晶振旁边挂10M电阻作用
晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用_HOSONIC晶振
晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。
用来调整drive level和发振余裕度。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。
过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向?180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大？下图所示的一个晶振电路中，电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M欧姆的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振串限流电阻
晶振串限流电阻：保护电路的重要组成
晶振串限流电阻是电路中非常重要的一个组成部分，它可以发挥
保护电路的作用，有效延长电路的使用寿命。
晶振是一种周期性振荡电路，是电子设备中常用的振荡源。
晶振
具有精度高、稳定性好、频率准确等优点，广泛应用于电子产品中。
但在实际使用中，晶振可能会受到噪音、电磁干扰等外界因素的影响，从而导致晶振电路的出错甚至烧毁。
而此时，晶振串限流电阻就可以
扮演重要的角色了。
晶振串限流电阻的作用是限制晶振电路中的电流，防止电路过流
而损坏晶振元件。
同时，晶振串限流电阻还能减小晶振电路的噪声和
干扰，提高电路的信噪比。
这种电阻通常会与电容并联，形成一个滤
波电路，进一步减小干扰和噪声。
晶振串限流电阻的选型要注意阻值和功率。
阻值过大会导致晶振
电路不稳定；阻值过小则不能起到限流的作用。
而功率则决定了这个
电阻可以承受的最大功率，要根据实际电路的功率需求来选取。
在选
型时，还要考虑其工作环境的温度、湿度等因素，以保证电阻的性能
和使用寿命。
总之，晶振串限流电阻虽然在电路中只是一个小小的部件，但是
它可以起到保护电路和提高电路性能的重要作用。
在实际电路设计中，选用合适的晶振串限流电阻，可以延长电路的寿命，提高电路的可靠性，降低维修成本。
晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用
晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用level和发振余裕度。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q 值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。
过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的、因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路、晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?下图所示的一个晶振电路中，电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M欧姆的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶体的Q值非常高, 如何理解Q值高呢？晶体的串联等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。
Q一般达到10^-4量级。
为了避免信号太强打坏晶体的。
电阻一般比较大，一般是几百K。
串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几MHZ一般是在20~30P 左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看 IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策。
有源晶振输出串联电阻的作用讲解
有源晶振输出串联电阻的作用讲解
一般大公司硬件电路都有最小化设计，是长期经验总结出来的，为的是减少重复性劳动和确保产品质量。
大家画图基本上直接抄模块电路，审查的人也按照标准电路检查，这样就不用每次都考虑如何设计。
你说的晶振输出串电阻就来自于最小化设计，对于数字电路里最重要的时钟源部分，应该特别注意保证信号完整性，最小化设计中晶振外围电路除了电阻还要有一些其他器件。
串电阻是为了减小反射波，避免反射波叠加引起过冲。
有时，不同批次的板子特性不一样，留个电阻位置便于调整板子状态到最佳。
如无必要串电阻，就用0欧电阻连接。
反射波在大部分电路里有害，但PCI却恰恰利用了反射波形成有效信号。
一、减少谐波，有源晶体输出的是方波，这将引起谐波干扰，尤其是阻抗严重不匹配的情况下，加上电阻后，该电阻将与输入电容构成RC积分平滑电路，将方波转换为近似正弦波，虽然信号的完整性受到一定影响，但由于该信号还要经过后级放大、整形后才作为时钟信号，因此，性能并不受影响，该电阻的大小需要根据输入端的阻抗、输入等效电容，有源晶体的输出阻抗等因素选择。
二、阻抗匹配，减小回波干扰及导致的信号过冲。
我们知道，只要阻抗不匹配，都会产生信号反射，即回波，有源晶体的输出阻抗通常都很低，一般在几百欧以ac下，而信号源的输入端在芯片内部结构上通常是运放的输入。
晶振串并联电阻的作用
一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M 欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。
用来调整drive level和发振余裕度。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。
过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。
晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢？晶体的串联等效阻抗是Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。
Q一般达到10^-4量级。
避免信号太强打坏晶体的。
电阻一般比较大，一般是几百K。
串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。
晶振并联电阻的作用
一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M 欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。
用来调整drive level和发振余裕度。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。
过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。
晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢？晶体的串联等效阻抗是Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。
Q一般达到10^-4量级。
避免信号太强打坏晶体的。
电阻一般比较大，一般是几百K。
串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。
晶振电路设计
晶振电路中，在2个24pf的起振电容的接地端之间串上一个1M欧姆的电阻有什么作用？应该是反馈作用，稳定振荡效果匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。
一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。
要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。
一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。
这样并联起来就接近负载电容了。
负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。
他是一个测试条件，也是一个使用条件。
应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。
此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。
3．一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高4．负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。
负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。
标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。
因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。
所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。
晶振旁的电阻（并联与串联）一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M 欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。
晶振串并联电阻的作用
晶振串并联电阻的作用
晶振串并联电阻的作用主要有以下几点：
- 并联电阻：在无源晶振应用方案中，两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。
而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。
这是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区不存在增益, 而在没有增益的条件下晶振不起振。
- 串联电阻：常用来预防晶振被过分驱动。
过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，可用一台示波器检测OSC输出脚，如果检测一非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要，则晶振未被过分驱动；相反，如果正弦波形的波峰，波谷两端被削平，而使波形成为方形，则晶振被过分驱动。
这时就需要用电阻Rs来防止晶振被过分驱动。
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电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大
器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由
于晶体的 Q 值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出
频率。过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从 100K～20M 都可
以正常启振，但会影响脉宽比的。
晶体的 Q 值非常高, Q 值是什么意思呢？ 晶体的串联等效阻抗
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hhucwyd 发表于 2011-9-29 16:07 | 只看该作者 回复 引用 返回版面 TOP 得分：0
6 楼： 一份电路在其输出端串接了一个 22K 的电阻，在其输出 端和输入端之间接了一个 10M 的电阻，这是由于连接晶振的芯片端 内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向 180 度输出，晶振处的 负载电容电阻组成的网络提供另外 180 度的相移，整个环路的相移 360 度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于 1，晶 体才正常工作。
方形有源晶振引脚分布： 1、正方的，使用 DIP-8 封装，打点的是 1 脚。 1-NC； 4-GND； 5-Output； 8-VCC 2、长方的，使用 DIP-14 封装，打点的是 1 脚。 1-NC； 7-GND； 8-Output； 14-VCC BTW： 1、电源有两种，一种是 TTL，只能用 5V，一种是 HC 的， 可以 3.3V/5V 2、边沿有一个是尖角，三个圆角，尖角的是一脚，和打点 一致。 Vcc out NC（点） GND
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在 高增益的线性区，一般在 M 欧级，输出端的电阻与负载电容组成网 络，提供 180 度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振 过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的 后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导 致晶振的早期失效，又可以讲 drive level 调整用。用来调整 drive level 和发振余裕度。
精确的分析还可以知道，对频率也会有很小很小的影响。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
总结并联电阻的四大作用：
1、配合 IC 内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性
区；
2、限流防止谐振器被过驱；
3、并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动； 4、电阻取值影响波形的脉宽。
发短消息 加为好友 有源晶振与无源晶振以及无源晶振起振电容的选择 无源晶振（Crystal）：内只有一片按一定轴向切割的石英晶体薄 片，供接入运放（或微处理器的 Xtal 端）以形成振荡。（依靠配合其 他 IC 内部振荡电路工作） 有源晶振（Oscillator）：内带运放，工作在最佳状态，送入电源 后，可直接输出一定频率的等副正弦波。（晶振+振动电路，封装在 一起，加上电源，就有波形输出） 1.无源晶振是有 2 个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才 能产生振荡信号，自身无法振荡起来 无源晶振需要用 DSP 片内的振 荡器，在 datasheet 上有建议的连接方法。无源晶振没有电压的问题， 信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定的，同样的晶振 可以适用于多种电压，可用于多种不同时钟信号电压要求的 DSP， 而且价格通常也较低，因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶 体，这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。无源晶振相对于晶振 而言其缺陷是信号质量较差，通常需要精确匹配外围电路（用于信号
是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个 Q 很高很高的电
感，相当于电感的导线电阻很小很小。Q 一般达到 10^-4 量级。
避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大，一般是几百 K。
串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据
LZ 的晶振为几十 MHZ 一般是在 20~30P 左右，主要用与微调频率
匹配的电容、电感、电阻等），更换不同频率的晶体时周边配置电路 需要做相应的调整。使用时建议采用精度较高的石英晶体，尽可能不 要采用精度低的陶瓷晶体。
2.有源晶振有 4 只引脚，是一个完整的振荡器，里面除了石英晶 体外，还有晶体管和阻容元件 。有源晶振不需要 DSP 的内部振荡器， 信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤 波，通常使用一个电容和电感构成的 PI 型滤波网络，输出端用一个 小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。相对于无源 晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出 电平，灵活性较差，价格相对较高。对于时序要求敏感的应用，还是 有源的晶振好，因为可以选用比较精密的晶振，甚至是高档的温度补 偿晶振。有些 DSP 内部没有起振电路，只能使用有源的晶振，如 TI 的 6000 系列等。有源晶振相比于无源晶体通常体积较大，但现在许 多有源晶振是表贴的，体积和晶体相当，有的甚至比许多晶体还要小。
定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电 容和电感构成的 PI 型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信 号即可），不需要复杂的配置电路。相对于无源晶体，有源晶振的缺 陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差， 而且价格高。
有源晶振是右石英晶体组成的,石英晶片之所以能当为振荡 器使用，是基于它的压电效应：在晶片的两个极上加一电场，会使晶 体产生机械变形；在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振 动，同时机械变形振动又会产生交变电场，虽然这种交变电场的电压 极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶 片的固有频率(由晶片的尺寸和形状决定)相等时，机械振动的幅度将 急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。
有源晶振型号纵多，而且每一种型号的引脚定义都有所不 同，接发也不同,下面我介绍一下有源晶振引脚识别，以方便大家
有个点标记的为 1 脚，按逆时针（管脚向下）分别为 2、3、 4。
有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出， 四脚接电压。
有源晶振不需要 DSP 的内部振荡器，信号质量好，比较稳 定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电 容和电感构成的 PI 型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信 号即可），不需要复杂的配置电路。相对于无源晶体，有源晶振的缺 陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差， 而且价格高。
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怎样选择一款合适的晶体振荡器 发信站: 瀚海星云 (2003 年 11 月 04 日 10:18:05 星期二), 站内 信件 ---- 本文介绍了一些足以表现出一个晶体振荡器性能高低的技 术指标，了解这些指标的含义，将有助于通讯设计工程师顺利完成设 计项目，同时也可以大大减少整机 ---- 总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全 部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。 ---- 说明：总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率 老化率、频率电源电压稳定度和频率负载稳定度共同造成的最大频 差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严 格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。
常见的晶振大多是二只脚，3 脚的晶振是一种集晶振和电容 为一体的复合元件。由于在集成电路振荡端子外围电路中总是以一个 晶振（或其它谐振元件）和两个电容组成回路，为便于简化电路及工 艺，人们便研制生产了这种复合件。其 3 个引脚中，中间的 1 个脚通 常是 2 个电容连接一起的公共端，另外 2 个引脚即为晶振两端，也 是两个电容各自与晶振连接的两端。由此可见，这种复合件可用一个 同频率晶振和两个 100～200pF 的瓷片电容按常规连接后直接予以代 换。
有源晶振是右石英晶体组成的,石英晶片之所以能当为振荡 器使用，是基于它的压电效应：在晶片的两个极上加一电场，会使晶 体产生机械变形；在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振 动，同时机械变形振动又会产生交变电场，虽然这种交变电场的电压 极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶 片的固有频率(由晶片的尺寸和形状决定)相等时，机械振动的幅度将 急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。
和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看 IC 用来反馈的，有的是为过 EMI 的对策
spec 了，有的是
可是转化为 并联等效阻抗后，Re 越小，Rp 就越大，这是有现
成的公式的。晶体的等效 Rp 很大很大。外面并的电阻是并到这个
Rp 上的，于是，降低了 Rp 值 -----＞ 增大了 Re -----＞ 降低了 Q
现在提供一些实际数据： 测试样品为 TOYOCOM 的 711SC 1.000M 的输出频率，1 脚悬空，2 脚接地，3 脚输出，4 叫接+5V； 1.4V 就开始起振，峰值电压 1.64V，但是工作频率会有一定 的偏差；3V 时峰值电压 3.24V，工作频率 1.000M，输出频率准确； 5V 时峰值电压为 5.6V，工作频率 1.000M，输出频率准确 关于晶振的匹配电容问题 晶振还是晶体？ 晶振的话好像不用电容吧？ 晶体的话 0.1u 和 0.01u 的电容有些大了， 一般应该 100p 到 20p 之间 nod 晶振的标称值在测试时有一个“负载电容”的条件，在工作时满 足这个条件，振荡频率才与标称值一致。一般来讲，有低负载电容（串 联谐振晶体） 高负载电容（并联谐振晶体）之分。在电路上的特征为：晶振串 一只电容跨接在 IC 两只脚上的，则为串联谐振型；一只脚接 IC，一 只脚接地的，则为并联型。如确实没有原型号，需要代用的可采取串 联谐振型电路上的电容再并一个电容，并联谐振电路上串一只电容的 措施。例如：4.433MHz 晶振,并一只 3300PF 电容或串一只 70P 的微 调电容。另一种说法是“损耗值”与“激励电平”之说： 其实，上述原因都可以作为选择晶振的条件作为考虑。