第二章 晶体缺陷1
第二章 化学腐蚀法检测晶体缺陷

而许多空位聚集成团,当它蹋蹦时形成位错圈时,可以 用化学腐蚀法或透射电子显微镜观察。
2、填隙原子(自间隙原子):晶体中的原子由于热运动或 辐射离开平衡位置跑到晶格的空隙中,这样的原子称为填隙 原子。如图所示:
图 2-3-2 弗仑克尔缺陷
填隙原子存在的方式: (1)与空位结合而消失。 (2)聚集成团形成间隙性位错圈。 (3)在生长界面附近凝聚形成微缺陷。
图 2-3-12 位错的攀移
6、位错的显示:通过化学腐蚀法显示晶体的位错,不同的 晶面上缺陷的腐蚀坑不同。如图所示:
(111)晶面
(110)晶面 图 2-3-12 刃位错的腐蚀坑图 像
3、半导体晶体的电化学腐蚀机理:
利用半导体晶体在各种酸或碱性电解质溶液中,表面构成了 微电池,由于微电池的电化学作用使晶体表面受到腐蚀,其 实质是一种氧化还原反应。
(1)在HNO3和HF溶液电解质溶液中的腐蚀 负极:
Si 2 H 2O 2 p SiO2 4 H 2e SiO2 6 HF H 2 SiF6 2 H 2O
正极:
HNO3 3H NO 2H2O 3 p
总反应:
3Si 4HNO3 18HF 3H2 SiF6 4NO 8H2O
无氧化剂时,发生析氢反应,反应速度较慢 正极:
2H 2e H 2
注:用CrO3或铬酸加在HF中也可以提高腐蚀速度
(2)在NaOH和KOH溶液电解质溶液中的腐蚀 负极:
第2章 化学腐蚀法检测晶体缺陷
2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用 腐蚀剂 2.2 半导体单晶体的缺陷 2.3 硅单晶位错的检测 2.4 单晶硅中漩涡缺陷的检测 2.5 化学工艺中的安全知识 2.6 金相显微镜简介
晶体结构缺陷

(6)带电缺陷
不同价离子之间取代如Ca2+取代Na+——Ca
· Na
Ca2+取代Zr4+——Ca”Zr
(7) 缔合中心 在晶体中除了单个缺陷外,有可能出现邻近两个缺陷
互相缔合,把发生 缔合的缺陷用小括号表示,也称复合缺陷。 在离子晶体中带相反电荷的点缺陷之间,存在一种有
利于缔合的库仑引力。 如:在NaCl晶体中,
Sr O(S ) Li2O Sr •. V O
Li
Li
O
(3) Al2O3固溶在MgO晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
Al2O3
(
S
)
MgO
2
Al
•. Mg
VMg
3OO
(4) YF3固溶在CaF2晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
2Y F (S ) CaF2 2Y •. V 6F
(1-4)
3MgO Al2O3 2MgAl Mgi•• 3OO
(1-5)
(1-5〕较不合理。因为Mg2+进入间隙位置不易发生。
33
写出下列缺陷反应式:
(1) MgCl2固溶在LiCl晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
MgCl2 (S)
LiCl
Mg •. Li
VLi
2ClCl
(2) SrO固溶在Li2O晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
3
HRTEM image of an edge of a zeolite beta crystallite(沸石)
STM图显示表面原子 存在的原子空位缺陷
4
自然界中理想晶体是不存在的 对称性缺陷?晶体空间点阵的概念似乎 不能用到含有缺陷的晶体中,亦即晶体 理论的基石不再牢固? 其实,缺陷只是晶体中局部破坏 统计学原子百分数,缺陷数量微不足道
材料科学基础多媒体第二章晶体缺陷

图3-1 空位和间隙原子 第三章 晶体缺陷 晶体结构完整幷规则排列只是理想情况。由于原子的热震动以及晶体的形成过程、加工过程及使用过程中将受到各种条件的影响,在实际晶体结构中原子(离子或原子团)并非完整规则排列,且存在各种不完整性即晶体缺陷。依据缺陷尺寸特征分为三类:点缺陷、线缺陷和面缺陷。 ①点缺陷(point Defect):空位和间隙原子。 ②线缺陷(Line Defect):位错。 ③面缺陷(Place Defect):晶界、相界、表面和堆垛层错。 §3.1 点缺陷 点缺陷包括空位(vacancy)和间隙原子(Self-interstitial)。 一. 空位和间隙原子 (一).点缺陷的形成 由于原子的热运动和能量起伏是某些原子具有较高的能量从而脱离了平衡位置,从而迁移到其它位置而形成“空位”或“间隙原子”。 能量起伏:对金属进行加热、变形、结晶及高能离 子轰击等使微小体积偏离体系平均能量的现象。 (二).点缺陷的类型 依据原子的去向将空位分为: 1.肖脱基空位(简称肖氏空位) 肖氏空位:离位原子迁移到外表面或内界面 (如晶界等)处这种空位成为肖氏空位。肖氏 空位在晶内只留下空位。 2.弗兰克尔空位(简称弗氏空位) 弗氏空位:离位原子迁移到晶体点阵 的间隙中,空位和间隙原子同时存在 的空位。
动作:首先做一个完美晶体,然后分别出现图中所示的图形(空位处的原子作一个虚线原子,大小与白圈原子相同)并且分别闪烁,以示区别。
异类
图3-2肖脱基空位和弗兰克尔空位 (a)肖脱基空位(b)弗兰克尔空位 动作:两图分别作出a)图先做完美晶体,然后将空位处原子一次照图中拉出晶体外面。b)图同样作完美晶体,再照图中将空位处原子拉进间隙中。 2
3.间隙原子 间隙原子可以是晶体同类原子(称自间隙原子),也可以是外来的异类间隙原子(包括间隙溶质原子和置换溶质原子),如图3-1所示。 二. 点缺陷的平衡浓度 由于能量起伏和原子热振动,点缺陷将不断产生、运动和消亡。点缺陷是热力学稳定的缺陷-即在一定温度下及有一定数量的空位浓度(C)。 C = Nn =AexpKTuv 由此式可知: T 越高, C也越大.
材基A第二章-晶体缺陷作业

材料科学基础A第二章晶体缺陷习题一、名词解释。
(每个2分)能量起伏位错位错线螺位错刃位错混合位错伯氏矢量伯氏回路位错的易动性可滑移面易滑移面滑移攀移晶界相界大角度晶界小角度晶界亚晶界孪晶界共格界面非共格界面界面能内吸附反内吸附二、判断题。
(每小题1分)1、点缺陷是一种热力学平衡的晶体缺陷,随温度的上升空位的浓度增大,故此空位在热力学上是不稳定的。
()2、晶体中随着空位浓度的提高,一般晶体的电阻率升高导电性变差。
()3、柏氏回路的起点任意,故此伯氏回路可以从位错线处开始,其形状和大小任意。
()4、一根不分叉的位错无论形状如何变化它只有一个恒定不变的柏氏矢量。
()5、位错线不能中止于晶体内部,只能中止于晶界、晶体表面或在晶内形成位错环、位错网络或发生位错反应。
6、螺位错在正应力的作用下可进行攀移,在切应力作用下可进行滑移。
()7、在滑移面上因为密排晶向间的间距大则P-N力也大,故此晶体中沿密排方向的位错线最稳定。
()8、基于界面能降低的原理,晶界的平直化和晶粒的长大都是自发过程。
()9、一般的大角度晶界的界面能高于小角度晶界的界面能,而共格界面的界面能高于非共格界面的界面能。
()。
10、晶界处点阵畸变较大,因此晶界具有较高的界面能导致晶面易于被腐蚀。
()三、填空题。
(每空1分)1、晶体中的缺陷按照几何特征可分为:、和三种。
2、空位的基本类型包括空位和空位,其中空位的附近往往存在间隙原子。
3、空位形成能(U v)指的是:,一般的U v越大,空位浓度越。
4、位错是一种线缺陷,按照其几何结构特征可分为型、型和型。
5、伯氏矢量代表了位错线周围点阵畸变量的总和,反映了畸变量的和,而的值越大,位错线周围点阵畸变越严重。
6、刃型位错在的作用下在滑移面上并沿滑移方向进行滑移运动;在垂直于半原子面的作用下发生正攀移运动,即半原子面的。
在垂直于半原子面的作用下发生负攀移运动,即半原子面的。
7、刃型位错滑移运动扫出晶体后,在晶体表面方向产生大小为的滑移台阶,使晶体发生变形。
第2章 晶体结构缺陷

第2章晶体结构缺陷2.1.晶体结构缺陷的类型实际晶体并非具有理想的晶体结构,事实上,无论是自然界中存在的天然晶体,还是在实验室(或工厂中)培养的人工晶体或是陶瓷和其它硅酸盐制品中的晶相,都总是或多或少存在某些缺陷,因为:首先晶体在生长过程中,总是不可避免地受到外界环境中各种复杂因素不同程度影响,不可能按理想发育,即质点排列不严格服从空间格子规律,可能存在空位、间隙离子、位错、镶嵌结构等缺陷,外形可能不规则。
另外,晶体形成后,还会受到外界各种因素作用如温度、溶解、挤压、扭曲等等。
按照缺陷作用的范围不同,可将晶体缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷。
2.1.1点缺陷无机非金属材料中最重要也是最基本的结构缺陷是点缺陷。
点缺陷只在结构的某些位置发生,只影响邻近几个原子。
例如,杂质原子溶解于晶体中所引起的缺陷就是点缺陷。
按形成的原因不同分三类:(1)热缺陷(晶格位置缺陷) 在晶体点阵的正常格点位出现空位,不该有质点的位置出现了质点(间隙质点)。
热缺陷(晶格位置缺陷) 只要晶体的温度高于绝对零度,原子就要吸收热能而运动,但由于固体质点是牢固结合在一起的,或者说晶体中每一个质点的运动必然受到周围质点结合力的限制而只能以质点的平衡位置为中心作微小运动,振动的幅度随温度升高而增大,温度越高,平均热能越大,而相应一定温度的热能是指原子的平均动能,当某些质点大于平均动能就要离开平衡位置,在原来的位置上留下一个空位而形成缺陷,实际上在任何温度下总有少数质点摆脱周围离子的束缚而离开原来的平衡位置,这种由于热运动而产生的点缺陷——热缺陷。
按照离开平衡位置原子进入晶格内的不同位置,热缺陷以此分为二类:弗仑克尔缺陷具有足够大能量的原子(离子)离开平衡位置后,挤入晶格间隙中,形成间隙原子离子,在原来位置上留下空位。
其特点:空位与间隙粒子成对出现,数量相等,晶体体积不发生变化。
在晶体中弗仑克尔缺陷的数目多少与晶体结构有很大关系,格点位质点要进入间隙位,间隙必须要足够大,如萤石(CaF2)型结构的物质空隙较大,易形成,而NaCl型结构不易形成。
第二章化学腐蚀法检测晶体缺陷案例

HNO3 3H NO 2H2O 3 p
总反应:
3Si 4HNO3 18HF 3H2 SiF6 4NO 8H2O
无氧化剂时,发生析氢反应,反应速度较慢 正极:
2H 2e H 2
注:用CrO3或铬酸加在HF中也可以提高腐蚀速度
(2)在NaOH和KOH溶液电解质溶液中的腐蚀 负极:
1、空位:晶体中的原子由于热运动或辐射离开平衡位置跑 到晶格的空隙中或晶体的表面,原来的位置又没被其他的 原子占据而留下的空位。如图所示:
图 2-3-1 空位缺陷
空位存在的形式: 1)晶体由在冷却到室温的过程中,空位来不及扩散直接被 “冻结”在体内。 2)与杂质原子形成络合体。 3)在位错附近消失引起位错的攀移。 4)形成双空位,凝聚成团而塌蹦形成位错圈。
3、半导体晶体的电化学腐蚀机理:
利用半导体晶体在各种酸或碱性电解质溶液中,表面构成了 微电池,由于微电池的电化学作用使晶体表面受到腐蚀,其 实质是一种氧化还原反应。
(1)在HNO3和HF溶液电解质溶液中的腐蚀 负极:
Si 2 H 2O 2 p SiO2 4 H 2e SiO2 6 HF H 2 SiF6 2 H 2O
2、晶体缺陷的显示
(1)通过择优腐蚀,得到各种形状的缺陷腐蚀坑。如图所 示位错缺陷的显示:
图2-2-5 (111)晶面的位错腐蚀坑
(2)单晶前沿的显示:掺杂半导体的杂质分凝作 用引起的电阻率条纹。如图所示:
图2-2-6 单晶硅的生长前沿
3、抛光腐蚀 缺陷腐蚀前的前工序,有利于缺陷的更好的显示。 作用:除去切割等工序产生的机械损伤,将表面抛光成镜面 一般情况下抛光腐蚀速度大于缺陷腐蚀的速度 抛光腐蚀和缺陷腐蚀的判断:通过速度的大小关系判断,如 图所示:
电子材料物理第二章晶体中的缺陷与扩散

2.2.2扩散的宏观规律
菲克第一定律说明了与杂质扩散有关的因素,下面结合硅 器件平面工艺的实际,在得出菲克第二定律的基础上,推 导杂质在不同初始条件和边界条件下浓度分布.在硅器件 平面工艺中,由于杂质扩散浓度一般不深,它所形成的pn 结看成是平行平面,故可把扩散流近似看做沿垂直于这一 平面方向(x方向)进行,于是式(2.1)简化为 N ( x ) J(x) - D x 2 N N 由原子数守恒定律得: dx D dx 2 2 t x 化简得: N D N
扩散入硅片的杂质总量:
Q N ( x, t )dx 1.13N S Dt
0
2.有限表面源扩散分布
有限表面源扩散是指在扩散过程中杂质源限 定于扩散前淀积于硅片表面极薄层内的杂质 总量Q没有补充或减少,依靠这些有限的杂质 向硅片内进行的扩散。
N (, t ) 0,在t 0, x N 边界条件: 0, 在t 0, x 0 x x 0
高原子脱离格点,使金属子晶格上同时形成金属填隙和金
属空位.
②肖特基缺陷:在不同的子晶格上同时形成金属空位和氧 空位. 1) 点缺陷的特点
Hale Waihona Puke 点缺陷的尺寸很小(与原胞相比拟)
点缺陷产生局部点阵崎变,其大小由晶体结构、母体粒子
大小、杂质粒子大小和晶体的键型决定
2)点缺陷的符号糸统(Kroger-Vink)
(3)相界:具有不同结构的两相界面称为相界
二.宏观缺陷
1)开裂(原生开裂,次生开裂)
2)包裹体:(气,液,固)
3)生长层(生长条纹:年轮状) 4)胞状组织:网状沟槽划分(浓集杂质)划 分出来的亚组织
第二章 金属晶体的缺陷

2.1 点缺陷 2.2 位错的基本概念 2.3 位错的运动 2.4 位错的弹性性质 2.5 实际晶体结构中的位错 2.6 位错源和位错增殖 2.7 位错的实际观测 2.8 金属界面
引言
实际晶体中,或多或少地存在偏离理想结构 的区域, 此即为:晶体缺陷。
1.点缺陷:空位、间隙原子、溶质原子。 2.线缺陷:位错。 3.面缺陷:晶界、相界 、孪晶界、堆垛层错。
N N n
C
n
u S f
e kT k
u
Ae kT
N
Sf
式中 A e k 是由振动熵决定的系数,一般估计在1~10之间。
对于间隙原子也可用同样方法求得类似公式。
应用时需求出空位或间隙原子的形成能。
点缺陷的形成能包括电子能(缺陷对晶体中电 子状态的影响)和畸变能。
空位形成能中,电子能是主要的;间隙原子, 则畸变能使主要的。
用统计热力学方法计算平衡条件下的空位浓度。
由热力学知道自由能 F U TS
F nuv T (nS f Sc )
(2-1)
Sc k ln N(N 1)...(N n 2)(N n 1) N !
n!
(N n)!n!
SC
k
ln
(N
N! n)!n!
代入(2-1)得:
N! F nuv nTS f kT ln (N n)!n!
图2-8 图2-9
2)螺型位错:当螺型位错移过整个晶体后,在晶体表面 形成的滑移台阶宽度也等于柏氏矢量,其结果与刃型 位错是完全一样的。但它不像刃型位错那样有确定的 滑移面,而可以在通过位错线的任何原子平面上滑移。
图2-10
3)混合型位错
图2-11
图2-12
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如果位错b是位错 b1、b2之和 并且: b1 a u1v1w1 b2 a u 2 v2 w2 n n a a a 则: b b1 b2 u1v1w1 u2 v2 w2 u1 u2 v1 v2 w1 w2 n n n
●
同一晶体中,柏氏矢量越大,该位错的点阵畸变越严重,其能量越高。 能量较高的位错趋于分解为多个能量较低的位错: 如果 b → b1 + b2; 则 ∣b∣2> ∣b1∣2 +∣b2∣2
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
§2.1 点缺陷(point defects) 它是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列的一种缺陷; 其特征是在三维空间的各个方向上尺寸都很小; 包括空位(vacancies)、间隙原子(self-interstitials)、杂质或溶质原子 (impurities---substitutional and interstitial impurity atoms)等
● 刃型位错的割阶部分仍为刃型位错,而扭折部分则为螺型位错; ● 螺型位错的割阶和扭折部分均为刃型位错;
● 位错的攀移可以理解为割阶沿位错线逐步推移。
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
例:两根互相垂直的刃型位错的交割
● 柏氏矢量互相垂直 ● 柏氏矢量互相平行
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
2.1.1 点缺陷的形成 热平衡缺陷(thermal equilibrium defects): 晶体中点阵结点上的原子以其平衡位置 为中心作热振动,当振动能足够大时, 将克服周围原子的制约,跳离原来的位 置,形成点缺陷,造成点阵畸变 肖脱基空位(Schottky vacancies) 弗兰克尔缺陷(Frenkel defects) 间隙原子(self-interstitials) 过饱和点缺陷(supersaturated point defects): 淬火、冷变形、高能粒子使晶体中的 点缺陷数量超过其平衡浓度
3) 滑移面是同时包括位错线和滑移 矢量的平面,刃型位错的位错线和 滑移矢量互相垂直,一个刃型位错 所构成的滑移平面只有一个; 4) 刃型位错周围的点阵发生弹性畸变, 既有切应变,又有正应变 5) 这一弹性畸变区是一个有几个原子 间距宽、狭长的管道。 刃型位错是线缺陷。
2 螺型位错(screw dislocation) 1) 螺型位错无额外半原子面,原 子错排呈轴对称;
2) 无论刃型位错还是螺型位错,位错的运动方向总是与位错线垂直的; 3) 刃型位错引起的晶体的滑移方向与位错运动方向一致, 而螺型位错引起的晶体的滑移方向与位错运动方向垂直; 4) 使位错滑移的切应力方向与柏氏矢量一致; 位错滑移后,滑移面两侧晶体的相对位移与柏氏矢量一致。
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
2.1.2 点缺陷的平衡浓度 设由N个原子组成的晶体中含有n个空位,形成一个空位所需能量为Ev, 振动熵为ΔSf,k为波尔兹曼常数,则空位在T温度时的平衡浓度C为: C = n/N = exp(ΔSf/k)exp(-Ev/kT)= A exp(-Ev/kT) 类似的,间隙原子的平衡浓度: C’ = n’/N’ = exp(ΔSf’/k)exp(-Ev’/kT)= A’ exp(-Ev’/kT) 一般,晶体中间隙原子的形成能比空位的形成能大3-4倍, 间隙原子的量与空位相比可以忽略 2.1.3 点缺陷的运动与材料行为 ● 在一定温度下,晶体中的点缺陷处于不断的运动状态, 空位浓度处于动态平衡;
1 位错的滑移(slip of dislocations)
在外加切应力作用下,位错中心附近的原子 沿柏氏矢量方向在滑移面上所作的不断的运动。
Demo of dislocation movement
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
位错滑移的特点 1) 使刃型位错滑移的切应力方向与位错线垂直, 而螺型位错滑移的切应力方向与位错线平行;
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
2.2.3 位错的运动(dislocation motion) 塑性、断裂等密切相关。
Demo of dislocation movement
位错运动是位错的重要性质之一,它与晶体的力学性能如强度、
位错的运动方式主要是:滑移和攀移(slip and climb)
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
2.2.1 位错的基本类型和特征 1 刃型位错(edge dislocation) 1)刃型位错有一个额外的半原子面,如果半原子面在滑移面上面称为 正刃型位错, 记为┴;反之为负刃型位错;
2) 刃型位错线可以理解为已滑移区 和未滑移区的分界线,它不一定 是直线;;
● 对于螺型位错,位错线与柏氏矢量平行。
如果位错线方向与柏氏矢量方向同向, 则为 右螺型位错,反之为 左螺型位错。
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
3 混合位错(mixed dislocation)
Demo of dislocation movement
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
●
对于刃型位错,位错线与柏氏矢量垂直。 在笛卡尔坐标中,设位错线方向为x轴, 柏氏矢量方向为y轴, 如半原子面在z轴的正向, 为正刃型位错, 反之为 负刃型位错。
2.2.4位错的弹性性质 -----不用看公式推倒。记住性质 1 位错的应力场(stress field of dislocation) 假设晶体是完全弹性体,服从胡克定律; 晶体是各向同性的; 晶体是由连续介质组成的; 1)螺型位错的应力场 模型:设想有一各向同性的空心圆柱体, 将其沿xz面切开,使两个切开面 沿z方向做相对位移, 相当形成一个柏氏矢量为b的螺型位错
● 点缺陷的运动是晶体中原子扩散的主要原因,
是许多材料加工工艺的基础;
● 点缺陷引起材料的物理性能和力学性能的变化,
如电阻的增加
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
§2.2 位错(dislocations) 塑性变形(plastic deformation) – 滑移(slip)
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
2 柏氏矢量(Burger’s vector)的特性 1) 位错是柏氏矢量不为零的晶体缺陷。 柏氏矢量的方向表示位错的性质与取向, 表示位错运动导致晶体滑移的方向; 柏氏矢量的模表示该位错畸变的程度(或称位错的强度), ∣b ∣ 也可表示该位错导致的晶体滑移的大小; 位错的畸变能与柏氏矢量的模的平方的大小成正比; E ∝ ∣b∣2 2) 柏氏矢量的守恒性:柏氏矢量与回路起点及具体途径无关; 3) 一根不分叉的位错线具有唯一的柏氏矢量, 与位错的类型、形状、是否运动无关;
dislocation 1
dislocation 2
dislocation 3
Example problem 2-1 For both FCC and Br b may be expressed as:
b a [ hkl ] 2
4) 位错的连续性:位错不能中断于晶体内部, 但可以形成一个封闭的位错环,或连接于晶界、 位错结点,或终于表面。
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
3 柏氏矢量的表示 ● 与晶向指数相似,但需要在晶向指数的基础上把矢量的模也表示出来 a 立方晶系中 b uvw n 位错的强度:∣b∣= a/n [u2 + v2 + w2]1/2
刚性相对滑动模型: τm = G/30 纯铁:G ≈ 100Gpa 纯铁的理论临界切应力:约3000MPa 纯铁的实际屈服强度: 1– 10MPa
1934年 Taylor、Orowan、Polanyi提出位错模型, 滑移是通过称为位错的运动而进行的 1950年代 位错模型为试验所验证 现在,位错是晶体的性能研究中最重要的概念
位错滑移的特点(续) 5) 对螺型位错,如果在原滑移面上运动受阻时, 有可能转移到与之相交的另一滑移面上继续 滑移,这称为交滑移。
2 位错的攀移(climb of dislocations) 刃型位错的垂直于滑移面方向上的运动 主要是通过原子或空位的扩散来实现的 (滑移过程基本不涉及原子的扩散) 正攀移:多余原子面向上运动; 反之称为负攀移 螺型位错不发生攀移运动
2.2.2柏氏矢量(Burger’s vector) 柏氏矢量是用于表征不同类型位错的特征的一个物理参量,记作:b 1 柏氏矢量的确定 1) 选定位错线的正向; 2) 在实际晶体中,从任一原子出发,围绕 位错以一定的部数作一右旋闭合回路; 3) 在完整晶体中按同样方法和部数作相应 的回路,该回路不闭合,由终点向起点 引 一矢量b,使该回路闭合。 这个矢量b就是该位错的柏氏矢量
Chapter 2 Imperfections of crystalline solids
位错交割的特点 1) 运动位错交割后,在位错线上可能产生一个扭折或割阶, 其大小和方向取决于另一位错的柏氏矢量,但具有原位错线的柏氏矢量 2) 所有的割阶都是刃型位错,而扭折可以是刃型也可是螺型的。 3) 扭折与原位错线在同一滑移面上,可随位错线一道运动,几乎不产生阻力; 割阶与原位错不在同一滑移面上,只能通过攀移运动, 所以割阶是位错运动的障碍--- 割阶硬化 4) 带割阶位错的运动, 按割阶高度的不同分为: 小割阶(割阶高度为1-2个原子间距, 遗留点缺陷)、 中等割阶(遗留位错偶)、 大割阶(位错环)