模电课后习题答案
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电课后习题答案
BabbaCbcbaBcb1．PN结加正向电压时，空间电荷区将（ B ）。
a.变宽b.变窄c. 基本不变2．在本征半导体中加入（A）元素可行成Ｎ型半导体。
a.五价b.四价c.三价3．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。
a.前者反偏、后者正偏；b.前者正偏、后者反偏；c.前者正偏、后者正偏；4．直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（ B ）。
a.电阻阻值有误差b.晶体管参数受温度影响c.电源电压不稳5．当信号频率等于放大电路的或时，放大增益下降（A）．ａ．３dB b．4dB c.．5dB6．交流负反馈是指（C）a. 直接耦合放大电路中引入的负反馈b. 只有放大直流信号时才有的负反馈c. 在交流通路中的负反馈7．稳定放大电路的放大倍数（增益），应引入（ B ）。
a. 直流负反馈b. 交流负反馈c. 正反馈8．为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。
a. 电压b. 电流c. 串联d. 并联9．欲将正弦波电压移相，应选用（ B ）电路。
a. 反相比例运算b. 同相比例运c. 微分运算10．欲将方波电压转换为三角波电压，应选用（A）电路。
a. 积分运算 b .乘方运算 c. 同相比例运算11．为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ B ）滤波电路。
a. 高通b. 低通c. 带通12．一个实际的正弦波振荡绝大多数属于正反馈电路，它主要由（ C ）组成。
a：负反馈b：放大电路和反馈网络c：放大电路、反馈网络和选频网13．功率放大电路的转换效率是指（ B ）。
ａ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比ｂ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比ｃ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
模拟电子技术课后习题解答
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模电课后题答案详解
习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。
答：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
半导体一般呈晶体结构，其原子核对价电子的束缚较弱，当半导体受到外界光和热的刺激时，它便释放价电子，从而使导电能力发生变化。
例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。
又如一种硫化镉薄膜，在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的百分之一。
利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。
若在纯净的半导体中加入微量的杂质，则半导体的导电能力会有更显著的增加，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一，这是半导体最显著的导电特征。
利用这个特性，可制造出各种半导体器件。
1.2 简述PN结是如何形成的。
答：当P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面两侧多数载流子浓度的差别，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也要向N区扩散，于是电子与空穴复合，在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区，N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。
这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区，称为PN结。
PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。
内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散，另一方面又会促进少数载流子的漂移，即N区的少数载流子空穴向P区移动，P区的少数载流子电子向N区移动。
因此，在交界面两侧存在两种对立的运动，漂移运动欲使PN结变窄，扩散运动运动欲使PN结变宽。
当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等，两种运动达到动态平衡时，PN结宽度不再变化，即PN结维持一定的宽度。
由于内电场的存在，使载流子几乎不能在PN结内部停留，所以，PN 结也称为耗尽层。
1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域？二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质？二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质？答：二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。
模电课后习题答案
V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得：U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA，U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。
2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V，所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE，45.4小I B七、T1 :恒流区；T2：夹断区；T3:可变电阻区。
习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。
1.4 u i和U o的波形如图所示。
1.5 u o的波形如图所示。
1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。
1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。
1.9(1 )当U I = 10V时，若U O=U Z = 6V，则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
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模电典型例题分析第二章题2．1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±１４Ｖ，Ｕｉ=１V;R １＝10k,R ｗ=1０0k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Ｕo=?V ； 解：1４V ,1V ,6V题２．2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析:本题中,运放A １构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。
而A ３则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
(1)211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3,103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+(2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题２.３ 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析:本题中运放Ａ构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。
1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1uF O111s Ru u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u FO222s R u u R =-3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u45p 3453////s R R u u R R R =+ N PN O3N12F //u u u u uR R R =-∴=FO3N12(1)//R u u R R =+45F312453//(1)////s R R R u R R R R R =++4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u35FO4412354//(1)////s R R R u u R R R R R =++综合: O1O2O3O4 = u u u u u +++题2.４ 电路如图所示，设1A 、2A 为理想运放,电容的初始电压(0)0c u =。
（1）写出0u 与1s u 、2s u 和3s u 之间的关系式;（2)写出当电路中电阻123456R R R R R R R ======时,输出电压0u 的表达式。
分析:利用运放工作在线性区满足“虚短”和“虚断”的概念来分析电路功能。
1A 是差分减法器,2A 是两输入的积分电路。
（１)由于1A 是典型的差动减法电路，直接写出01u 与1s u 、2s u 的关系:34401121123(1)s s R R R u u u R R R R =-+++对2A 的分析用叠加原理:3s u 单独作用,输出为'u '361s u u dtR C =-⎰01u 单独作用,输出为''u''0151u u dtR C =-⎰综合：'''003016511s u u u u dt u dtR C R C =+=-⎰-⎰所以'''0003443101615123511(1)s s u u u R R R u dt u dt u dt R C R R C R R R R C =+=-⎰+⎰-+⋅⎰+(2)03121231111()s s ss s su u dt u dt u dt RC R RCu u udtRC=-⎰+⎰-⎰=⎰--题２．5 在题图所示电路中，已知uＩ1=4V,u I2=1V。
回答下列问题：图P7.19（1)当开关S闭合时，分别求解Ａ、B、C、Ｄ和u O的电位；(２）设ｔ=0时S打开，问经过多长时间u O=0?解:(1）U A=7V，U B＝4V,U C＝1V,U D＝-2V，uＯ＝2U D =－4V。
(2）因为u O＝2u D－uＯ３，2ｕＤ=-4V,所以uＯ3＝－４V时，u O才为零。
即mS6.28471010501163A1O3≈-=⨯⨯⨯⨯-=⋅⋅-=-tttuCRu题２.6图示电路中,A1～A5都是理想运放。
试求:1.当开关S闭合时,分别计算、、、及的值。
2．当t=0时，将S打开，问经多少时间，=0Ｖ?解:1.，,，，２.,代入数据,求得：t=３0ms题２.7 图示电路中，A1～A4都是理想运放,电源电压ＶCC=14Ｖ。
试求:（1）集成运放A1、A２、A3 、A４各组成何种基本应用电路(如反向比例，同向比例,差动比例,求和，积分,微分,过零比较，滞回比较等等）?（2）设U11＝Ｕ1２=U13=１V,试分别求出U０1 、U02 、U03和U04（T=５S后）的表达式和值。
第三章题３．1 电路如题图所示,试判断图中二极管是导通还是截止,并求出A Ｏ两端的电压U ＡO 。
设二极管是理想的。
解:分析:二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。
正偏时硅管的导通压降为0．6~０.8Ｖ。
锗管的导通压降为0.2～０.３V 。
理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大,相当于开路。
分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即:先假设二极管所在支路断开,然后计算二极管的阳极(P 端）与阴极(N 端）的电位差。
若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。
如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等,以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。
一般情况下,对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（Ｎ端)连在一起的电路，只有阳极(P 端）电位最高的处于导通状态;对于阳极（P 端）连在一起的二极管,只有阴极（N 端)电位最低的可能导通。
图(a)中，当假设二极管的VD 开路时,其阳极（Ｐ端)电位P U 为-6Ｖ,阴极(Ｎ端)电位N U 为-12V 。
VD 处于正偏而导通,实际压降为二极管的导通压降。
理想情况为零,相当于短路。
所以V U AO 6-=；图(ｂ）中，断开V Ｄ时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N12-=,∵ N PUU <∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=；图（c)，断开ＶD １,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U >V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通，V Ｄ2处于反偏而截止V U AO 0=；或，∵ VD １，VD ２的阴极连在一起∴ 阳极电位高的ＶD1就先导通,则A 点的电位V U AO 0=,而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图（d ）,断开VD １、ＶD ２,∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U <V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <；∴ ＶＤ1、V Ｄ2均处于反偏而截止。
题3.2 电路如题图所示,稳压管ＤＺ的稳定电压U Z =８Ｖ,限流电阻R=Ωk 3,设)(sin 15V t u I ω=，试画出o u 的波形。
解:分析：稳压管的工作是利用二极管在反偏电压较高使二极管击穿时,在一定的工作电流限制下,二极管两端的的电压几乎不变。
其电压值即为稳压管的稳定电压Uz 。
而稳压管如果外加正向偏压时,仍处于导通状态。
设稳压管具有理想特性,即反偏电压只有达到稳压电压时，稳压管击穿。
正偏时导通压降为零，则t u i ωsin 15=(Ｖ)Ｕz=8Ｖ 当≥i u Ｕｚ时,稳压管击穿而处于稳定状态，ｕO =Uz;而０＜i u <8V 时,稳压管处于反偏而截止,u O =i u ；当0≤i u 时,稳压管将处于正偏而导通，u O ＝０。
第四、五章题4.１ 测得工作在放大电路中几个半导体三极管三个电极电位1U 、2U 、3U 分别为下列各组数值，试判断它们是ＮP Ｎ型还是ＰＮP 型？是硅管还是锗管?并确定e 、b 、c 。
① V U 5.31=,V U 8.22=，V U 123=; ② V U 31=,V U 8.22=,V U 123=； ③ V U 61=，V U 3.112=，V U 123=； ④ V U 61=，V U 8.112=，V U 123=解：分析:工作在放大电路中的三极管应满足发射结正偏,集电结反偏的条件。
且有PN 节正偏特性可知,其正偏结电压不会太大。
硅管的5.0=BE U ~V 0.7，锗管的1.0=BE U ~V 0.3。
所以首先找出电位差在0．１~０.3Ｖ或0．5～0.7V 的两个电极，则其中必定一个为发射极，一个为基极，另一个电位相差较大的必定为集电极。
由P Ｎ结反偏特性可知，若集电极电位最高，则该管必定为N ＰN 型三极管；若集电极电位最低，则该管必定为P ＮＰ型三极管。
若为NPN 型三极管,则发射极电位必定为最低电位；若为PNP 型三极管,则发射极电位必定为最高电位。
由此即可确定发射极。
电位值处于中间的一个电极必定为基极。
由此可知:(1). ,5.31V U = V U 8.22=, V U 123=，结论:硅NP Ｎ型三极管(V U U U 7.08.25.32112=-=-=）b U →1， e U →2,c U →3(2). ,31V U = V U 8.22=, V U 123=，结论: 锗NPN 型三极管(V U U U 2.08.232112=-=-=）b U →1， e U →2，c U →3(3). ,61V U = V U 3.112=， V U 123=结论：硅ＰNP 型三极管（V U U U 7.0123.113223-=-=-=)c U →1， b U →2， e U →3(4). ,61V U = V U 8.112=， V U 123=结论:锗PNP 型三极管(V U U U 2.0128.113223-=-=-=）c U →1， b U →2, e U →3题4.2 已知题图（a)—(f)中各三极管的β均为50，V U BE 7.0=,试分别估算各电路中三极管的C I 和CE U ,判断它们各自工作在哪个区（放大区，截止区或饱和区）,并将各管子的工作点分别画在题图 （g)的输出特性曲线上。