实验三 单结晶体管触发电路
单结晶体管触发电路波形
单结晶体管触发电路波形
咱来说说单结晶体管触发电路波形是啥。
有一次我去一个工厂参观，看到一些奇怪的图形在屏幕上跳来跳去。
我就好奇地问旁边的师傅这是啥，师傅说这是单结晶体管触发电路波形。
单结晶体管触发电路波形呢，就像是一个调皮的小波浪。
它一会儿高一会儿低，一会儿快一会儿慢。
比如说，你看大海的波浪，有大有小，有急有缓。
单结晶体管触发电路波形就有点像那个，只不过是在电子世界里。
在生活中，单结晶体管触发电路波形虽然我们平时不太注意，但它可重要了。
它能控制一些电器的工作，让它们按照一定的规律运行。
就像我在工厂看到的那些波形，让我对单结晶体管触发电路波形有了更直观的认识。
嘿嘿。
提高单结晶体管触发电路的振荡频率的方法
提高单结晶体管触发电路的振荡频率的方法摘要：一、引言二、单结晶体管触发电路的基本原理1.单结晶体管的结构和工作原理2.触发电路的作用和构成三、提高振荡频率的方法1.优化器件参数1) 选用合适的单结晶体管型号2) 调整发射极电阻2.改进电路设计1) 采用谐振回路2) 调整电容和电感参数3) 使用反馈网络四、实例分析1.具体电路设计2.振荡频率的计算和测试五、结论与展望正文：一、引言单结晶体管触发电路广泛应用于各类电子设备中，其振荡频率直接影响到整个电路的性能。
为了提高单结晶体管触发电路的振荡频率，本文将从基本原理入手，分析影响振荡频率的关键因素，并提出相应的优化方法。
二、单结晶体管触发电路的基本原理1.单结晶体管的结构和工作原理单结晶体管（Transistor）是一种半导体器件，由三个区域组成：发射极、基极和集电极。
在工作过程中，基极电流控制发射极与集电极之间的电流，从而实现信号的放大和开关控制。
2.触发电路的作用和构成触发电路是单结晶体管电路中的一部分，其主要作用是将输入信号转换为适合驱动负载的信号。
触发电路通常包括单结晶体管、电容、电感和电阻等元件。
三、提高振荡频率的方法1.优化器件参数（1）选用合适的单结晶体管型号：不同型号的单结晶体管具有不同的放大倍数和开关速度，选用合适的型号可提高振荡频率。
（2）调整发射极电阻：发射极电阻会影响单结晶体管的工作点，适当减小发射极电阻可以提高工作速度，从而提高振荡频率。
2.改进电路设计（1）采用谐振回路：在触发电路中加入谐振回路，可以提高信号的传输效率，从而提高振荡频率。
（2）调整电容和电感参数：电容和电感的大小直接影响到振荡电路的频率，适当减小电容和电感可以提高振荡频率。
（3）使用反馈网络：在电路中加入反馈网络，可以提高单结晶体管的开关速度，进而提高振荡频率。
四、实例分析1.具体电路设计以某型单结晶体管触发电路为例，根据上述方法优化电路参数，具体设计如下：（1）选用某型号单结晶体管作为开关元件。
单结晶体管触发电路工作原理
单结晶体管触发电路工作原理单结晶体管触发电路由一个单极性晶体管组成，其结构和工作原理类似于普通的集电极放大电路。
晶体管由三个区域组成：发射区、基区和集结区。
基区接入触发信号电源，而集结区接入电源，形成偏置电压。
当输入信号电压通过基区施加到晶体管时，集结结区的二极管就会被极化。
当输入信号电压高于一定阈值时，集结结区的二极管会开始导通，从而导致晶体管进入饱和状态。
1.稳定偏置：通过集结区的偏置电压来稳定晶体管的工作点。
这个偏置电压可以使集结结区的二极管处于正向偏置状态。
2.输入信号：通过将输入信号电压附加在基区时，可以改变集结结区二极管的电场分布。
当输入信号电压高于一些阈值时，集结结区二极管开始导通。
3.晶体管饱和：当集结结区二极管导通时，基区的电流会极大增加，导致晶体管进入饱和状态。
在饱和状态下，晶体管的集电极电流将近似于直流驱动电流。
4.输出信号：晶体管的饱和状态使得输出电压趋近于接近集电极电流的电源电压。
根据以上的工作原理，单结晶体管触发电路具有以下特点：1.简单：单结晶体管触发电路只需要一个晶体管和少量的外部元件，所以它的设计和实施都相对简单。
2.快速：由于晶体管本身的快速开关特性，单结晶体管触发电路可以实现高速开关操作，适用于需要快速开关的应用领域。
3.高可靠性：晶体管是一种稳定可靠的元件，所以单结晶体管触发电路在稳定性和可靠性方面具有优势。
4.小尺寸：由于单结晶体管触发电路仅由一个晶体管和少量的外部元件组成，所以它的尺寸相对较小，适用于空间有限的应用场景。
此外，单结晶体管触发电路还常用于时序电路和计时器中。
由于其高速开关特性和稳定可靠性，它可以实现精确的时序控制和计时功能。
因此，在电子钟、计时器、频率计等应用中也经常使用单结晶体管触发电路。
总而言之，单结晶体管触发电路是一种功能强大、可靠性高、适用范围广的电子元件。
它的工作原理简单明了，应用场景广泛，是电子电路设计和实施中不可或缺的一部分。
单结晶体管触发电路
单结晶体管触发电路看一看单结晶体管触发电路如图3-1所示，注意观察电路中所用的元器件，特别是有关元器件的型号或参数。
三极管9012的管脚图如图3-2所示，单结晶体管BT33的管脚图如图3-3所示。
图3-1 单结晶体管触发电路图3-2 9012的管脚图图3-3 单结晶体管BT33的管脚图知识链接单结晶体管的基本特性：1．等效电路单结晶体管等效电路如图3-4所示。
r b1：E与B1间电阻，随发射极电流而变，即IE上升，r b1下降。
rb2：E与B2间的电阻，数值与IE无关。
rbb：两基极间电阻。
rbb = r b1 + rb2η：称为分压比，r b1与rbb的比值，η一般在0.3 ~ 0.8 之间。
图3-4 单结晶体管等效电路图2．导通条件VEE > ηVBB + VD (VD为PN结的正向电压)想一想如图3-1所示，单结晶体管触发电路是如何工作的？做一做1．检测图3-1所示电路中的元器件。
2．根据图3-1所示电路完成印制板图设计（板子尺寸：100mm×80mm）。
3．根据设计的印制板图在多孔板上完成电路的装接。
注意：电解电容、二极管、稳压二极管、三极管和单结晶体管的极性。
测一测用示波器实测并画出单结晶体管触发电路各点波形图，将结果画入如图3-5所示。
图3-5 测各点波形学一学单结晶体管触发电路工作特点：1．电源变压器的二次侧24V交流电压经单相桥式整流后由稳压管V5削波得到梯形波电压，该电压既作为单结晶体管触发电路的同步电压，又作为单结晶体管的工作电源电压。
2．V7、V8组成直接耦合放大电路，V7采用PNP型管，V8采用NPN型管，触发电路的给定电压（U1）由电位器RP调节，U1经V8放大后加到V7。
三极管V7相当于由U1控制的一个可变电阻，它起到移相的作用。
3．V9~V11是三极管V8的基极正反向电压保护作用。
单结晶体管触发电路
1.2 单结晶体管张弛振荡器
uC
UP
R
R2 E B2
UV
t
U
C
B1
uo
uC R1
uO
t
电路组成
振荡波形
1. uE = uC <UP 时，单结管不导通，uo 0。
此时R1上的电流很小，其值为：
Iபைடு நூலகம்R1
R1
U RB1 RB2
R2
U
RB1 RB 2
E
R1、R2是外加的，不同于内 部的RB1、RB2。前者一般取 几十欧~几百欧； RB1+RB2 一般为2~15千欧。
R
R2 E B2
C
B1 IR1
uC R1
uO
2. 随电容的 充电，uC逐渐升高。当 uC UP 时，单结 管导通， uo=UP-UF。然后电容通过R1放电，当放电 至 uc UV 时，单结管重新关断，使 uo0。R1上便 得到一个脉冲电压。
uC
UP
UV t
uo
UP-UF
t
UP、UV-- 峰点、谷点电压 UF --PN结正向导通压降
PN结反偏，iE很小； 当 uE UP 时
PN结正向导通, iE迅 速增加。
-- 分压比
(0.35 ~ 0.75) UP -- 峰点电压 UF -- PN结正向
导通压降
单结晶体管的型号及使用常识
BT3 5B 特性参数分类 耗散功率500mW 三个电极 特种管 半导体
图10.15 单结管型号的各符号意义
R
R2
E E
uC C
R1 uo
R2起温度补偿作用
模拟电子技术
模拟电子技术
单结晶体管触发电路
单结晶体管触发电路
优点：单结晶体管触发电路比较简单，温度性能比较好，有一定的抗干扰能力，
缺点：脉冲前沿陡，输入功率较小，脉冲宽度较窄，只能承受调节RP （电位器R2）,无法加入其它信号，移相范围≤180°，
一般为150°此电路可以用在单相可控硅整流电路要求不高的场合，能触发50A 以下的晶闸管。
交流电压经桥式整流和稳压后削波后得到梯形电压。
脉冲电压形成时梯形同步电压经R2、R3对电容C 充电，
C 两端电压上升到单结晶体管峰点电压UP(BT33的峰点电压）时，单结晶体管由截止变为导通，通过e---b1---R5放电，
放电电流在电阻RB1（放电电阻R5)上产生一组尖顶脉冲电压，由RB1(放电电阻R5)输出一组触发脉冲，其中第一个脉冲使晶闸管触发导通，后面的脉冲对晶闸管工作没有影响。
随着C 的放电，当电容两端电压下降到单结晶体管谷点电压UV(BT33谷底电压）时单结晶体管重新截止，
C 重新充电，重复上述过程。
RB1(放电电阻R5)上又输出一组峰顶脉冲电压，这个过程重复进行。
当梯形电压过零点时，电容C 两端电压也为零，因此电容每一次连续充放电的起点就是电源电压过零点，这样就保证输出电压的频率和电源频率同步。
移相是通过改变RP(电位器R2)的大小实现的，改变RP(电位器R2)的大小可以改变C 的充电速度，因此就改变了第一个脉冲出现的时间，从而达到了移相的目的。
分析单结晶体管触发电路
谷点电流IV。由于UE随IE增大而减小，动态电阻 reb1
U E I E
为负值，故从P点到V
点这段曲线称为单结晶体管的负阻特性。对应这段负阻特性的区域称为负阻区。
V点以后，当IE继续增大，空穴注入N区增大到一定程度，部分空穴来不及与 基区电子复合，出现空穴剩余，使空穴继续注入遇到阻力，相当于RB1变大，因 此在V点之后，元件又恢复正阻特性，UE随着IE的增大而缓慢增大。这段区域称 为饱和区。显然，UV是维持管子导通的最小发射极电压，一旦UE<UV，管子将 截止。
2020年9月27日星期日
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学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
由上述分析可知，单结晶体管具有以下特点：
பைடு நூலகம்1.当发射极电压UE小于峰点电压UP时，单结晶体管为截 止状态，当UE上升到峰点电压时，单结晶体管触发导通。
2.导通后，若UE低于谷点电压UV，单结晶体管立即转入 截止状态。
3.峰点电压UP与管子的分压比η及外加电压UBB有关。 η
接上外加电源UEE，调整RP使UE由零逐渐加大，在UE<UA+UD=ηUBB+UD时 （UD为等效二极管的正向压降），二极管因反偏而截止，发射极仅有很小的反 向电流流过。E与B1间呈现很大的电阻，管子处于截止状态，这段区域称截止区。 如图b中OP段。
当UE升高到UE=ηUBB+UD时，达到图b中P点，二极管开始正偏而导通。IE随 之开始增加。P点所对应的发射极电压UP和电流IP分别称为单结晶体管的峰点电
2020年9月27日星期日
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学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
当E极开路时，图中A点对B1极间电压（即上压降）为
式中
单结晶体管触发电路及单相半波可控整流电路实验报告
单结晶体管触发电路及单相半波可控整流电路实验报告实验目的：研究单结晶体管触发电路和单相半波可控整流电路的特性。
实验器材：单结晶体管、电阻、电容、整流电路板、交流电源。
实验原理：1.单结晶体管触发电路：单结晶体管触发电路是一种常用的触发电路，可用于控制开关电路，使电路开启或关闭。
单结晶体管的基极和发射极之间的电流可以通过控制功率电源的输入电压来调节，从而实现对整个触发电路的控制。
2.单相半波可控整流电路：单相半波可控整流电路主要包括一个可控硅管和一个载流电阻。
通过控制可控硅管的导通角，可以实现对交流电的半波整流，将交流电转换为直流电。
实验步骤：1.搭建单结晶体管触发电路：根据实验要求，接入单结晶体管、电阻和电容，连接交流电源。
确定合适的电流和电压参数。
2.调节交流电源输出电压，观察并记录单结晶体管的调节情况。
3.搭建单相半波可控整流电路：根据实验要求，接入可控硅管和载流电阻，连接交流电源。
确定合适的电流和电压参数。
4.调节交流电源输出电压，观察并记录可控硅管的导通角度和整流电路的输出情况。
实验结果：1.单结晶体管触发电路的调节情况：在不同的输入电压下，单结晶体管的输出电流变化情况。
2.单相半波可控整流电路的输出情况：记录不同导通角度下，整流电路的输出电流和输出电压。
实验讨论：根据实验结果，分析单结晶体管触发电路和单相半波可控整流电路的特性和工作原理。
对于单结晶体管触发电路，可以控制电路的开启和关闭，实现对电路的控制。
对于单相半波可控整流电路，可以将交流电转换为直流电，实现对电流的整流。
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实验三 晶闸管触发电路——单结晶体管触发电路
一、实验目的：
1、 掌握单结晶体管触发电路的工作原理；
2、 学会使用示波器测量单结晶体管触发电路的个点电压波形； 一、实验仪器设备： 1、 ZEC-410型实验台 2、 EM-11实验挂箱
3、 双踪示波器一台
4、 万用表一块、一字型螺丝刀一把（调节RP1用） 三、实验原理：
单结晶体管触发电路，是利用单结晶体管（双基极二极管）的负阻特性和RC 的充放电特性，构成频率可调的自激振荡电路，如图3-1
所示
0%
R1
R2
R3
R4
R5
R6
D1
D2
VST1
VST2
C1
V1
V2
C2
T1
1
2
3
4
5
6
T2
K G
V3
RP1
图3-1 单结晶体管触发电路
由同步变压器T1副边输出的交流同步电压，经D1半波整流，再由稳压管VST1,VST2进行削波，而得到梯形波电压，其过零点与晶闸管阳极电压的过零点一致，梯形波通过R5,V2向电容C2充电，当充电电压达到单结晶体管的峰点电压时，单结晶体管V3导通，从而通过脉冲变压器T2输出脉冲。
同时C2经V3和T2原边放电，由于时间常数很小，U c2很快下降至单结晶体管的谷点电压,V3重新关断，C2再次充电。
每个梯形波周期，V3可能导通，关断多次，但只有第一个输出脉冲起作用。
电容C2的充电时间常数由R7和V2的等效电阻等决定，调节RP1的滑动触点可改变V1的基极电压，使V1,V2都工作在放大区，即等效电阻可由RP1来调节，也就是说一个梯形波周期内的第一个脉冲出现时候（控制角）可由RP1来调节，控制第一个尖脉冲的出现时刻，实现脉冲的移相控制。
四、实验内容及步骤：
1、将控制台左上角的交流数字电压表（如图3-2所示）切换到300V档，用专用连接线将
图3-2 数字交流电压表（左）及数字交流电流表（右）
数字交流电压表接到单、三相可调交流电源输出的“U”孔和“N”孔中，如图3-3所示
图3-3 单、三相可调交流电源
调节“交流电源输出调节”旋钮，使电压表读数为200V；
2、将连接交流电压表的两根连线改接到EM-11挂箱的“同步交流电压输入”端，并打开
EM-11挂箱右下角的电源开关，T1原边同步交流电压信号已在内部接好。
3、用双踪示波器CH1通道观察“1”点波形，CH2通道分别观察3、
4、
5、6各点的波形
并记录各点波形的幅值和宽度。
4、调节RP1（装在EM-11面板上），减小或增大RP1阻值，观察并记录3、4、
5、6各点
波形的变化情况。
五、实验报告
1、整理4步骤中的实验记录结果，分析RP1在电路中的作用。
2、用铅笔在坐标中画出实验步骤3中记录的各点波形，注意各点波形之间的对应关系。