河北科技大学模拟电子技术基础课程复习提纲讲课稿

合集下载

模拟电子技术基础总结讲课稿

模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。

前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料）。

·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。

在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。

本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。

温度越高，本征激发越强。

·空穴是半导体中的一种等效q+载流子。

空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。

·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。

复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。

2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P 型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。

仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢1·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。

·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。

·在常温下，多子>>少子（图1-7）。

多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。

·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。

3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。

模拟电子技术复习提纲1

第一章1 二极管的单向导电性和伏安特性2 场效应管的基本原理3 三极管的基本放大原理第2章基本放大电路复习内容1 放大电路的基本概念2 单极放大电路能否放大动态信号的判断3 晶体管三个极的判断 npn and pnp4 各种放大电路的性能特点及其选用5 放大电路的静态工作点的计算6 放大电路的直流通路和交流通路的求解和交流等效电路7 共集，共射，共基，共源，共漏放大电路的静态和动态分析（电压放大倍数，输入电阻和输出电阻）8 基本接法的判断9 放大电路失真类型的判断和改善第三章多极放大电路复习内容1 多极放大电路的耦合方式（定型）2 多极放大电路的耦合方式阻容耦合放大电路的动态分析3 直接耦合放大电路的作用（抑制零点漂移）4 差分放大电路的分析计算（四种差分放大电路的电压放大倍数，输入电阻和输出电阻）5恒流源的主要作用第四章集成运算放大电路1 集成运放的组成和作用（基本了解）2 比例电流源和基本电流源的分析计算3 有源负载的分析（要掌握）4 集成运放的主要特点（开环差模增益，差模输入电阻，共模抑制比，输出电阻）5 特殊运放的性能特点高阻型高精度型（了解）第五章放大电路的频率响应1 放大电路的频率响应（高通和低通滤波器）2 波特图的应用（复习电路里面关于波特图的章节）3 单极放大电路的上限频率和下陷频率的求解（重点掌握）见课件4 放大电路频率响应的定性分析（多极）5 上限频率和下限频率的物理意义6 掌握单极放大电路的全频段的交流等效电路（重点）7 波特图的分析（掌握）习题5-1 5-7第6章负反馈1 反馈的概念见课件详细分析2 负反馈的四种组态的判断（见课件）要掌握方法连接位置判别法3 如何根据电路要求引入负反馈4 深度负反馈的计算（重点掌握）四种见课件或书5 负反馈的应用 (多极放大电路和运放的应用)6 负反馈的作用（重点掌握）7 差分放大电路加上运放如何引入负反馈和计算（重点）习题 6-5 6-6第七章1 反相和同相比例运算电路2 反相求和同相求和电路3 差分器和加法器 (重点)4 2-3个运放的组合，求出关系表达式 (重点) 见课件5 一阶有源滤波器的分析和计算6 模拟乘法器的运用第八章1 正弦波发生电路的判断2 RC正弦波振荡电路的分析（重点掌握）3 电压比较器（单限，滞回窗口）（会定性分析）电压传输特性4 非正弦发生电路的基本原理5 波形的变换和信号的转换重点电压和频率的转换会分析习题8-7 8-8 8-9第九章1 功率放大电路的特点和最大输出功率效率的有关概念2 功率放大电路类型的判别3 ocl otl 电路最大输出功率和效率的估算，功放管的选择4 功率放大电路的故障分析重点第九章的课后习题到9-13第10章直流电源1 直流电源的组成四部分2整流电路的基本原理和计算3 滤波电路的基本原理和计算4 稳压电路的基本原理和计算限流电阻的选择5 串联型稳压电路的组成，输出电压调节范围的估算，调整管的极限参数以及故障分析课后习题10-12到12-19 要掌握。

模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）

模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。

§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。

(完整word版)模拟电子技术教学大纲

目录编写说明 (2)教材和教学参考书 (3)第一部分理论教学要求 (3)第二部分实践教学要求 (13)第三部分教学进度表 (16)第四部分考核要求 (17)《模拟电子技术》课程教学大纲贺存锋编写说明一、课程的性质和教学目的本课程是电气、电子类专业的主要技术基础课之一，是一门理论和实际紧密结合的应用性很强的课程。

教学目的：在使学生获得模拟电子技术必备的的基本理论、基础知识的同时，着重培养学生的智力技能，提高他们分析问题、解决问题以及实践应用的能力，为学习后续课程和毕业后从事电子技术方面的工作打下必要的基础。

二、课程的任务和基本要求通过本课程的学习，在基本理论和基本技能方面应达到以下要求:1.基本器件方面了解常用半导体二极管、三极管、场效应管、线性集成电路的基本工作原理、特性和主要参数，并能合理选择和使用这些器件。

2.基本电路原理及结构方面掌握共射、共集放大电路，差分放大电路，互补对称功率放大电路，负反馈放大电路，集成运算放大电路的结构、理解它们的工作原理、性能及应用。

3.应用电路方面（1）熟悉正弦和非正弦信号产生电路，一阶有源滤波电路、整流滤波电路的结构、工作原理、性能及应用；熟悉三端稳压器件的应用。

（2）了解集成功放、集成模拟乘法器、集成函数信号发生器的应用。

（3）了解调制解调的基本概念和调制解调的基本方式。

4.分析计算方面（1）了解单级放大电路的图解分析方法。

（2）掌握三极管简化H参数微变等效电路分析方法，能估算单级放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻，了解多级放大电路的分析方法。

（3）掌握负反馈放大电路的类型判别，在深度负反馈条件下，掌握利用虚短或虚断估算电路电压放大倍数的方法。

（4）掌握正弦振荡条件的判断。

（5）熟悉稳压管稳压电路、串联型稳压电路的工程计算。

（6）掌握理想运放的基本运算规则、线性应用和非线性应用的分析计算方法。

（7）了解放大器频率特性和指标含义。

5．基本技能方面（1）初步掌握阅读和分析模拟电路原理图的一般规律。

河北科技大学模拟电子技术基础课程复习提纲

河北科技大学模拟电子技术基础课程复习提纲
1 / 11 / 1
《模拟电子技术基础》课程复习提纲
一、基本要求
（一）基本要求
1.掌握半导体器件的基本工作原理
2.掌握放大电路的基本分析方法，能够正确估算基本放大电路的静态工作点和动态参数。

3.掌握多级放大电路的耦合方式的优缺点，正确估算多级放大电路的动态参数。

4.能够正确判断电路中反馈的性质和交流负反馈的组态。

5.掌握集成运放组成的基本运算电路的分析方法。

（二）重点掌握的内容
常用半导体器件的工作原理，外特性；放大电路的基本概念及分析方法，放大电路中反馈的判断，基本运算电路的分析。

二、复习内容
1.半导体器件基础（1）半导体器件基础（2）半导体二极管（3）晶体三极管
2.放大电路基础（1）性能指标
（2）放大电路的分析方法
（3）放大电路静态工作点的稳定（4）放大电路的三种组态（以共射为主）
（5）多级放大电路 3.集成运算放大电路
（1）集成运放的基本组成与功能（2）差分放大电路（3）功率放大电路 4.负反馈放大电路
（1）负反馈的基本概念和判别方法（2）负反馈电路表示方法和近似估算（3）负反馈对放大电路性能的影响。

模拟电子技术基础教学大纲

模拟电子技术基础教学大纲一、课程简介本课程旨在通过模拟电子技术基础的学习，培养学生的模拟电路设计和分析能力，帮助其深入了解模拟电子技术的相关理论和实践应用。

二、教学目标1.掌握基本的电路分析和设计方法；2.熟悉电子器件及其模型，了解电路元件的特性折线图；3.了解信号的时域和频域特性，掌握常见的几种信号形式；4.掌握模拟电路中的放大器、滤波器、振荡器等基本电路；5.了解集成电路的基本特性，并掌握模拟电路中常用的运算放大器和比较器的应用；6.掌握模拟电路分析和设计的方法，能够使用工具软件进行模拟。

三、教学内容第一章电路元件及基本电路1.1 电路元件 - 电阻、电感、电容、二极管及其模型； - 元器件参数、特性折线图等。

1.2 基本电路 - 电路基本定理及应用； - 串联、并联、变压器、桥式电路等。

第二章信号的时域和频域特性2.1 常见信号形式 - 正弦信号、三角波、方波、脉冲信号等； - 等幅信号、等间隔采样信号、脉冲编码调制等。

2.2 时域和频域特性 - 时域波形与频率透过率特性的关系； - 傅里叶级数、傅里叶变换及其应用。

第三章基本放大电路3.1 放大器的基础概念 - 放大器的分类、基本电路； - 放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗等。

3.2 放大器的特性 - 声学放大器、直流放大器、宽带放大器、综合放大器等； - 通用放大器的放大特性等。

3.3 放大器的应用 - 模拟电路中的放大器在信号处理中的应用； - 最简单的信号衰减与放大实验等。

第四章基本滤波器和振荡器4.1 滤波器的基本概念 - 滤波器分类、基本电路； - 滤波器截止频率、通带、阻带等特性。

4.2 基本振荡电路 - 振荡器的基础概念、基本电路； - 振荡器的本振频率、频率稳定度、谐振电路等。

第五章运算放大器和比较器5.1 运算放大器 - 功放、运放的概念、功能、特性与电路； - 运算放大器电路的分析、设计与应用。

5.2 比较器 - 各种比较器电路、运算放大器比较器电路； - 比较器的原理、特性、应用等。

模拟电子技术复习提纲

第3章二极管及其基本电路知识重点：1、杂质半导体的导电机理；2、PN 结的形成及其单向导电性；3、半导体二极管的伏安特性；4、稳压管的应用基本知识：1、空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点，在本征半导体中掺入三价元素杂质后即成为P 型半导体。

2、半导体二极管只有一个PN 结，它的基本特性是具有单向导电特性。

3、稳压二极管接入电路时，一定要串入一个电阻，其原因是利用电阻调节作用。

4、下面电路中电阻R 1=6kΩ，R 2=1kΩ，试判断理想二极管D 1与D 2是导通还是截止,并计算电压V ab ，。

（）第4章三极管及其放大电路知识重点：1、半导体三极管的放大条件以及电流控制和放大作用；2、BJT 的输入特性、输出特性及主要参数；3、BJT 的代表符号、BJT 的特性曲线，尤其是输出特性曲线的四个区域的理解；基本知识：1、双极性晶体管放大电路的三种基本放大方式为共射、共基与共集放大，其中共集放大放大电路也叫做射极输出器。

2．三极管的输入电阻Rbe 是个动态电阻，但是与静态工作点是有关联的。

3、双极性晶体管对温度变化较敏感，硅管与锗管相比，硅管受温度影响较小。

aba b4．电压放大器的输出电阻越小，意味着放大器带负载能力越强。

5、双极性晶体管是一种电流型控制元件。

6．在基本共射电路中，若晶体管的β增大一倍，电压放大倍数也相应增大，但达不到一倍。

7、在放大电路中测得某管的3个电极电位分别为-2.5V, -3.2V,-9V，则这个三极管的管型是PNP型硅管。

8、单极放大电路的3种组态都有功率放大作用。

9、多极放大器的电压放大倍数为各级放大倍数之积。

10、一个NPN管在电路中正常工作，现测得Ube>0,Ubc>0,Uce>0，则此管的工作区为饱和区。

11、图示电路中β=50, V CC=6V, R b1=10KΩ, R b2=2KΩ , R c=2KΩ，R e=300Ω，R L=2 KΩ，试：①估算Q点(取V BE =0.7V)；②画出小信号模型图；③r be=1KΩ时，计算Av、r i与r o。

1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

精品文档
精品文档《模拟电子技术基础》课程复习提纲
一、基本要求
（一）基本要求
1.掌握半导体器件的基本工作原理
2.掌握放大电路的基本分析方法，能够正确估算基本放大电路的静态工作点和动态参数。