洁净室温湿度如何控制
车间温湿度控制解决方案
车间温湿度控制解决方案
车间温湿度控制解决方案如下：
1.安装空调：根据车间面积、净化车间等级、生产线的一些有关工业设备规
格，可根据需求订制，可有效减少净化车间环境湿度。
2.安装加湿器或除湿机：车间温度要求是20℃左右，对控制精度没要求，所
以可以用普通空调控制。
而湿度要求50-60%RH左右为好，必须用加湿器或除湿机来进行调控。
3.安装新风系统：家用新风系统去湿能力不够，减少冷冻机组设定环境温度
会更好。
可能效果不明显，提议减少家用新风系统。
4.提升洁净车间除湿柴油发电机，提升排风量。
5.安装高效正压送风口：必须拆下来喷球板，拆下来高效正压送风口，按原
形规格型号拆买新的高效空气过滤网。
控制洁净室的温湿度原因
控制洁净室的温湿度原因洁净车间应用于很多行业：制药、生物、电池、半导体等等；为了保证洁净车间的温湿度，我们常常需要有很大的资金投入，但是为什么值得花费这么多钱用在无尘车间、洁净室中控制相对湿度呢？下面我们列举一些洁净室温湿度会造成的影响。
一、细菌生长细菌和其他生物污染（霉菌，病毒，真菌，螨虫）在相对湿度超过60%的环境中可以活跃地繁殖。
一些菌群在相对湿度超过30%时就可以增长。
在相对湿度处于40%至60%的范围之间时，可以使细菌的影响以及呼吸道感染降至最低。
二、人体舒适度工作人员感到室温舒适的范围;相对湿度在40%至60%的范围同样也是人类感觉舒适的适度范围。
湿度过高会使人觉得气闷，而湿度低于30%则会让人感觉干燥，皮肤破裂，呼吸道不适以及情感上的不快。
三、静电负荷高湿度实际上减小了洁净室表面的静电荷积累──这是人们希望的结果。
较低的湿度比较适合电荷的积累并成为潜在的具有破坏性的静电释放源。
当相对湿度超过50%时，静电荷开始迅速消散，但是当相对湿度小于30%时，它们可以在绝缘体或者未接地的表面上持续存在很长一段时间。
相对湿度在35%到40%之间可以作为一个令人满意的折中，半导体洁净室一般都使用额外的控制装置以限制静电荷的积累。
四、金属腐蚀很多化学反应的速度，包括腐蚀过程，将随着相对湿度的增高而加快。
所有暴露在洁净室周围空气中的表面都很快地被覆盖上至少一层单分子层的水。
当这些表面是由可以与水反应的薄金属涂层组成时，高湿度可以使反应加速。
幸运的是，一些金属，例如铝，可以与水形成一层保护型的氧化物，并阻止进一步的氧化反应；但另一种情况是，例如氧化铜，是不具有保护能力的，因此，在高湿度的环境中，铜制表面更容易受到腐蚀。
五、水汽冷凝在相对湿度环境中，浓缩水形的毛细管力在颗粒和表面之间形成了链接键，可以增加颗粒与硅质表面的粘附力。
这种效应--开尔文浓缩--当相对湿度小于50%时并不重要，但当相对湿度在70%左右时，就成为颗粒之间的主要力量。
洁净区环境(温湿度、压差、照度、风速、悬浮粒子)监控标准操作规程
洁净区环境（温湿度、压差、照度、风速、悬浮粒子）监控操作规程1、目的:建立一个洁净区环境（温湿度、压差、照度、风速、悬浮粒子）监控的操作规程,规范压差、温湿度、照度、悬浮粒子操作，确测试结果的准确性。
2、范围:适用于我公司洁净区环境（温湿度、压差、照度、风速、悬浮粒子）监控的的操作。
3、责任:质量部、生产设备部、注射剂车间QA监控员、固体制剂车间QA监控员对此规程的实施负责。
4、内容:4.1、洁净室内温湿度的监控：4.1.2、监测标准：洁净室(区)的温度和湿度应与其生产及工艺要求相适应(温度控制在 18℃～26℃,相对湿度控制在45%～65％)。
4.1.4、QA监控员每批生产前、生产中两次随机观察操作间内的温湿度计，符合标准要求，并做好记录。
4.2、压差：4.2.1、监测标准：空气洁净度不同的洁净室(区)之间的压差应≥10Pa,空气洁净度要求高的洁净室(区)对相邻的空气洁净度级别低的洁净室(区)一般要求呈相对正压。
产尘间保持相对负压。
4.2.2、QA监控员每批生产前、生产中两次随机观察操作间内的压差计，应符合标准要求，并做好记录。
4.3、洁净室照度：4.3.1、监测标准：主要工作室的照度应达到300LX，辅助室及走廊照度应大于150LX。
对照度有特殊要求的生产部位看设置局部照明。
主要工作室，一般照明的照度均匀度不应小于0.7。
4.3.2、测试仪器：照度仪。
4.3.3、QA监控员每季度用照度仪按照“照度仪标准操作规程”对操作间内的照明灯进行监测，应符合标准要求，并做好记录。
4.4、风速：4.4.1、监测标准：A级单向流风速≥0.36m/s～0.54m/s。
4.4.2、测试仪器：风速仪。
4.4.3、QA监控员每半年用风速仪按照“风速仪标准操作规程”对操作面的风速进行监测，应符合标准要求，并做好记录。
4.5、悬浮粒子的监测：4.5.1、测试仪器：尘埃粒子计数仪。
4.5.2、操作步骤：4.5.2.1、仪器开机接通电源，预热至稳定后，将采样管接入仪器自净口，仪器开始自净至悬浮粒子数为零。
医院洁净手术室空调湿度控制方案
医院洁净手术室空调湿度控制方案00医院洁净手术室空调系统在除湿方面普遍存在一些问题，尤其是在过渡季节。
针对这些问题提出一种将制冷、除湿分开独立控制的手术室空调系统。
通过分析比较，这一新型空调系统能有效地控制手术室空调的送风工况，降低设备成本和运行费用，节能效果显著。
1引言医院洁净手术室空调系统控制室内温度、相对湿度、尘、菌及有害气体浓度，并提供室内人员所需的新风量，维持室内外合理的气流分布，其中对相对湿度的控制在手术室空调系统中显得特别重要。
如果在一手术室里相对湿度降不下来，那么在这个相对湿度较高的手术室里，不仅会促使人体发菌量增加，还为细菌的繁殖、生存提供营养源。
那么在手术过程中手术伤口就容易受到感染。
在过渡季节相对湿度的问题尤其突出，而我国南方沿海地区大部分城市高湿度季节的时间很长，就更加不能不考虑洁净手术室内的相对湿度有效控制问题了。
2国内手术室常见的空调除湿方案及其存在的问题一般手术室室内要求温度为22~25℃，相对湿度为40%~60%，有些特殊的手术类型要求的相对湿度可能更低些。
目前国内在手术室空调湿度控制这方面的普遍做法是(以下简称传统方案):新回风混合后先经过表冷器降温除湿，此时的相对湿度一般为90%左右，远达不到手术室的湿度要求，然后再经过电热管再热空气，通过这个等湿升温过程来降低相对湿度。
这一做法湿度是达到要求了，但它不可避免地出现了如下几个问题:2.1初投资增加:由于考虑到电加热会抵消一部分机组的冷量，所以空调机组设计选型时必须要考虑预留足够的制冷性能余量，造成设备初投资增加。
例如:某医院手术室冷负荷为16kW，但该空调系统需匹配约6kW的电加热才能满足相对湿度的要求，那么选型的空调机组的制冷量就要22kW。
2.2能耗增加:当手术室内湿负荷较大时，要开启电加热，造成冷热量相互抵消，能耗增加。
2.3设备使用率降低:当手术室内湿负荷较小，不需要开启电加热来控制相对湿度时，由于设计时按最不利工况考虑设备，而此时实际负荷很小，设备使用率就降低了。
实验室温湿度控制(一)2024
实验室温湿度控制（一）引言概述：
实验室温湿度控制是实验室环境监测和管理的重要方面之一。
通过合理的温湿度控制，可以提高实验数据的准确性和稳定性，保护实验设备和样品的完整性，同时提供良好的工作环境和舒适度。
本文将介绍实验室温湿度控制的五个大点，包括温湿度监测设备、温湿度控制方法、空调系统的设计和优化、防潮措施以及实验室温湿度管理的重要性。
正文：
大点1：温湿度监测设备
- 温湿度计的种类和选择
- 温湿度传感器的工作原理和特点
- 温湿度数据的监测和记录方法
- 温湿度监测设备的校准和维护
大点2：温湿度控制方法
- 开放式和封闭式温湿度控制的区别
- 温湿度控制器的原理和功能
- 温湿度控制参数的设定和调整
- 温湿度控制曲线的优化
大点3：空调系统的设计和优化
- 空调系统的选型和布置
- 空调系统的工作原理和功能
- 温湿度控制与能源消耗的平衡
- 空调系统的排风和补风管理
大点4：防潮措施
- 防潮材料和设备的选择
- 实验室内部防潮措施的优化
- 密封性和通风性的平衡
- 防潮材料的维护和更换
大点5：实验室温湿度管理的重要性
- 温湿度管理对实验数据准确性的影响
- 温湿度管理对实验设备和样品的保护作用
- 温湿度管理对实验室工作环境和舒适度的影响
- 温湿度管理对实验室安全和可持续发展的意义
总结：
实验室温湿度控制是保障实验室环境质量的重要环节。
通过合理的温湿度监测设备、温湿度控制方法、空调系统的设计与优化、防潮措施以及温湿度管理的重要性的认识，可为实验室提供稳定的温湿度环境，促进实验数据的准确性和可靠性，提高实验效率和安全性。
洁净厂房温湿度控制逻辑
洁净厂房温湿度控制逻辑
洁净厂房的温湿度控制逻辑是非常重要的，因为这直接影响到
生产环境的质量和稳定性。
温湿度控制的逻辑通常包括以下几个方面：
1. 传感器监测，首先，洁净厂房会安装温度和湿度传感器，用
于实时监测环境的温湿度情况。
这些传感器会不断地向控制系统反
馈数据，以便及时调整。
2. 控制系统，洁净厂房通常会配备自动化的控制系统，根据传
感器反馈的数据，系统会自动调节空调、加湿器、除湿器等设备，
以维持在设定的温湿度范围内。
3. 设定阈值，在控制系统中设定温湿度的阈值，一旦监测到环
境温湿度超出设定范围，控制系统就会自动启动相应的调节设备，
以使温湿度恢复到合适的范围内。
4. 紧急措施，除了自动调节外，控制系统还应该设有紧急措施，当温湿度出现严重波动或超出安全范围时，系统能够自动发出警报
并采取相应的紧急措施，以防止对生产造成影响。
5. 数据记录与分析，控制系统还应该具备数据记录和分析功能，能够记录历史温湿度数据，并对数据进行分析，以便未来优化控制
策略和预测可能出现的问题。
综上所述，洁净厂房的温湿度控制逻辑是一个复杂的系统工程，需要结合传感器监测、自动化控制、设定阈值、紧急措施和数据记
录与分析等多个方面来保证生产环境的稳定和质量。
洁净区每个房间的温湿度都需要记录吗
洁净区每个房间的温湿度都需要记录吗近日，一位网友@伊索在路上，在公开帖子上发表了疑问：洁净区每个房间温湿度一定要记吗？这位网友表示，以前制药都没有这个要求的，只对工艺需要控制的房间要记录，现在换做医疗器械，每个房间都记，更衣间，缓冲间，个人觉得没必要啊？领导说医疗器械法规要求的，真的有必要必须记吗？根据《无菌医疗器械生产质量管理规范检查要点指南(2016版)》，企业应明确洁净环境内的温湿度要求、监测频次和记录的要求。
无特殊规定的，洁净室内的温度应控制在18℃～28℃，相对湿度应控制在45%～65%，干燥间湿度一般应小于30%，并按班次监测。
如有特殊要求的，温湿度应与产品及生产工艺相适应，温湿度监测装置应处于正常的工作状态，且具有检定标识。
监测点应包括洁净室内每个房间，并易于观测；空气净化送回风系统应有温湿度控制设施。
这是否也意味着，每个房间都需要有温湿度计进行记录呢?@pipi881214：需要记，如果是洁净区就是要记，因为洁净区有温湿度要求，不论是否是关键房间，每个房间都要符合规范。
对于是否每个房间都需要温湿度度计问题，该网友认为，关键房间要有，其他房间可以用移动温度计测。
而网友@hongwei2000表示了不同的观点：跟工艺相关的要有，跟储存相关的看你的产品保护情况，必要时要有，不相关的不需要。
@wch19821228：涉及物料暂存看物料要求，涉及工艺看工艺要求，涉及设备或仪器看仪器和设备要求，这些都没有那就找个点监控洁净区环境温湿度即可(当然这个点你得评估一下，比如某个墙面隔壁房间有发热、制冷或产气的设施)。
而另一位网友也表达了同上类似的看法。
网友@jaysun表示，没有必要全记。
该看法得到不少网友的赞同，其原因是关键控制，全部都记录时间成本太大。
问这个问题你先去理解下为什么有温湿度要求，再谈要不要，一般就这么几个：工艺过程需求，原物料储存条件规定，设备运行环境条件限制，监视测量设备环境条件显示，穿全封闭洁净服的人员舒适度。
洁净室温湿度如何控制
如何对洁净室温湿度进行控制高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势.净化工程具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细,所以对温度波动范围的要求越来越小。
例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。
直径100 um的硅片,温度上升1度，就引起了0。
24um线性膨胀,所以必须有±0。
1度的恒温，同时要求湿度值一般较低,因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间不宜超过25度。
湿度过高产生的问题更多.相对湿度超过55％时，冷却水管壁上会结露,如果发生在精密装置或电路中,就会引起各种事故。
相对湿度在50％时易生锈。
此外,湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。
相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时,又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面,同时大量半导体器件容易发生击穿。
对于硅片生产最佳温度范围为35—45%。
洁净室中的气压规定对于大部分洁净空间,为了防止外界污染侵入，需要保持内部的压力(静压）高于外部的压力（静压）。
压力差的维持一般应符合以下原则：1．洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。
2。
洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力.3.相通洁净室之间的门要开向洁净度级别高的房间。
压力差的维持依靠新风量，这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。
所以压力差的物理意义就是漏泄(或渗透）风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。
洁净室中的气流速度规定这里要讨论的气流速度是指洁净室内的气流速度,在其他洁净空间中的气流速度在讨论具体设备时再说明.对于乱流洁净室由于主主要靠空气的稀释作用来减轻室内污染的程度，所以主要用换气次数这一概念，而不直接用速度的概念，不过对室内气流速度也有如下要求;（1）送风口出口气流速度不宜太大，和单纯空调房间相比，要求速度衰减更快，扩散角度更大.（2）吹过水平面的气流速度（例如侧送时回流速度）不宜太大，以免吹起表面微粒重返气流,而造成再污染,这一速度一般不宜大干0.2m/s。
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如何对洁净室温湿度进行控制
洁净室的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。
随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。
净化工程具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。
例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。
直径100 um的硅片，温度
洁净室的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。
随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。
净化工程具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。
例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。
直径100 um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间不宜超过25度。
湿度过高产生的问题更多。
相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。
相对湿度在50%时易生锈。
此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。
相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。
对于硅片生产最佳温度范围为35—45%。
洁净室中的气压规定
对于大部分洁净空间，为了防止外界污染侵入，需要保持内部的压力（静压）高于外部的压力（静压）。
压力差的维持一般应符合以下原则：
1．洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。
2.洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力。
3.相通洁净室之间的门要开向洁净度级别高的房间。
压力差的维持依靠新风量，这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。
所以压力差的物理意义就是漏泄（或渗透）风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。
洁净室中的气流速度规定
这里要讨论的气流速度是指洁净室内的气流速度，在其他洁净空间中的气流速度在讨论具体设备时再说明。
对于乱流洁净室由于主主要靠空气的稀释作用来减轻室内污染的程度，所以主要用换气次数这一概念，而不直接用速度的概念，不过对室内气流速度也有如下要求；
(1)送风口出口气流速度不宜太大，和单纯空调房间相比，要求速度衰减更快，扩散角度更大。
(2)吹过水平面的气流速度（例如侧送时回流速度）不宜太大，以免吹起表面微粒重返气流，而造成再污染，这一速度一般不宜大干0.2m/s。
对于平行流洁净室《习惯上称层流洁净室），由于主要靠气流的“活塞打挤压作用排除行染，所以截面上的速度就是非常重要的指标。
过去都参考美国20gB标准，采用0.45m/s．但人们也都了解到这样大速度所需要的通风量是极大的，为了节能，也都在探求降低速一风速的可行性。
在我国，《空气洁净技术措施》和<洁净厂房设计规范））都是这样规定的
垂直平行流（层流）洁净室≥0.25m/s
水平平行流（层流）洁净室≥0.35 m/s
研究表明以上规定基本上满足控制污染的要求，但认为应区别不同情况分出不同的档别，更能体现节能的目的。