模电习题课答案版
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题
第四章部分习题解答4．1．3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ，P CM =150mW ，V （BR ）CEO =30V ，若它的工作电压V CE =10V ，则工作电流I C 不得超过多大？若工作电流I C =1mA,则工作电压的极限值应为多少？解： BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏.当工作电压V CE 确定时,应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ，即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。
当V CE =10V 时，mA V P I CECMC 15==此值小于I CM =100mA ，故此时工作电流不超过15mA 即可。
同理，当工作电流I c 确定时，应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V （BR ）CEO 确定工作电压V CE 的大小。
当I C =1mA 时，为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限值应为30V 。
4．3．3 若将图题3。
3。
1所示输出特性的BJT 接成图题3。
3.3所示电路，并设V CC =12V ，R C =1k Ω,在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。
求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值，设V BE =0.7V 。
图题3.3。
1图题 3.3.3解： 由题3.3。
1已求得β=200，故mA R V V I bBEBB B 03.0=-=I C =βI B =200×0。
03mA=6mA V CE =V CC —I C R c =6V4。
3.5 图题3。
3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线,试求：（1）电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；（2）电阻R b 、R e 的值;（3)输出电压的最大不失真幅度;（4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少？图题3.3.6解:（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小,故V CC =6V 。
模电第四版习题答案
模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程，其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。
以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案，供参考：第一章：半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
在室温下，硅的电阻率大约是1kΩ·cm，而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。
2. N型半导体中，多数载流子是自由电子，而P型半导体中，多数载流子是空穴。
3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压，N型半导体加上负电压，此时PN结导通。
第二章：二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电，稳压二极管主要用于电路中稳定电压。
2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大。
3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管，它在反向偏置时具有稳定的电压。
第三章：双极型晶体管1. 双极型晶体管（BJT）分为NPN和PNP两种类型，其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。
2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。
3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大，使得集电极电流达到最大值，此时晶体管不能进一步放大信号。
第四章：场效应晶体管1. 场效应晶体管（FET）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
2. JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种常见的FET。
3. MOSFET在截止状态下，其源极和漏极之间的电阻非常大，几乎相当于断路。
第五章：放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。
2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一，它具有较高的电压增益和中等的电流增益。
3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值，对共模信号不敏感。
第六章：反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。
2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度，但可能会降低增益。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
模电第四版习题答案
1 思考与练习答案1.1 填空（1）单向导电性 不可以（2）0.5V 0.7V 0.1V 0.3V 硅（3）R×100或R×1K R×10K R×1K（4）变压、整流、滤波、稳压 整流（5）4 100Hz（6）变压器次级线圈 滤波电容（7）+5 -12I C =1mA 时，工作电压的极限值为100V 。
2.7 （a ）放大；（b ）截止；（c ）饱和；（3）e b c PNP 硅管 （2）c b e PNP 锗管2.13 (a ) 能 (b ) 不能 (c ) 能 (d ) 不能 (e ) 不能 (f ) 不能2.14 要保证发射结正偏，集电结反偏2.17 (1) I BQ =200μA I CQ =10mA U CEQ =14V 放大区(2) I BQ =33.3μA I CQ =2mA U CEQ =2V 放大区(3) I BQ =50μA I CQ =5mA U CEQ =9V 放大区(4) I BQ =30μA I CQ =3mA I CS ≈0.86mA I BS ≈8.6μA I BQ > I BS 饱和区2.18 (b )图为饱和失真 原因是静态工作点偏高 将R b 调小消除失真；(c )图为截止失真 原因是静态工作点偏低 将R b 调大消除失真2.19 I BQ =30μA I CQ =1.2mA U CEQ =5.88V(1) 360k Ω (2) 270 k Ω项目3 思考与练习答案3.1 （a ）不能 （b ）能 （c ）不能 （d ）不能3.2 R ＝10k Ω3.3 （1）上“－”下“＋” （2）f 0＝1.94kHz （3）二极管V D 1、V D 2用以改善输出电压的波形，稳定输出幅度。
（4）R p 用来调节输出电压的波形和幅度。
必须调节R p 使得R 2满足2 R 3> R 2>（2 R 3－R 1）。
3.5 （a ）能 （b ）不能 （c ）能 （d ）能 （e ）不能 （f ）能3.7 （a ）并联型石英晶体振荡器 （b ）串联型石英晶体振荡器3.8（1）o i u u =-（2）o i u u =3.9（a ）-0.4V ；（b ）0.8 V ；（c ）0.8 V ；（d ）6 V ；（e ）1.5 V 3.10S L F U I R =3.1121222O i R R u u R += 响，(612)O u V = ；3.13（a ）124()O i i u u u =-+；（b ）122i i O u u u +=；（c ）2144O i i u u u =-； 3.14 312463O i i i u u u u =--； 3.15 (1)R 1= 50 k Ω (2) R 1=10 0 k Ω (3) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω R 3= 100 k Ω(4) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω项目4 思考与练习答案4.3 （c ）二阶无源带阻滤波器 （d ）二阶有源带通滤波器4.4 （a ）二有源带通滤波器 （b ）二阶有源带阻滤波器（c ）二阶有源低通滤波器 （d ）二阶有源高通滤波器4.5答是使音响系统的频率特性可以控制，以达到高保真的音质；或者根据聆听者的爱好，修饰与美化声音。
模电课后习题答案
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模电课后习题答案
V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得：U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA，U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。
2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V，所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE，45.4小I B七、T1 :恒流区；T2：夹断区；T3:可变电阻区。
习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。
1.4 u i和U o的波形如图所示。
1.5 u o的波形如图所示。
1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。
1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。
1.9(1 )当U I = 10V时，若U O=U Z = 6V，则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
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1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Ｉs将增大,是因为此时ＰN结内部的B 。
[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Ｖz = 4v,其两端施加的电压分别为＋５v（正向偏置）和-5v(反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。
［］A +5ｖ和-５v Ｂ－５ｖ和+4v C +４v和-0.7v Ｄ +0．7v和－4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B ＝ -６．３v，ＶＥ＝ -７ｖ，VＣ＝ -４ｖ，可以判定此晶体管是管，处于 B 。
[ ]A ＮPN管，饱和区ＢＰNP管, 放大区C PNP管，截止区D NPN管, 放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的Ｂ。
［］A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是: Ｂ。
[ ]A 共发射极电路的A V最大、RＩ最小、R O最小Ｂ共集电极电路的A V最小、ＲI最大、R O最小C 共基极电路的AＶ最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、ＲI最大、RＯ最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是Ｃ。
[ ]A 电阻阻值有误差Ｂ晶体管参数的分散性Ｃ晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响7.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比.[ ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号;Ｃ放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号;8.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使D。
[ ]Ａ电压放大倍数高 B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。
[ ] A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。
[ ]Ａ耦合电容和旁路电容的影响Ｂ晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性Ｄ放大电路的静态工作点设置不合适11．在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。
[ ] A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。
［ ]A 直流电阻大、交流电阻小Ｂ直流电阻小、交流电阻大C 直流电阻和交流电阻都小D 直流电阻大和交流电阻都大1３、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 D 才能起振。
［ ]Ａ A V = 1 Ｂ A V= ３ＣＡV＜ 3 Ｄ A V >3１4、迟滞比较器有2个门限电压,因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生Ａ次跃变。
[ ］A 1B 2C 3D 0１5.当我们想要放大频率为1０kHz以上的信号时，应采用 B 滤波器。
[ ］A 低通B 高通C 带阻Ｄ带通１6.串联型稳压电源正常工作的条件是：其调整管必须工作于放大状态,即必须满足D 。
［ ]A ＶＩ = V O ＋VＣESB V I < ＶO + VＣESC ＶI≠ＶO + VＣESD V I > ＶO + V CES２.理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U０为（Ｂ )A．-5Ｖ B.+5VＣ.+10V D．+15V3.测得电路中某晶体三极管(锗管）各管脚的电位,如题３图所示,则可判定该管处在( C)，上图A.放大状态Ｂ．饱和状态C．截止状态 D.不确定状态ﻫ4.测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为(B )A.ＰNＰ型管,①是ｅ极B.PNＰ型管,③是ｅ极C．NＰＮ型管,①是e极Ｄ．NPN型管,②是e极5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是（Ｃ )A．共射极放大电路B．共集电极放大电路C．共基极放大电路 D.共源极放大电路6.为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流( C )A.串联负反馈B．并联负反馈Ｃ.电压负反馈D.电流负反馈8.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L增大时,电压放大倍数将（ B ) A．减少ﻩﻩ B.增大C．保持不变ﻩ D.大小不变,符号改变9. 在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC时，则该管工作状态为（ B )A.饱和ﻩﻩﻩＢ.截止Ｃ．放大ﻩﻩﻩ D.不能确定１0．若图示运算放大电路的输出电压Ｕ０=３V,则Ｐ点必须( D )A.接ｎ点 Ｂ.接地 Ｃ．悬空 D.接ｍ点1.当温度升高时，二极管反向饱和电流将。
[ A ］A 增大B 减小C 不变D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 Ｂ 。
[ ］A 非饱和区B 饱和区 Ｃ 截止区 D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。
[ C ]Ａ 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4.差动放大电路的主要特点是 。
［ A ]Ａ 有效放大差模信号，有力抑制共模信号;B 既放大差模信号，又放大共模信号Ｃ有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。
5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。
[ D ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强６．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ﻩ。
Ｃ[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻７.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 Ｂ 。
ﻩ［ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 Ｂ 。
Ａ ０．５倍 B 0.7倍 C 0.9倍 Ｄ 1.2倍 [ ］9．在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。
[ D ]A 输入电阻增大B 输出量增大 Ｃ 净输入量增大 D 净输入量减小10.带通滤波器所对应的幅频特性为 C 。
[ ﻩ]A 、B 、ﻩC 、D 、５．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是( Ｃ)A.共射极放大电路B.共集电极放大电路C.共基极放大电路D. 共源极放大电路6.为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流( C ) A.串联负反馈 B ．并联负反馈 C.电压负反馈 D.电流负反馈8．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将( A ）Ａ．变宽 B.变窄 C.不变 D ．不能确定 9．理想二极管构成的电路如题2图,其输出电压u0为( D ）A VMAX f o A V A V A VMAX A VMAXA VMAX A V A Vo oo f f fA ．-1０VB ．-6ＶC ．-4Ｖ D.０V１0．ＮPN 型三级管,处在饱和状态时是( B ）A ．ＵBE<0,UB Ｃ<0 Ｂ．UBE ＞０，ＵBC>0C ．UB Ｅ>0,UBC<０D ．UBE ＜0，ＵＢＣ>0 1１.某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1＝2.3V ，②脚电位U2=3V,③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ D )A.Ge 管①为e B ．Si 管③为e Ｃ.Ｓi 管①为e D ．Si 管②为e 12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（ B )A.共射组态 Ｂ.共集组态 C.共基组态 Ｄ.共源组态 13．若要求放大电路输入电阻高,且稳定输出电压,在放大电路中应引入的负反馈类型为（ C ） A ．电流串联B.电流并联C.电压串联 D ．电压并联14.电流放大系数为β1和β２的两个晶体管构成等效复合晶体管,其等复合管的β值约为( Ｄ ）A.β1 B ．β2 Ｃ.β１＋β2 D.β1·β２1、单级放大电路如图3-1：在输入信号的中频段C 1、Ｃ２、C 足够大且对交流短路，试求：（1)该放大电路的I BQ ，ＩC Ｑ，V CEQ 的表达式；（２）画出该放大电路的交流小信号等效电路,并推导出ＡＶ、R I 、R O 的的表达式;（3)该电路为何能稳定工作点?若要提高电压增益，可采取哪些措施？解:① 画出直流通路如下图，求解各Q 点参数：212BQ CC R V V R R =⋅+()()553451BQ BEQEQ CQBQ BEQBQ CEQ CC CQ EQ V V I Z R V V I R V V I R R I R β-=≈-=+=-+-② 画出交流小信号等效电路如图:ﻩ ()()()'451250411////1T be bb EQv be i be V r r I R A r R R R R r R R R ββββ=++=-++=++⎡⎤⎣⎦=③ 由于该电路具有分压式偏置电路,BQ V 固定不变，静态工作点就基本稳定,同时射极电阻5R 引入直流电流负反馈作用，可以自动跟踪CQ I 的变化，使晶体管的Q 点受温度的影响减小，从而进一步稳定了工作点。
若要提高输出电压增益，可以采取以下措施： a 、 用有源负载电阻代替3R 、4R 支路; b 、更换β值更高的晶体管；在发射极电阻5R 旁加一旁路电容E C ,以减小交流发射极电阻,进一步提高交流电压增益。
２．组合电路如图3-2，已知 :ＶCC = 9V ， 晶体管的V CES1 = V ＣE Ｓ2 = １V,R Ｌ ＝ ８Ω,（1) T １、Ｔ2构成什么电路? (2) D １ 、D 2起何作用?（３) 若输入电压U I 足够大,求电路最大输出功率OMAX P ＝ ?V CC+V 0--+图3-１图3-2解:(1)1T、2T构成互补对称输出级电路;(２)1D、2D的作用是为1T、2T提供预偏置,使1T、2T微导通而达到消除交越失真的目的；（3)当输入电压足够大时，电路的最大不矢真输出功率为:()()22max914228CC CESoLV VP wR--===⨯ﻩﻩ３.图3-3中的各运放为理想运放,已知:ＶD = ０.８ｖ，Vom ＝±12v;(１) 试定性画出V O随VＩ变化的传输特性图。
(2) 试分别写出当VＩ>０和V I＜0时，电路的ＶO与VＩ的关系式。
图３-３同类题ＶD = 0.７v，Voｍ＝±15v解:(1）当iV＞0时,0102,i omV V V V==-此时D截止而断开，R支路无电流,则0iV V=;ﻩ （2）当i V <0时，0102,i om V V V V ==+ﻩﻩ此时D 导通，2A 构成反相比例运算电路,有： ﻩﻩﻩ03i i RV V V V R+==-=-所以,从上述两方面的分析，再考虑到运放的饱和值15V ±,可以画出0V 随i V 变化的传输特性图为：(3）O V 与i V 的关系式为:ﻩﻩﻩ0i V V =000,i ii iV V V V V >=⎧⎨<=-⎩0当时,V 当时4. 组合电路如图所示,集成运放是理想的，请做如下分析：（1） Ｔ１和T2，T3和T ４各构成什么电路？理想运放A 又构成什么电路？ （2） 试计算ＩＯ，U C2Q （A 点对地的直流电压)的数值，设U BE Ｑ = ０.７v,ＵＣC = 12v, Ｒ2 = ２K Ω。