ZCC9430 DC-DC同步升压芯片-内置MOS

ZCC9430同步升压芯片
一、产品综述
ZCC9430芯片是一款具有600KHz的自动调节频率、高效率、宽输入范围的电流模式升压(BOOST)芯片,且具有高效率同步升压功能和可调限流功能。

该电源芯片内部全集成低内阻功率MOSFET,可以实现大功率输出的同时,大大简化了外部电路设计,同时实现低功耗,高效率电源开关。

用户可灵活地通过外部补偿建立动态环路,获得在所有条件下最优瞬态性能。

ZCC9430芯片还包括欠压锁存,过流保护和过温保护,以防止在输出过载时产生损害。

二、产品特点
• 完全符合Intel Thunderbolt Power Spec. • 输入限流电阻,灵活设置最大输出功率• 输入最大电流可达8A
• 自动调频,最大限度降低功耗
• 增强PWM模式的快速瞬态响应
• 3.0 V-30V宽输入范围
• 输出电压:5V To 30V
• 芯片停止工作时电流< 1µA
三、产品应用
• Thunderbolt 接口
• 笔记本电脑和平板电脑
• 热插拔电源管理
• 通信供应电源
四、典型应用电路
ZCC9430同步升压芯片 五、采用QFN20 5mm*5mm封装
绝对最大额定参数(1):
SW, OUT ....... ..............–0.5V to +35V IN, SENSE .... ................–0.5V to +35V BST, SDR ....... ........–0.5V to Vsw+5V 其他管脚....... ...............–0.3V to +5V EN 偏置电流……...... ..........… 0.5mA 结温度................ .... .................. 150°C 存储温度. ....... .......... -65°C to +150°C 额定功耗 (TA......=+25°C)....2.6W(2)
推荐的操作条件(3)
电源电压VIN..............3.0V to 30V
输出电压 VOUT........ 5V to 30V
EN 偏置电流……0mA to 0.3mA
操作临界温度. ....-40°C to +125°C 注:
1)超过这些额定参数可能损坏设备。

2)最大允许功耗是一个关于最大临界温度T J(MAX),过热保护电阻θJA,环境温度T A的函数。

在任何环境温度下的最大允许额定功耗计算公式为P D(MAX)=(T J(MAX)-T A)/θJA。

超过了最大允许功耗将导致过温,导致产生过温保护。

内部过温保护电路保护芯片免受永久性的损害。

3)芯片不能保证其在操作条件以外运行。

六、芯片电学特性
V IN = V EN = 3.3V, T A = +25°C, unless otherwise noted.
Parameter Symbol Condition Typ Units Operating Input Voltage VIN 3.00~30.00 V Undervoltage Lockout VIN Rising 2.90 V Undervoltage Lockout Hysteresis 200 mV
5 V VDD Voltage Gate Drive Voltage Supply VDD C=10nF, VIN=12V
‐40℃<T <85℃
Supply Current (Shutdown) Isd VEN = 0V 0.8 μA Supply Current (Quiescent) Iq VFB = 1.4V 660 μA Supply Current (No Load Current) I NL VIN=5V Vout=12V 2.6 mA Switching Frequency Fs 600(MAX) kHz Minimum Off time VFB = 0V 100 ns Minimum On time VFB = 1.4V 100 ns EN Turn‐on Threshold VEN Rising (switching) 1.584 V
EN High Threshold VEN Rising 1 V
EN Low Threshold VEN Falling 0.5 V UVLO Hysteresis Current to EN 1.0V < EN < 1.4V 3 μA EN Input Bias Current VEN = 0V, 5V TBD μA Soft‐Start Current SS 5.1 μA FB Voltage VFB 1.256 V
FB Input Bias Current ‐100 nA LX ON Resistance VIN=5V 0.03 Ω Error Amp Voltage Gain AV_EA 620 V/V Error Amp Transconductance GEA 190 μS Error Amp Output Current 13 μA GCS : I(SW) / Vcomp A/Vcomp 18 A/V Comp Switching Threshold 1 V Comp High clamp 2 V SW Current Limit Duty Cycle = 40% 15 A Thermal Shutdown 150 ℃ Input Current Limit Limit RSENSE=0.01Ω 5.7 A Input Current Limit Accuracy 15 % Input Current Limit Threshold Voltage VCL 57 mV Input Current Limit Time TCL 500 μs
七、管脚功能
Package Pin # Name Description 1,2,19,20
PGND
电源功率接地端。

3 SENSE SENSE 端和IN 端的电压检测决定了输入电流。

4 EN EN 接高电平打开芯片,接低电平关闭芯片。

当EN 管脚不使用时,连接到输
入源(如果VIN>6V ,外接100 k Ω电阻)自动启动。

EN 端还可用来作为Vin 端
的 UVLO 。

EN 管脚不能悬空。

5 VDD 内部偏置供应端。

在尽可能靠近VDD 端接一个2.2μf 陶瓷电容器。

6 SS
软启动控制管脚. 在软启动管脚接一个电容,该电容被恒流源控制。

如果不使用软启动电路,将软启动管脚断开。

输入供应端。

7 VIN 电源供电端,尽量与SENSE 平行走线。

8,23
AGND
接地端。

9 COMP 补偿管脚。

为了环路稳定,在该管脚将电容和电阻串联连接到GND 地面 10 FB 反馈电压输入。

参考电压为1.25 V 。

这个管脚连接一个电阻分压器。

11 BST 同步整流驱动电路自举输出端。

12,13,14,15,22 LX 内接功率开关电路。

pin22直接接功率管,需与外部电感紧密相连。

图1:功能方框图。

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展讯系列各芯片组的参数方案

展讯系列各芯片组的参数方案

展讯系列各芯片组的参数SC6600IGSM/GPRS入门级多媒体基带芯片SC6600IGSM/GPRS基带芯片是壹款面向入门级多媒体手机市场的具有音乐播放、视频播放和拍照摄像功能的多媒体基带壹体化手机核心芯片。

该芯片于提升集成度的同时增强了芯片的可靠性设计,降低了生产成本,且可帮助客户缩短新产品的上市时间。

SC6600I基带芯片图示SC6600I主要功能芯片内核▪ARM7TDMI®核(主频速度达78MHz)多媒体支持▪内置30万像素数码相机控制器,可直接连接至数字CMOS图像传感器▪支持MPEG4QVGA@15fps视频播放▪内置MP3播放器▪64和弦铃声(MIDI格式)LCD显示功能▪内置LCD控制器▪支持双彩屏▪支持262KTFT/OLED显示模块▪支持240x320分辨率LCD显示模式存储接口▪外接存储器接口(SDRAM,NAND,NOR)▪内置NANDflash控制器▪支持NANDbooting▪支持NAND+SDRAMMCP,SDRAM运行速率可达72MHz外围设备接口▪USB1.1接口▪MMC和SD卡接口▪4UART接口(传输速率达1.152Mbps)▪PCM音频接口▪IrDA(传输速率达115kbps,1.152Mbps)▪SPI接口▪I2C接口▪I2S接口▪GPIO接口▪支持蓝牙/WLAN/A-GPS接口▪1.8/3.0SIM卡接口▪8-channelDMAs▪JTAG接口(用于测试和内部电路校准)▪实时时钟模拟参数▪各种支持IF/NZIF/ZIF架构的RF接口▪带LDO调节器的芯片集成电源管理软/硬件支持▪GSM/GPRS标准(版本V8.2.012/1999),GSM850/GSM900/DCS1800/PCS1900▪GPRS多时隙Class10▪PTT(PushtoTalk)功能▪FR,EFR,AMR▪录音和语音识别▪A5/1和A5/2加密算法其他功能▪工作环境温度:-25至+65摄氏度▪低耗电设计,输入输出:3.0V,芯片核:1.8V▪12×12mm2265-ballLFBGA封装SC6600DGSM/GPRS入门级多媒体基带芯片SC6600DGSM/GPRS基带芯片为客户设计入门级GSM/GPRS多媒体手机提供了高效的解决方案。

ac-dc电源芯片工作原理 -回复

ac-dc电源芯片工作原理 -回复

ac-dc电源芯片工作原理-回复AC/DC电源芯片是一种常见的电源管理集成电路,用于将交流电转换为直流电,并为电子设备提供所需的恒定电压和电流。

它主要由整流、滤波、稳压和保护等功能模块组成。

在本文中,我将一步一步回答关于AC/DC电源芯片工作原理的问题。

第一步:整流AC/DC电源芯片首先需要将交流电转换为直流电。

这个过程是通过整流电路实现的。

整流电路通常由桥式整流器构成,其中包括四个二极管。

当输入的交流电电压为正向时,二极管将电流导通,使得电流能够流经到负载上。

当输入的交流电电压为反向时,二极管则截止,防止电流向相反方向流动。

通过这种方式,整流电路能够实现将交流电转换为单方向的直流电。

第二步:滤波在整流之后,输出的电流仍然包含着较大的波动。

为了获得稳定的直流电输出,还需要进行滤波处理。

滤波电路通常由电容器和电感组成。

电容器能够储存电荷,并在电流波动的时候释放或吸收电荷,从而平稳输出电流。

而电感则能够阻挡高频噪音信号,保证输出的电流质量。

通过整流和滤波,AC/DC电源芯片能够将交流电转换为平稳的直流电。

第三步:稳压稳压是AC/DC电源芯片的关键功能之一。

它可以将输入的直流电稳定在特定的电压水平上,并为负载提供恒定的电压。

稳压电路通常采用反馈控制的方式进行。

其中,参考电压源和误差放大器是实现稳压的主要组成部分。

参考电压源提供了一个稳定的参考电压,用于与输出的电压进行比较。

误差放大器则根据比较结果,调整控制信号,使得输出的电压能够保持在设定的水平上。

通过稳压电路,AC/DC电源芯片能够为电子设备提供稳定的电压。

第四步:保护AC/DC电源芯片还需要具备一定的保护功能,以确保电源和负载的安全可靠。

常见的保护功能包括过流保护、过压保护和过温保护等。

过流保护能够在输出电流超过额定值时自动切断电源输出,防止电源和负载因过载而受损。

过压保护则能够在输出电压超过设定值时自动切断电源输出,保护负载不受过压损害。

过温保护则能够在芯片温度过高时自动切断电源输出,防止芯片过热。

升压IC内置MOS管高性价比方案

升压IC内置MOS管高性价比方案

n 5V 到40V 宽输入电压范围 n 0.22V 输出电流采样电压 n 输出可驱动2~10串1W LED n 固定400KHz 开关频率 n 最大2A 开关电流 n SW 内置过压保护功能 n 93%以上转换效率 n EN 脚TTL 关断功能 n 出色的线性与负载调整率 n 内置功率MOS n 内置频率补偿功能n 内置软启动功能 n 内置热关断功能 n 内置电流限制功能 n SOP-8L 封装应用n 升压恒流驱动 n 显示器LED 背光 n 通用LED 照明图1. XL6013封装器,可工作在DC5V 到40V 输入电压范围,低纹波,内置功率MOS 。

XL6013内置固定频率振荡器与频率补偿电路,简化了电路设计。

当输入电压大于或等于12V 时,XL6013可驱动5至10串1W LED 。

PWM 控制环路可以调节占空比从0~90%之间线性变化。

内置过电流保护功能与EN 脚逻辑电平关断功能。

内部补偿模块可以减少外围元器件数量。

400KHz 60V 2A 开关电流升压型LED 恒流驱动器XL6013引脚配置SWEN FB VIN NCSW GNDGND图2. XL6013引脚配置表1.引脚说明引脚号 引脚名 描述1 EN 使能引脚,低电平关机,高电平工作,悬空时为高电平。

2 VIN 电源输入引脚,支持5V 到40V DC 范围电压输入,需要在VIN 与GND 之间并联电解电容以消除噪声。

3 FB 输出电流采样引脚,FB 参考电压为0.22V 。

4 NC 无连接。

5,6 SW 功率开关输出引脚,SW 是输出功率的开关节点。

7,8 GND接地引脚。

400KHz 60V 2A开关电流升压型LED 恒流驱动器XL6013 方框图图3. XL6013方框图典型应用L1 47uH/2A图4. XL6013系统参数测量电路400KHz 60V 2A开关电流升压型LED恒流驱动器XL6013订购信息产品型号打印名称封装方式包装类型XL6013E1 XL6013E1 SOP-8L 2500只每卷XLSEMI无铅产品,产品型号带有“E1”后缀的符合RoHS标准。

隔离电源模块常用芯片

隔离电源模块常用芯片

隔离电源模块常用芯片
隔离电源模块是电子设备电路中常用的一种电源模块。

它能够有效地隔离输入输出之间的电气信号,防止电路中出现潜在的接地故障和电压干扰。

在隔离电源模块中,常用的芯片有以下几种:
1. LT8300:这是一种高效率隔离型DC/DC转换器芯片,能够在输入电压范围内实现高达92%的转换效率。

它支持多种输入电压和输出电压,并具有过热保护和短路保护功能。

2. ADuM3190:这是一种高速隔离型数字隔离器芯片,能够在高达1 Mbps的数据速率下实现高精度的信号隔离。

它支持多种输入电压和输出电压,并具有电磁干扰和电压浪涌保护功能。

3. CS8122:这是一种高精度隔离型电流传感器芯片,能够实现高达±200A的电流测量范围。

它支持多种输入电压和输出电压,并具有过载保护和短路保护功能。

4. ISO1540:这是一种高速隔离型数字隔离器芯片,能够在高达100 Mbps的数据速率下实现高精度的信号隔离。

它支持多种输入电压和输出电压,并具有电磁干扰和电压浪涌保护功能。

以上是隔离电源模块中常见的芯片,它们能够为电子设备提供高效、精确、可靠的隔离电源解决方案。

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9609dc恒流芯片参数

9609dc恒流芯片参数

9609dc恒流芯片参数今天咱们来了解一个很有趣的东西,叫9609dc恒流芯片。

这就像是一个小小的魔法零件,在很多电子小玩意里都起着大作用呢。

这个芯片啊,就像一个很守规矩的小管家。

它有一个特别重要的参数,那像它能管理的电流大小。

比如说,电流就像水流一样,如果没有这个小管家,水流可能到处乱流,把东西都弄坏了。

这个芯片能让电流按照它规定好的大小稳定地流着。

那这个芯片能管理的电流有多大呢?就好像不同的小管家能管的人数不一样。

这个芯片有它自己特定的范围。

打个比方,假如我们把电流想象成一群小蚂蚁搬家,这个芯片就像是告诉小蚂蚁们,你们每次只能这么多蚂蚁一起走哦。

还有一个参数呢,就像是这个小管家的工作温度范围。

咱们人啊,冷了会发抖,热了会出汗。

这个芯片也有它觉得舒服的温度范围。

比如说,要是温度太低了,就像我们在特别冷的冬天,手都冻僵了,这个芯片可能就不能很好地工作了。

要是温度太高,就像在炎热的夏天大太阳底下晒着,它也会有点“不舒服”。

就像我们的小宠物,太热或者太冷都会没精神,这个芯片也是这样。

这个芯片还有像它的大小这样的参数。

它小小的,就像一颗小豆子一样。

这样的大小让它可以很方便地安装在各种电子设备里。

比如说我们的小手表,里面的空间很小,这个小芯片就能很好地待在里面,不会占太多地方。

再讲讲这个芯片的输入电压参数吧。

这就好比是这个小管家工作需要的能量来源的要求。

如果把它想象成一个小机器人,那输入电压就是给小机器人充电的那个电的类型和大小要求。

不同的输入电压就像不同的充电线,这个芯片只能接受适合它的那种“充电线”。

在我们生活中的很多小电子产品里都能找到这个9609dc恒流芯片的影子呢。

像我们的小台灯,它能稳定地发光,就是这个芯片在背后默默地管理着电流。

如果没有这个芯片,小台灯的灯光可能会一闪一闪的,就像调皮的小星星一样,一会儿亮一会儿暗,那可不好看啦。

还有我们的小收音机,这个芯片也在里面发挥着作用,让它能正常工作,这样我们就能听到好听的广播节目啦。

AD9430

AD9430

摘要:AD9430是AD公司推出的12位模数转换器,它采用3.3V单电源,可提供CMOS和LVDS两种接口模式。

文章介绍了AD9430的主要性能,给出了其LVDS和CMOS两种输出模式的应用电路。

关键词:AD转换器;双数据口输出; LVDS AD9430字串91概述字串1AD9430是AD公司推出的一种12位高速、低功耗A/D转换器。

它采用3.3V单电源供电,因而简化了系统电源设计。

AD9430片内自带的参考电压源和采样保持器使其在系统设计中更易于使用。

该器件提供有两种数据输出接口模式,即双端口3.3VCMOS输出和LVDS输出。

在CMOS模式下,每个通道的数据通过率为105MSPS,且有交替数据输出和并行数据输出两种方式;在LVDS模式下,数据通过率为210MSPS,可与带有LVDS接收器的FP-GA芯片进行直接接口。

输出数据编码格式有二进制补码和偏移二进制码两种格式可供选择。

其中的LVDS接口(即低压差分信号LowVoltageDifferentialSignaling)是一种低摆幅的电流型差分信号,它可使信号在差分PCB线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输,而其低压幅和低电流驱动输出则可实现低噪声和低功耗。

AD9430的主要特性如下:字串1●采用3.3V单电源供电;字串1●模拟输入频率为65MHz、采样率为210MSPS时,信噪比高达65dB;字串7●采样率为210MSPS时,功耗仅1.3W;2●可提供数据同步输入和数据时钟输出;7●自带时钟占空比稳定器;字串4●具有极好的线性特性:DNL=±0.3LSB字串8INL=±0.5LSB2内部结构与管脚说明字串5图1、图2分别为AD9430采用CMOS模式和LVDS模式的管脚分布图。

其主要管脚说明如下:字串4S5:满量程调节脚,接高电平时,输入差分信号峰峰值为0.768VP-P;接低电平时,输入差分信号峰峰值为1.536VP-P。

mosfet 型号介绍

【产品名称】P沟道MOSFET--AP9435/APM9435/SI9435
【产品类别】集成电路
【市场价】
【本站价】
【产品用途】 P沟道MOSFET
【产品规格】 AP9435/APM9435/SI9435
【生产厂家】
【产品说明】 P沟道MOSFET--AP9435/APM9435/SI9435
简介:
AP9435/APM9435/SI9435是单路增强型的P沟道MOSFET。

每个MOSFET连续电流可达5A. 耐压可达30V。

据有低漏电流,低导通电阻等特点。

典型导通内阻为50mR @ -10v。

均为小型SOP8封装。

封装:SOP-8。

特征:
GS间电压:±25V
GS间漏电流:<100nA
低导通电阻:-10v时典型50mR, -4.5v时典型70mR
DS间耐压:典型35V
DS间漏电流:<1uA
控制启动电压:典型1.4v
DS连续电流:可达5A
内部二级管压降:<1.2V
应用:
DC-DC转换器
锂电池保护板
MP3,MP4,GPS
移动电源
液晶显示器
SI2301是P沟道增强型功率场采用高单元密度的DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

它适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

这种低损耗需采用小尺寸封装。

用途:笔记本电源管理,便携式设备,电池电源系统,DC/DC转换,负载开关,LCD显示适配器。

NDS9430中文资料


Reel Size 13’’
Tape width 12mm
Quantity 2500 units
NDS9430 Rev B
元器件交易网
NDS9430
Electrical Characteristics
Symbol
BVDSS ∆BVDSS ∆TJ IDSS IGSSF IGSSR VGS(th) ∆VGS(th) ∆TJ RDS(on)
元器件交易网
NDS9430
May 2002
NDh MOSFET
General Description
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V – 20V).
Features
• –5.3 A, –30 V RDS(ON) = 60 mΩ @ VGS = –10 V RDS(ON) =100 mΩ @ VGS = –4.5 V
• Low gate charge • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • High power and current handling capability
Typ
Max Units
V
Off Characteristics

合肥有感无线充电模块针脚定义

合肥有感无线充电模块针脚定义
有感科技是一家全球领先的高科技汽车电子电气供应商,产品包括手机无线充电,智能数字钥匙,USB模块,车载逆变器和高压线束等,同时还是新能源汽车动力电池无线充电供应商,基于碳化硅第三代半导体的无线充电芯片等。

有感科技致力成为全球无线充电科技的创新者和引领者。

充电头网拿到了有感科技推出的一款汽车前装无线充电模块,这款无线充电模块通过出厂之前预装在汽车内部,为手机提供无线充电功能,让充电更加整洁。

有感科技推出的这款汽车无线充电模块采用一体成型铝合金外壳,使用PCB屏蔽面板作为上盖,有效抑制电磁辐射。

无线充电模块采用多层结构,线圈固定在主板的屏蔽罩上,屏蔽罩下没有元件。

PCB 另外一面为无线充电主控芯片和MOS管驱动器及功率器件,发热器件通过导热垫利用铝合金外壳散热,降低温升。

无线充内部采用恩智浦MWCT1013无线充电主控搭配四颗DIODES DGD05473驱动器进行同步升降压和无线充电控制。

内部采用MPS MP2459开关降压转换器搭配TI TLV73333P为驱动器和无线充电主控供电,采用TI LMV822双运放用于信号解调,INA199用于无线充电电流检测,同步升降压和无线充电开关管均采用AON7264E。

电源输入使用TVS进行过压保护,做工和用料都非常扎实。

DCDC 电源芯片内部结构全解

作为一名电源研发工程师,自然经常与各种芯片打交道,可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解,不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet 的应用页面,按照推荐设计搭建外围完事。

如此一来即使应用没有问题,却也忽略了更多的技术细节,对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。

今天以一颗DC/DC 降压电源芯片LM2675 为例,尽量详细讲解下一颗芯片的内部设计原理和结构,IC 行业的同学随便看看就好,欢迎指教!LM2675-5.0 的典型应用电路打开LM2675 的DataSheet,首先看看框图这个图包含了电源芯片的内部全部单元模块,BUCK 结构我们已经很理解了,这个芯片的主要功能是实现对MOS 管的驱动,并通过FB 脚检测输出状态来形成环路控制PWM 驱动功率MOS 管,实现稳压或者恒流输出。

这是一个非同步模式电源,即续流器件为外部二极管,而不是内部MOS 管。

下面咱们一起来分析各个功能是怎么实现的一、基准电压类似于板级电路设计的基准电源,芯片内部基准电压为芯片其他电路提供稳定的参考电压。

这个基准电压要求高精度、稳定性好、温漂小。

芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压,因为这个电压值和硅的带隙电压相近,因此被称为带隙基准。

这个值为1.2V 左右,如下图的一种结构:这里要回到课本讲公式,PN 结的电流和电压公式:可以看出是指数关系,Is 是反向饱和漏电流(即PN 结因为少子漂移造成的漏电流)。

这个电流和PN 结的面积成正比!即Is-》S。

如此就可以推导出Vbe=VT*ln(Ic/Is)!回到上图,由运放分析VX=VY,那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2,这样可得:I1=△Vbe/R1,而且因为M3 和M4 的栅极电压相同,因此电流I1=I2,所以推导出公式:I1=I2=VT*ln(N/R1)N 是Q1 Q2 的PN 结面积之比!回到上图,由运放分析VX=VY,那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2,这样可得:I1=△Vbe/R1,而且因为M3 和M4 的栅极电压相同,因此电流I1=I2,所以推导出公式:I1=I2=VT*ln(N/R1)N 是Q1 Q2 的PN 结面积之比!这样我们最后得到基准Vref=I2*R2+Vbe2,关键点:I1 是正温度系数的,而Vbe 是负温度系数的,再通过N 值调节一下,可是实现很好的温度补偿!得到稳定的基准电压。

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