充电管理芯片AW3208DNR
迅瑞 带充放电管理的轻触三功能LED驱动芯片YX8283B 产品说明书
March 2017 - REVISED April 2019带充放电管理的轻触三功能LED驱动芯片特性全亮、25%亮、暴闪、灭循环轻触三功能LED驱动 100mΩ导通电阻，最大1.8A LED驱动电流2.4V电池低压保护低压保护下电池漏电流小于0.1μA高达1A的充电电流具有可在无过热危险的情况下实现充放电速率最大化的热调节功能精度达到1%的4.2V预设充电终止电压自动再充电2.9V涓流充电支持边充电边放电，续航照明时间软启动限制浪涌电流ESOP8绿色封装应用范围手电筒LED照明电池充放电管理其它手持设备描述YX8283B是一款完整的采用单节锂离子电池供电的LED轻触三功能驱动芯片。
其内部集成了锂电池充放电管理电路，可提供高达1A的充电电流、1.8A的放电电流及充放电保护功能，可驱动单颗LED实现全亮、25%亮、暴闪和灭循环的轻触三功能切换控制。
YX8283B内部集成了电池过放保护功能，当电池电压低于2.4V时，YX8283B进入过放保护状态，此时电池端的漏电小于0.1μA，可有效延长电池的放电时间。
YX8283B内部集成了专用于锂电池的保护功能电路，可防止充放电过程中的短路、过流、过温等异常情况对电池和芯片的损坏。
YX8283B采用绿色环保的ESOP8封装以及最少6个外围器件可有效减小电路PCB布板空间。
YX8283B可工作于-40°C to +85°C。
典型应用March 2017 - REVISED April 2019订购信息器件型号 订购号 封装描述 环境温度 封装标记包装选择 包装数量 YX8283BYX8283BAQGRESOP8-40℃ to +85℃Tape and Reel3000引脚信息YX8283BIN NC KeyBATESOP8表 1. 引脚描述引脚 名称 引脚功能描述1 IN 充电电压输入端，可外接适配器，提供最大1A 充电电流。
2 NC 未用引脚。
AW2013DNR_七彩呼吸灯驱动产品手册
6.3 读写操作 ........................................................................... 8
6.3.1 写操作 .................................................................... 8
6.1 通讯协议 ........................................................................... 8
6.2 I2C 接口地址 ........................................................................8
2
LED1
LED 驱动口，外部通过 LED 连电池电压 VBAT
3
LED2
LED 驱动口，外部通过 LED 连电池电压 VBAT
4
INTN
中断，开漏输出，低有效。外部通过电阻上拉到高，不用时可 悬空。
5
VCC
电源电压，2.5-3.3V
6-8
NC
未使用，悬空
9
SDA
I2C 接口双向数据线，1.8V/3.3V 兼容
8.1 概述 .............................................................................. 10
8.2 LED 功能控制 ......................................................................11
6.5 中断 .............................................................................. 10
一种精确检测锂电池电量的方案
设计应用esign & ApplicationD一种精确检测锂电池电量的方案A scheme for accurately detecting the power of lithium batteries李跃勇 （郑州雅晨生物科技有限公司，郑州 450000）摘 要：传统检测锂电池电量的方法一般是通过检测电池两端电压，然后根据电池放电曲线，通过算法估算出电池电量。
本文采用专业的电量计MAX17055配合充电管理芯片推出一种精确检测锂电池电量的解决方案。
关键词：锂电池；电量计；MAX170551 传统锂电池电量检测方案传统的锂电池检测方案采用ADC 采集锂电池两端电压，然后根据厂家提供的电池的放电曲线，通过算法估算出来的一个大概的电量数值。
如图1所示，此图是一个容量为2 000 mAh 的锂电池放电曲线，放电电流为2 000 mA。
图１ 锂电池放电曲线X 轴代表剩余电量，Y 轴代表电池两端电压。
根据实际需要显示的电池电量要求，把Y 轴分成相应的段数，然后对照X 轴坐标值，可大致估算出电池电量。
例如图2所示，当电池电压下降到3.5 V 左右时，电池电量大概在50%左右。
但这种方式最大的弊端是没有考虑到电池的内阻，从而导致计算出来的电池容量误差很大。
电池两端电压计算公式如下：V =V oc -I ×Rbat图２ 传统估算电池电量的方法其中：V oc 指的是电池两端的开路电压，I 表示电池放电电流，R bat 表示电池内阻，不同厂家的电池内阻通常在几十毫欧到几百毫欧不等，而且电池内阻会随着电池的老化而增加，通常在100个周期之后电阻内阻会增加1倍，这种内阻的变压会导致计算出来的误差非常大。
从图1中的放电曲线上也可以看到，电池满电量时，电压约为4.2 V ，当电池用2 000 mA 电流开始放电时，电池电压瞬间就降低到3.9 V 左右，其中的压降正是电池内阻在作怪。
当遇到需要突发电流的情形，就会发生电池电量格数跳变的现象。
dc-dc芯片 低静态电流 -回复
dc-dc芯片低静态电流-回复【DCDC芯片低静态电流】原理及应用引言：DCDC芯片是一种广泛应用于电子设备中的电力转换芯片，其具有高效率、快速响应和稳定输出等优点。
而静态电流是指在无外部信号输入的情况下，集成电路芯片内部自身产生的电流。
低静态电流的DCDC芯片具有很大的市场需求，并且在一些对能耗要求苛刻的应用领域尤为重要。
本文将重点介绍DCDC芯片低静态电流的原理和应用。
一、DCDC芯片内部结构和工作原理DCDC芯片通常由输入端、输出端、反馈控制电路和开关电源电路等组成。
其工作原理是基于开关电源工作原理，利用开关管控制输入电压的切换频率和占空比，从而实现输出电压的稳定。
DCDC芯片中，为了实现低静态电流，主要有以下几个关键设计要点：1. 快速启动和睡眠模式：低静态电流的DCDC芯片需要具备快速启动和有效的睡眠模式。
启动时，芯片能够尽快运行并达到额定工作效率；睡眠模式下，芯片处于非工作状态，静态电流极低，以减少能耗。
2. 优化电压和电流控制电路：芯片内部的电压和电流控制电路需要良好设计，保证在各种工作状态下都能够保持稳定，并尽可能降低静态电流。
3. 多级转换拓扑结构：采用多级转换拓扑结构可以将电压的变化分解成多个步骤进行，每个步骤的转换效率相对较高。
这样的设计可以有效降低芯片内部静态电流。
二、低静态电流的DCDC芯片应用案例1. 移动通信设备：在移动通信设备中，如智能手机、平板电脑等，低静态电流的DCDC芯片可以显著延长电池续航时间，提升用户体验。
2. 物联网终端设备：物联网终端设备通常以电池为主要供电源，低静态电流的DCDC芯片可以降低功耗，实现长久耐用的终端设备。
3. 医疗设备：在一些需要植入体内或长时间佩戴的医疗设备中，低静态电流的DCDC芯片具有重要的应用价值。
它可以降低设备在工作和待机状态下的能耗，减小对使用者的身体负担。
4. 持续供电应用：一些对供电要求较高的应用领域，如远程监视、电子门锁等，需要长时间的持续供电。
如何应对手机充电系统面临的挑战
如何应对手机充电系统面临的挑战而上海艾为推出的降压OVP——AW3208是特地针对诺基亚适配器推出的一款OVP芯片。
AW3208的OVP电压高达10.5V，对于输出电压在 8～9V的诺基亚适配器，AW3208工作在降压的LDO模式，输出给手机平台充电模块的电压为5.25V（CHRIN电压），保证手机平台的充电模块可以正常充电，而对于输出电压在5～6V的适配器，AW3208的输出模式为直通模式，尽可能的减小导通压降，即使用法输出电压比较低的适配器，也确保能把电池弥漫。
对于输出电压比较高的适配器，工作在LDO模式的AW3208充电时内部功耗会比较大，除了具备过温庇护功能和过流限流功能外，AW3208还集成了创新的K-Charge技术，充电时会持续监测芯片的结温，芯片结温上升到一定值后若继续上升，则芯片会减小输出电流以限定芯片内部功耗，尽量避开芯片结温继续上升至进入反复的过热庇护状态，从而解决不能充电或充电时光过长的问题。
另外基于平安性和牢靠性的考虑，AW3208具备AW3206具备的其他全部功能和特点。
针对不同应用的手机充电系统兼容性设计考虑针对不同的应用，手机充电系统的要求是不同的，有时可能还是彼此冲突的。
比如为了适应诺基亚适配器，需要OVP芯片的OVP电压要高于9V。
但在中国国内，若适配器的输出电压过高的话，国内的手机认证明验室的认证要求手机充电系统不能充电而处于庇护状态。
设计人员在面向这两种冲突的要求时，往往只能设计两套不同的计划，假如有一种计划能同时兼容这两种冲突的要求，对设计人员来说这个计划无疑是最佳的一个计划。
因为AW3206和 AW3208引脚分布彻低相同，同时从应用的角度来看，两颗芯片只是OVP电压不同，外围器件和原理图彻低相同（见图3和图6），而且对手机平台来说，软件控制也是彻低相同，所以AW3206和AW3208刚好通过一个兼容设计来满足上面的两个冲突的要求。
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海信TPW3208等离子电视电源原理与维修
【TPW3208海信32寸LG.PHILIPS 屏电源原理与维修】32等离子电视于2007年大量上市，因为LG.PHILIPS 屏组件价廉的缘故，被国内很多厂家采用，如康佳PD32ES33 、长虹PT32600 、PT 32700 、海信TPW3208等。
该屏电源板型号为PSU32FL-L1，主要由待机副电源、PFC电压形成、VS电源、Va电源、保护检测、电源CPU管理等电路构成，在电源管理CPU的控制下按照一定的时序输出各组电源。
和以往的42寸以上等离子屏电源相比，其主要特点是采用单面PCB板、VS高压电源部分采用常规的它激式PWM 电路（以往大都使用半桥或者全桥调频电源）、电源管理CPU检测到电源异常保护动作时，会将所有输出电源关闭，包括送往主板的待机STB电源，故安全性能更高、更方便检修。
电源方框图如下：(略）下面将按照上电的时序，对电源的工作原理进行分析。
【一待机副电源电路】1 、交流220V电源接通后，先经防高压、低通滤波器抗干扰后由D101整流成100Hz脉动直流电，再经D607对C617、C618充电滤波后送往由IC151/NCP1271、T201等元件组成的待机电源电路，产生电源管理CPU需要的VDD和Vcc1、Vcc2、Vcc4电源；还有受电源CPU控制输出的5V、STBY5V、5VSC、9V、16V和Vcc3等电源。
2、待机副电源工作原理简述：PFC电源（此时电压还是310V左右，未提升）经过T201初级线圈加到IC151的8脚上，IC内部恒流源对6脚外电容C154充电，达到8V左右开始启动振荡电路，副边绕组通过整流滤波开始输出各组电源，由U206/TL431、光藕PC201完成稳压取样反馈。
副边绕组有3组，而且分热地电源和冷地电源两种。
冷地电源部分：由D210、C211整流滤波输出大约6.5V电压，再经R215、ZD202稳压成＋5V Vdd电压供给电源管理CPU；由D201、C202整流输出19V左右的VCC4电源.。
艾为产品介绍PDF
TDD-Noise-输入干扰
湘海电子有限公司Http:\\
远端地与近端地的不一致导致了输入干扰
Tankertanker Design
音乐功放系列全线升级
型号 AW8145CSR AW8155FCR AW8120FCR AW8010AFCR AW8090ACOR AW8110CSR AW8188TQR 特性 防破音，超低EMI AB/D自由切换的第二代音乐功放 AB/D自由切换的第二代音乐功放 超低EMI AB类功放 防破音，超低EMI D类双声道立体声，防破音，超低EMI 封装 FC9 FC9 FC9 FC9 COL9 CSP9 16-Pin TQFN
AW3210典型应用图1
Tankertanker Design
AW3210典型应用图2
Tankertanker Design
AW3210典型应用图3
Tankertanker Design
射频系列
型号 AW5007STR 特性 低噪声放大器 封装 SOT363-6L
AWINIC艾为
香港光与电子有限公司深圳办事处AWINIC艾为产品线系列，联络电话86-755-82574660，82542001，欢迎ODM,OEM前来咨询AW36414查看详情AW36414 是一款双通道高精度 LED 闪光灯驱动器，能够以较小的 PCB 面积提供高度可调节的闪光解决......AW36413查看详情AW36413 是一款双通道高精度 LED 闪光灯驱动器，能够以较小的 PCB 面积提供高度可调节的闪光解决......AW5005A查看详情AW5005A 是一款适用于 GPS，格洛纳斯，伽利略和北斗等全球导航卫星系统( GNSS )的低噪声放大器。
......AW9668查看详情AW9668 是一款 8 路自适应四模分数倍电荷泵型并联 LED 驱动器。
采用专有的模式切换 Q-ModeTM 技术......AW9233查看详情AW9233 集成了 3 路电容式触摸按键检测电路，触摸检测电路采用高灵敏度和抗干扰的 Sigmadelta 电......AW9203查看详情AW9203 集成了 3 路电容式触摸按键检测电路，触摸检测电路采用高灵敏度和抗干扰的 Sigmadelta 电......AW3648查看详情AW3648 是一款高精度 LED 闪光灯驱动器，能够以较小的 PCB 面积提供高度可调节的闪光解决方案。
......AW3644查看详情AW3644 是一款双通道高精度 LED 闪光灯驱动器，能够以较小的 PCB 面积提供高度可调节的闪光解决方......AW3643查看详情AW3643 是一款双通道高精度 LED 闪光灯驱动器，能够以较小的 PCB 面积提供高度可调节的闪光解决......AW9962查看详情AW9962 是一款高效率的电感升压型白光 LED 驱动器。
AW9962 内部集成了 40V 的功率开关，可支持单......AW9525查看详情AW9525 是一款 I2C 接口、16 路呼吸灯，每路可作扩展 GPIO 控制器。
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集成充电P-MOSFET 的降压模式锂离子电池充电保护控制器特性 • 高达10.5V 的输入过压保护阈值电压，支持9～10V 输出电压的诺基亚适配器 • 输入限流保护• 专有的降压输出模式• 普通(4.2V)锂离子电池过压保护 • 集成了具有防反灌电流功能的充电P-MOSFET• 内置专有的K-Charge TM技术，可根据芯片温度智能调整输出电流 • 内置过温保护 • ESD 保护：±8KV （HBM ） • 纤小的DFN2x2-8L 封装应用• 蜂窝电话• 数码相机 • PDA 、MP3描述AW3208是一款支持诺基亚适配器的高集成度锂离子电池充电保护控制器。
AW3208持续检测输入电压和锂离子电池电压，若输入电压超过保护阈值电压且持续时间超过100ns ，则内部功率P-MOSFET 关闭，CHRIN 电压拉低。
若锂离子电池电压超过保护阈值电压，则内置充电P-MOSFET 关闭。
AW3208内置限流保护电路，充电电流会限制在安全的范围内。
AW3208内置专有的K-ChargeTM技术，可根据芯片温度智能调整输出电流，以保证在充电期间整个充电系统的安全。
AW3208具有降压的输出模式。
当输入电压比较高时，输出模式为降压LDO 模式，CHRIN 引脚输出电压为5.25V （典型值），若输入电压比较低时，输出模式为直通模式，内部功率P-MOSFET 充分导通，CHRIN 电压尽可能接近输入电压。
AW3208内部集成了充电P-MOSFET ，可省去手机充电系统中的外部充电P-MOSFET 和肖特基二极管。
AW3208具有防电流反灌功能，当CHRIN 电压降低至低于OUT 电压，充电P-MOSFET 关闭，防止电流从锂离子电池反灌至AW3208。
AW3208采用纤小的DFN2x2-8L 封装，额定的工作范围为-40℃至85℃。
引脚分布及标记图器件标记（DNF2x2-8L封装）XY - 生产跟踪码AP08 – AW3208DNR器件俯视图（DNF2x2-8L 封装）图 1 AW3208引脚分布及标记图典型应用图1VDRV典型应用图2D-D+IDVDRV图 2AW3208典型应用图注1: R SENSE电阻的默认值为200m ohm，在一些AC适配器或电脑USB口带载能力比较差的情况下，可以调小R SENSE电阻值，比如：100m ohm，从而减小R SENSE电阻上压差。
最终使得在相同能力的AC适配器下，提高充电电流。
需要特别注意的是R SENSE 电阻值的改动需要软件上调整相关寄存器的值，从而保证正常充电时涓流和恒流的充电电流不变。
注2:当选择SC6820/25平台时，R SENSE电阻的默认值为360m ohm。
当选择SC8825/10平台时，R SENSE电阻的默认值为100m ohm。
在一些AC适配器能力比较差的情况下，可以调小R SENSE电阻值，从而减小R SENSE电阻上压差。
最终使得在相同能力的AC适配器下，提高充电电流。
需要特别注意的是R SENSE电阻值的改动需要软件上调整相关寄存器的值，从而保证正常充电时涓流和恒流的充电电流不变。
注3：Option 1和Option 2可以进一步提高系统的抗USB口热插拔的鲁棒性。
其中在AW3208的应用中，TVS管的吸收1A峰值电流时的最大钳位电压V C值应不超过8V，比如：可以选择TVS型号为ESD9N5V-2/TR；而典型应用中RC Snubber中R C的取值为1 ohm。
关于这两个Option的具体分析见下文应用信息部分中的提高系统抗USB口热插拔的鲁棒性。
注4: VBAT引脚的功能是检测电池电压，作为芯片VBAT过压保护的依据。
但注意此功能只适用于4.2V锂电池的保护，4.35V 高压电池不适用。
若选用的是4.35V电池，需将VBAT端悬空，同时建议在外部添加下拉电阻，例如100kΩ。
订购信息装运形式R: Tape & Reel封装形式DN:DFN绝对最大额定值（注5）电气特性测试条件：T A=60℃，ACIN=5.0V，VBAT=3.8V（除非特别说明）。
注5：如果器件工作条件超过上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。
上述参数仅仅是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。
器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。
注6：HBM测试方法是存储在一个的100pF电容上的电荷通过1.5 KΩ电阻对引脚放电。
测试标准：MIL-STD-883G Method 3015.8。
引脚定义及功能典型特性曲线Junction Temperature (℃)I n p u t O V P T h r e s h o l d (V )Input OVP ThresholdVs.Junction TemperatureJunction Temperature (℃)O u t p u t M o d e C h a n g e Th r e s h o l d (V )Output Mode Change ThresholdVs.Junction Temperature3045607590105120135Junction Temperature (℃)1.21.31.11.00.90.80.70.60.5I n p u t C u r r e n t L i m i t (A )Input Current LimitVs.Junction TemperatureACIN to OUT On ResistanceVs.Junction Temperature450500550600650700A C I N t o O U T O n R e s i s t a n c e (m Ω)Junction Temperature(℃)-40-255355080110125-10206595Junction Temperature (℃)B a t t e r y O V P T h r e s h o l d (V )Battery OVP ThresholdVs.Junction TemperatureOutput Soft StartTime: 50μs/divOUT 2V/divNormal Power DownTime: 5ms/divOUT 2V/divACIN 2V/div Normal Power On Time: 1ms/div OUT 2V/divACIN 2V/divOVP at Power OnTime: 5ms/divOUT 2V/divACIN 2V/div Input Over-Voltage ProtectionTime: 20μs/div C1C2OUT 2V/divACIN 2V/div功能框图图 3AW3208功能框图工作原理AW3208是一款支持诺基亚适配器的高集成度锂离子电池充电保护控制器。
AW3208持续检测输入电压和锂离子电池电压，若输入电压超过保护阈值电压且持续时间超过100ns，则内部功率P-MOSFET关闭，CHRIN电压拉低。
若锂离子电池电压超过保护阈值电压，则内置充电P-MOSFET关闭。
AW3208内置限流保护电路，充电电流会限制在安全的范围内。
AW3208内置专有的K-Charge TM技术，可根据芯片温度智能调整输出电流，以保证在充电期间整个充电系统的安全。
AW3208具有降压的输出模式。
当输入电压比较高时，输出模式为降压LDO模式，CHRIN引脚输出电压为5.25V（典型值），若输入电压比较低时，输出模式为直通模式，内部功率P-MOSFET充分导通，CHRIN电压尽可能接近输入电压。
AW3208内部集成了充电P-MOSFET，可省去手机充电系统中的外部充电P-MOSFET 和肖特基二极管。
AW3208具有防电流反灌功能，当CHRIN电压降低至低于OUT电压，充电P-MOSFET关闭，防止电流从锂离子电池反灌至AW3208。
上电复位AW3208包含上电复位功能。
在芯片上电过程中，若ACIN引脚电压低于上电复位电压2.56V（典型值），内部寄存器被复位，芯片处于shutdown状态。
当ACIN引脚电压升高超过上电复位电压2.56V且稳定3ms后，芯片开始启动，CHRIN引脚逐渐升高。
上电复位功能包含电压迟滞和复位延时，以避免输入电压毛刺干扰芯片正常工作。
输入过压保护输入过压保护电路持续检测ACIN引脚输入电压，当ACIN引脚电压升高至高于输入保护阈值电压V OVP，经过100ns（典型值）的deglitch时间后，内部功率P-MOSFET关闭，CHRIN电压被拉低，以保护连接到CHRIN和OUT引脚的器件安全。
ACIN引脚电压降低至低于V OVP-V hys(OVP)，经过3.5ms（典型值）的恢复时间后，内部功率管P-MOSFET才重新打开。
迟滞电压V hys(OVP)和3.5ms的恢复时间确保输入过压保护功能不受输入电压瞬态噪声信号的干扰。
输出模式及切换AW3208具有降压LDO输出模式和直通输出模式。
当输入电压高于降压LDO模式电压V LDO_MODE（典型值为6.3V）时，AW3208输出模式为降压LDO模式，CHRIN输出电压为5.25V，保证连接至CHRIN引脚和OUT引脚的系统的安全。
当输入电压降于V LDO_MODE-V hys(LDO_MODE)时，AW3208输出模式切换为直通模式，内部功率P-MOSFET充分导通，使ACIN引脚和CHRIN引脚之间的压差尽可能小。
输入限流保护和K-Charge TM技术输入限流保护电路采样输出电流，当输出电流变大时，限流保护电路会限制输入电流以保护芯片和锂离子电池安全。
AW3208还内置了专有的K-Charge TM技术，可根据芯片温度智能调整输出电流，当芯片温度较低时，限流电流大小不变，典型值为1.2A；当芯片温度超过80℃，限流电流会随芯片温度升高逐渐减小，芯片温度达到135℃时，限流电流将减小至560mA。
输入限流保护和K-Charge TM技术可以在充电期间最大限度的保护芯片和锂离子电池的安全，并加快锂离子电池的充电时间。
电池过压保护AW3208检测VBAT引脚电压以提供电池过压保护。
电池过压保护的阈值电压V BOVP为4.4V，当VBAT引脚电压超过电池过压保护阈值电压，内部充电P-MOSFET关闭。
电池过压保护具有迟滞电压，当VBAT引脚电压降低至低于V BOVP-V hys(BOVP)，内部充电P-MOSFET才重新打开。
注意AW3206的这一功能是针对4.2V电池设计的，若应用于4.35V电池则此功能不适用，此时将VBAT引脚悬空并在外部做电阻下拉。