晶体结构缺陷
晶格的缺陷

晶格的缺陷晶格的缺陷是指晶体结构中存在的各种不完美或异常的位置或排列。
这些缺陷对晶体的物理、化学性质以及材料的性能都会产生重要影响。
本文将从点缺陷、线缺陷和面缺陷三个方面,介绍晶格缺陷的种类、产生原因以及对材料性能的影响。
一、点缺陷1. 点缺陷是指晶体中原子或离子的位置发生变化或缺失。
常见的点缺陷有原子间隙、空位、间隙原子、杂质原子等。
2. 原子间隙是指晶体中存在的原子无法占据的空间,通常是由于晶格结构的不完美而形成。
原子间隙的存在会导致晶体的密度降低,同时对电子和热的传导产生影响。
3. 空位是指晶体中原子位置上缺失了一个原子。
空位会导致晶格的局部变形,降低晶体的机械强度和热稳定性。
4. 间隙原子是指晶体中存在的非晶体或空气中的原子进入了晶体中的间隙位置。
间隙原子的存在会改变晶体的电子结构和热导率。
5. 杂质原子是指晶体中存在的与晶格原子不同种类的原子。
杂质原子的加入会改变晶体的导电性、磁性以及光学性质。
二、线缺陷1. 线缺陷是指晶体结构中存在的一维缺陷,通常是晶体中原子排列发生错位或缺失。
2. 赝位错是指晶体中两个晶格面之间的原子排列发生错位,即晶体中的原子位置发生了偏移。
赝位错会导致晶体的机械强度下降,同时也会引起晶体的局部形变。
3. 堆垛错是指晶体中两个晶格面之间的原子排列发生缺失或添加。
堆垛错会导致晶体局部的结构畸变,进而影响晶体的热稳定性和电子传导性能。
4. 螺错是指晶体中原子排列沿晶体的某一方向发生了扭曲,形成了一种螺旋形的缺陷。
螺错会导致晶体的机械强度下降,同时也会引起晶体的局部形变。
三、面缺陷1. 面缺陷是指晶体结构中存在的二维缺陷,通常是晶格面的错位、缺失或添加。
2. 晶界是指晶体中两个晶粒之间的界面。
晶界是晶体中最常见的面缺陷,其形成原因包括晶体生长过程中的结晶不完全以及晶体在变形过程中的再结晶。
晶界会对晶体的力学性能、电学性能以及化学反应产生显著影响。
3. 双晶是指晶体中存在两个晶界的结构。
3:晶体结构缺陷

子晶体中正、负离子半径相差不大时,
离子半径相差大时, 是主要的;
是主要的;两种
(2) KCl 晶体生长时,在 KCl 溶液中加入适量的 CaCl2 溶液,此 后生长的KCl晶体的质量密度如何变化?请说明原因。
例:一块金黄色的人黄 造玉,化学分析结果为 认, 是在 Al2 O 3中 添 加 了 0.005molNiO和2 10 4 molCr2 O 3, 试写出缺陷反应程 方 式置 换 型及 固 溶 分 子 式 。
2. 电价因素—必须保持结构中的电中性。一般
可通过形成空位,复合阳离子置换和改变电
子云结构达到。
例9: 对 于 MgO、Al2O3和Cr2O3, 其 正 、 负 离 子 半 径 比 分别为 0.47、 0.36和0.40, 则Al2O3和Cr2O3形 成 连 续 固 溶 体 。 ( a ) 这 个 结 果 可 能 吗 ? 什 为么 ? ( b) 试 预 计 , 在 MgO — Cr2O3系 统 中 的 固 溶 度 是 有 限 的 还 是限 无的 , 为 什 么 ?
练习
写出下列缺陷反应式:
(1) MgCl2固溶在LiCl晶体中(产生正离子空位)
. LiCl 2ClCl MgCl2 ( S ) MgLi VLi
(5) CaO固溶在ZrO2晶体中(产生负离子空位)
ZrO Ca O ( S ) Ca V OO Zr O
形成固溶体对晶体性质的影响
① 稳定晶格,阻止晶型转变的发生
例:1) PbTiO3与PbZrO3
PbTiO3—铁电体,烧结性能极差,居里点490℃
PbZrO3—反铁电体,居里点230℃ Pb(ZrxTi1-x)O3——连续固溶体——PZT陶瓷 2) ZrO2
晶体的结构缺陷精简

形成原因
点缺陷
由于晶体中原子或分子的缺失、多余 或错位,导致局部的原子排列异常。 常见的点缺陷包括空位、间隙原子和 替位式杂质等。
线缺陷
面缺陷
晶体中原子或分子的平面排列异常, 如晶界、相界和表面等。
晶体中由于原子或分子的排列不连续 而形成的线性异常区域,如位错。
对晶体性质的影响
物理性质
晶体结构缺陷可以影响晶体的热 学、光学、电学和磁学等物理性 质。例如,金属导体的电阻率会
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线缺陷
位错概念
位错
晶体中某处有一列或若干列原子 发生了有规律的错排或缺失,从 而使晶体结构发生畸变,这种畸 变可以延伸到相当远的区域,称
为位错。
位错线
位错延伸的方向称为位错线,其 运动方向与位错线垂直。
柏氏矢量
描述位错特征的矢量,其大小表 示位错的大小,方向表示位错线
的方向。
位错类型
刃型位错
肖脱基缺陷
总结词
肖脱基缺陷是由于晶体表面上的原子 迁移到内部而形成的表面空位。
详细描述
在晶体表面,原子由于热运动或其他 原因迁移到晶体内部,留下表面空位 。这种缺陷通常在高温或高真空条件 下形成。
间隙原子与空位
总结词
间隙原子和空位缺陷是由于原子或分子的位置偏离正常格点 而形成的。
详细描述
间隙原子是指原子进入晶格间隙位置,而空位则是在正常格 点位置上形成的空位。这两种缺陷对晶体的物理和化学性质 产生影响。
表面缺陷在半导体器件、光电 子器件、催化等领域有重要应 用,例如表面改性、表面增强 拉曼散射等。
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体缺陷
沉淀与固溶体
沉淀
当晶体内部某些组分由于过饱和而析出,形成与基体不同的相,即为沉淀。
晶体结构缺陷

(a)弗仑克尔缺陷的形成 (空位与间隙质点成对出现)
(b)单质中的肖特基缺陷的形成
热缺陷产生示意图
刘学良 lyshan@
– 点缺陷的表示和缺陷反应
• 表示:使用最广泛的是KrÕger-Vink(克罗格—明克) 的符号,具体为:用一个主要符号来表明缺陷的种 类,而用一个下标来表示这个缺陷的位置。缺陷的 有效电荷在符号的上标表示。如用上标“·”表示有效 正电荷,用“′”表示有效负电荷,用“×”表示有效零 电荷。 • 以MX离子晶体(M为二价阳离子、X为二价阴离子) 为例来说明缺陷化学符号的表示方法。
刘学良 lyshan@
(2)质量平衡:与化学反应方程式相同, 缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需 要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所 在的位置,对质量平衡无影响。 (3)电中性:电中性要求缺陷反应方程式 两边的有效电荷数必须相等。
刘学良 lyshan@
2.缺陷反应实例
(1)杂质(组成)缺陷反应方程式──杂质 在基质中的溶解过程 杂质进入基质晶体时,一般遵循杂质的正 负离子分别进入基质的正负离子位置的原 则,这样基质晶体的晶格畸变小,缺陷容 易形成。在不等价替换时,会产生间隙质 点或空位。
刘学良 lyshan@
例1·写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式 • 以正离子为基准,反应方程式为:
KCl . K
• 以负离子为基准,则缺陷反应方程式为:
CaCl2 ⎯⎯→ Ca + VK '+ 2ClCl
KCl . K
刘学良 lyshan@
基本规律: – 低价正离子占据高价正离子位置时,该 位置带有负电荷,为了保持电中性,会 产生负离子空位或间隙正离子。 – 高价正离子占据低价正离子位置时,该 位置带有正电荷,为了保持电中性,会 产生正离子空位或间隙负离子。
常见的晶体缺陷

常见的晶体缺陷
晶体是由原子或分子按照一定规律排列组成的固体物质,而晶体缺陷是指在晶体结构中出现的缺陷或不完美的区域。
晶体缺陷可以是自然形成的,也可以是在制备或处理过程中产生的。
常见的晶体缺陷有以下几种:
1. 位错:指晶体中原子或分子的错位或扭曲现象,是一种线性缺陷。
位错可以分为边缘位错和螺旋位错两种,它们的存在会导致晶体的弹性性质发生变化。
2. 点缺陷:指晶体中某些原子或分子的缺失或替代,是一种点状缺陷。
点缺陷包括空位、附加原子、缺失原子和间隙原子等。
3. 晶界:指晶体中不同晶粒之间的交界面。
由于晶界的存在,晶体中的原子排列方式和性质会发生变化,对材料的力学性能和电学性能等都有很大影响。
4. 色心:指晶体中某些原子或分子的缺失或替代,导致能量带结构的改变。
颜色的形成就是由于色心的存在导致。
5. 位隙:指晶体结构中一些原子或分子的位置被其他原子或分子占据,从而形成的空隙。
位隙也会影响晶体的物理性质。
以上就是常见的晶体缺陷,它们的存在会对晶体的性质和应用产生影响。
在材料科学和工程领域中,对晶体缺陷的研究和控制具有重要的意义。
- 1 -。
材料化学-晶体结构缺陷

3. 质量平衡:缺陷方程两边必须保持质量平衡; 4. 电中性:缺陷反应两边必须具有相同数目的总有效电荷,
但不必为零; 5. 表面位置:不用特别表示,当一个M原子从晶体内部迁
移到表面时,M位置数增加。
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有效电荷:缺陷及其周围的总电荷减去理想晶体中同一区 域的电荷之差。
—— 对于自由电子和空穴:有效电荷等于实际电荷;
平衡常数为:
Ag
Vi
Ag
• i
VAg
K
[ Agi• ][VAg ] [ Ag ][Vi ]
令N为晶体中格位总数,Ni为间隙总数,即:
[VAg
]
[
Ag
• i
]
Ni
[Ag ] N Ni
对于大多数规则晶体结构,有:
[Vi ] N
仅与体系自身结构特性有关
23
因此,
K
N
2 i
N
2 i
(N Ni )(N ) N 2
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缺陷反应方程式
1. 位置关系:在化合物 MaXb 中,M 位置的数目必须与 X
位置的数目成一个正确的比例;
2. 位置增殖:当缺陷发生变化时,有可能引入或消除空位, 相当于增加或减少点阵位置数,这种变化必须服从位置 关系;
—— 引起位置增殖的缺陷:VM,VX,MM,MX,XM, XX,等等;
—— 不引起位置增殖的缺陷: e’,h˙,Mi,Li,等等;
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俘获空穴中心
通过俘获空穴而形成色心。
卤素蒸气中加热
NaCl
NaCl1+
Vk心:两个相 邻卤素离子俘
获一个空穴
H心:一列卤 素离子中插入 一个卤素原子
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非整比晶体中的空位和填隙子
晶体结构缺陷

引起位置增殖的缺陷有:
– Vm, Vx, Mm, Mx, Xm, Xx
不发生位置增殖的缺陷有:
– e’, h., Mi, Xi
3、质量平衡: 缺陷方程的两边必须保持质量平衡 缺陷符号的下标只是表示缺陷位置, 对质量平衡没有作用 VM 为 M 位置上的空位,不存在质量。
4、电中性: 在缺陷反应前后晶体必须保持电中性 缺陷反应式两边必须具有相同数目总有 效电荷
各种缺陷生成难易比较 弗伦克尔缺陷 • 正离子 • 负离子
和产生原因等不同角度进行分类, 不同分类方法可能产生重叠交叉。
点缺陷
一、根据其对理想晶格偏离的几何位置 及成分划分
(1) 间隙原子 (2) 空位 (3) 杂质原子
1、间隙原子
原子或离子进入晶体中正常结点之间的间 隙位置,成为间隙原子(或离子)或填隙 原子(或离子)。 从成分上看,填隙质点可以是晶体自身的 质点,也可以 是外来 杂质的 质点
5、带电缺陷:
不同价离子之间的替代就出现带电 缺陷,如 Ca2+ 取代 Na+ 形成 Ca Na Ca2+ 取代 Zr4+ 形成
'' Ca Zr
6、错放原子:
MX 表示 M 原子被错放在X位置上
7、 缔合中心: 一个带电的点缺陷与另一个带相反电荷 的点缺陷相互缔合形成一组或一群新的缺陷, 它不是原来两种缺陷的中和消失,这种新缺 陷用缔合的缺陷放在括号内表示。
Y2O3 ' Y " i
在无机材料中,发生缺陷反应时以 质点取代(置换)的情况为常见
取代类别 正离子取 代 取代情况 缺 陷 带电性 负电 正电 正电 负电
晶体结构缺陷

单相
ABAmBn
两相或多相
A+B
固溶体的分类 按溶质原子在溶剂晶格中的位置分
取代(置换)型固溶体:溶质原子进入晶体中 正常格点位置 填隙型固溶体:杂质原子进入溶剂晶格中的间 隙位置 按溶质原子在溶剂晶体中的溶解度分 连续固溶体:溶质和溶剂可以按任意比例相互 固溶 有限固溶体:溶质只能以一定的限量溶入溶剂 溶质的溶解度与温度有关
规律
杂质正、负离子分别进入基质的正、负离子的 位置晶格畸变小。不等价置换时,产生间隙 质点或空位。 高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带 有有效正电荷产生正离子空位或间隙负离子。 低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带 有有效负电荷产生负离子空位或间隙正离子。
CaCl2溶解在KCl中
3. 离子的电价
离子价相同或离子价总和相等才能生成连续置换 型固溶体
Ca[Al2Si2O8]-Na[AlSi3O8] (Na1/2Bi1/2)TiO3-PbTiO3 4. 电负性
电负性相近,有利于固溶体的生成;电负性差别 大,倾向于生成化合物
Darkon椭圆:溶质与溶剂半径差15%、电负性 差0.4-椭圆内的系统,65%具有很大的固溶度
七、非化学计量化合物
定比定律:化合物中不同原子的数量要保持固定的 比例。
非 化 学 计 量 化 合 物 ( nonstoichometric compound):正负离子的比并非简单、固定的 值;组成和结构之间没有简单的对应关系 气氛的性质和分压 如:TiO2在还原气氛下形成TiO2-x(x=0-1) 空位;填隙原(离)子
溶入0.15的CaO,立方晶系、萤石结构,D 5.447 g cm3 ,a 0.513nm
ZrO2 CaO CaZr VO OO ,, ??? ZrO2 ,, 2CaO CaZr Cai 2OO 假设形成O 2-空位固溶体:
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第三章晶体结构缺陷【例3-1】写出MgO形成肖特基缺陷的反应方程式。
【解】 MgO形成肖特基缺陷时,表面的Mg2+和O2-离子迁到表面新位置上,在晶体内部留下空位,用方程式表示为:????该方程式中的表面位置与新表面位置无本质区别,故可以从方程两边消掉,以零O(naught)代表无缺陷状态,则肖特基缺陷方程式可简化为:【例3-2】写出AgBr形成弗伦克尔缺陷的反应方程式。
【解】AgBr中半径小的Ag+离子进入晶格间隙,在其格点上留下空位,方程式为:【提示】一般规律:当晶体中剩余空隙比较小,如NaCl型结构,容易形成肖特基缺陷;当晶体中剩余空隙比较大时,如萤石CaF2型结构等,容易产生弗伦克尔缺陷。
【例3-3】写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式。
【解】首先以正离子为基准,Na+离子占据Y3+位置,该位置带有2个单位负电荷,同时,引入的1个F-离子位于基质晶体中F-离子的位置上。
按照位置关系,基质YF3中正负离子格点数之比为1/3,现在只引入了1个F-离子,所以还有2个F-离子位置空着。
反应方程式为:可以验证该方程式符合上述3个原则。
????再以负离子为基准,假设引入3个F-离子位于基质中的F-离子位置上,与此同时,引入了3个Na+离子。
根据基质晶体中的位置关系,只能有1个Na+离子占据Y3+离子位置,其余2个Na+位于晶格间隙,方程式为:????此方程亦满足上述3个原则。
当然,也可以写出其他形式的缺陷反应方程式,但上述2个方程所代表的缺陷是最可能出现的。
【例3-4】写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式。
【解】以正离子为基准,缺陷反应方程式为:????以负离子为基准,则缺陷反应方程式为:????这也是2个典型的缺陷反应方程式,与后边将要介绍的固溶体类型相对应。
【提示】通过上述2个实例,可以得出2条基本规律:????(1)低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷。
为了保持电中性,会产生负离子空位或间隙正离子。
????(2)高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷。
为了保持电中性,会产生正离子空位或间隙负离子。
【例3-5】 TiO2在还原气氛下失去部分氧,生成非化学计量化合物TiO2-x,写出缺陷反应方程式。
【解】非化学计量缺陷的形成与浓度取决于气氛性质及其分压大小,即在一定气氛性质和压力下到达平衡。
该过程的缺陷反应可用或方程式表示,晶体中的氧以电中性的氧分子的形式从TiO2中逸出,同时在晶体中产生带正电荷的氧空位和与其符号相反的带负电荷的来保持电中性,方程两边总有效电荷都等于零。
可以看成是Ti4+被还原为Ti3+,三价Ti占据了四价Ti的位置,因而带一个单位有效负电荷。
而二个Ti3+替代了二个Ti4+,Ti∶O由原来2∶4变为2∶3,因而晶体中出现一个氧空位,带二个单位有效正电荷。
【例3-6】假定把一个Na原子从钠的晶体内部移到边界上所需的能量是1ev,计算定温时(300K)的肖特基空位浓度。
【解】∵=1ev=1××10-19J????∴=exp(-)=×10-15%【例3-7】在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度;如果MgO 晶体中,含有百万分之一的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势请说明原因。
【解】(1)根据MX型晶体中肖特基缺陷浓度公式:????已知:????当T=25℃=298K及T=1600℃=1873K时,????????????(2)在MgO中加入Al2O3的杂质缺陷反应为:????此时产生的缺陷为[]杂质,而[Al2O3]=[]杂质?????当加入10-6 Al2O3时,杂质缺陷的浓度为 []杂质=[Al2O3]=10-6????由(1)计算在1873K时,[]热=8×10-9????所以:[]杂质>[]热,即1873K时杂质缺陷占优势。
【例3-8】许多晶体在高能射线照射下产生不同的颜色,经退火后晶体的颜色又消失,试解释原因。
【解】可通过“色心”的概念来解释。
“色心”是由于电子补偿而引起的一种缺陷。
一些晶体受到X射线、γ射线、中子或电子辐照,往往会产生颜色。
例如,金刚石用电子轰击,产生蓝色;石英在反应堆中用中子辐照以后,产生棕色。
这些颜色的产生是由于辐照破坏晶格,并产生各种类型的点缺陷的缘故。
为在缺陷区域保持电中性,过剩的电子或过剩正电荷(电子空穴)就处在缺陷的位置上,与原子周围的电子具有一系列分离的允许能级一样,束缚在点缺陷上的电荷,也具有这样的一组能极。
这些允许能极相当于在可见光谱区域的光子能级。
因而,在缺陷位置上也就能吸收一定波长的光,这样材料就出现某种颜色。
把这种经过辐照而变色的晶体加热,能使缺陷扩散而消失或产生复合,使辐照破坏得到修复,晶体失去颜色。
【提示】研究最详细的色心是F-色心(F-centre)(由德语Farbe-Colout而得),当碱金属卤化物晶体在碱金属蒸汽中加热,然后快速淬火时,就产生F-色心。
例如,NaCl在Na蒸汽中加热得到黄棕色。
当NaCl晶体被加热时,Na扩散到晶体的内部,以过剩的Na+离子存在。
由于缺乏C1-离子,过剩的Na+离子将伴随相当数目的氯离子空位。
为了保持电中性,从Na来的一个价电子被吸引到负离子空位上,并在那里被捕获(正象在理想晶体中,一个价电子将被一个C1原子所吸引,生成一个C1-离子一样)。
因此,F-色心是由一个负离子空位和一个在此位置上的电子组成的。
它是一个陷落电子中心(captured traopped-electron centre),F-色心如教材图3-11所示,F-色心也就是捕获了电子的负离子空位。
前面曾提到负离子空位带正电荷,对于氯离子空位是带一个正电荷,现在它又捕获了一个电子,因此,F-色心的构造很象一个氯原子。
【例3-9】在MgO-Al2O3和PbTiO3-PbZrO3,哪一对形成有限固溶体,哪一对形成无限固溶体为什么【解】(1)MgO-Al2O3只能形成有限固溶体。
????原因:MgO与Al2O3的结构类型不同,虽然可以通过不等价离子代换并且形成空位来平衡电荷以形成置换型固溶体,但是置换量总是有限的。
固溶方程:Al2O3 2 Al+3O+V????固溶体分子式为:Mg1-3x Al2x O(2)PbTiO3-PbZrO3能形成完全互溶的置换型固溶体。
????原因:1)结构类型相同????2)=,,= nm????=×100%=%<15%【例3-10】将CaO外加到ZrO2中去生成固溶体,具有立方萤石结构,试验测定:当溶入量为时,晶胞常数a=,密度D=cm3。
试通过计算判断生成哪种类型固溶体(置换性型或间隙型)。
已知:原子量 Ca ,Zr? , O【解】(1)设形成置换型固溶体????则:CaO++????固溶体分子式为:Zr1-x Ca x O2-x,x=????即:????置换型固溶体的密度为:????D1===cm3????其中M——置换型固溶体的分子量????——阿佛加德罗常数????(2)又设形成间隙型固溶体????则CaO++????固溶体分子式为:????????? x=????即:????形成间隙型固溶体的密度为:????D2===cm3 ????将计算结果与实验测定结果比较D1更接近于实测值,所以生成置换型固溶体。
【例3-11】非化学计量化合物Fe x O中,Fe3+/Fe2+=,求Fe x O中空位浓度及x值。
【解】非化学计量化合物Fe x O,可认为是a(mol)的Fe2O3溶入FeO中,缺陷反应式为:a??????????? 2a????? a????此固溶体(非化学计量化合物)的组成为:????已知:Fe3+/Fe2+=????则:??? a=??? ?x=2a+(1-3a)=1-a=????又????正常格点数N=1+x=1+=????空位浓度为????(热缺陷浓度可忽略不计)【例3-12】非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的压,非化学计量化合物及的密度将发生怎样的变化增大减小为什么【解】化学计量化合物Fe1-x O,是由于正离子空位,引起负离子过剩????按质量作用定律,平衡常数得:????即:铁空位浓度和氧分压的次方成正比,故当周围氧分压增大时,铁空位浓度增加,晶体质量减小,则Fe1-x O的密度也将减小。
化学计量化合物Zn1+x O,由于正离子填隙,使金属离子过剩:????按质量作用定律:得:????即:间隙离子的浓度与氧分压的次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+x O的密度也减小。
【例3-13】试确定面心立方晶体在()[110]滑移系统滑移时的伯氏矢量。
【解】晶体在()[110]滑移系统滑移时,其滑移矢量在[110]晶向上。
从任一原子位置向前方另一原子位置引出的矢量,也就是从晶胞坐标原点[0,0,0]向(001)晶面的晶胞面心[1/2, 1/2,0]所引出的矢量。
该矢量在晶胞坐标轴X、Y、Z三轴上的分量依次为a/2、a/2、0,因此,用它表示的伯氏矢量的符号为:b,此即位错的单位滑移矢量。
【提示】对于面心立方晶体而言,其密排面的密排方向在面对角线方向,因此,晶体滑移时,每次滑移的距离即为面对角线的一半,即。
这与滑移矢量b的模的大小是一致的。