恒腾电子光耦 帮你详细解读TLP741J
光电耦合器工作原理
光电耦合器工作原理光电耦合器是一种能够将光信号转换为电信号，或者将电信号转换为光信号的器件。
它主要由光电二极管和发光二极管组成。
光电二极管用于接收光信号并将其转换为电信号，而发光二极管则用于将电信号转换为光信号。
光电耦合器的工作原理是基于光电效应和电光效应。
光电效应是指当光照射到半导体材料上时，光子能量被转化为电子能量，从而产生电流。
电光效应是指当电场作用于半导体材料时，会改变其折射率，从而使光的传播速度发生变化。
在光电耦合器中，光电二极管是光信号的接收器件。
当光照射到光电二极管上时，光子能量被吸收，产生电子-空穴对，从而形成电流。
光电二极管的结构一般由P型和N型半导体材料组成，通过PN结的结构实现光电转换。
当光照射到P型区域时，光子能量被吸收，使得P型区域的电子从价带跃迁到导带，形成电流。
这个电流随着光照强度的增加而增大。
发光二极管是光信号的发射器件。
当电流通过发光二极管时，电子和空穴在PN结附近复合，释放出能量，产生光子。
发光二极管的发光效果取决于注入电流的大小。
当注入电流增大时，发光强度也会增加。
光电耦合器的工作过程可以简单描述为：当光照射到光电二极管上时，光子能量被转换为电信号，产生电流。
这个电流经过放大和处理后，可以用于控制其他电路或设备。
另一方面，当电信号通过发光二极管时，电信号被转换为光信号，发射出去。
光电耦合器具有很多应用领域。
例如，在通信领域中，光电耦合器可以用于光纤通信系统中的光电转换和电光转换。
在工业自动化领域中，光电耦合器可以用于隔离和传输信号，以保证信号的稳定性和可靠性。
在医疗设备中，光电耦合器可以用于心电图仪、血压计等设备中，将生理信号转换为电信号进行处理和分析。
总结起来，光电耦合器是一种能够将光信号和电信号相互转换的器件。
它的工作原理基于光电效应和电光效应，利用光电二极管和发光二极管实现光电转换和电光转换。
光电耦合器在通信、工业自动化和医疗设备等领域有着广泛的应用。
LM741介绍知识讲解
LM7J1/UA741运算放人器便用说明及应用物理帚的感测在•般应用中，经帘使用各爻传感器将位移、角度、压力、与流帚等物理最转换为屯流或电压信号，Z后再由最测此电压电流信号间接推算出物理最变化，以达成感测、控制的目的。
但有时传感器所输出的电压电流信号可能非常微小，以致信号处理时难以察觉梵间的变化，故需要以放大器进行信号放大以顺利测得电流电压信号，而放人器所能达成的工作不仅是放人信号而已，尚能应用于缓冲隔离、准位转换、阻抗匹配、以及将电压转换为电流或电流转换为电压等用途。
现今放大器种类繁多，•般仍以运算放大器(Operational Amplifier, Op Amp)应用较为广泛，本文叩针对741运算放大器的便用加以说明。
1.运算放大器简介放大器授初被开发的目的是运用于类比计算器Z运算电路，It内部为复杂的集成电路(Integrated Circuit, IC),亦即在单一屯子组件中整介了许多晶体管与二极管，图1为-般放大器Z内部等值电路。
1.运算放大器内部等值屯路图运算放大器属于使用反馈电路进行运算的高放大倍率型放大器，其放大倍率完全由外界纽件所控制，透过外接电路或电阻的搭配，叩可决定增益(即放大倍率) 大小〉图2为运算放大器于电劈中的表示符号，可看出梵包含两个输入端，英中(+ )端为非反柑(Non-Inverting)端，而(一)端称为反相(Inverting)端，运算放大器的作动与此一输入端差值有关，此差值称为「差动输入」。
通常放大器的理想增益为无穷人，实际使用吋亦往往相当高（可放人至105或106倍）,故差动输入跟増益后输出比较起来几乎等于零。
///〃//〃//////////////////图2.差动运算放大器表示符号2. 741运算放大器使用说明2. 1作动方式与原理741放大器为运算放人器中最常被使用的•种，拥有反相向与非反相两输入端，由输入端输入欲被放大的电流或电压信号，经放大后由输出端输出。
光电耦合器工作原理
光电耦合器工作原理光电耦合器是一种将光信号和电信号相互转换的器件，它由光电二极管和光敏三极管组成。
光电耦合器的工作原理是利用光电效应将光信号转换为电信号，或者将电信号转换为光信号。
光电二极管是光电耦合器中的光接收器件，它能够将光信号转换为电信号。
当光线照射到光电二极管上时，光子激发了光电二极管中的载流子，形成电流。
这个电流的大小与光信号的强度成正比。
光电二极管的结构是PN结，当光子击中PN结时，会产生电子和空穴对。
电子和空穴会在电场的作用下被分离，形成电流。
这个电流经过放大和滤波等处理后，可以得到与光信号相对应的电信号。
光敏三极管是光电耦合器中的光发射器件，它能够将电信号转换为光信号。
光敏三极管的结构是PNP或者NPN型晶体管，它具有一个发射区和一个基区。
当电信号作用于光敏三极管的基区时，基区的电流发生变化，从而改变了发射区的电流。
这个电流变化会导致发射区的光强度发生变化，从而产生了相应的光信号。
光电耦合器中的光电二极管和光敏三极管之间通过光耦合效应进行耦合。
光耦合效应是指当光电二极管中的光信号改变时，会引起光敏三极管中的电信号发生变化；反之，当光敏三极管中的电信号改变时，会引起光电二极管中的光信号发生变化。
这种相互转换的过程通过光电二极管和光敏三极管之间的光耦合效应实现。
光电耦合器的工作原理可以应用于多个领域，例如光通信、光电子设备、光电传感器等。
在光通信中，光电耦合器可以将光信号转换为电信号，从而实现光信号的接收和解码。
在光电子设备中，光电耦合器可以将电信号转换为光信号，从而实现电信号的传输和控制。
在光电传感器中，光电耦合器可以将光信号转换为电信号，从而实现对光信号的检测和测量。
总结一下，光电耦合器是一种将光信号和电信号相互转换的器件。
它由光电二极管和光敏三极管组成，利用光电效应和光耦合效应实现光信号和电信号的转换。
光电耦合器的工作原理可以应用于光通信、光电子设备和光电传感器等领域，发挥着重要的作用。
proteusua741工作原理和功能说明
proteusua741工作原理和功能说明
Proteus UA741是一款运算放大器，它的工作原理是使用了集成电路技术来实现放大器功能。
UA741采用了差分放大器的设计，通过对输入信号的放大来产生输出信号。
具体来说，UA741内部包含了差分放大器、电压跟随器和输出级等核心电路部件。
差分放大器负责将输入信号进行放大，并通过电压跟随器将差分输出电压转换为单端输出电压。
输出级负责将单端输出电压进行放大，并驱动外部负载。
UA741具有以下主要功能：
1. 高增益：UA741具有高放大倍数，可以对输入信号进行较大的放大，从而实现信号放大的功能。
2. 宽输入共模范围：UA741的输入共模范围较宽，能够接受较大的共模电压信号。
3. 高输入阻抗：UA741具有高输入阻抗，能够很好地隔离输入信号源和输出负载，降低对外部电路的干扰。
4. 低输出阻抗：UA741的输出阻抗较低，能够提供较大的电流输出能力，适用于驱动各种负载。
5. 双电源供电：UA741可以使用正负双电源供电，适应不同的应用场景。
总的来说，Proteus UA741是一款功能强大的运放芯片，可以在多种电路设计中起到放大信号、隔离输入输出等作用。
它被广泛应用于各种电子设备中，如音频放大、过滤、电压比较等领域。
741运算放大器的内部结构
741运算放大器的内部结构了解运算放大器的内部电路，对于使用者在遭遇应用上的极限而导致无法达成系统设计规格时，非常有帮助。
而虽然各家厂商推出的运算放大器性能与规格互有差异，但是一般而言标准的运算放大器都包含下列三个部份：1. 差动输入级* 以一差分放大器（differential amplifier）作为输入级，提供高输入阻抗以及低噪声放大的功能。
2. 增益级* 运算放大器电压增益的主要来源，将输入讯号放大转为单端输出后送往下一级。
3. 输出级* 输出级的需求包括低输出阻抗、高驱动力、限流以及短路保护等功能。
741运算放大器内部电路其他在运算放大器内必备的电路还包括提供各级电路参考电流的偏压电路（bias circuits）。
[编辑] 电流镜与偏压电路右图中，以红色虚线标示的区域为741运算放大器的偏压电路及其电流镜（current mirror）。
741运算放大器内部各级所使用的偏压电流（bias current）均来自此区，而这些偏压电流的源头是39KΩ的电阻R1、NPN晶体管Q11以及PNP晶体管Q12。
正负电源的差值扣掉Q11与Q12的基极-射极电压后，再依照欧姆定律除R1的值，即可得到参考电流源的大小：I_{ref}=\frac{(V_{S+}-V_{S-}-2V_{be})}{R_{1}}上式中Vbe是双载子晶体管（bipolar junction transistor, BJT）的基极-射极电压，对于操作在主动区（active region）的双载子晶体管而言，Vbe通常在0.7V左右。
参考电流Iref经由Q11/Q10/R2组成的韦勒电流源复制后，再由Q8/Q9组成的电流镜决定输入级的偏压电流，从而决定输入级的直流状态（DC condition）。
这个偏压电路的重要功能在于提供十分稳定的定电流（constant current）给放大器的输入级，可让输入的共模范围更大，晶体管不会因为输入共模电压的改变而离开应有的工作区间。
lm741芯片介绍
LM741/LM741I Min Typ Max
0.3 10
0.5 1.5 2.8
50 85
Unit
µs % MHz V/µs mA
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
( -40 °C ≤TA≤85 °C for the KA741I °C ≤TA≤70 °C for the LM741 and LM741E. VCC = ±15V, unless otherwise specified)
failure to perform when properly used in accordance
support device or system, or to affect its safety or
with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the
BLOCK DIAGRAM SCHEMATIC DIAGRAM
ORDERING INFORMATION
Device LM741N LM741EN LM741M LM741EM LM741IN LM741EIN LM741IM LM741EIM
Package 8 DIP 8 SOP 8 DIP 8 SOP
20 200
35
25
±12 ±14 ±10 ±13 70 90
77 96
V/mV mA V dB dB
LM741/E/I
SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued)
LM741J-14中文资料
LM741Operational AmplifierGeneral DescriptionThe LM741series are general purpose operational amplifi-ers which feature improved performance over industry stan-dards like the LM709.They are direct,plug-in replacements for the 709C,LM201,MC1439and 748in most applications.The amplifiers offer many features which make their applica-tion nearly foolproof:overload protection on the input and output,no latch-up when the common mode range is ex-ceeded,as well as freedom from oscillations.The LM741C/LM741E are identical to the LM741/LM741A except that the LM741C/LM741E have their performance guaranteed over a 0˚C to +70˚C temperature range,instead of −55˚C to +125˚C.Schematic DiagramDS009341-1Offset Nulling CircuitDS009341-7May 1998LM741Operational Amplifier©1999National Semiconductor Corporation Absolute Maximum Ratings(Note1)If Military/Aerospace specified devices are required,please contact the National Semiconductor Sales Office/ Distributors for availability and specifications.(Note6)LM741A LM741E LM741LM741C Supply Voltage±22V±22V±22V±18V Power Dissipation(Note2)500mW500mW500mW500mW Differential Input Voltage±30V±30V±30V±30V Input Voltage(Note3)±15V±15V±15V±15V Output Short Circuit Duration Continuous Continuous Continuous Continuous Operating Temperature Range−55˚C to+125˚C0˚C to+70˚C−55˚C to+125˚C0˚C to+70˚C Storage Temperature Range−65˚C to+150˚C−65˚C to+150˚C−65˚C to+150˚C−65˚C to+150˚C Junction Temperature150˚C100˚C150˚C100˚C Soldering InformationN-Package(10seconds)260˚C260˚C260˚C260˚C J-or H-Package(10seconds)300˚C300˚C300˚C300˚C M-PackageVapor Phase(60seconds)215˚C215˚C215˚C215˚CInfrared(15seconds)215˚C215˚C215˚C215˚C See AN-450“Surface Mounting Methods and Their Effect on Product Reliability”for other methods of solderingsurface mount devices.ESD Tolerance(Note7)400V400V400V400V Electrical Characteristics(Note4)Parameter Conditions LM741A/LM741E LM741LM741C UnitsMin Typ Max Min Typ Max Min Typ MaxInput Offset Voltage T A=25˚CR S≤10kΩ 1.0 5.0 2.0 6.0mVR S≤50Ω0.8 3.0mVT AMIN≤T A≤T AMAXR S≤50Ω 4.0mVR S≤10kΩ 6.07.5mV Average Input Offset15µV/˚C Voltage DriftInput Offset Voltage T A=25˚C,V S=±20V±10±15±15mV Adjustment RangeInput Offset Current T A=25˚C 3.0302020020200nAT AMIN≤T A≤T AMAX7085500300nA Average Input Offset0.5nA/˚C Current DriftInput Bias Current T A=25˚C30808050080500nAT AMIN≤T A≤T AMAX0.210 1.50.8µA Input Resistance T A=25˚C,V S=±20V 1.0 6.00.3 2.00.3 2.0MΩT AMIN≤T A≤T AMAX,0.5MΩV S=±20VInput Voltage Range T A=25˚C±12±13VT AMIN≤T A≤T AMAX±12±13V 2Electrical Characteristics(Note4)(Continued)Parameter Conditions LM741A/LM741E LM741LM741C UnitsMin Typ Max Min Typ Max Min Typ MaxLarge Signal Voltage Gain T A=25˚C,R L≥2kΩV S=±20V,V O=±15V50V/mVV S=±15V,V O=±10V5020020200V/mVT AMIN≤T A≤T AMAX,R L≥2kΩ,V S=±20V,V O=±15V32V/mVV S=±15V,V O=±10V2515V/mVV S=±5V,V O=±2V10V/mV Output Voltage Swing V S=±20VR L≥10kΩ±16VR L≥2kΩ±15VV S=±15VR L≥10kΩ±12±14±12±14VR L≥2kΩ±10±13±10±13V Output Short Circuit T A=25˚C1025352525mA Current T AMIN≤T A≤T AMAX1040mA Common-Mode T AMIN≤T A≤T AMAXRejection Ratio R S≤10kΩ,V CM=±12V70907090dBR S≤50Ω,V CM=±12V8095dB Supply Voltage Rejection T AMIN≤T A≤T AMAX,Ratio V S=±20V to V S=±5VR S≤50Ω8696dBR S≤10kΩ77967796dB Transient Response T A=25˚C,Unity GainRise Time0.250.80.30.3µs Overshoot 6.02055% Bandwidth(Note5)T A=25˚C0.437 1.5MHz Slew Rate T A=25˚C,Unity Gain0.30.70.50.5V/µs Supply Current T A=25˚C 1.7 2.8 1.7 2.8mA Power Consumption T A=25˚CV S=±20V80150mWV S=±15V50855085mW LM741A V S=±20VT A=T AMIN165mWT A=T AMAX135mW LM741E V S=±20VT A=T AMIN150mWT A=T AMAX150mW LM741V S=±15VT A=T AMIN60100mWT A=T AMAX4575mW Note1:“Absolute Maximum Ratings”indicate limits beyond which damage to the device may occur.Operating Ratings indicate conditions for which the device is functional,but do not guarantee specific performance limits.3Electrical Characteristics (Note 4)(Continued)Note 2:For operation at elevated temperatures,these devices must be derated based on thermal resistance,and T j max.(listed under “Absolute Maximum Rat-ings”).T j =T A +(θjA P D ).Thermal Resistance Cerdip (J)DIP (N)HO8(H)SO-8(M)θjA (Junction to Ambient)100˚C/W 100˚C/W 170˚C/W 195˚C/W θjC (Junction to Case)N/AN/A25˚C/WN/ANote 3:For supply voltages less than ±15V,the absolute maximum input voltage is equal to the supply voltage.Note 4:Unless otherwise specified,these specifications apply for V S =±15V,−55˚C ≤T A ≤+125˚C (LM741/LM741A).For the LM741C/LM741E,these specifica-tions are limited to 0˚C ≤T A ≤+70˚C.Note 5:Calculated value from:BW (MHz)=0.35/Rise Time(µs).Note 6:For military specifications see RETS741X for LM741and RETS741AX for LM741A.Note 7:Human body model,1.5k Ωin series with 100pF.Connection DiagramMetal Can PackageDS009341-2Note 8:LM741H is available per JM38510/10101Order Number LM741H,LM741H/883(Note 8),LM741AH/883or LM741CH See NS Package Number H08CDual-In-Line or S.O.PackageDS009341-3Order Number LM741J,LM741J/883,LM741CM,LM741CN or LM741ENSee NS Package Number J08A,M08A or N08ECeramic Dual-In-Line PackageDS009341-5Note 9:also available per JM38510/10101Note 10:also available per JM38510/10102Order Number LM741J-14/883(Note 9),LM741AJ-14/883(Note 10)See NS Package Number J14ACeramic FlatpakDS009341-6Order Number LM741W/883See NS Package Number W10A 4Physical Dimensions inches(millimeters)unless otherwise notedMetal Can Package(H)Order Number LM741H,LM741H/883,LM741AH/883,LM741CH or LM741EHNS Package Number H08CCeramic Dual-In-Line Package(J)Order Number LM741CJ or LM741J/883NS Package Number J08A5Physical Dimensions inches(millimeters)unless otherwise noted(Continued)Ceramic Dual-In-Line Package(J)Order Number LM741J-14/883or LM741AJ-14/883NS Package Number J14ASmall Outline Package(M)Order Number LM741CMNS Package Number M08A6Physical Dimensions inches(millimeters)unless otherwise noted(Continued)Dual-In-Line Package(N)Order Number LM741CN or LM741ENNS Package Number N08E7Physical Dimensions inches(millimeters)unless otherwise noted(Continued)LIFE SUPPORT POLICYNATIONAL’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1.Life support devices or systems are devices orsystems which,(a)are intended for surgical implantinto the body,or(b)support or sustain life,andwhose failure to perform when properly used inaccordance with instructions for use provided in thelabeling,can be reasonably expected to result in asignificant injury to the user.2.A critical component is any component of a lifesupport device or system whose failure to performcan be reasonably expected to cause the failure ofthe life support device or system,or to affect itssafety or effectiveness.National SemiconductorCorporationAmericasTel:1-800-272-9959Fax:1-800-737-7018Email:support@National SemiconductorEuropeFax:+49(0)180-5308586Email:europe.support@Deutsch Tel:+49(0)180-5308585English Tel:+49(0)180-5327832Français Tel:+49(0)180-5329358Italiano Tel:+49(0)180-5341680National SemiconductorAsia Pacific CustomerResponse GroupTel:65-2544466Fax:65-2504466Email:sea.support@National SemiconductorJapan Ltd.Tel:81-3-5639-7560Fax:81-3-5639-7507 10-Lead Ceramic Flatpak(W)Order Number LM741W/883NS Package Number W10ALM741OperationalAmplifierNational does not assume any responsibility for use of any circuitry described,no circuit patent licenses are implied and National reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specifications.。
TL431是如何结合光耦PC817工作
对于图1的电路，就是要确定R1、R3、R5及R6的值。
设输出电压V o，辅助绕组整流输出电压为12V。
该电路利用输出电压与TL431构成的基准电压比较，通过光电耦合器PC817二极管－三极管的电流变化去控制TOP管的C极，从而改变PWM宽度，达到稳定输出电压的目的。
因为被控对象是TOP管，因此首先要搞清TOP管的控制特性。
从TOPSwicth的技术手册可知流入控制脚C的电流Ic与占空比D成反比关系。
如图2所示。
可以看出，Ic的电流应在2－6mA之间，PWM会线性变化，因此PC817三极管的电流Ice也应在这个范围变化。
而Ice是受二极管电流If控制的，我们通过PC817的Vce与If的关系曲线(如图3所示)可以正确确定PC817二极管正向电流If。
从图3可以看出，当PC817二极管正向电流If在3mA左右时，三极管的集射电流Ice在4mA左右变化，而且集射电压Vce在很宽的范围内线性变化。
符合TOP管的控制要求。
因此可以确定选PC817二极管正向电流If为3mA。
再看TL431的要求。
从TL431的技术参数知，Vka在2.5V－37V变化时，Ika可以在从1mA到100mA以内很大范围里变化，一般选20mA即可，既可以稳定工作，又能提供一部分死负载。
不过对于TOP器件因为死负载很小，只选3-5mA 左右就可以了。
确定了上面几个关系后，那几个电阻的值就好确定了。
根据TL431的性能，R5、R6、Vo、Vr有固定的关系：V o=(1+ R5/R6) Vr式中，Vo为输出电压，Vr为参考电压，Vr＝2.50V，先取R6一个值，例如R6＝10k，根据Vo的值就可以算出R5了。
再来确定R1和R3。
由前所述，PC817的If取3mA，先取R1的值为470Ω，则其上的压降为Vr1＝If* R1,由PC817技术手册知，其二极管的正向压降Vf典型值为1.2V，则可以确定R3上的压降Vr3＝Vr1+Vf，又知流过R3的电流Ir3＝Ika－If，因此R3的值可以计算出来： R3= Vr3/ Ir3= (Vr1+Vf)/( Ika－If)根据以上计算可以知道TL431的阴极电压值Vka，Vka＝Vo’－Vr3，式中V o’取值比V o大0.1－0.2V即可。
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Certificate no. 40009302 Maximum operating insulation voltage: 630 VPK Highest permissible over voltage: 6000 VPK
3 2 5 150 −2.0 100 −55~125 −55~100 260 250 −3.3 4000
mA mA / °C
A mW mW / °C
V °C V V mA mA / °C A A V mW mW / °C °C °C °C °C mW mW / °C Vrms
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).
VS = 500 V AC, 1 minute AC, 1 second, in oil DC, 1 minute, in oil
Min. Typ. Max. Unit
―
5
10
mA
―
10
―
μs
500
―
― V / μs
―
0.8
―
1×1012 1014
―
4000 ―
―
― 10000 ―
― 10000 ―
-3.2 -2.8 -2.4 -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4
0.1
∆VF / ∆Ta – IF
0.3 0.5 1
3 5 10
Forward current IF (mA)
pF Ω Vrms Vdc
3
2007-10-01
Allowable forward current IF (mA)
IF – Ta
100
80
60
40
20
0
-20
0
20
40
60
80 100 120
Ambient temperature Ta (°C)
R.M.S. on-state current IT (RMS) (mA)
The TOSHIBA TLP741J consists of a photo−thyristor optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode in a six lead plastic DIP package.
• Peak off−state voltage: 600 V (min.) • Trigger LED current: 10 mA (max.) • On−state current: 150 mA (max.) • UL recognized: UL1577, file no. E67349 • BSI approved: BS EN60065: 2002
Capacitance
Symbol VF IR CT
IDRM
IRRM
VTM IH
dv / dt
Cj
Test Condition
Min.
IF = 10 mA
1.0
VR = 5 V
―
V = 0, f = 1 MHz
―
VAK = 600 V RGK = 27 kΩ
Ta = 25°C
―
Ta = 85°C
―
VKA = 600 V RGK = 27 kΩ
Recommended Operating Conditions
Characteristic
Symbol
Min. Typ. Max. Unit
Supply voltage Forward current Operating temperature Gate to cathode resistance Gate to cathode capacity
Detector
LED
Forward current Forward current derating (Ta ≥ 39°C) Peak forward current (100 μs pulse, 100 pps) Power dissipation Power dissipation derating (Ta ≥ 25°C) Reverse voltage Junction temperature Peak forward voltage (RGK = 27 kΩ) Peak reverse voltage (RGK = 27 kΩ) On−state current On−state current derating (Ta ≥ 25°C) Peak on−state current (100μs pulse, 120 pps) Peak one cycle surge current Peak reverse gate voltage Power dissipation Power dissipation derating (Ta ≥ 25°C) Junction temperature Storage temperature range Operating temperature range Lead soldering temperature (10 s) Total package power dissipation Total package power dissipation derating (Ta ≥ 25°C) Isolation voltage (AC, 1 min., R.H.≤ 60%)
Ta = 25°C
―
Ta = 85°C
―
ITM = 100 mA
―
RGK = 27 kΩ
―
VAK = 420 V, RGK = 27 kΩ
―
Anode to gate
―
V = 0, f = 1 MHz
Gate to cathode ―
Typ. Max. Unit
1.15 1.3
V
―
10
μA
30
―
pF
TOSHIBA Photocoupler GaAs IRed & Photo-Thyristor
TLP741J
Office Machine Household Use Equipment Solid State Relay Switching Power Supply
TLP741J
Unit in mm
IF ΔIF / °C
IFP PD ΔPD / °C VR Tj VDRM VRRM IT(RMS) ΔIT / °C ITP ITSM VGM PD ΔPD / °C Tj Tstg Topr Tsol PT ΔPT / °C BVS
60 −0.7
1 100 −1.0
5 125 600 600 150 −2.0
2
2007-10-01
TLP741J
Individual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
LED
Characteristic Forward voltage Reverse current Capacitance Off−state current
Reverse current On−state voltage Holding current Off−state dv / dt
1
6
2
5
3
4
1 : ANODE 2 : CATHODE 3 : N.C. 4 : CATHODE 5 : ANODE 6 : GATE
1
2007-10-01
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
TLP741J
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
100
50 30
10 3
10-3
3
10-2
3
10-1
3
100
Duty cycle ratio DR
Forward current IF (mA)
100 Ta = 25°C
50
30
IF – VF
10
5 3
1
0.5 0.3
0.1