模电习题及解答
模电习题库及答案
一、填空题1、P型半导体多数载流子为空穴，而N型半导体的多数载流子为电子。
2、为了使三极管具有放大作用，要求外加电压保证发射结正偏，集电结反偏。
3、甲类功放电路管子的导通角为2π，乙类功放电路管子的导通角为π。
4、同相比例运算电路可实现Au>1的放大器；反相比例运算电路可实现Au<0的放大器。
5、差分放大电路能够放大差模信号，而抑制共模信号。
6、在具有反馈的放大电路中，如果令输出电压0u，反馈信号消失，说明它o的反馈类型属于电压反馈，否则就是电流反馈。
7、在某个信号处理系统中，要求让输入信号中的10～15KH信号通过，应该选Z用带通滤波器，如果要抑制20～30KH的干扰信号，不使其通过可采Z用带阻滤波器。
8、振荡电路的自激振荡条件中，幅值平衡条件为AF=1，相位平衡条件为：ψa+ψf=2nπ。
u的幅值又相对较大，则很容易引9、当静态工作点Q的位置偏低，而输入电压iu的幅值又起截止失真，当静态工作点Q的位置偏高，而输入电压i相对较大，则很容易引起饱和失真。
10、正弦波振荡电路由放大器、正反馈网络和选频网络和稳幅环节四部分构成。
11、PN结外加正向偏置电压时，在外电场的作用下，空间电荷区的宽度要变窄，于是多子的扩散运动将增强。
12、当三极管工作在放大区（线性区）时，集电极电流的变化基本与Uce无关，而主要受 Ib 的控制。
13、半导体中的载流子为电子和空穴。
14、三极管根据结构不同可分成PNP型和NPN 型。
K等于差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值，15、共模抑制比CMRK值越大，表明电路抑制共模信号的能力越强。
CMR16、在对放大电路的输入、输出电阻的影响中，串联负反馈的影响是使输入电阻的阻值增大，而电压负反馈的影响是使得输出电阻的阻值减小。
17、在某个信号处理系统中，为了获得输入电压中的低频信号，应该选用低通滤波器，为了避免50HZ电网电压的干扰进入放大器，应该选用带阻滤波器。
18、电路中品质因数的公式为：Q值越大，则幅频特性越尖锐，说明选频特性越好。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模电试题及答案
模电试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 滤波B. 整流C. 放大D. 调制答案：C2. 运算放大器的差分输入电压是指（）。
A. 两个输入端电压之和B. 两个输入端电压之差C. 两个输入端电压之积D. 两个输入端电压之商答案：B3. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 共发射极放大电路中的电流放大倍数β是指（）。
A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 发射极电流与集电极电流之比5. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 变压器耦合C. 电容耦合D. 电感耦合答案：C6. 晶体管的静态工作点设置不正确可能导致（）。
A. 截止失真B. 饱和失真C. 截止和饱和失真D. 线性放大答案：C7. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 保持不变D. 先增加后减少答案：B8. 在模拟电路中，电源去耦是指（）。
A. 增加电源的内阻B. 减少电源的内阻C. 增加电源的纹波D. 减少电源的纹波答案：D9. 场效应管的控制极是（）。
B. 源极C. 漏极D. 基极答案：A10. 模拟信号的数字化过程包括（）。
A. 采样、量化、编码B. 滤波、放大、调制C. 调制、解调、编码D. 放大、滤波、编码答案：A二、填空题（每空1分，共10分）1. 放大器的输入电阻越大，对前级电路的________越好。
答案：负载效应2. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。
答案：高3. 差分放大器可以有效地放大两个输入端之间的________。
答案：差模信号4. 运算放大器的饱和输出电压通常为________V或________V。
答案：+Vcc -Vee5. 晶体管的截止频率是指晶体管的放大倍数下降到________的频率。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电考试试题10套和答案(打印版)
坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。
6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。
8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。
图1二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
模电试题及答案
模电试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想情况下，二极管的正向导通电压为：A. 0VB. 0.7VC. 1VD. 2V答案：B2. 放大电路中，为了抑制温漂，通常采用的措施是：A. 采用差分放大电路B. 采用直接耦合C. 采用电容耦合D. 采用变压器耦合答案：A3. 下列关于运算放大器的描述，错误的是：A. 运算放大器具有高输入阻抗B. 运算放大器具有低输出阻抗C. 运算放大器的电压放大倍数很大D. 运算放大器的输出电压与输入电压成正比答案：D4. 在模拟电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 滤除噪声C. 产生振荡D. 转换信号答案：B5. 晶体管的三个极分别是：A. 基极、发射极、集电极B. 阳极、阴极、栅极C. 阴极、阳极、栅极D. 基极、集电极、发射极答案：A6. 以下哪种电路可以用来产生正弦波振荡：A. 整流电路B. 滤波电路C. 振荡电路D. 放大电路答案：C7. 稳压二极管的工作原理是利用二极管的：A. 正向导通特性B. 反向击穿特性C. 温度特性D. 频率特性答案：B8. 在模拟电路中，电流源的作用是：A. 放大电流B. 限制电流C. 产生电流D. 转换电流答案：B9. 以下哪种元件不是模拟电路中常用的：A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D10. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案：B二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，______是用来表示信号幅度变化的。
答案：电压2. 晶体管的放大作用是通过控制______极电流来实现的。
答案：基极3. 运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系，通常用______来描述。
答案：差分电压4. 在模拟电路中，______是用来表示信号频率变化的。
答案：电流5. 稳压二极管的稳定电压值通常在______V左右。
答案：6.8三、简答题（每题5分，共15分）1. 简述差分放大电路的工作原理。
模电基础试题及答案
模电基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这种材料被称为：A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案：C2. 在PN结中，正向偏置时，电流主要由哪种载流子通过？A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 离子答案：C3. 下列哪个元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 逻辑门答案：D4. 运算放大器的理想工作条件是：A. 单电源供电B. 双电源供电C. 无电源供电D. 任意电源供电答案：B5. 共发射极放大电路中，输出信号与输入信号的相位关系是：A. 同相B. 反相C. 无关系D. 相位差90度答案：B6. 晶体三极管的放大作用是通过控制哪个极的电流来实现的？A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 任何极答案：B7. 在模拟电路中，通常使用哪种类型的反馈来提高电路的稳定性？A. 正反馈B. 负反馈C. 无反馈D. 混合反馈答案：B8. 场效应管（FET）的主要优点之一是：A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 高输出阻抗D. 低输出阻抗答案：A9. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C10. 串联负反馈可以导致放大电路的：A. 增益增加B. 增益减少C. 带宽增加D. 带宽减少答案：B二、填空题（每空1分，共10分）1. 半导体二极管的主要特性是______，即正向导通，反向截止。
答案：单向导电性2. 在共基极放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系是______。
答案：同相3. 运算放大器的开环增益通常在______以上。
答案：100000（或10^5）4. 场效应管的控制方式是______控制，而双极型晶体管的控制方式是______控制。
答案：电压；电流5. 理想运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系是______。
答案：输出电压远大于输入电压三、简答题（每题5分，共10分）1. 简述晶体三极管的三种基本放大电路及其特点。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
习 题
3.1 在晶体管放大电路中，测得两个晶体管各个电极的电流如图P3.1所示，试分别标出各个
晶体管的管脚e 、b 和c ；判断各晶体管是NPN 型还是PNP
型；并分别估算它们的值。
( a
)( b
)
图P3.1
答：（a ）从左至右依次为b ， e ， c ，NPN ，40 （b ）从左至右依次为b ， c ， e ，PNP ，60
3.2用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图P3.2所示，试判断这些晶
体管分别处于什么状态。
A ．放大
B ．饱和
C ．截止
D ．损坏
⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。
图P3.2
解：（1）A ；（2）A ；（3）C ；（4）D
；（5）B
3.3 某晶体管的输出特性如图P3.3(BR)CEO V 和P CM 。
46
2
8
图P3.3
1000.99，I CEO ＝10μA ，(BR)CEO V ≈55V ，P CM ≈100mW
3.4电路如图P3.4所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测
晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降V C E S ＝0.5V 。
（1）正常情况 （2）R b 1短路 （3）R b 1开路
（4）R b 2开路 （
5）R C 短路
CC
图P3.4
解：设V BE ＝0.7V 。
则 （1）基极静态电流
V
4.6mA 022.0c C CC CE b1BE
b2BE CC B ≈-=≈--=
R I V V R V R V V I
（2）由于V BE ＝0V ，晶体管截止，V CE ＝12V 。
（3）由于基极电流 >≈-=
mA 22.0 b2BE CC B R V V I mA 045.0 c
CES
CC ≈-R V V β
故晶体管饱和，V CE ＝V CES ＝0.5V 。
（4）晶体管截止，V CE ＝12V 。
（5）由于集电极直接接直流电源，故V CE ＝V CC ＝12V 。
3.5 在图P3.5所示电路中，T 为硅晶体管，β＝50。
当开关S 分别接到A 、B 、C 端时，判
断晶体管的工作状态（放大、饱和、截止），并确定V O 的近似值。
30k Ω
图P3.5
解：S 接A 时，T 放大 ， V O ≈ 3.35V
S 接B 时，T 饱和 ， V O ≈0V （0.1～0.5V ） S 接C 时，
T 截止 ， V O ≈ 6V
3.6 试分析图P3.6所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所
有电容对交流信号均可视为短路。
CC
CC
CC
图P3.6
解：（a ）不能放大，因输入信号i v 被直流电源BE V 短路了。
（b ）不能放大，因晶体管的发射结处于反向偏置状态。
（c ）不能放大，因输出端直接接于电源CC V ，输出信号被短路。
（d ）不能放大，因输出端接于e C 两端，输出信号被e C 短路。
3.7放大电路及晶体管输出特性如图P3.7所示。
设晶体管的V BEQ ＝0.7V ，V
，电
容容量足够大，对交流信号可视为短路。
1）估算静态时的I BQ ；
2）用图解法确定静态时的I CQ 和V CEQ ；
3）用图解法分别求出R L ＝∞和R L ＝1.5k Ω时的最大不失真输出电压幅值V O M 。
R L
15
46CE V
28
5
10
图P3.7
解：1）I BQ ≈60μA
2）作直流负载线如图所示，由图可读出I CQ ≈6mA ，V CEQ ≈6V
10
CE V
I Q
3）作交流负载线，由图可读出V om ＋≈4.5V ，V om －≈V CEQ －V CES ≈5.5V ， 故V om ＝V
om ＋＝4.5V
3.8放大电路及晶体管输出特性如图P3.8所示。
按下列不同条件估算静态电流I BQ （取
V 7.0BE ≈V ），并用图解法确定静态工作点Q （标出Q 点位置和确定I CQ 、V CEQ 的值）。
Q 的影响。
1) V CC ＝12V
Q 1； 2) V CC ＝12V Q 2；
3) V CC＝12V
Q3；
4) V CC＝8V，Q4。
R
L
2
4
6
8
图P3.8
解：Q点见图
1）Q1：I BQ≈75μA，I CQ≈4mA，V CEQ≈4V
2）Q2：I BQ≈100μA，I CQ≈5.2mA，V CEQ≈1.7V.
3）Q3：I BQ≈75μA，I CQ≈3.5mA，V CEQ≈1.5V
4）Q4：I BQ≈49μA，I CQ≈2.5mA，V CEQ≈3V
由以上结果可总结出偏置电阻、集电极电阻和电源电压变化对静态工作点Q的影响如下：
偏置电阻R b增大，Q点沿直流负载线向右下方移动，容易进入截止区；
集电极电阻R c增大，Q点向左移动，容易进入饱和区；
电源电压V CC增大，Q点向右上方移动，可增大最大不失真输出电压。
3.9 图P3.9所示电路中，由于电路参数不同，在输入电压
i
v为正弦波时，测得输出电压
o
v波形分别如图P3.16(a)、(b)、(c)所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除（不许改变负载电阻）?
图P3.9
解：（a ）饱和失真，增大R b 或减小输入信号v i 幅度；
（b ）截止失真，减小R b 或减小输入信号v i 幅度；
(c) 饱和失真和截止失真，减小输入信号v i 幅度或提高电源电压V CC 。
3.10放大电路及相应的晶体管输出特性如图P3.10所示，直流负载线和Q 点已标在图上，
Ω=k R L 6。
1) 确定V CC
V BEQ ＝0.7V ）； 2) 画出交流负载线，要标出关键点的数值；
3)
4)
R L
12
23
6CE V
514
4
8
2
6
10
图P3.10
解：1
）
2 v CE 轴交点为10.5V ，与i C 轴交点为7mA 。
12
236
CE 5144
8
2
6
10
7
3）V om ＋≈4.5V ，V om －≈5.5V 故V om ＝
4.5V 4）R b 应减小
3.11已知图P3.11
100
V BEQ ＝0.7V ，电容的容
1
CEQ V ；
2）求be r ；
3）画出简化h 4）求电压放大倍数v
A
R L 10k Ω
图P3.19
解：1
C E Q 23)
o
..
4）200-≈
A
3.13在图P3.13所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入：
A.增大
B.减小
C.基本不变
解：
3.14已知图P3.1480
V BEQ ＝－0.3V
，电容的
1) CEQ V ； 2）求be r ；
3）画出简化h 4) 求电压放大倍数v
A 5）与3.19题比较，你得出什么结论？
图P3.14
解：1）
CEQ
2）
3)
.
4）107
-
≈
A
5）PNP型晶体管与NPN型晶体管的h参数交流等效电路是相同的，故由它们分别组成的同类型放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式也相同。
3.15 已知图P3.15
100V BEQ＝0.7V，电容的
1
CEQ
V；
2）画出简化h
3）求电压放大倍数
v
A
R L 3.9kΩ
P3.15
解：1）()()≈
+
+
+
-
=
e2
e1
BEQ
CC
BQ1R
R
β
R
V
V
I15μA
≈
+
-
-
≈)
(
e2
e1
EQ
c
CQ
CC
CEQ
R
R
I
R
I
V
V 4.3V 2）
.
b
I
L
.
3）(+
+
=
'
b b
be
1β
r
r
=
v
A 16
≈。