三极管-原材料规格书模板
供应商L O G O
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原材料规格书
原材料名称描述
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物料代码
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XXXX-XX-XX发布
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签章位置
1.产品简介(例如产品功能描述和应用范围,产品执行标准)
2. 产品的命名规则和标志说明
极限参数
4. 封装/引脚/内部电路图
5. 特征曲线图
6.结构尺寸图(工程图面, 封装尺寸)
7.可靠性试验项目(例如试验项目,试验条件,判定标准,如有必要可说明试验组别)
8.主要组成材料(要求有表面镀层处理的元器件除说明其本体组成材料外还需说明其表面镀层成份:例如元器
9. 中国RoHS执行情况
11. 使用注意事项
11.1 防静电事项
11.2 潮湿事项
11.3 焊接注意事项
11.4 装备注意事项
等等
12 在正常情况下产品上机不良率
13 备注声明该规格书/产品主要适用于何种应用范围;所列内容如有对我司不适用的条款需列出说明;。
原材料规格书通用模板
110
2.11
3 12
1.适用范围:本规格说明书描述了----xx公司---生产的产品性能指标
2.Model:型号：
3.Specification
产品规格
NO.
Items
Sp
cifications
1
尺寸
2
材质
3
工作温度
4
储存温度
5
重量
6
7
8
9
10
11
12
4.Battery PACK Performance Criteria
产品规格
4.BatteryPACKPerformance Criteria 4-5
产品性能检查及测试
5.Storage and Others5
贮存及其它事项
6. Protection Circuit Characteristics6
产品电路特性
7.平面尺寸图7-8
8.印刷式样图9
Handling Precautions and Guideline9
产品操作指示及注意事项
备注：1.此规格书模板主要针对不能提供规格书的公司
2.如果是电子类产品也可以提供供应商内部的模块，但必须包含规格书、图纸、样品、出货检测报告
3.结构件（含包装材料）：需包含规格书、平面尺寸图、印刷式样图、产品装箱图等、样品、出货检测报告
Specification Approval Sheet(PACK)
产品规格确认书
产品名称：
规格描述:.
客户料号：
Signature签名
Date日期
Prepared编制
Checked审核
Approved批准
AOSHB,A0SHB三极管规格书
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01 10 -4
Single Pulse
10 -3
10 -2
10 -1
PDM
t1 t2
1. RthJA (t)=r (t) * RthJA 2. RthJA=See Datasheet 3. TJM - TA = PDM * RthJA (t) 4. Duty Cycle, D = t1/t2
VDSS
ID
RDS(on) (m-ohm) Max
5.4
30 @ VGS= 4.5V
20V
4.3
46 @ VGS= 2.5V
FEATURES
●Super high dense cell trench design for low RDS(on). ●Rugged and reliable. ●Surface Mount package.
2
1.75
VGS= 4.5V ID= 5.4A
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Tj , Junction Temperature (°C)
Figure 4. On-Resistance Variation with Temperature
Drain-Source Diode Forward Current a
Maximum Power Dissipationa
TA=25°C TA=75°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
2N3906三极管规格书
T =100℃ a
-3
T =25℃ a
-1
-0.3
-0.1
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
BASE-EMITTER VOLTAGE V (V) BE
1000
f T
——
I
C
COMMON EMITTER V =-20V
CE
T =25℃ a
300
100
-1
-3
-10
-30
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE T (℃) a
B,Mar,2012
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
C / C —— V / V
ob ib
CB EB
β=10
-100
-200
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25℃ a
Cib Cob
1 -0.1
750 625 500 375 250 125
0 0
-0.3
-1
-3
-10
-20
REVERSE BIAS VOLTAGE V (V)
P —— T
C
a
25
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
C
CAPACITANCE C (pF)
BASE-EMMITTER SATURATION
三极管规格书
三极管规格书摘要：1.三极管概述2.三极管的分类3.三极管的主要参数4.三极管的结构和工作原理5.三极管的应用领域正文：一、三极管概述三极管，又称双极型晶体管（BJT），是一种常见的半导体器件。
它具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子电路中。
根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和PNP 型。
二、三极管的分类1.按照结构分类，三极管可以分为三极管晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
2.按照材料分类，三极管可以分为硅晶体管和锗晶体管。
3.按照电流放大系数分类，三极管可以分为NPN 型和PNP 型。
三、三极管的主要参数1.电流放大系数：三极管的电流放大系数是指在输入端施加微小信号时，输出端电流与输入端电流之比。
2.截止区：三极管的截止区是指当输入端电流为零时，输出端电流也等于零的区域。
3.放大区：三极管的放大区是指当输入端施加正向电压时，输出端电流正向增大的区域。
4.饱和区：三极管的饱和区是指当输入端施加足够大的正向电压时，输出端电流不再随输入端电压增大而增大的区域。
四、三极管的结构和工作原理三极管主要由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
发射区和集电区由P 型半导体制成，基区由N 型半导体制成。
当在发射区施加正向电压时，电子和空穴分别从发射区和基区注入，形成电流。
这个电流经过基区后，再流入集电区，从而实现信号的放大。
五、三极管的应用领域1.信号放大：三极管在信号放大器中具有广泛应用，可以实现微小信号的放大。
2.开关控制：由于三极管具有高速开关特性，所以在脉冲电路、振荡器和开关电源等领域具有重要应用。
3.振荡和脉冲发生：三极管可以用于制作振荡器和脉冲发生器，实现特定频率的信号产生。
三极管规格书
三极管规格书
（最新版）
目录
1.三极管简介
2.三极管的结构
3.三极管的种类
4.三极管的参数
5.三极管的应用
正文
【三极管简介】
三极管，又称晶体管，是一种常用的半导体器件。
它可以用来放大电信号、开关电路以及作为振荡器的元件等。
由于其具有很高的输入阻抗和较低的输出阻抗，因此被广泛应用于电路设计中。
【三极管的结构】
三极管主要由三个区域组成，分别是：发射区、基区和集电区。
发射区和集电区由 n 型半导体材料制成，而基区则由 p 型半导体材料制成。
这种结构使得三极管具有单向导通的特性。
【三极管的种类】
根据材料和结构不同，三极管可以分为两类：NPN 型和 PNP 型。
NPN 型三极管的结构是“N-P-N”，而 PNP 型三极管的结构是“P-N-P”。
这两种类型的三极管具有相同的工作原理，但在电路中的接线方式有所不同。
【三极管的参数】
三极管的主要参数有：电流放大系数、截止电流、饱和电流、发射极电阻等。
电流放大系数是衡量三极管放大能力的重要指标，它表示集电极
电流与基极电流的比值。
截止电流是指三极管在截止状态下的电流值。
饱和电流是指当基极电流增加到一定程度时，集电极电流不再继续增加的电流值。
发射极电阻是指发射极与基极之间的电阻值。
【三极管的应用】
三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，例如：放大器、振荡器、稳压器、脉冲发生器等。
同时，三极管也是构成其他复杂半导体器件的基础，如场效应管、双极性晶体管等。
总之，三极管作为一种重要的半导体器件，在电子技术领域具有广泛的应用。
三极管规格书
三极管规格书
三极管（Transistor）规格书通常包含以下内容：
1. 器件型号：规定三极管的型号，例如2N3904、BC547等。
2. 电气参数：包括最大额定电流、最大额定功率、最大电压、最大频率等。
3. 特性参数：包括集电极饱和电压（Vce sat）、输出导通电阻（Rce）、集电极漏电流（Icbo）等。
4. 封装形式：规定三极管的封装形式，例如TO-92、SOT-23等。
5. 引脚排列：列出三极管的引脚排列图，包括基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。
6. 使用范围：规定三极管的应用场合和使用条件，例如温度范围、湿度要求等。
7. 典型应用电路：给出一个或多个典型的电路示例，展示三极管在实际电子电路中的应用。
8. 标准符号：给出三极管在电路图中的标准符号。
这些内容可以帮助用户了解、选择和使用三极管，并确保其在电子设备中能够正常工作。
三极管规格书
三极管规格书
摘要：
一、三极管的基本概念与分类
二、三极管的主要参数与性能指标
三、三极管的应用领域
四、选择合适的三极管的技巧
五、三极管的采购与储存建议
正文：
一、三极管的基本概念与分类
三极管（Transistor）是一种常用的半导体器件，具有放大和开关等功能。
根据制造工艺和结构的不同，三极管可以分为NPN型、PNP型和双极型等几种类型。
其中，NPN型和PNP型三极管最为常见。
二、三极管的主要参数与性能指标
1.电流放大系数（β）：衡量三极管电流放大的能力。
2.输入电阻（Rin）：三极管输入端的等效电阻，影响信号传输效果。
3.输出电阻（Rout）：三极管输出端的等效电阻，影响负载驱动能力。
4.工作电压（Vceo）：三极管正常工作时的发射极与集电极之间的电压。
5.耗散功率（Pd）：三极管允许的最大功率消耗。
三、三极管的应用领域
三极管广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路，如音频放大器、无线通信设备、计算机硬件等。
四、选择合适的三极管的技巧
1.根据电路需求选择合适的类型（NPN、PNP等）。
2.确定电流放大系数（β）和工作电压（Vceo）等参数。
3.考虑输出电阻（Rout）和输入电阻（Rin）对电路性能的影响。
4.注意耗散功率（Pd）与散热设计的关系。
五、三极管的采购与储存建议
1.从正规渠道购买，确保产品质量和售后服务。
2.了解供应商的库存情况和交货期。
3.按照实际需求合理选购数量，避免过多库存。
4.储存时注意防潮、防震、避免高温，确保器件性能稳定。
PNP三极管S8550规格书
400
-0.6 V -1.2 V
150
MHz
J 300-400
C,Mar,2013
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -0
-0
-1200
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
CE
-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
C ib
C ob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ć a
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
pnp三极管s8550规格书 collectorsot-23 plastic-encapsulate transistors s8550 transistor (pnp) features collectorcurrent: =0.5amarking 2tymaximum ratings (ta=25 unless otherwise noted) symbol parameter value unit cbocollector-base voltage -40 ceocollector-emitter voltage -25 eboemitter-base voltage -5 collectorcurrent -continuous -0.5 collectorpower dissipation 0.3 junctiontemperature 150 stgstorage temperature -55-150 electricalcharacteristics (ta=25 unless otherwise specified) parameter symbol test conditions min max unit collector-base breakdown voltage collector-emitterbreakdown voltage emitter-basebreakdown voltage collectorcut-off current collectorcut-off current emittercut-off current -50ma120 400 dc current gain -500ma50 collector-emitter saturation voltage ce(sat) -50ma-0.6 base-emittersaturation voltage -50ma-1.2 transitionfrequency -20maf=30mhz 150 mhz classification range120-200 200-350 300-400 c,mar,2013 -0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -0 -300 -600 -900 -1200 -1 -10 -100 -1 -10 -100 10 100 -0.1 -1 -10 2550 75 100
2SC2983三极管规格书
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDTO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors2SC2983 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z High Transition FrequencyMAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO I C =1mA,I E =0 160 V Collector-emitter breakdown voltageV (BR)CEO * I C =10mA,I B =0 160 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO I E =1mA,I C =0 5 V Collector cut-off currentI CBO V CB =160V,I E =0 1 μA Emitter cut-off currentI EBO V EB =5V,I C =0 1 μA DC current gainh FE V CE =5V, I C =100mA 70 240 Collector-emitter saturation voltageV CE(sat) I C =500mA,I B =50mA 1.5 V Base-emitter voltageV BE V CE =5V, I C =500mA 1 VCollector output capacitanceC ob V CB =10V,I E =0, f=1MHz 25 pF Transition frequencyf T V CE =10V,I C =100mA, 100 MHz *Pulse testCLASSIFICATION OF h FERANK OY RANGE 70-140 120-240Symbol Parameter Value Unit V CBOCollector-Base Voltage 160 V V CEOCollector-Emitter Voltage 160 V V EBOEmitter-Base Voltage 5 V I CCollector Current 1.5 A P CCollector Power Dissipation 1 W R θJAThermal Resistance From Junction To Ambient 125 ℃/W T jJunction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ B,Aug,2012【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】20040060080010000.11101101001000050100150200B A S E -E M I T T E R S A T U R A T I O NVOL TAG EV BE sa t(m V )AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃ 2SC2983Typical Characteristics I h —— REVERSE VOLTAGE V (V)CA P A C I T AN C E C (pF )CO L L E C T O R C U R R E N T I C(m A )Static Characteristic C O L L E C T O R C U R R E N T I C(m A )B,Aug,2012 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】Inner Box: 340 mm×336mm×29mm Outer Box: 353 mm× 346mm× 365mmLabel on the Reel Label on the Inner BoxLabel on the Outer BoxQA LabelSeal the boxwith the tapeStamp “EMPTY” on the empty boxLabel on the Inner Box Label on the Outer BoxQA LabelSeal the box with the tape Stamp “EMPTY” on the empty box Blue nail White nail Bubble paperOuter Box: 594 mm × 292mm × 185mm Inner Box: 577 mm ×162mm ×53mmLabel on the Inner Box Label on the Outer Box QA LabelSeal the box with the tape Stamp “EMPTY” on the empty box Blue nail White nailOuter Box: 585 mm × 385mm × 220mm Inner Box: 560 mm ×１７８mm ×３５mm。
78L05三极管规格书
＊ 三－端稳压器
三端正电压稳压器
＊ 输出电流可达到１００ｍＡ
＊ 无需外接元件 ＊ 内部热过载保护
＊ 内部短路电流限制
输出
＊ 直接可以替代仙童公司 ｕＡ７８Ｌ０５
公共端 输入
TO-92
78L05ACZ
描述
输入 公共端 输出
７８Ｌ０５是一种固定电压（５Ｖ）三端集成稳压器，其适 用于很多应用场合．象牵涉到单点稳压场合需要限制噪 声和解决分布问题的在－卡调节．此外它们还可以和其 它功率转移器件一起构成大电流的稳压电源，如可驱动 输出电流高达１００毫安的稳压器． 其卓越的内部电流限制和热关断特性使之特别适 用于过载的情况．当用于替代传统的齐纳二极管－电阻 组的时候，其输出阻抗得到有效的改善，其偏置电流大 大减少
公共端
２
３
推荐工作条件
参数
输入电压 输出电流 工作温度范围
应用须知
输入
Cin* 0.33µF
公共端
不接
公共端
４
５
不接
符号
Ｖｉ
数值
７ 至 ２０
单位
SO-8
78L05ACM
Ｉｏ Ｔｊ
１００ ０ 至 ７０
Ｖ ｍＡ ℃
封装形式及采购编号
７８Ｌ０５
输出
CO** ０．０１ｕＦ
＊ 如果稳压器离电源滤波器有一段距离，Ｃｉｎ是必需的 ＊＊ Ｃｏ对稳定性而言是可有可无的，但的确能够改善瞬态响应
最大额定值 （在全部工作温度范围内，除非另有说明）
输出 公共端 输入
参数
最大输入电压
符号
数值
单位
Ｖ ℃
SOT-89
78L05CPK
Ｖｉ