最大
Units单位
ICBO
Collector Cut-off Current集电极截止电流
VCB=60V, IE=0
-
-
0.1
μA
IEBO
Emitter Cut-off Current射极截止电流
5
V
IC
Collector Current集电极电流
150
mA
IB
Base Current基极电流
50
mA
PC
Collector Power Dissipation耗散功率
400
mW
TJ
Junction Temperature结温
5
℃
TSTG
Storage Temperature贮藏温度
-55 ~ 150
-
0.1
0.25
V
VBE (sat)
Base-Emitter Saturation Voltage基极-射极饱和电压
IC=100mA, IB=10mA
光耦问题大解决

最近在使用光耦的时候遇到几个问题恳请指教?小生在使用光耦的时候遇到几个问题,恳请大侠指教:1:CTR(50%-300%)是什么意思?在电路中这个CTR是多少?与If有关吗?2:光耦的工作方式是电流控制还是电压控制。
最近在PS2561与TL431配合稳压反馈的电路中,外部参数怎么调整光耦都在正常工作,很费解。
3:希望有大侠分享光耦的使用心得。
潮光光耦网答:1、CTR(50%-300%)是电流传输比,CTR(Curremt-Trrasfer Ratio),它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
简单来讲,就是个电流放大系数。
50%-600%是该系列光耦的CTR,在电路中是多少要看你选择的是哪个光耦。
? 2、光耦是电流控制的,你调节外部参数还在那个工作的范围里面,肯定可以工作啊,如果你把限流的电阻加很大就会出问题了。
? 3、CTR是电流传输比Ice/If我知道。
但是在具体电路中CTR的值是变化的还是固定的呢。
我用的光耦是NEC的PS2561,W系列。
传输比是130%-260%,看规格书是说CTR与If有关,是吗?另外我也想知道怎么来测量光耦的传输比。
在这个电路中,我通过改变R425的阻值,从100R改变为15K,光耦均能正常工作,R426两端的电压维持在1V。
当R425=100R的时候,Vk=22.9V,计算得出流过光耦的电流为1.1mA;当R425=15K的时候,Vk=3.68V,计算得出流过光耦的电流为0.13mA.这个电流变化还是很大的,但是光耦正常工作。
关于东芝光耦缺货型号,瑞萨(原NEC)光耦替代方案.关于东芝光耦缺货型号,潮光光耦网()建议各位采购和技术人员,瑞萨(原NEC)光耦替代方案另外还有很多高速光耦型号的替代详情登录光耦器件在变频器电路中的作用一、电路中为什么要使用光耦器件?电气隔离的要求。
A与B电路之间,要进行信号的传输,但两电路之间由于供电级别.一、电路中为什么要使用光耦器件?电气隔离的要求。
TLP185全新原装东芝光藕

恒信宇电子仪表电器元件器材配套:集成电路IC、二三极管、光电藕合器、可控硅、LED电源驱动IC……
TLP181可一采用TLP185进行替代
由于使用了S06封装,TLP184 和TLP185晶体管耦合器比前一代产品要轻薄,而且能在高温
下正常工作(Ta = 110度最大值)。
TLP184 和TLP185分别是TLP180 and TLP181的更新产品。
能轻易用这些产品代替现在的这些型号,因为这些产品的参考衰减器尺寸与现在的MFSOP6封装型号的尺寸是一样的。
而且,由于更轻薄,这些产品能将安装高度从先前的2.8毫米,降低到2.3毫米。
因为SO6封装能确保最小的间隙和爬电距离为5毫米,而不是现有型号MFSOP6封装中的4毫米。
所以这些产品的最大允许操作隔离电压为707 Vpk,EN60747-5-2中已明确规定过。
所以,TLP184 和TLP185能更换DIP封装区域的零件(TLP781,TLP785等)。
而且,这种产品能确保内部绝缘厚度为0.4毫米,而且属于加强绝缘种类,符合国外安全标准。
因为这些产品都达到了UL、cUL、VDE及BSI等国际认证的安全标准,所以他们非常适合AC 适配器、开关电源供电及FA设备等电子应用场合。
TLP785/TLP781代替TLP521/TLP421/TLP621
TLP785/TLP781是东芝TOSHIBA研发的TLP521/TLP421/TLP621升级版,并将逐步取代TLP521/TLP421/TLP621的生产。
恒信宇Emal:jsong820@。
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TLP184 和TLP185分别是TLP180 and TLP181的更新产品
Office Machine Programmable Controllers AC Adapter I/O Interface Board
TLP185
Unit: mm
The TOSHIBA mini flat coupler TLP185 is a small outline coupler, suitable for surface mount assembly. TLP185 consist of a photo transistor optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode. Since TLP185 is smaller than DIP package, it’s suitable for high-density surface mounting applications such as programmable controllers
—
3750 —
—
— 10000 —
— 10000 —
pF Ω Vrms Vdc
TOSHIBA深圳部:恒信宇0755-8366 3083
4
2012-02-14
ICEO CCE
VCE = 48 V VCE = 48 V, Ta = 85°C V = 0, f = 1 MHz
Detector
Coupled Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic Current transfer ratio
Saturated CTR
Collector−emitter saturation voltage Off−state collector current
Symbol
Test Condition
IC / IF
IF = 5 mA, VCE = 5 V Rank GB
IC / IF (sat)
IF = 1 mA, VCE = 0.4 V Rank GB
Isolation voltage
Symbol
Test Condition
CS
VS = 0V, f = 1 MHz
RS
VS = 500 V, R.H. ≤ 60%
AC, 1 minute
BVS
AC, 1 second, in oil
DC, 1 minute, in oil
TLP185
Min Typ. Max Unit
VCE (sat)
IC = 2.4 mA, IF = 8 mA
IC = 0.2 mA, IF = 1 mA Rank GB
IC (off)
VF = 0.7V, VCE = 48 V
Isolation Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic Capacitance (input to output) Isolation resistance
1.1 1.25 1.4
V
—
—
5
μA
—
30
—
pF
80
—
—
V
7
—
—
V
— 0.01 0.08 μA
—
2
50
μA
—
10
—
pF
MIn Typ. Max Unit
50
—
400
%
100
—
400
—
60
—
%
30
—
—
—
—
0.3
—
0.2
—
V
—
—
0.3
—
1
10
μA
Min Typ. Max Unit
—
0.8
—
1×1012 1014
Note 2: Pulse width ≤ 100 μs,f=100 Hz
Note 3: Device considered a two terminal device: Pins 1 and 3 shorted together and 4 and 6 shorted together.
Recommended Operating Conditions (Note)
Characteristic
Symbol
Min. Typ. Max. Unit
Supply voltage Forward current Collector current
VCC IF IC
―
5
48
V
―
16
20
mA
―
1
10
mA
Note: Recommended operating conditions are given as a design guideline to obtain expected performance of the device. Additionally, each item is an independent guideline respectively. In developing designs using this product, please confirm specified characteristics shown in this document.
• Collector−emitter voltage: 80V (min)
• Current transfer ratio: 50% (min)
Rank GB: 100% (min)
• Isolation voltage: 3750Vrms (min)
• Operation Temperature:-55 to 110 ˚C
Isolation voltage (AC, 1min., R.H. ≤ 60%)
(Note 3)
Symbol
IF ΔIF / °C
IFP VR Tj VCEO VECO IC PC ΔPC / °C Tj Topr Tstg Tsol PT ΔPT / °C BVS
TLP185
Rating
50 -1.5
11-4M1S
Weight: 0.08 g (Typ.)
Pin Configuration(top view)
1
6
3
4
1: Anode 3: Cathode 4: Emitter 6: Collector
TOSHIBA深圳部:恒信宇电子
1
2012-02-14
TLP185
Current Transfer Ratio
1 5 125 80 7 50 150 -1.5 125 −55 to 110 −55 to 125 260 (10s) 200 -2.0 3750
Unit
mA mA / °C
A V °C V V mA mW mW / °C °C °C °C °C mW mW / °C Vrms
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).
TOSHIBA深圳部:恒信宇0755-8366 3083
3
2012-02-14
Individual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
LED
Characteristic
Forward voltage Reverse current Capacitance Collector−emitter breakdown voltage Emitter−collector breakdown voltage
Collector dark current
Capacitance (collector to emitter)
Symbol
Test Condition
VF
IF = 10 mA
IR
VR = 5 V
CT
V = 0, f = 1 MHz
V(BR) CEO IC = 0.5 mA
V(BR) ECO IE = 0.1 mA
(Note2)
Reverse voltage
Junction temperature
Collector−emitter voltage
Emitter−collector voltage