模拟集成电路设计期末试卷
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对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力根通保据过护生管高产线中工敷资艺设料高技试中术卷资，配料不置试仅技卷可术要以是求解指，决机对吊组电顶在气层进设配行备置继进不电行规保空范护载高与中带资负料荷试下卷高问总中题体资，配料而置试且时卷可，调保需控障要试各在验类最；管大对路限设习度备题内进到来行位确调。保整在机使管组其路高在敷中正设资常过料工程试况中卷下，安与要全过加，度强并工看且作护尽下关可都于能可管地以路缩正高小常中故工资障作料高；试中对卷资于连料继接试电管卷保口破护处坏进理范行高围整中，核资或对料者定试对值卷某，弯些审扁异核度常与固高校定中对盒资图位料纸置试，.卷保编工护写况层复进防杂行腐设自跨备动接与处地装理线置，弯高尤曲中其半资要径料避标试免高卷错等调误，试高要方中求案资技，料术编试交写5、卷底重电保。要气护管设设装线备备置敷4高、调动设中电试作技资气高，术料课中并3中试、件资且包卷管中料拒含试路调试绝线验敷试卷动槽方设技作、案技术，管以术来架及避等系免多统不项启必方动要式方高，案中为；资解对料决整试高套卷中启突语动然文过停电程机气中。课高因件中此中资，管料电壁试力薄卷高、电中接气资口设料不备试严进卷等行保问调护题试装，工置合作调理并试利且技用进术管行，线过要敷关求设运电技行力术高保。中护线资装缆料置敷试做设卷到原技准则术确：指灵在导活分。。线对对盒于于处调差，试动当过保不程护同中装电高置压中高回资中路料资交试料叉卷试时技卷，术调应问试采题技用，术金作是属为指隔调发板试电进人机行员一隔，变开需压处要器理在组；事在同前发一掌生线握内槽图部内 纸故，资障强料时电、，回设需路备要须制进同造行时厂外切家部断出电习具源题高高电中中源资资，料料线试试缆卷卷敷试切设验除完报从毕告而，与采要相用进关高行技中检术资查资料和料试检，卷测并主处且要理了保。解护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
A集成电路设计期末考试试题
集成电路设计期末考试试题（ A ）卷参考答案一、填空题（每空一分，共20分）1. 2 12. Q=CV GE3. 衬底掺杂浓度4. 体效应5. 沟道中载流子的迁移率阈值电压V T随温度的变化6. MOS管的栅宽偏置电流7. 1/A2 1/A2 8. 温度垂直电场水平电场9. 互连线电阻电容电感传输线10. CXXXXXXX N+ N- V ALUE＜IC=INCOND＞二、简答题（每题10分，共60分）1.答：A当沟道长度L减小时阈值电压降低，而沟道宽度W变窄时引起阈值电压提高；B随着Vds的增加，在漏区的耗尽层宽度会有所增加，导致阈值电压提高。
C 实际栅长有一部分覆盖在氧化层上，氧化层下面会引起耗尽电荷，栅电压要加的较大才能使沟道反型。
D 栅电压增加时，表面迁移率会下降E 当Vds增大时，MOS管的漏端沟道被夹断并进入饱和区，Vds进一步增大，使沟道的有效长度减小2. 答：A源漏扩散电阻，在金属栅与硅栅技术的CMOS 工艺中，与漏源区同时制成，，方块电阻为20-100欧，不宜制作大电阻，误差为±20%，不能制作精密电阻。
B P/N阱扩散电阻，该结构电阻值较大，为1000-5000欧，面积也大，误差为±40%。
C 注入电阻。
由于离子注入精度可以控制掺杂浓度和注入深度，且横向扩散小，方块电阻为50-1000欧，可以制作大电阻而不占用大面积D 多晶硅电阻。
方块电阻为30-200欧，，难以制作精密电阻E薄膜电阻，该电阻的线性度好。
3. 答：4答：SPICE软件包含三个内建MOS场效应管模型：①1级模型通过电流—电压的平方律特性描述,考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应。
②2级模型是一个详尽解析的MOSFET模型。
考虑了沟道电压的影响，对基本方程进行了一系列半经验性的修正。
③3级模型是一个半经验模型。
在精确描述各种二级效应的同时，可以节省计算时间，引入了模拟静电反馈效应的经验模型、迁移率调制系数和=饱和电场系数。
2019模拟集成电路设计A
西南科技大学2019-2020-2学期《模拟集成电路设计》本科期末考试试卷（A 卷）一、填空题（每空2分，共20分）1.跨导是指MOS 的输入曲线中()和()之比。
2.运算放大器的“+”、“-”表示()和()的()关系。
3.提高差分放大器的共模抑制比的措施是提高()的()。
4.沟道长度调制效应是随着()的增加，()也相应的增加。
5.NMOS 管工作在线性区条件为()。
二、选择题（每题3分，共15分）1.下面哪个不是电阻负载的共源放大器的缺点()A 增益.线性度低 B.电压增益低中间级 C.频带特性低 D.摆幅低2.电流镜的作用有哪些()A.有源负载B.提供偏置C.充放电D.续流3.下面哪个单极放大器增益大于0()A.共源放大器B.共漏放大器C.共栅放大器D.共源共栅放大器4.放大器的主要性能指标有()A.电流增益B.电压增益C.输入电阻D.功耗5.沟道长度效应系数()A.L 1∝λ B.DS I 1∝λ C.L ∝λ D.DSI ∝λ三、简答题（共5题，每题8分，共40分）1.基本差分对尾电流源作用2.比例电流镜的设计原理3.影响MOS 阈值电压的主要因素4.请根据具体实例给出差分放大器的好处5.请解释体效应四、综合题（共2题，共25分）1.请根据下面的电路图，完成以下题目(10分)(1)推导出图1中该单极放大器的电压增益(2)根据(1)中的结果请指出该电路的缺点课程代码L X 160570命题单位理学院：应用物理教研室2.假设0==γλ，请根据图2下面的放大器完成以下题目(15分)(1).画出该电路的小信号等效电路图(2).根据小信号等效电路小信号电压增益(3).请计算该电路的输出电阻。
模拟集成电路设计考核试卷
B.乘法器
C.除法器
D.微分器
12.以下哪种放大器配置的输入阻抗最高？（）
A.共源
B.共栅
C.差分
D.电压跟随器
13.在模拟集成电路中，以下哪个参数影响放大器的热噪声？（）
A.电流
B.电压
C.频率
D.温度
14.以下哪个组件在模拟集成电路中用于调节电压？（）
A.运算放大器
B.电压比较器
C.电压基准
D.电流镜
15.关于电流镜的描述，列哪项是正确的？（）
A.提供电流增益
B.用于电压放大
C.用于电流采样
D.仅用于数字电路
16.以下哪种类型的反馈在放大器设计中可以稳定增益？（）
A.电压反馈
B.电流反馈
C.负反馈
D.正反馈
17.在模拟集成电路设计中，以下哪个参数影响放大器的功率消耗？（）
A.增益
B.驱动能力
A.功能测试
B.性能测试
C.热测试
D.安全测试
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.模拟集成电路设计时，以下哪些因素会影响MOSFET的阈值电压？（）
A.栅极长度
B.源漏间距
C.主体区掺杂浓度
D.温度
2.以下哪些是模拟集成电路中常见的噪声来源？（）
A.增益带宽积
B.开环增益
C.输入阻抗
D.输出阻抗
9.在模拟集成电路中，下列哪个部分通常用于实现模拟开关的功能？（）
A. MOSFET
B.二极管
C.晶体管
D.运算放大器
10.以下哪种类型的滤波器在模拟信号处理中用于去除高频噪声？（）
2008年理论课期末考试试题_模拟集成电路分析与设计
《模拟集成电路分析与设计》期末考试试题2008年06月24日1. 判断下列说法是否正确，正确的标记为T 或√，错误的标记为F 或×，并简单说明原因；（30分＝3分×10） 1) 压摆行为(Slewing)是一个非线性行为；2) 增加应用于反馈系统的运算放大器或跨导放大器的级数有利于提高它的稳定性； 3) 可以利用负反馈技术来提高一个单级点放大器的增益带宽积；4) 在计算跨导放大器构成的电容型反馈系统的阶跃响应时，如果跨导放大器负载电容远小于反馈网络中的电容，就可以忽略前馈效应的影响；5) 单级点跨导放大器的增益带宽积与它所使用器件的本征增益无关；6) 电流镜作负载的差分对在差模传输函数中出现零点的原因是电路中出现了前馈；7) 同等条件下，Telescopic 跨导放大器可达到的最大输出摆幅小于折叠Cascode 跨导放大器可达到的最大输出摆幅；8) 由于折叠Cascode 跨导放大器是对Telescopic 跨导放大器采用折叠技术得到的，同等条件下它们的增益是相同的；9) Telescopic 跨导放大器中叠加在差分放大管之上的Cascode 晶体管栅极可以作为它的共模反馈控制点； 10) 由两级跨导放大器构成的电容型反馈系统中，增加负载电容会降低系统的稳定性；2. 下图给出了一个三级环型振荡器的电路图，每一级由一个跨导放大器驱动一个电容性负载构成。
若跨导放大器可以用如图所示的等效电路表示，其输出阻抗R o =800Ω。
试回答如下问题：（15分）1) 推导该电路的环路增益的表达式，并定性画出它的波特图； 2) 若要使得该振荡器在10MHz 处维持稳定的振荡，试计算电容C 的大小以及g m 的取值；（提示：振荡状态对应于电路的不稳定状态，一个电路维持稳定振荡的条件是在振荡频率处环路增益的幅度等于1而相移为180度）3. 下图给出了一个由全平衡两级OTA组成的反馈系统。
其中，C s =C f =C L若所有的晶体管均工作于饱和区且符合长沟道平方律方程，跨导效率均为g m /I D =10V -1，本征增益均为g m r o =50，Mb0、Mb1、Mb2、Mb3构成宽长比为1：8：4：8的电流镜，R 1=20000Ω，C 1=1pF。
电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二． 简答题（共5题，每题4分， 共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。
模拟集成电路设计期末试卷
(2)
2、画出差动对的输入输出特性曲线（ΔID~ΔVin）。
要求：（1）标出曲线中关键转折点和极限点的坐标；
（2）由图分析：通过什么措施可以使差动对的线性度更好。
解：
其中， ，增大ISS或减小W/L，可使电路的线性更好。
四．简答（（每题7分，共21分））
1、“MOS器件即使没有传输电流也可能导通”，这种说法正确么？为什么？
《模拟集成电路设计原理》期末考试
一．填空题（每空1分，共14分）
1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。
2、放大应用时，通常使MOS管工作在_饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。
4、（9分）画出下图共源极高频模型的小信号等效电路，并利用小信号模型精确推导系统的极点频率。
解：（1）I3=I4=50μA，I5=I6=200μA，I7=500μA
（2）γ=0：VP=0.368V
γ=0.45V-1：VTH1（VP=0.368V）=0.78V，VP1=0.288V；VTH2（VP1=0.288V）=0.764V，VP2=0.304；VTH3（VP2=0.304V）=0.767V，VP3=0.301；VTH4（VP3=0.301V）=0.766V，VP4=0.302；VTH5（VP4=0.302V）=0.766V，VP4=0.302…….所以VP≈0.302V
解：可能。当 时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件，但是VDS很小，以至于没有传输电流
五．分析计算题（共34分）
（下列题目中使用教材表2.1所列的器件数据，所有器件尺寸都是有效值，单位均为微米。）
《模拟集成电路设计原理》期末考试试卷及答案
《软件工程基础训练》实训报告在倒入酒的方法中，首先判断当前酒量是否已经达到酒杯的容量。
如果是，则提示酒杯已满；如果不是，则将倒入的酒量加到当前酒量上。
实现一个方法，用于从酒杯中倒出酒。
该方法接受一个参数，表示要倒出的酒量。
在倒出酒的方法中，首先判断当前酒量是否大于等于要倒出的酒量。
如果是，则将当前酒量减去要倒出的酒量；如果不是，则提示酒量不足。
实现一个方法，用于获取当前酒量。
在获取酒量的方法中，直接返回当前酒量的值。
2.1.3程序流程图图 12.1.4设计代码package wmx;import java.io.BufferedReader;import java.io.IOException;import java.io.InputStreamReader;import java.util.StringTokenizer;public class Main1 {}}}}2.1.5代码运行截图图 22.2第二阶段2.2.1需求分析明确问题定义：首先需要明确问题的背景和涉及的实体，例如旅行者、手电筒、桥等。
同时，需要确定问题的目标，即如何让所有人尽快过桥。
确定约束条件：根据问题的描述，我们知道有一些约束条件，例如每个人过桥的速度不同，手电筒不能扔掉，只能两个人同时过桥等。
这些约束条件将影响解决方案的设计。
分析时间需求：由于目标是尽快让所有人过桥，因此需要分析每个人过桥所需的时间。
这将影响如何分配手电筒和如何安排过桥的顺序。
制定策略：基于上述分析，需要制定一个有效的策略来最大化过桥的速度。
这可能涉及到如何分配手电筒，如何安排过桥的顺序，以及如何返回等。
评估和优化：最后，需要对所制定的策略进行评估和优化。
这可能涉及到对策略的模拟、测试和比较，以便找到最优的解决方案。
2.2.2设计思路这是一个经典的过桥问题，通常称为“蒙提霍尔问题”。
在这个问题中，目标是让所有人尽快过桥。
根据题目的条件，每个人单独过桥的时间是已知的，但是两个人一起过桥的时间是较慢的那个人所需的时间。
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《模拟集成电路设计原理》期末考试
一．填空题（每空1分，共14分）
1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_
较低__的制造成本。
2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来
表示电压转换电流的能力。
3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。
4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。
5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。
6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输
出的改变。
7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制
沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。
8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。
9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。
10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。
二．名词解释（每题3分，共15分）
1、阱
解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。
2、亚阈值导电效应
解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS<V TH时，I D 也并非是无限小，而是与V GS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。
3、沟道长度调制
解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。
4、等效跨导Gm 解：对于某种具体的电路结构，定义
in
D V I ∂∂为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力 5、米勒定理
解：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1)，其中A V =V Y /V X 。
这种现象可总结为米勒定理。
6、N 阱:
解：CMOS 工艺中，PMOS 管与NMOS 管必须做在同一衬底上，若衬底为P 型，则PMOS 管要做在一个N 型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N 型“局部衬底”叫做N 阱。
7、有源电流镜
解：像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构叫做有源电流镜。
8、输出摆幅
解:输出电压最大值与最小值之间的差。
三．画图题（每题8分，共16分）
1、以V DS 作为参数画出NMOS 晶体管的I D ~V GS 曲线。
要求：（1）画三条曲线，V DS 的值分别为V DS1、V DS2、V DS3，其中V DS1<V DS2<V DS3；有适当的分析推导过程，并标出曲线中关键转折点的坐标。
（2）画两条曲线，V DS 的值分别为V BS =0、V BS <0；标出曲线中关键转折点的坐标。
解：（1）0,=<D TH GS I V V
2)(21,TH GS ox n D DS TH GS TH V V L
W C I V V V V -=+<<μ
[]22
1)(,DS DS TH GS ox n D DS TH GS V V V V L W C I V V V --=+>μ
(2)
2、画出差动对的输入输出特性曲线（ΔI D ~ΔV in ）。
要求：（1）标出曲线中关键转折点和极限点的坐标；
（2）由图分析：通过什么措施可以使差动对的线性度更好。
解：
其中，
，增大ISS 或减小W/L ，可使电路的线性更好。
四．简答（（每题7分，共21分）） 1、“MOS 器件即使没有传输电流也可能导通”，这种说法正确么？为什么？
解：正确。
当)(2TH GS DS V V V -<<时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的V GS 可以满足器件的导
通条件，但是V DS 很小，以至于没有传输电流。
2、什么是体效应？体效应会对电路产生什么影响？
解：理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的，实际上两者并不一定电位相同，当V B 变得更负时，
V TH 增加，这种效应叫做体效应。
体效应会改变晶体管的阈值电压。
3、带有源极负反馈的共源极放大电路相对于基本共源极电路有什么优点？
解：由带有源极负反馈的共源极放大电路的等效跨导表达式得，若R S >>1/g m ，则G m ≈1/R S ，
所以漏电流是输入电压的线性函数。
所以相对于基本共源极电路，带有源极负反馈的共源极放大电路具有更好的线性。
4. 在传输电流为零的情况下，MOS 器件也可能导通么？说明理由。
解：可能。
当)(2TH GS DS V V V -<<时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的V GS 可以满足器件的导
通条件，但是V DS 很小，以至于没有传输电流
五．分析计算题（共34分）
（下列题目中使用教材表2.1所列的器件数据，所有器件尺寸都是有效值，单位均为微米。
）
1、（7分）假设λ=γ=0，计算图示电路的小信号增益（表达式）。
解：2111m m D
v g g R A +-=
2、（9分）差动电路如图所示，I SS =1mA ，V DD =3V ，(W/L)1、2=(W/L)
3、4=50/0.5。
（1）假设γ=0，求差动电压增益；
（2）γ=0.45 V -1时，如果I SS 上的压降至少为0.4V ，求最小的允许输入共模电平。
解：（1）I D =0.5mA ，g mN =3.66×10-3，r ON =2×104Ω，r OP =104Ω，Av=-g mN (r ON || r OP )=-24.4
（2）V V V V F SB F TH TH 786.0)|9.0||4.09.0|(45.07.0)|2||2|(0=-++=-++=φφγ
V GS1=0.786+0.27=1.056V ，
V in,CM =1.056+0.4=1.456V
3、（9分）(W/L)N=10/0.5，(W/L)P=10/0.5，I REF=100μA，V DD=3V，加到M1、M2栅极的输入共模电平
等于1.5V。
（1）分别计算流过晶体管M3、M4、M5、M6、M7的电流；
（2）假设λ=0，分别计算γ=0和γ=0.45V-1时P点电位。
解：（1）I3=I4=50μA，I5=I6=200μA，I7=500μA
（2）γ=0：V P=0.368V
γ=0.45V-1：V TH1（V P=0.368V）=0.78V，V P1=0.288V；V TH2（V P1=0.288V）=0.764V，V P2=0.304；V TH3（V P2=0.304V）=0.767V，V P3=0.301；V TH4（V P3=0.301V）=0.766V，V P4=0.302；V TH5（V P4=0.302V）=0.766V，V P4=0.302……. 所以V P≈0.302V
4、（9分）画出下图共源极高频模型的小信号等效电路，并利用小信号模型精确推导系统的极点频率。
解：。