TOSHIBA光耦TLP系列的部分光耦的应用
东芝高速光耦大全,高速光耦TLP现货
东芝的高速光耦可能是全世界最齐全的一条产品线了。
300K的光耦主要是6N138和6N139。
1M的光耦主要有6N135和6N136。
不过无锡海明威电子研究发现按照现在的光耦技术水平来说，1M的光耦已经不能称之为高速光耦了。
东芝现在的高速光耦以5M的产品最为丰富，当然其中包括正相输出和反相输出。
这其中最具代表性的就是TLP105和TLP108，一正一反，速度都是5M，封装也一模一样为MFSOP6。
然而再往上，似乎都是反转逻辑（反相）输出的天下了。
TLP116A和TLP118都是20M 的速度。
TLP117的速度最高，达到50M。
不过就目前看来这个速度也是全世界最高的速度了。
上次有朋友问我100M的光耦有吗？我笑笑告诉他，恐怕还在研发中。
当然有一颗光耦TLP109我们不能忽略它，这颗光耦在变频器中的应用很广泛，速度1M。
以上的光耦以6脚封装居多，当然东芝也还有许多8脚封装的光耦，速度10M，15M都有。
不过由于8脚封装的光耦用的人不多，整个市场不是很大，东芝的成本始终降不下来。
TLP152原装东芝光藕中文资料及电路图
家用光伏电源微型逆变器 等离子平板显示器（ＰＤＰ） 通用逆变器、ＡＣ伺服驱动器 工业缝纫机
电路实例
轮廓图
ＴＯＳＨＩＢＡ深圳部：恒信宇
1
2012-09-14 Rev.3.0
ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴ栅极驱动耦合器：ＴＬＰ１５２
ＴＬＰ１５２是ＳＯ６封装的ＩＣ光耦，可以直接驱动中型ＩＧＢＴ或功率 ＭＯＳＦＥＴ。本产品可以达到ＳＯ６封装的工业最低输出电流２．５Ａ。与 现有的产品ＴＬＰ７００（ＳＤＩＰ）相比，本产品的安装面积降低了５０％。 而且，由于本产品与前一型号的产品相比，其工作电源电压从 １５Ｖ（最小值）降到１０Ｖ（最小值），所以其功耗有所下降。 凭借着可以保证的５ｍｍ的最小间隙和爬电距离以及０．４ｍｍ的内 部绝缘厚度，该产品符合加强绝缘类的海外安全标准。本产品可 以应用于众多要求减少尺寸的产品中，包括光伏电源微型逆变 器、数码家电、工业设备以及控制器件，本产品有助于减小产品 组件大小和降低成本。 ＊：由功率器件直接驱动的光耦，截止于２０１２年９月（根据东芝 的调查）
特征
峰值输出电流：ＩＯＰ＝±２．５Ａ（最大值） 传播延迟时间：ｔｐＨＬ＝１９０ｎｓ（最大值）， ｔｐＬＨ＝１７０ｎｓ（最大值） 宽广的工作温度范围保证： Ｔｏｐｒ＝－４０°Ｃ至１００°Ｃ 工作电源电压：ＶＣＣ＝１０至３０Ｖ 隔离电压：ＢＶｓ＝３７５０Ｖｒｍｓ 已取得ＥＮ６０７４７－５－５标准认证
PS8101、TLP109、TLP112A基本工作原理及应用实例
PS8101 TLP112A TLP109
PS8101，TLP112A 是采用5pin SOP封装的高速光耦合器，速率达到1 Mbps。
PS8101由Renesas生产，TLP112A和TLP109由Toshiba生产。
采用SOP封装具有较强的隔离能力，BV = 3 750 Vr.m.s.
他们允许在-0.5~15或-0.5~35V的电源电压Vcc下进行工作，并且ICCH<1uA
可提供-0.5~15或-0.5~35V的输出电压Vo,
低电平时的Vol< 0.4V
信号延迟时间tpHL/tpLH<0.8us
电流传输比CTR的范围为15%-35%
基本工作原理
其pin 6接VCC，主要为内部的光
敏二极管提供电压，当光敏二极管
受到IF驱动LED发出的红外线时，
光敏二极管产生光电流，提供给三
极管的Base级，使其导通。
当IF=L，光耦处于关闭状态，输出
VO=VCC-I*RL = H
当IF=H，光耦处于开启状态，输出
VO为PIN 5 和PIN 4间的管压降
VOL<0.4 V= L
基于其高的传输速率，和SOP的小体积封装，他们广泛应用在各类产品中，比如：电源，开关电源，逆变器，工业控制器的I / O接口，工业通信，高速A / D和D / A转换器，交流电动机驱动，可编程控制器，IPM驱动。
应用实例
在RS-485的接口电路中，为了防止上位机和下位机的之间互相的干扰，采用光电隔离器件是一种简单而有效的方法。
TLP265J,TLP266J 小贴片SOP封装双向可控硅输出光耦
TLP265J，TLP266J 小贴片SOP封装双向可控硅输出光耦
关键词：双向可控硅输出光耦，SOP封装双向可控硅输出光耦
TLP265J，TLP266J是东芝新推出的2款4pin SO6封装的双向可控硅输出光耦，它们的耐压能力能达到600V，它旨在取代以前采用4pin MFSOP6封装的TLP260J和TLP261J，因为MFSOP6封装的爬电距离较小，使其的隔离电压只能达到BV S=3000 Vrms，这使得东芝的这系列产品在与竞争对手的产品对比中处于劣势，因为目前SOP封装的光耦隔离电压普遍能达到BV S=3750 Vrms。
而东芝新推出的TLP265J，TLP266J也能达到这个隔离能力。
其中TLP265J是任意相位触发形式的双向可控硅输出光耦，而TLP266J则是为过零触发型的双向可控硅输出光耦。
TLP265J TLP266J
SO6封装的隔离能力相比有所上升，但却丝毫不用担心占用体积会上升，SO6与MFSOP6的脚位完全兼容，并且比它还薄0.4mm。
这些双向可控硅输出光耦可广泛应用于各类电机控制，调光，调速，以及PLC中，而任意相位触发和过零触发这两种也能满足各种调相、调功等方面的需求。
四通道晶体管输出光耦TLP521-4,LTV-847,PS2501-4
四通道晶体管输出光耦TLP521-4，LTV-847，PS2501-4
关键词：集体管输出光耦，4通道光耦
TLP521-4，LTV-847，PS2501-4均是4通道晶体管输出光耦，每个通道各自独立，因此相当于4颗普通的晶体管输出光耦，比如TLP521、PC817等等。
基于其多通道因此主要用在一些工控板，驱动板上以及PLC的I/O接口的隔离上。
优点：
这几款光耦的优点无疑就是其四通道集成封装，这对于一些多通道隔离方面的应用上是非常合适的，甚至可以从装配上相对单通道光耦能提升4倍的安装时间以及降低人工成本。
我们可以看到，下面是采用TLP521进行隔离的步进电机驱动板，需要用户到4颗TLP521，在设计时需要为各个光耦之间保留一定的间隙方便材料上板，并且需要安装4次，如果采用四通道光耦，就没必要预留间隙，从而减少PCB使用面积，并且只要安装一次就好，尤其对于工厂批量上生产来说是非常有利的。
这几款光耦从参数上来看是可以相互替换的，价格方面台系的会比较便宜，如果要从综合性价比上考虑，从下表我们可以看到ISOCOM的TLP521-4是性价比最高的。
型号TLP521-4(ISO) TLP521-4(东芝) LTV-847 PS2501-4
厂商ISOCOM Toshiba LITEON Renesas
价格（RMB） 1.60 (特价) 2.95 1.10 2.65。
东芝TLP620,TLP620-2,TLP620-4光耦合器说明书
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−TransistorTLP620, TLP620−2, TLP620−4Programmable ControllersAC / DC−Input ModuleTelecommunicationThe TOSHIBA TLP620, −2 and −4 consists of a photo−transistoroptically coupled to two gallium arsenide infrared emitting diodeconnected in inverse parallel.The TLP620−2 offers two isolated channels in an eight lead plastic DIP,while the TLP620−4 provides four isolated channels in a sixteen plasticDIP.· Collector−emitter voltage: 55V (min.)· Current transfer ratio: 50% (min.)Rank GB: 100% (min.)Pin Configurations (top view)TLP6201 2431 : ANODECATHODE2 : CATHODEANODE3 : EMITTER4 : COLLECTOR1, 3 : ANODECATHODE2, 4 : CATHODEANODE5, 7 : EMITTER6, 8 : COLLECTOR234561, 3, 5, 7 : ANODE, CATHODE2, 4, 6, 8 : CATHODE, ANODE9, 11, 13, 15 :EMITTER10, 12, 14, 16 : COLLECTORTOSHIBA 11−5B2Weight: 0.26 gTOSHIBA 11−10C4Weight: 0.54 gTOSHIBA 11−20A3Weight: 1.1 gUnit in mmMade In Japan Made In Thailand UL recognized E67349 *1E 152349 *1BSI approved7426, 7427*27426, 7427*2*1 UL 1577*2 BS EN60065: 1994, BS EN60950: 1992· Isolation voltage: 5000V rms (min.)· Option (D4) typeVDE approved: DIN VDE0884 / 06.92, certificate no. 68384 Maximum operating insulation voltage: 890V PK Highest permissible over voltage: 8000V PK(Note) When a VDE0884 approved type is needed,please designate the “Option(D4)”.· Creepage distance: 6.4mm (min.)Clearance: 6.4mm (min.)Insulation thickness: 0.4mm (min.)Maximum Ratings (Ta = 25°C)RatingCharacteristic SymbolTLP620TLP620-2 TLP620-4UnitForward current I F (RMS) 60 50 mAForward current derating ∆I F / °C -0.7 (Ta ≥ 39°C)-0.5 (Ta ≥ 25°C)mA / °CPulse forward current I FP 1 (100µs pulse, 100pps) APower dissipation (1 circuit) P D 100 70 mW Power dissipation derating ∆P D / °C-1.0-0.7 mW / °CL E DJunction temperature T j125 °CCollector -emitter voltage V CEO 55 VEmitter -collector voltage V ECO 7 VCollector currentI C 50 mA Collector power dissipation (1 circuit)P C 150 100 mW Collector power dissipation derating (1 circuit) (Ta ≥ 25°C) ∆P C / °C-1.5-1.0 mW / °CD e t e c t o rJunction temperature T j 125 °CStorage temperature range T stg -55~125 °COperating temperature range T opr-55~100 °CLead soldering temperature T sold 260 (10s) °C Total package power dissipation P T 250 150 mW Total package power dissipation derating (Ta ≥ 25°C, 1 circuit) ∆P T / °C-2.5-1.5 mW / °CIsolation voltageBV S 5000 (AC, 1 min., RH ≤ 60%)V rmsRecommended Operating ConditionsCharacteristic Symbol Min.Typ.Max.UnitSupply voltage V CC ― 5 24 V Forward current I F (RMS) ― 16 20 mA Collector current IC ― 110 mAOperating temperatureT opr-25― 85 °CIndividual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitForward voltage V F I F = ±10mA 1.01.151.3 VFoward currentI FV F = ±0.7V ― 2.5 20 µA L E DCapacitance C T V = 0, f = 1MHz ― 60 ― pF Collector -emitterbreakdown voltage V (BR) CEO I C = 0.5mA55―― VEmitter -collector breakdown voltage V (BR) ECOI E = 0.1mA 7 ― ― V V CE = 24V―10100nACollector dark current I CEO V CE = 24V, Ta = 85°C ― 2 50 µA D e t e c t o rCapacitance(collector to emitter)C CEV CE = 0, f = 1MHz―10― pFCoupled Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition MIn. Typ. Max.Unit50 ― 600Current transfer ratioI C / I FI F = ±5mA, V CE = 5V Rank GB100― 600%― 60 ― Saturated CTRI C / I F (sat)IF = ±1mA, V CE = 0.4V Rank GB30 ――%I C = 2.4mA, I F = ±8mA―― 0.4― 0.2 ― Collector -emitter saturation voltageV CE (sat)I C = 0.2 mA, I F = ±1 mA Rank GB― ― 0.4 VOff -state collector current I C (off) V F = ± 0.7V, V CE = 24V ― 110 µACTR symmetryI C (ratio)I C (I F = -5mA) / I C (I F = +5mA)0.331 3 ―Isolation Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitCapacitance input tooutputC S V S = 0, f = 1MHz ― 0.8 ― pF Isolation resistanceR SV S = 500V 1×1012 1014 ― Ω AC, 1 minute5000 ― ― AC, 1 second, in oil ― 10000 ― V rms Isolation voltageBV SDC, 1 minute, in oil―10000―V dcSwitching Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitRise time tr ― 2 ―Fall time t f ― 3 ― Turn -on time t on ― 3 ― Turn -off time t off V CC = 10V I C = 2mA R L = 100Ω― 3 ― µsTurn -on time t ON ― 2 ― Storage time t s ―15―Turn -off timet OFFR L = 1.9k Ω (Fig.1)V CC = 5V, I F = ±16mA ― 25 ―µsFig. 1 Switching time test circuitI FV CCV CECCTLP620-2 TLP620-4 I F – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )100-2060400 20 40 60 80 100 8020120TLP620 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )240-20 4016060100120080200120204080TLP620-2 TLP620-4 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )1200-20400 40 10080602020 60 80 100 120TLP620 I FP – D RDuty cycle ratio D R A l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1 310311 3 3TLP620-2 TLP620-4 I FP – D RDuty cycle ratio D RA l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I FP (m A )111 310 310 3100103TLP620 I F – TaAmbient temperature Ta (°C) A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )0-208040200 20 40 60 8010060100120∆V F / ∆Ta – I FForward current I F (mA)F o r w a r d v o l t a g e t e m p e r a t u r e c o e f f i c i e n t ∆V F / ∆T a (m V/ °C ) 1-2.8-2.4-2.0-1.6-1.2-0.8-0.40.10.331030I D – T aAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r d a r k c u r r e n t ID (µA )4080120160101010-10-10-10-I FP – V FPPulse forward voltage V FP (V)P u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1100.40.81.21.6 2.01 2.4C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )I C – V CECollector-emitter voltage V CE (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )24610I F – V FForward voltage V F (V) F o r w a r d c u r r e n tI F (m A )110.0.40.60.81.01.21.41.6I C – V CECollector-emitter voltage V CE(V)1100.40.61.4V F – I FForward voltage V F (V)F o r w a r d v o l t a g e I F (m A )-- 20.313103010011I C / I F – I FForward current I F (mA)C u r r e n t t r a n s f e r r a t i o I C / I F (%)I C – V FForward voltage V F (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.0.0I C – I FForward current I F (mA) C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.I C – TaAmbient temperature Ta (°C)110. C o l l e c t o r c u r r e n t I C (mA )1111R L – Switching TimeLoad resistance R L (k Ω)S w i t c h i n g t i m e (µs )V CE (sat) – TaAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i on v o l t a g e V C E (s a t ) (V )2040600.10.10· TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. 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TLP785&TLP781全新原装东芝光藕
恒信宇电子仪表电器元件器材配套：集成电路IC、二三极管、光电藕合器、可控硅、LED电源驱动IC……
TLP785/TLP781代替TLP521/TLP421/TLP621
TLP785/TLP781是东芝TOSHIBA研发的TLP521/TLP421/TLP621升级版，并将逐步取代TLP521/TLP421/TLP621的生产。
TLP181可一采用TLP185进行替代
由于使用了S06封装，TLP184 和TLP185晶体管耦合器比前一代产品要轻薄，而且能在高温下正常工作(Ta = 110度最大值)。
TLP184 和TLP185分别是TLP180 and TLP181的更新产品。
能轻易用这些产品代替现在的这些型号，因为这些产品的参考衰减器尺寸与现在的MFSOP6封装型号的尺寸是一样的。
而且，由于更轻薄，这些产品能将安装高度从先前的2.8毫米，降低到2.3毫米。
因为SO6封装能确保最小的间隙和爬电距离为5毫米，而不是现有型号MFSOP6封装中的4毫米。
所以这些产品的最大允许操作隔离电压为707 Vpk，EN60747-5-2中已明确规定过。
所以，TLP184 和TLP185能更换DIP封装区域的零件(TLP781，TLP785等)。
而且，这种产品能确保内部绝缘厚度为0.4毫米，而且属于加强绝缘种类，符合国外安全标准。
因为这些产品都达到了UL、cUL、VDE及BSI等国际认证的安全标准，所以他们非常适合AC 适配器、开关电源供电及FA设备等电子应用场合。
恒信宇Emal:jsong820@。
20M高速光耦TLP116A,TLP118基本参数及应用电路原理
关键词：高速光耦，20M高速光耦，推挽输出光耦
型号库存品牌封装包装
TLP116A15000 TOSHIBA SOP-5 3K/REEL TLP11812000 TOSHIBA SOP-5 3K/REEL TLP116A是东芝的一款高速光耦，数据传输速率可达 20Mb/s，采用 5 pin SOP封装。
从下面的内部原理图可以看出，TLP116A是采用推挽式输出结构，内部两个管子的开关顺序如图所示，这样有利于提高他的传输速率。
由于采用推挽式结构，因此他具有直接对外输出电流的能力，也允许外部的电流通过输入端流向GND，由上图可以看出。
当输入端输入为L时，Tr1开启，Tr2关闭，Vo输出为H，其输出电压为电源电压减去内部压降，电流向外流出。
当输入端输入为H时，Tr1关闭，Tr2开启，此时输出端与电源被Tr1隔离，Vo输出L，如果此时Vo残存有电荷，可通过Tr2快速释放掉。
因为其具有20M的高速速率，因此他可应用在一些高速通信接口中以及测量仪器中和工厂自动化设备中。
基本参数
型号TLP116A
封装5pin SOP
触发电流 Ifhl 5mA
电源电压 Vcc 6V (max)
输出电压 Vo 6V (max)
输出电流 Io 10Ma(max)
隔离电压 BVs 3750 Vrms
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TLP112A
东芝小型扁平耦合器TLP112A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。
TLP112A包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合
到一个高速单片光电晶体管探测器。
TLP112A（P112A）特性
•隔离电压：2500Vrms（最小）
•转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（R L=1.9kΩ）
•兼容TTL
•UL 认证：UL1577,file no.E67349
TLP112A（P112A）应用
•晶体管逆变器
•数字逻辑隔离
•线路接收器
•电源控制，反馈控制
•开关式电源
TLP113A 概述：
东芝小型扁平耦合器TLP113是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。
TLP113（包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高增益，高速单片光探测器。
探测器的输出为肖特基钳位晶体管，集电极开路输出。
TLP113A 特性：
•输入电流阀值：IF=10mA（最大）
•转换速度：10MBd（典型值）
•兼容TTL / LSTTL：Vcc=5V
•性能保证温度范围：0～70℃
•隔离电压：2500Vrms（最小）
•UL 认证：UL1577 file no.E67349
TLP113A 应用：
•隔离线路接收器
•单/多路数据传输
•计算机外设接口
•微处理器系统接口
•A/D,D/A转换数字隔离
TLP114A
东芝小型扁平耦合器TLP114A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。
TLP114A含有一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高速单片光电晶体管探测器。
TLP114A 特性
•隔离电压：3750Vrms（最小）
•转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）
（RL=1.9kΩ）
•兼容TTL UL
•认证：UL1577,file no.E67349
TLP114A 应用
•数字逻辑隔离
•线路接收器
•电源控制，反馈控制
•开关式电源
•晶体管逆变器
TLP115A 概述：
东芝小型扁平耦合器TLP115A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。
TLP115A含有一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高增益，高速率，带屏蔽的单片光探测器。
探测器的输出为肖特基钳位晶体管，集电极开路输出；而其屏蔽则把电容耦合的共模噪音分流到接地端，提供1000V/μs的瞬态免疫。
TLP115A 特性：
•输入电流阀值：IF=5mA（最大）
•转换速度：10MBd（典型值）
•共模瞬态免疫：±1000V/μs（最小）
•性能保证温度范围：0～70℃
•隔离电压：2500Vrms（最小）
•UL 认证：UL1577 file no.E67349
TLP115A 应用：
•高速，长途隔离线路接收器
•微处理器系统接口
•A/D,D/A转换数字隔离
•计算机外设接口
•接地回路消除
TLP181 概述：
东芝小型扁平耦合器TLP181是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。
TLP181内含有一个光晶体管，该晶体管光耦合到砷化镓红外发光二极管。
TLP181 特性：
•集电极-发射极电压：80V（最小）
•可选（V4）型
•VDE 认证：符合EN 60747-5-2
•最大操作隔离电压：565V PK
•最高耐压：6000V PK
•电流转换率：50%（最小）
•GB级：100%（最小）
•隔离电压：3750Vrms（最小）
•UL 认证：UL1577,file no.E67349
TLP181 应用：
•办公设备
•AC/DC输入模块
•电信
•可编程控制器
TLP127 概述：
东芝小型扁平耦合器TLP127是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。
TLP127含有一个砷化镓红外发光二极管，该二级管光耦合到一个达林顿光晶体管。
晶体管集成了基极发射极内阻，并提供300V V CEO。
TLP127 特性：
•集电极-发射极电压：300V（最小）
•隔离电压：2500Vrms（最小）
•UL 认证：UL1577,file no.E67349
•电流转换率：1000%（最小）
TLP127 应用：
•可编程控制器
•DC输出模块
•电信
TLP281-4 概述
TLP281-4是一块超小且超薄的耦合器，适用于贴片安装，
比如：PCMCIA 传真调制解调器，可编程控制器。
TLP281-4含有一个光晶体管，该晶体管光耦合至二个砷化
镓红外发光二极管。
TLP281-4 特性
•集电极-发射极电压：80V（最小）
•GB级：100%（最小）
•隔离电压：2500Vrms（最小）
•电流转换率：50%（最小）
TLP281-4 应用
•可编程控制器
•PC卡调制解调器（PCMCIA）
•AC/DC输入模块
TLP280-1 概述：
TLP280-1是一块超小且超薄的耦合器，适用于贴片安装，比如：PCMCIA 传真调制解调器，可编程控制器。
TLP280-1含有一个光晶体管，该晶体管光耦合至二个砷化镓红外发光二极管。
二极管通过逆向并行连接，可直接工作在交流输入电流下。
TLP280-1 特性：
•集电极-发射极电压：80V（最小）
•GB级：100%（最小）
•隔离电压：2500Vrms（最小）
•电流转换率：50%（最小）
TLP280-1 应用：
•可编程控制器
•PC卡调制解调器（PCMCIA）
•AC/DC输入模块
TLP280-4 概述：
TLP280-4是一块超小且超薄的耦合器，适用于贴片安装，比如：PCMCIA 传真调制解调器，可编程控制器。
TLP280-4含有一个光晶体管，该晶体管光耦合至二个砷化镓红外发光二极管。
二极管通过逆向并行连接，可直接工作在交流输入电流下。
TLP280-4特性：
•集电极-发射极电压：80V（最小）
•GB级：100%（最小）
•隔离电压：2500Vrms（最小）
•电流转换率：50%（最小）
TLP280-4 应用：
•可编程控制器
•PC卡调制解调器（PCMCIA）
•AC/DC输入模块
TLP621-1 概述：
东芝TLP621-1（P621），TLP621-2（P621-2），TLP621-4（P621-4）包含一个光电晶体管，该晶体管光耦合到一个砷化镓红外发光二极管。
TLP621-2（P621-2）提供2个隔离通道，集成在8脚塑料DIP封装中；而TLP621-4（P621-4）则提供4个隔离通道，集成在16脚塑料DIP封装中。
TLP621-1 特性：
•集电极-发射极电压：55V（最小）
•电流转换率：50%（最小）
•GB级：100%（最小）
TLP621-1 应用：
•可编程控制器
•AC/DC输入模块
•固态继电器
TLP627-1 概述：
东芝TLP627-1（P627），TLP627-2（P627-2），TLP627-4（P627-4）包含一个砷化镓红外发光二极管，该二极管光耦合到一个达林顿光电晶体管。
晶体管集成了基极-集电极内阻，使TLP627系列的转换速度和高温特性得到优化。
TLP627-2（P627-2）提供2个隔离通道，集成在8脚塑料DIP封装中；而TLP627-4（P627-4）则每个封装提供了4个隔离通道。
TLP627-1 特性：
•集电极-发射极电压：300V（最小）
•电流转换率：1000%（最小）
•隔离电压：5000Vrms（最小）
TLP627-1 应用：
•可编程控制器
•DC输出模块
•电信
TLP627-4 概述：
东芝TLP627-1（P627），TLP627-2（P627-2），TLP627-4（P627-4）包含一个砷化镓红外发光二极管，该二极管光耦合到一个达林顿光电晶体管。
晶体管集成了基极-集电极内阻，使TLP627系列的转换速度和高温特性得到优化。
TLP627-2（P627-2）提供2个隔离通道，集成在8脚塑料DIP封装中；而TLP627-4（P627-4）则每个封装提供了4个隔离通道。
TLP627-4特性：
•集电极-发射极电压：300V（最小）
•电流转换率：1000%（最小）
•隔离电压：5000Vrms（最小）
TLP627-4应用：
•可编程控制器
•DC输出模块
•电信。