缺陷对晶体的影响
点缺陷对材料性能的影响
点缺陷对材料性能的影响
首先，点缺陷会影响材料的机械性能。
在晶体中存在着各种点缺陷，这些点缺
陷会导致晶体的变形和断裂。
例如，晶体中的空位和间隙原子会导致晶格的畸变，从而影响材料的强度和韧性。
此外，点缺陷还会影响材料的塑性变形能力，从而影响材料的可加工性和成形性能。
其次，点缺陷会影响材料的导电性能和热传导性能。
在晶体中存在着大量的点
缺陷，这些点缺陷会影响电子和热子的传输。
例如，空位和杂质原子会影响电子的迁移和传导，从而影响材料的导电性能。
同时，点缺陷还会影响晶体的热传导性能，导致材料的热稳定性和热导率发生变化。
此外，点缺陷还会影响材料的光学性能。
在晶体中存在着各种点缺陷，这些点
缺陷会影响光子的传播和吸收。
例如，点缺陷会导致晶体的光学吸收和散射，从而影响材料的透明性和光学性能。
同时，点缺陷还会影响材料的发光和荧光性能，导致材料的光学特性发生变化。
总的来说，点缺陷对材料的性能有着重要的影响。
它不仅会影响材料的机械性能，还会影响材料的导电性能、热传导性能和光学性能。
因此，在材料设计和制备过程中，需要充分考虑点缺陷对材料性能的影响，采取相应的措施来改善材料的性能。
希望本文对点缺陷对材料性能的影响有所启发，对相关领域的研究和应用有所帮助。
缺陷对晶体光学性质的影响
缺陷对晶体光学性质的影响班级：物理111学号：1112110121姓名：李祥行材料具有多种性能，大致分为两类，一是使用性能，包括力学性能、物理性能和化学性能等；二是工艺性能，例如铸造性、可锻性、可焊性、切削加工性以及热处理性等等。
在我们生产中经常用到的材料，其性能常常因为微观上小小的差异而变得迥然不同。
我们就理想型的完整晶体进行对于材料缺陷对材料性能的影响的研究与探索。
晶体缺陷：在理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。
但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。
这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。
晶体中存在的缺陷种类很多，根据几何形状和涉及的范围常可分为点缺陷、面缺陷、线缺陷几种主要类型。
点缺陷：是指三维尺寸都很小，不超过几个原子直径的缺陷。
主要有空位和间隙原子。
线缺陷：是指三维空间中在二维方向上尺寸较小，在另一维方面上尺寸较大的缺陷。
属于这类缺陷主要是位错。
位错是晶体中的某处有一列或若干列原子发生了某种有规律的错排现象。
面缺陷：是指二维尺寸很大而第三维尺寸很小的缺陷。
通常是指晶界和亚晶界。
光子晶体是介电常数周期性变化而形成能量禁带,禁止特殊波长电磁波在其中传播的材料。
像半导体掺杂具有的重要意义一样,在光子晶体中引人点缺陷、线缺陷或面缺陷,对其在通讯、光子集成回路等方面的潜在应用具有重要意义。
本文主要从点缺陷、线缺陷对晶体光学性质的影响展开。
光子晶体的一个重要特征是光子局域，如果引入缺陷破坏光子晶体的周期结构，就在其禁带中会出现频率极窄的缺陷态，和缺陷态频率吻合的光子有可能被局域在缺陷位置，一旦其偏离缺陷光就将迅速衰减。
光子晶体中的缺陷有点缺陷和线缺陷，在垂直于线缺陷的平恧上，光被局域在线缺路位置，只能沿线缺陷方向传播，以形成一条光的通路，处于完整光子晶体的禁带中的光可以沿着线缺陷传播，相当于光子晶体波导。
晶体缺陷对材料性能的影响现状研究
晶体缺陷对材料性能的影响现状研究摘要:在理想完整的晶体中，原子按照一定的次序严格的处在空间有规则的、周期性的格点上。
但在实际晶体中，由于各种各样的原因，原子排布不可能那样完整和规则。
这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。
同时缺陷的存在会对晶体产生或多或少的影响，本文着重研究了各类缺陷对材料性能的影响，收集了大量知名学者的研究成果，为之后的系统研究晶体缺陷奠定了基础。
关键词：晶体缺陷；空位；材料性能Effect of crystal defects on material researchAbstract: In an ideal complete Crystal atoms according to a certain order of strict rules in space, periodic lattice. But in the actual Crystal, due to various reasons, Atomic configurations cannot be so complete and rules. These complete deviation of the periodic lattice structure is the defects in the Crystal, it destroys the symmetry of the Crystal. Also will have more or less effect on crystal defects exist, this paper focuses on the influence of defects on the properties of materials, collected a large number of well-known scholars ' research results, laid the groundwork for systematic study of lattice defects.Key words: crystal defects; vacancy; material properties晶体结构中质点排列的某种不规则性或不完善性。
晶格畸变程度与缺陷-概述说明以及解释
晶格畸变程度与缺陷-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述晶格畸变程度与缺陷是材料科学领域中非常重要的研究内容。
晶格畸变程度描述了晶体中原子或离子位置的偏离理想晶格点的程度，而缺陷则是指晶体中存在的不完整或不正常的位置、原子、离子或结构单元。
在材料科学中，晶格畸变程度和缺陷的相互关系对于了解材料性能的起源和调控具有重要意义。
晶格畸变程度可以作为评估材料质量和稳定性的重要参数。
它反映了材料的结构完整性、晶体缺陷的数量和分布、材料中存在的变形应力等。
而缺陷则是导致材料性能变化的主要原因之一。
晶格畸变程度和缺陷之间存在着紧密的相互关系。
缺陷引起的晶格畸变可以导致材料的物理和化学性质发生变化，例如晶格常数的改变、晶体结构的变化等。
而晶格畸变程度也会对缺陷的形成和行为产生影响，例如影响点缺陷的生成和扩散、晶体缺陷的稳定性等。
本文将重点讨论晶格畸变程度与缺陷之间的关系及其影响机制。
首先，将详细介绍晶格畸变程度的定义和原理，包括晶体中原子、离子位置的偏离程度和晶胞参数的改变。
其次，将探讨影响晶格畸变程度的因素，如温度、应力、杂质等。
然后，将进一步研究缺陷引起的晶格畸变和晶格畸变对缺陷的影响，包括点缺陷、线缺陷和面缺陷等。
最后，将总结晶格畸变程度与缺陷的关系，并探讨这一研究的意义和未来的展望。
通过本文的研究，将有助于更深入地理解晶格畸变程度与缺陷之间的相互作用，为材料设计和制备提供理论指导，进一步优化材料性能和开发新型功能材料。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将按照以下结构进行展开讨论晶格畸变程度与缺陷之间的关系。
2. 正文：2.1 晶格畸变程度2.1.1 定义和原理在这一部分，我们将介绍晶格畸变程度的定义和基本原理。
晶格畸变程度是指晶体中晶格点与理想晶格点之间的差异程度。
我们将解释晶格畸变程度的计算方法，并探讨不同种类晶体的晶格畸变程度的特点。
2.1.2 影响因素这一小节将探讨影响晶格畸变程度的因素。
我们将讨论温度、应力、化学成分和外界条件等因素对晶格畸变程度的影响，并详细分析它们与晶格畸变程度之间的关系。
晶体缺陷点缺陷和位错
《材料科学与工程基础》
本章主要内容
3.1 点缺陷 3.2 位错 3.3 表面及界面
第3章 晶体缺陷
❖引 言
1、晶体缺陷(Defects in crystals)
定义：实际晶体都是非完整晶体，晶体中原子排 列的不完整性称为晶体缺陷。
2、缺陷产生的原因
（1）晶体生长过程中受到外界环境中各种复杂因 素的不同程度的影响；
作业
Cu晶体的空位形成能1.44x10-19J/atom，A=1, 玻尔兹曼常数k=1.38x10-23J/k。已知Cu的摩尔
质量为MCu＝63.54g/mol， 计算： 1）在500℃以下，每立方米Cu中的空位数？ 2） 500℃下的平衡空位浓度？
18
❖ 解：首先确定1m3体积内Cu原子的总数（已 知Cu的摩尔质量为MCu＝63.54g/mol， 500℃ 下Cu的密度ρCu＝8.96 ×106 g/m3
Ag
3980
0.372 25000 9.3×10-5 1.5×10-5
Cu
6480
0.490 40700 7.6×10-5 1.2×10-5
α-Fe
11000
2.75
68950 2.5×10-4 1.5×10-5
Mg
2630
0.393 16400 1.5×10-4 2.4×10-5
问题：计算结果和实验值相差甚远
3）位错线可以是任何形状的曲线。 4）点阵发生畸变，产生压缩和膨胀，形成应力场，
随着远离中心而减弱。
7.2 位错的基本知识
考虑一下，还 可以采用什么 方式构造出一 个刃型位错？
2、螺型位错
（1）螺型位错的形成
螺型位错的 原子组态：
06材料科学基础点缺陷
点缺陷平衡浓度：在一定温度下，晶体中存在 一定平衡数量的点缺陷(空位、间隙原子等) 一定平衡数量的点缺陷(空位、间隙原子等)， 此时点缺陷的浓度称为该温度下的点缺陷的平 衡浓度。 影响平衡浓度的因素：点缺陷的平衡浓度随温 度变化．下面以空位为例，用统计热力学的方 法计算点缺陷的平衡浓度．
二、点缺陷的平衡浓度
间隙原子的形成能较大，在相同温度下间隙原子比空位平衡 浓度小得多，通常可以忽略不计。 所以一般情况下，金属晶 体的点缺陷主要是指空位。
三、点缺陷的运动和作用
点缺陷的运动：（产生、迁移和消亡） 点缺陷的运动：（产生、迁移和消亡） 空位运动：空位周围原子的热振动给空位的运 动创造了条件，空位就是通过与周围原子不断 地换位来实现其运动的。 迁移能：空位运动时，必然会引起点阵畸变， 因而必须克服能垒，为此所需要的额外的能量 称为迁移能。 点缺陷运动的实质：点缺陷的运动实际上是原 子迁移的结果，而这种点缺陷的运动所造成的 原子迁移正是扩散现象的基础。
点缺陷对性能的影响
1. 2. 3.
4.
点缺陷能使金属的电阻增加； 体积膨胀，密度减小； 能加速与扩散有关的相变、化学热处理及 高温下的塑性变形和断裂等； 过饱和点缺陷还可以提高金属的屈服强度。
四、过饱和点缺陷
概念：在某些特殊情况下，晶体也可以具有超 过平衡浓度的点缺陷，称之为过饱和点缺陷。 几种获得过饱和点缺陷的方法． (1)淬火法 (1)淬火法 (2)辐照法 (2)辐照法 (3)塑性变形 (3)塑性变形 过饱和点缺陷的特性：这些过饱和点缺陷是非 平衡点缺陷，是不稳定的，在加热过程中它们 将通过运动而消失，最后又趋子平衡浓度。
点缺陷示意图
点缺陷对晶体结构的影响
空位和间隙原子都将使周围原子间作用力 失去平衡，点阵产生弹性畸变，形成应力场，
晶体缺陷及其应用
晶体缺陷及其应用摘要少量晶体缺陷对于晶体的物理性能能够产生重要影响，所以可以根据不同的晶体缺陷，开发利用其产生的影响，充分发挥可能产生的作用，研究并制备具有不同性能的材料，以适应人们不同的实际需要和时代的发展需求。
关键词晶体缺陷性能铁磁性电阻半导体材料引言在讨论晶体结构时，我们认为晶体的结构是三维空间内周期有序的，其内部质点按照一定的点阵结构排列。
这是一种理想的完美晶体，它在现实中并不存在，只作为理论研究模型。
相反，偏离理想状态的不完整晶体，即有某些缺陷的晶体，具有重要的理论研究意义和实际应用价值。
所有的天然和人工晶体都不是理想的完整晶体，它们的许多性质往往并不决定于原子的规则排列，而决定于不规则排列的晶体缺陷。
晶体缺陷对晶体生长、晶体的力学性能、电学性能、磁学性能和光学性能等均有着极大影响，在生产上和科研中都非常重要，是固体物理、固体化学、材料科学等领域的重要基础内容。
研究晶体缺陷因此具有了尤其重要的意义。
本文着重对晶体缺陷及其对晶体的影响和应用进行阐述。
1.晶体缺陷的定义和分类1.1 晶体缺陷的定义在理想的晶体结构中，所有的原子、离子或分子都处于规则的点阵结构的位置上，也就是平衡位置上。
1926 年Frenkel 首先指出，在任一温度下，实际晶体的原子排列都不会是完整的点阵，即晶体中一些区域的原子的正规排列遭到破坏而失去正常的相邻关系。
我们把实际晶体中偏离理想完整点阵的部位或结构称为晶体缺陷（defects of crystals）[1]。
1.2 晶体缺陷的分类1.2.1、按缺陷的几何形态分类可分为四类：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。
1.点缺陷（零维缺陷）：缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。
包括：空位（vacancy）、间隙原子（interstitial particle）、异类原子（foreign particle）。
点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。
晶体缺陷——精选推荐
第3章晶体缺陷前言前面章节都是就理想状态的完整晶体而言，即晶体中所有的原子都在各自的平衡位置，处于能量最低状态。
然而在实际晶体中原子的排列不可能这样规则和完整，而是或多或少地存在离开理想的区域，出现不完整性。
正如我们日常生活中见到玉米棒上玉米粒的分布。
通常把这种偏离完整性的区域称为晶体缺陷（crystal defect; crystalline imperfection)。
缺陷的产生是与晶体的生成条件、晶体中原子的热运动、对晶体进行的加工过程以及其它因素的作用等有关。
但必须指出，缺陷的存在只是晶体中局部的破坏。
它只是一个很小的量(这指的是通常的情况)。
例如20℃时，Cu的空位浓度为3.8×10－17，充分退火后铁中的位错密度为1012m-2（空位、位错都是以后要介绍的缺陷形态）。
所以从占有原子百分数来说，晶体中的缺陷在数量上是微不足道的。
但是，晶体缺陷仍可以用相当确切的几何图像来描述。
在晶体中缺陷并不是静止地、稳定不变地存在着，而是随着各种条件的改变而不断变动的。
它们可以产生、发展、运动和交互作用，而且能合并消失。
晶体缺陷对晶体的许多性能有很大的影响，如电阻上升、磁矫顽力增大、扩散速率加快、抗腐蚀性能下降，特别对塑性、强度、扩散等有着决定性的作用。
20世纪初，X射线衍射方法的应用为金属研究开辟了新天地，使我们的认识深入到原子的水平；到30年代中期，泰勒与伯格斯等奠定了晶体位错理论的基础；50年代以后，电子显微镜的使用将显微组织和晶体结构之间的空白区域填补了起来，成为研究晶体缺陷和探明金属实际结构的主要手段，位错得到有力的实验观测证实；随即开展了大量的研究工作，澄清了金属塑性形变的微观机制和强化效应的物理本质。
按照晶体缺陷的几何形态以及相对于晶体的尺寸，或其影响范围的大小，可将其分为以下几类：1.点缺陷(point defects) 其特征是三个方向的尺寸都很小，不超过几个原子间距。
如：空位(vacancy)、间隙原子(interstitial atom)和置换原子(substitutional atom)。
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5、架状结构
特点：每个[SiO4]以共用4个顶角的方式联接，形成
向三维空间延伸的骨架。
代表矿物：石英、长石
石英的变体：
-石英
870℃
-鳞石英
1470 ℃
-方石英 1723 ℃ 熔体
268℃
573℃
160℃
-石英
-鳞石英
117℃
-方石英
-鳞石英
位移型转变与重建型转变
位移型转变:
。可分成单链和双链： 单链：每个[SiO4]中有两个共用氧，[Si2O6]4-
双链: 两条相同的单链通过尚未共用的氧连接成带。
1/2的[SiO4]有三个O2-被共用，1/2的[SiO4]有两个O2-
被共用,链与链之间通过M-O键连接。
双 链
1. 星叶石中[Si4O12] 轴线部分实为单链，其余为双四面体 2. 硬硅钙石中[Si6O17]通过一个硅灰石通过二次轴的旋转而得 3. 闪石中[Si4O11]通过一个辉石单链镜面的反映成双而得 4. 夕线石中[AlSiO5]一半的[SiO4]为[AlO4]所代替
三、NaCl结构
1、结构：晶体结构为立方晶系。
2、描述晶体结构的方法
：
坐标系的方法：给出单位晶 胞中各个质点的空间坐标。 以球体紧密堆积的方法描述
晶体结构。
以配位多面体及其连接方式 描述晶体结构。
四、CsCl结构
结构：立方晶系，Z=1,立方原始格子，
配位数都是8，CsBr、CsI、TiCl、NH4Cl 具有相同的结构。
代表矿物：绿宝石、堇青石。
绿宝石：化学式：Be3Al2[Si6O18],六方晶系，Z=2。 基本结构单元：六个[SiO4]形成的六节环。六节环之
间靠Al3+和Mg2+相连
堇青石：化学式： Mg2Al3[AlSi5O18]，即
2MgO ·2Al2O3 ·5SiO2
3、链状结构
特点：[SiO4]通过共用氧离子向一维方向延伸成链状
硅酸盐矿物在自然界中分布极为广
泛，已知的硅酸盐矿物有600多种，约占
已知矿物种的1/4，占地壳岩石圈总质量
的85%。在硅酸盐结构中，每个Si原子一
般为四个O原子包围，构成[SiO4]四面体 ，即硅氧骨干，它是硅酸盐的基本结构单 元。
一、硅酸盐化学组成的表示方法
1、氧化物表示法：
把构成硅酸盐的氧化物写出来，先写一价金属氧 化物，其次是二价、三价的金属氧化物，最后是SiO2。 如果有水，则H2O写在SiO2后面，各氧化物的比例用系数 的形式写在各氧化物的前面。
键。
(3)矿物代表：
Ⅰ、高岭石：
化学式：Al4[Si4O10](OH)8 或 Al2O3·2SiO2·2H2O 三斜晶系，Z=1, 1：1型层状结构，一层硅氧四面体和一层铝氧八面体相连。
性能特点：
(1)离子的取代很少，化学组成较纯净； (2)由于氢键比分子键强，结构单元层间的水分子不易进入，
纵向之间的变化，不涉及晶体结构中键的 破裂和重建,转变过程迅速而可逆,往往是键之 间的角度稍作变动而已.
重建型转变:
横向之间的变化,如石英与鳞石英方石英之 间的转变，都涉及键的破裂和重建,其过程相当 缓慢.
石英的三个主要变体在结构上的 区别
-石英中,相当于以共用氧为对称中心的两个 [SiO4]四面体中Si-O-Si键由180转变为150. -鳞石英中,两个共顶的[SiO4]四面体的连接 方式相当于中间有一个对称面. -方石英中,两个共顶的[SiO4]四面体相连,相 当于以共用氧为对称中心.
性能：
1.较高的硬度，较高的熔点（18900C），是镁质耐火材
料的主要组成。（原因：Mg-O和si-O键都比较强）
2.没有显著的解理，成粒状。（结构中各方向上键力分
布比较均匀）
在上述结构中Mg2+换成Ca2+则生成γ -C2S和β -C2S。
γ -C2S 配位数为6 ，具有镁质橄榄石结构；
β -C2S 配位数为6和8，单斜晶系具有介稳性、不
第二章 晶体结构与晶体中的缺 陷 本章内容：
1.典型结构类型
2.硅酸盐晶体结构 3.晶体结构缺陷 重点： 1.点缺陷的定义分类 2.缺陷反应方程式的写法 3.固熔体的分类及影响因素 4.硅酸盐晶体结构
难点：
一、金刚石结构
1、结构：立方晶系，立方面心格子，碳原子位于 立方面心所有结点位置和交替分布在立方体的四 个小立方体内，C-C键为共价键。 2、性能特点：
稳பைடு நூலகம்、活性大。
2、组群状结构
特点：[SiO4]以两个、三个、四个或六个通过共用氧连接成硅氧
四面体群，这些群体之间由其它阳离子按一定的配位方式把它
们连接起来。 基本结构单元：[Si2O7] [Si3O9] [Si4O12] [Si6O18]
桥氧：两个[SiO4]之间共用的氧离子（非活性氧）； 非桥氧：只供一个[SiO4]用（活性氧）。
二、硅酸盐晶体结构的特点
1、硅酸盐的基本单元是SiO4]四面体.
2、Si-O 键不是纯离子键,有相当的共价键成分
3、[SiO4]四面体孤立存在或共顶联接。
4、硅酸盐晶体中会发生同晶取代现象。
三、硅酸盐晶体结构类型
结构类型 岛状 [SiO4]共 用O2-数 0 1 形状 四面体 双四面体 三节环 2 2 链状 层状 架状 2，3 3 4 四节环 六节环 单链 双链 平面层 骨架 络阴离子 [SiO4]4[Si2O7]6[Si3O9]6[Si4O12]8[Si6O18]12[Si2O6]4[Si4O11]6[Si4O10]4[SiO2] [(AlxSi4-x)O8]x1:3 4:11 4:10 1:2 1:3 绿宝石Be3Al2[Si6O18] 透辉石CaMg[Si2O6] 透闪石 Ca2Mg5[Si4O11]2(OH)2 滑石Mg3[Si4O10](OH)2 石英SiO2 钠长石Na[AlSi3O8] Si:O 1:4 2:7 实 例 镁橄榄石Mg2[SiO4] 硅钙石Ca3[Si2O7] 蓝锥矿BaTi[Si3O9]
，配位数是8和4。若按紧
密堆积排列, Ca2+按立方紧
密堆积，F-充填于全部四 面体空隙之中。 在萤石结构中存在着负 离子扩散机制。
八、TiO2（金红石）型结构
结构：四方晶系，Z=2
，四方原始格子，配位
数分别为6和3。
九、CdI2（碘化镉）型结构
结构:三方晶系，Z=1,配位数分别为6和3。
属于CdI2型结构的晶体有：Ca(OH)2、Mg(OH)2
1/3Al3+被Mg2+取代，结构单元层间负电荷过剩，有斥力。）
(2)具有较高的阳离子交换容量。（平衡多余负电荷的水化阳离子
Na+、Ca2+，在层间没有固定位置，与结构单元层结合力弱。）
滑石
与蒙脱石结构相近，将蒙脱石中[AlO6]换为[MgO6]即可。 滑石是2：1型结构，化学式为Mg3[Si4O10](OH)2 。
矿物代表： 单链：辉石类硅酸盐 如透辉石、顽火辉石。 双链：角闪石类 如透闪石。 性能：具有柱状或纤维状解理（链内Si-O键比链间M-O键 强得多）。
透辉石晶体结构 (001)面投影
4、层状结构
（1）特点：[SiO4]通过三个O2-相连，在二维平
面内构成一个硅氧四面体层。
桥氧——处于同一平面的三个氧离子，电荷
结构：立方晶系，Z=6。
Fe3O4和γ-Fe2O3结构相同，同为尖晶石结构，其中γ-Fe2O3为正尖 晶石结构，其结构式可表示为：(Fe3+)T[□1/3 Fe3+5/3]OO4，Fe3O4属
反尖晶石结构，其结构式可表示为：(Fe3+)T[Fe2+Fe3+]OO4（□表示
空位，T表示四面体空隙，O表示八面体空隙）。 高温下两者存在着可逆转变,γ—Fe2O3和α—Fe2O3有很高的电阻率 ，Fe3O4的电阻率很低。因此，在γ—Fe2O3和Fe3O4间发生氧化还原 反应时，Fe2+和Fe3+之间的电子交换可用来检测还原气体。当γ— Fe2O3接触还原性气体时，则转变为Fe3O4，电阻大大降低，因而出 现气敏特性。
五、β -ZnS（闪锌矿）型结构
结构：立方晶系，Z=4,立方面心格子，配位
数都是4。同结构的有：β -SiC、GaAs.
六、α -ZnS（纤锌矿）型结构
结构：立方晶系，
Z=2 配位数=4。
同结构的有：BeO 、ZnO、AlN.
七、CaF2(萤石)型结构
结构：立方晶系，Z=4,Ca2+
位于立方面心的结点位置
硬度最高； 导热性极好； 半导体性能。
3、应用：
高硬切割材料和磨料。 钻井钻头、集成电路中散热片、高温 半导体材料。
二、石墨结构
１、结构：立方晶系，ｃ原子成层排列，每一层ｃ成六方环 排列。同一层内ｃ原子之间为共价键，而层间的ｃ原子以分 子键相连。 ２、性能： 硬度低、易加工；熔点高；有润滑感； 导电性能良好。 3、应用： 高温坩埚、发热体、电极；润滑剂。 4、同质多晶：化学式组成相同的物质在不同的热力 学条件下结晶成结构不同晶体的现象。
作 业：
（1）碱金属氧化物Na2O属于反萤石结构，其中
O2-位于立方晶胞的顶点及面心位置，Na＋位于将
立方晶胞切割成八个小立方体后的小立方体的体心 位置。据此说明Na＋和O2-的配位数各为多少？按 照鲍林规则计算O2-的电价是否饱和？
第二节
硅酸盐晶体结构
重点: 各种硅酸盐晶体结构的特点、矿物代表 和性能 难点： 根据晶体结构说明晶体的性能
十、α -Al2O3（刚玉）型结构
结构：三方晶系，Z=6。 同结构的有：Fe2O3、Cr2O3、Ti2O3、V2O3
十一、CaTiO3（钙钛矿）型结构