晶体结构与晶体中的缺陷.
晶体结构与缺陷
晶体结构与缺陷晶体是一种有着高度有序排列的原子、离子或分子的固体材料。
晶体的结构对其性质和应用具有重要影响，而缺陷则是晶体中不完美的部分。
本文将探讨晶体结构、晶格缺陷和它们在材料中的影响。
一、晶体结构晶体结构是指晶体中原子、离子或分子的排列方式。
晶体的结构可以通过晶体学方法（如X射线衍射）来表征。
根据晶体的结构特征，可以将晶体分为多种类型，包括立方晶系、正交晶系、单斜晶系等。
晶体结构的基本单位是晶胞，晶胞由晶体中最小的重复单元构成。
在晶体结构中，晶胞有各种不同的排列方式，例如简单立方晶胞、面心立方晶胞和体心立方晶胞。
这些不同的排列方式导致了不同类型的晶体结构。
二、晶格缺陷晶格缺陷是指晶体中原子、离子或分子位置的非理想性质。
晶格缺陷可以通过外部环境和材料制备过程中的条件引入。
晶格缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三类。
1. 点缺陷点缺陷是指晶体中少数几个原子、离子或分子的位置与理想排列位置有所偏离。
最常见的点缺陷是空位缺陷和杂质缺陷。
空位缺陷是指晶体中某个位置上的原子或离子缺失，而杂质缺陷是指原子或离子被其他类型的原子或离子替代。
点缺陷可以对晶体的性质和行为产生重要影响。
例如，在半导体材料中，控制杂质缺陷的浓度可以改变材料的电导率。
在金属材料中，点缺陷可以影响金属的硬度、延展性和热导率等物理性能。
2. 线缺陷线缺陷是指晶体中沿某个方向出现的缺陷线。
常见的线缺陷包括位错和螺旋位错。
位错是晶体中原子排列顺序的偏移，而螺旋位错则是沿某个方向上原子排列的扭曲。
线缺陷可以导致晶体的塑性变形和断裂行为。
位错的运动可以使晶体发生滑移，从而导致材料的塑性变形。
而螺旋位错则可以在晶体中形成螺旋状的断裂。
3. 面缺陷面缺陷是指晶体中的平面缺陷。
最常见的面缺陷是晶界和孪晶。
晶界是两个晶粒之间的界面，它们的晶体结构可能有所不同。
孪晶是指两个对称的晶体结构在某个面上镜面对称的结合。
面缺陷可以对晶体的物理性能产生重要影响。
晶界可以影响晶体的弹性模量和导电性能。
第一章 晶体结构与晶体中的缺陷
第一章晶体结构与晶体中的缺陷一、名词解释1．正尖晶石与反尖晶石；2．弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷；3．刃位错与螺位错；4．固溶体；5．非化学计量化合物：二、填空与选择2．在硅酸盐结构分类中，下列矿物Ca[Al2Si2O8]；CaMg[Si2O6]；β-Ca2SiO4和Mg3[Si4O10](OH)2，分别属于；；；和四类。
3．在负离子作立方密堆的晶体中，为获得稳定的晶体结构，正离子将所有八面体空隙位置填满的晶体有，所有四面体空隙均填满的晶体有，填满一半八面体空隙的晶体有，填满一半四面体空隙的晶体有。
4．在尖晶石（MgAl2O4）型晶体中，O2－作面心立方最紧密堆积，Mg2＋填入了；金红石晶体中，所有O2－作稍有变形的六方密堆，Ti4＋填充了。
（A全部四面体空隙；B 全部八面体空隙；C四面体空隙的半数；D八面体空隙的半数；E四面体空隙的八分之一；F八面体空隙的八分之一）5．构成层状硅酸盐的[Si2O5]片中的Si4＋，通常被一定数量的Al3＋所取代，为满足鲍林第二规则（静电价规则），在层状结构中结合有（OH）－离子和各种二价正离子或三价正离子。
这种以Al3＋取代Si4＋的现象，称为。
（ A同质多晶（同质多象）；B类质同晶；C有序－无序转化；D同晶置换（同晶取代））6．高岭石与蒙脱石属于层状硅酸盐结构，前者的结构特征是，后者的结构特征是。
（A二层型三八面体结构；B三层型三八面体结构；C二层型二八面体结构；D 三层型二八面体结构）7．在石英的相变中，属于重建型相变的是，属于位移式相变的是。
（A α-石英→α-鳞石英；B α-石英→β-石英；C α-鳞石英→α-方石英；D α方石英→β-方石英）8．晶体结构中的热缺陷有和二类。
9．CaO掺杂到ZrO2中，其中置换了。
由于电中性的要求，在上述置换同时产生一个空位。
以上置换过程可用方程式表示。
10．由于的结果，必然会在晶体结构中产生"组分缺陷"，组分缺陷的浓度主要取决于：和。
晶格畸变程度与缺陷-概述说明以及解释
晶格畸变程度与缺陷-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述晶格畸变程度与缺陷是材料科学领域中非常重要的研究内容。
晶格畸变程度描述了晶体中原子或离子位置的偏离理想晶格点的程度，而缺陷则是指晶体中存在的不完整或不正常的位置、原子、离子或结构单元。
在材料科学中，晶格畸变程度和缺陷的相互关系对于了解材料性能的起源和调控具有重要意义。
晶格畸变程度可以作为评估材料质量和稳定性的重要参数。
它反映了材料的结构完整性、晶体缺陷的数量和分布、材料中存在的变形应力等。
而缺陷则是导致材料性能变化的主要原因之一。
晶格畸变程度和缺陷之间存在着紧密的相互关系。
缺陷引起的晶格畸变可以导致材料的物理和化学性质发生变化，例如晶格常数的改变、晶体结构的变化等。
而晶格畸变程度也会对缺陷的形成和行为产生影响，例如影响点缺陷的生成和扩散、晶体缺陷的稳定性等。
本文将重点讨论晶格畸变程度与缺陷之间的关系及其影响机制。
首先，将详细介绍晶格畸变程度的定义和原理，包括晶体中原子、离子位置的偏离程度和晶胞参数的改变。
其次，将探讨影响晶格畸变程度的因素，如温度、应力、杂质等。
然后，将进一步研究缺陷引起的晶格畸变和晶格畸变对缺陷的影响，包括点缺陷、线缺陷和面缺陷等。
最后，将总结晶格畸变程度与缺陷的关系，并探讨这一研究的意义和未来的展望。
通过本文的研究，将有助于更深入地理解晶格畸变程度与缺陷之间的相互作用，为材料设计和制备提供理论指导，进一步优化材料性能和开发新型功能材料。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将按照以下结构进行展开讨论晶格畸变程度与缺陷之间的关系。
2. 正文：2.1 晶格畸变程度2.1.1 定义和原理在这一部分，我们将介绍晶格畸变程度的定义和基本原理。
晶格畸变程度是指晶体中晶格点与理想晶格点之间的差异程度。
我们将解释晶格畸变程度的计算方法，并探讨不同种类晶体的晶格畸变程度的特点。
2.1.2 影响因素这一小节将探讨影响晶格畸变程度的因素。
我们将讨论温度、应力、化学成分和外界条件等因素对晶格畸变程度的影响，并详细分析它们与晶格畸变程度之间的关系。
晶体结构中的点缺陷及其对材料性能的影响
晶体结构中的点缺陷及其对材料性能的影响晶体是由原子或离子有序排列形成的固体材料。
在晶体结构中，点缺陷是一种常见的现象，它们对材料的物理和化学性质产生重要影响。
本文将探讨晶体结构中的点缺陷类型、形成原因以及对材料性能的影响。
晶体结构中的点缺陷可以分为两类：点陷和点间隙。
点陷是指晶体中存在于正常原子位置的替代物质或空位，而点间隙是指晶体中存在于正常间隙位置的其他原子或离子。
这些点缺陷的形成原因多种多样，可以是热运动、化学反应、辐射等外部因素的影响，也可以是由于材料的缺陷或不均匀性引起的。
例如，晶体中的离位原子可以通过热扰动从正常位置移动到别的位置，形成点陷；而晶体中的离位原子可以通过化学反应与其他原子或离子结合，形成点间隙。
点缺陷对材料性能的影响是多方面的。
首先，点缺陷可以改变材料的电子和磁性质。
以半导体材料为例，点陷在晶格中引入杂质原子，改变了材料的导电特性。
某些点缺陷也可以改变晶体的磁性质，使材料成为磁性材料。
其次，点缺陷可以影响晶体的力学性能。
晶体中的点缺陷可以导致材料的塑性变形，使其更易于发生变形或破裂。
点缺陷还可以改变材料的硬度、弹性模量等力学性质。
此外，点缺陷还可以影响材料的热性能。
晶体中的点缺陷可以影响材料的热导率和热膨胀系数，从而改变材料的热稳定性和导热性能。
点缺陷的类型和浓度对材料性能的影响是复杂的。
在某些情况下，点缺陷的存在可以改善材料的性能。
例如，通过控制点陷的添加量和类型，可以提高材料的导电性能。
在半导体材料中，适量的杂质原子可以形成能带结构，增加载流子浓度，从而提高材料的导电性能。
此外，点缺陷也可以增加材料的缺陷耐力，改善材料的抗拉强度和韧性。
然而，过量的点缺陷或不适当的类型可能导致材料性能的恶化。
过多的点陷会导致材料的电导率降低，抗拉强度和硬度下降。
过多的点间隙会导致材料内部空隙增多，从而降低材料的密度和强度。
综上所述，晶体结构中的点缺陷是一种常见的现象，对材料的物理和化学性质产生重要影响。
晶体的结构和晶格缺陷
晶体的结构和晶格缺陷晶体是具有规则、有序排列的原子、离子或分子的物质。
它们在自然界中广泛存在，包括矿物、金属、合金等。
晶体的结构和晶格缺陷对其性质和应用起着至关重要的作用。
晶体的结构是由周期性排列的结构单元（晶胞）组成的。
晶胞是晶体的最小重复单元，通过平移操作可以生成整个晶体。
晶体结构可以分为两类：晶体属于晶胞内原子、离子或分子之间具有长程有序排列的晶体称为晶态；而在晶胞内部分子之间没有长程有序排列的晶体则称为非晶态。
晶体的结构具有高度的有序性，可以通过X射线衍射等技术进行解析。
晶体的结构决定了其物理、化学性质以及机械性能。
不同原子或离子之间的键合方式和键长决定了晶体的硬度、熔点和导电性等。
晶格缺陷是晶体结构中的缺陷，它们可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三类。
点缺陷是晶胞内单个原子、离子或分子的缺失或替代。
最常见的点缺陷包括空位、间隙原子和替位原子。
空位是晶胞中缺少一个原子，它会导致晶体特定的电学、热学和光学性质发生改变。
间隙原子是晶胞中多余的原子，它会引起晶体的固溶度变化。
替位原子则是晶胞中某个原子被另一种原子替代，这种缺陷会对晶体的磁性和电性产生重要影响。
线缺陷是沿着晶体中一维方向分布的缺陷。
最常见的线缺陷是位错，位错是晶体中原子、离子或分子排列出错的地方。
位错会导致晶体的机械性质发生变化，如增加晶体的可塑性和延展性，降低其硬度和强度。
面缺陷是沿着晶体中二维方向分布的缺陷。
最常见的面缺陷包括晶面偏差、晶界和孪晶等。
晶面偏差是晶格平面相对于理想晶体位置的偏移，它会影响晶体的表面形貌和晶体的性质。
晶界是两个或多个晶粒之间的界面，它是晶体内部结构的交界处。
孪晶是两个不同晶方向生长的晶体在晶界处错配而结合形成的缺陷，它会降低晶体的机械性能。
晶格缺陷在物质的制备和改性过程中起着重要作用。
通过控制晶格缺陷，可以调节晶体的性质和应用。
在材料科学领域，研究晶体中的缺陷可以提高材料的力学性能、电学性能和化学稳定性等。
无机材料科学基础 (陆佩文 著) 武汉工业大学出版社 课后答案
2 面排列密度的定义为：在平面上球体所占的面积分数。
（a）画出 MgO（NaCl 型）晶体（111）、（110）和（100）晶面上的原子排布图； （b）计算这三个晶面的面排列密度。 解：MgO 晶体中 O2-做紧密堆积，Mg2+填充在八面体空隙中。 （a）（111）、（110）和（100）晶面上的氧离子排布情况如图 2-1 所示。
图 2-2 六方紧密堆积晶胞中 有关尺寸关系示意图
( ) c0 / a0 = 4 2 / 3r / 2r = 2 2 / 3 = 1.633
co / 2
(2r)2 − 2r /
2
3 =2
2 / 3r
6、计算体心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子数、配位数、堆积系数。 解：体心：原子数 2，配位数 8，堆积密度 55.5%；
密度=4×(24.3+16)/[6.023×1023×(0.424×10-7)3]=3.5112(g/cm3) MgO 体积分数小于 74.05%，原因在于 r+/r-=0.072/0.14=0.4235>0.414，正负离子紧密接 触，而负离子之间不直接接触，即正离子将负离子形成的八面体空隙撑开了，负离子不 再是紧密堆积，所以其体积分数小于等径球体紧密堆积的体积分数 74.05%。
面心：原子数 4，配位数 6，堆积密度 74.04%； 六方：原子数 6，配位数 6，堆积密度 74.04%。
7 设原子半径为 R，试计算体心立方堆积结构的（100）、（110）、（111）面的面排列 密度和晶面族的面间距。
解：在体心立方堆积结构中： a0 = 4 / 3R
( ) （100）面：面排列密度=
第二章晶体构与晶体中的缺陷
第二章 晶体结构与晶体中的缺陷1、证明等径圆球面心立方最密堆积的空隙率为25.9％。
解：设球半径为a ，则球的体积为4/3πa 3，求的z=4，则球的总体积（晶胞）4×4/3πa 3，立方体晶胞体积：33216)22(a a =，空间利用率=球所占体积/空间体积=74.1%，空隙率=1-74.1%=25.9%。
2、金属镁原子作六方密堆积，测得它的密度为1.74克/厘米3，求它的晶胞体积。
解：ρ=m/V =1.74g/cm 3，V=1.37×10-22。
3、 根据半径比关系，说明下列离子与O 2-配位时的配位数各是多少? 解：Si 4+ 4； K + 12； Al 3+ 6； Mg 2+ 6。
4、一个面心立方紧密堆积的金属晶体，其原子量为M ，密度是8.94g/cm 3。
试计算其晶格常数和原子间距。
解：根据密度定义，晶格常数)(0906.0)(10906.094.810023.6/(43/13/183230nm M cm M M a =⨯=⨯⨯=- 原子间距= )(0641.02/0906.0)4/2(223/13/1nm M M a r ==⨯=5、 试根据原子半径R 计算面心立方晶胞、六方晶胞、体心立方晶胞的体积。
解：面心立方晶胞：3330216)22(R R a V ===六方晶胞（1/3）：3220282/3)23/8()2(2/3R R R c a V =•••=•= 体心立方晶胞：333033/64)3/4(R R a V ===6、MgO 具有NaCl 结构。
根据O 2-半径为0.140nm 和Mg 2+半径为0.072nm ，计算球状离子所占据的体积分数和计算MgO 的密度。
并说明为什么其体积分数小于74.05%？解：在MgO 晶体中，正负离子直接相邻，a 0=2(r ++r -)=0.424(nm)体积分数=4×(4π/3)×(0.143+0.0723)/0.4243=68.52%密度=4×(24.3+16)/[6.023×1023×(0.424×10-7)3]=3.5112(g/cm 3)MgO 体积分数小于74.05%，原因在于r +/r -=0.072/0.14=0.4235>0.414，正负离子紧密接触，而负离子之间不直接接触，即正离子将负离子形成的八面体空隙撑开了，负离子不再是紧密堆积，所以其体积分数小于等径球体紧密堆积的体积分数74.05%。
晶体的缺点和不足
晶体的缺点和不足
晶体是由原子、分子或离子按照一定的周期性在空间排列形成的固体物质，具有以下缺点和不足：
1. 晶体生长缓慢：晶体的生长通常需要较长的时间，尤其是对于大尺寸、高质量的晶体，生长过程可能非常耗时。
2. 晶体缺陷：在晶体生长过程中，可能会引入各种缺陷，如点缺陷、线缺陷、面缺陷等。
这些缺陷可能会影响晶体的物理、化学和电子性质。
3. 晶体的各向异性：晶体在不同方向上的物理性质可能会有所不同，这被称为晶体的各向异性。
这可能会导致在某些应用中需要对晶体的取向进行控制，增加了制备的难度。
4. 晶体的脆性：大多数晶体材料相对较脆，容易在受到外力作用时发生断裂或破裂。
这限制了它们在需要一定柔韧性或抗冲击性的应用中的使用。
5. 有限的晶体结构：晶体的周期性结构限制了它们在某些方面的性能。
例如，晶体的能带结构决定了它们的电子传输性质，可能无法满足某些特定应用的要求。
需要注意的是，不同类型的晶体可能具有不同的特点和应用领域。
对于特定的应用，人们可以选择合适的晶体材料或通过晶体工程等方法来克服其缺点和不足。
此外，随着科学技术的发展，人们也在不断探索和研究新的晶体材料和制备方法，以满足各种应用需求。
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KF
KF为弗伦克尔缺陷反应平衡常数
当缺陷浓度很小时，[Vi] [AgAg] 1
' [Agi ][VAg ]
KF
' [Agi ] [VAg ]
平衡常数表示为
在晶格热振动时，
一些能量较大的质点 离开平衡位置后，进
入到间隙位置，形成间隙质点，而在原来
位置上形成空位
影响因素：—— 与晶体结构有很大关系 NaCl 型晶体中间隙较小，不易产生弗仑克
尔缺陷；
萤石型结构中存在很大间隙位置，相对而 言比较容易生成填隙离子。
（2）肖特基缺陷：
如果正常格点上的 质点，在热起伏过程中
Mi —— M 原子处在间隙位置上
Xi —— X 原子处在间隙位置上 如 Ca 填隙在 MgO 晶格中写作 Cai
③ 错放位置：
MX 表示 M 原子被错放在X位置上
④ 溶质原子：
LM 表示 L 溶质处在 M 位置 SX 表示 S 溶质处在 X 位置
例如Ca取代了MgO晶格中的Mg写作CaMg
⑤ 自由电子 e 及电子空穴 h： 存在于强离子性材料中，电子并不一定 属于某一个特定位置的原子，可以在晶体中
' VNa
VCl
' (VNa VCl )
缔合中心是一种
新的缺陷，并使缺陷总浓度增加。
假设MX 为二价离子组成的化合物晶体，写出缺陷1、2、3、4、5、6、7、8的符号
2.2.3 缺陷反应方程式
与化学反应式类似，必须遵守一些基 本原则，其中有些规则与化学反应所需遵 循的规则完全等价。
获得能量离开平衡位置迁移到晶体的表面，而 在晶体内部正常格点上留下空位
特点： 肖特基缺陷的生成需要一个像晶界、位
错或者表面之类的晶格排列混乱的区域；正 离子空位和负离于空位按照分子式同时成对
产生，伴随晶体体积增加
产生 复合 动平衡
浓度是温度的函数
随着温度升高，缺陷浓度呈指数上升，
对于某一特定材料，在—定温度下，热缺 陷浓度是恒定的。
+ M
X
+ M
X
+
2）填隙质点： 原子或离子进入晶体中正常结点之间的间隙位置， 成为填隙原子（或离子）或间隙原子（或离子）。 从成分上看，填隙质点可以是晶体自身的质点，
也可以
是外来
杂质的
质点
3）杂质缺陷： 外来杂质质点进入晶体中就会生成杂质 缺陷，从位置上看，它可以进入结点位置， 也可以进入间隙位置 。
CaCl 2 Ca K KCl ' VK
2Cl Cl
② Ca2+取代K+，Cl-进入间隙位置
CaCl 2 Ca K KCl
' Cl Cl Cl i
③ Ca2+进入间隙位置，Cl-占据晶格位置
CaCl 2 Ca i KCl
' 2VK
正电 正电 负电
负离子取代
低价取代高价 负离子填隙或正离子空位
写出CaCl2溶解在KCl中的缺陷反应式
3 种可能性： ① Ca2+取代K+，Cl-进入Cl-晶格位置： ② Ca2+取代K+，Cl-进入间隙位置： ③ Ca2+进入间隙位置，Cl-占据晶格位置：
① Ca2+取代K+，Cl-进入Cl-晶格位置
2）杂质缺陷：
由于外来质点进入晶体而产生的缺陷
取代 填 隙
晶体中杂质含量在未超过其固溶度时，
杂质缺陷的浓度与温度无关，这与热缺陷
是不同的。
虽然杂质掺杂量一般较小（~ 0.1%），进 入晶体后无论位于何处，均因杂质质点和原 有的质点性质不同，故它不仅破坏了质点有
规则的排列，而且在杂质
质点周围的周期势场引起 改变，因此形成—种缺陷。
第二章 晶体结构与晶体中的缺陷
第一节 典型结构类型
第二节
晶体结构缺陷
一、点缺陷
二、固溶体
三、线缺陷(位错)
第一节
一、单质晶体 1.金刚石结构
典型结构类型
•最佳超硬材料 •优良的热敏、 热传导、透红外 和半导体特性 •化学式：C •立方晶系 •Fd3m空间群 •面心立方格子 •共价键
2.石墨结构
•硬度小、易加工、高 熔点、不透明、传热 和导电性 •化学式：C •六方晶系 •P63/mmc空间群 •同时含有：共价键、 分子间力和金属键
晶体结构缺陷
定义： 与理想的晶体结构对比而言， 晶体中质点不按严格的点阵排列， 偏离了理想结构的周期排列规律， 称之为晶体结构缺陷。
缺陷类型与特征 一般按照尺度范围分类，即按照偏 离理想结构的周期性有规律排列的 区域大小来分类。 （1）点缺陷 （2）线缺陷 （3）面缺陷 （4）体缺陷
（1）点缺陷 由于各种原因使晶体内部质点有规 则的周期性排列遭到破坏，引起质 点间势场畸变，产生晶体结构不完 整性，但其尺度仅仅局限在1个或若 干个原子级大小的范围内，这种缺 陷就称为点列的规律性 在某一方向上达到一定的尺度范 围遭到破坏，就称为线缺陷，也 称位错。又称一维缺陷。
（3）面缺陷 如果晶体内部质点排列的规律 性在二维方向上一定的尺度范围 内遭到破坏，就称为面缺陷，有 晶体表面、晶界、相界、堆垛层 错等若干种，又称二维缺陷。
（4）体缺陷 如果晶体内部质点排列的规律性 在三维空间一定的尺度范围内遭 到破坏，就称为体缺陷，例如亚 结构（嵌镶块）、沉淀相、层错 四面体、晶粒内的气孔和第二相 夹杂物等，又称三维缺陷。
① 位置关系：
在化合物 MaXb 中，M 位置的数目 必须永远与 X 位置的数目成一个正确 的比例，a/b = 定值
TiO2在还原气氛中形成TiO2-x 表面上，Ti:O = 1:(2-x)
实际上， 生成了 x 个 VO
位置比仍为 1:2
② 质量平衡： • 缺陷方程的两边必须保持质量平衡 • 缺陷符号的下标只是表示缺陷位置，对质 量平衡没有作用 • VM 为 M 位置上的空位，不存在质量。
2.2 点缺陷
2.2.1点缺陷分类 分类方法分别有按照位置、成分和 产生原因等不同角度进行分类，不同 分类方法可能产生重叠交叉。
1. 按照位置和成分分类 空位 填隙质点
杂质缺陷
1）空位： 正常结点没有被原子或离子所占据，成为 空结点，称为空位或空穴
+ M + X X M + M
X
+ M
X X
+ + M
运动。在某些缺陷上缺少电子，这就是电子
空穴，也不属于某一个特定的原子所有，也 不固定在某个特定的原子位置。
⑥ 带电缺陷：
不同价离子之间的替代就出现带电 缺陷，如 Ca2+ 取代 Na+ 形成 Ca2+ 取代 Zr4+ 形成
⑦ 缔合中心： 一个带电的点缺陷与另一个带相反电荷 的点缺陷相互缔合形成一组或一群新的缺陷， 它不是原来两种缺陷的中和消失，这种新缺 陷用缔合的缺陷放在括号内表示。
3.C60结构
•化学式:C60 •24面体 •碳纳米管
•化学、材料 学、电子学 、生物学和 医学
4. 氯、溴、碘结构 •范德华力 •分子晶体 •熔点低、硬度小 •正交晶系
•线形分子晶体
二、AB型化合物晶体 1. NaCl型结构 •立方晶系 •面心立方格子 •Fm3m空间群 •负离子按面心 立方最紧密方 式堆积，正离 子填充八面体 间隙，正、负 离子配位数都 是6 •碱金属卤化物 、氢化物以及 碱土金属氧化 物、硫化物、
取 代 杂 质 质 点
间 隙 杂 质 质 点
2. 按照缺陷产生原因分类 热缺陷 杂质缺陷
非化学计量结构缺陷
1）热缺陷： 当晶体的温度高于0K时，
弗仑克尔缺陷 （Frenkel）
肖特基缺陷 （Schottky）
由于晶格上质点热振动，使一部分能量较高 的质点离开平衡位置而造成缺陷
（1）弗仑克尔缺陷：
•四方晶系 •P4/mnm空间群
•Ti4+离子位于四方晶胞的顶点和中心，O2-离子中 的两对，其余的两个O2•Ti4+的配位数是6，O2- 的配位数是3 •GeO2、SnO2、PbO2、MnO2、MoO2、WO2、 NbO2、VO2等
2.萤石（CaF2）型结构
•立方晶系 •面心立方格 子 •Fm3m空间群 •Ca2+ 位于晶 胞顶点和中心 F- 占据间隙 •Ca2+的配位 数是8，F- 的 配位数是4 •BaF2、CeO2 等
•立方晶系 •面心立方格子
•F43m空间群
•配位数都是4
•Be、Cd、Hg的硫化物，硒化物和碲化物以及Cu 的卤化物，β-SiC、GaAs、InSb等
4.纤锌矿（α-ZnS）型结构 •六方晶系 •六方底心格子 •P63mc空间群
•配位数都是4
•BeO、ZnO、AgI等
三、AB2型化合物晶体
1. 金红石（TiO2）型结构
以空位带有 2 个有效负电荷，写成 —— 正离子空位
'' VM
如果 X2- 离开格点形成空位，将获得的 2 个电子一起带走，则空位上附加了 2 个电 子空穴，所以负离子空位上带有 2 个有效正
电荷，写成 VX
。
'' VM
VX
VM 2e
'
VX 2h
电子空穴
② 填隙原子：
' 2Ti Ti
VO
OO 2e
'
VO
1 O2 2
在无机材料中，发生缺陷反应时以质点取 代（置换）的情况为常见
取代类别 取代情况 缺 陷 带电性
高价取代低价 正离子空位或负离子填隙
正离子取代 低价取代高价 正离子填隙或负离子空位 高价取代低价 负离子空位或正离子填隙