三极管不同材料的门限电压
半导体三极管的极限参数介绍
半导体三极管的极限参数介绍
半导体三极管的极限参数介绍
各种电子元器件都有一个使用极限值要求，对于半导体三极管来讲，它的主要极限参数有以下几个。
(1)集电极最大允许电流ICM
半导体三极管允许通过的最大电流即为ICM。
当集电极电流IC增大到一定程度时，β值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。
因此，规定尸值下降到额定值的2/3时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。
(2)集电极最大允许耗散功率PCM
集电极耗散功率实际上是集电极电流IC和集电极电压UCE的乘积。
在使用三极管时，实际功耗不允许超过PcM，还应留有较大的余量。
耗散功率会引起三极管发热，使结温升高。
如果集电极的耗散功率过大，将会使集电结的温度超过允许值而被烧坏。
为了提高PCM的数值，大功率三极管都要求加装散热片，此时手册中给出的大功率三极管的PCM是指带有散热片时的数值。
(3)集电极一发射极反向击穿电压BVceo(Vceo)
BVceo是指三极管基极开路时，加在集电极C和发射极E之间的最大允许电压。
使用不当时，则会导致三极管击穿而损坏。
(4)集电极一基极反向击穿电压BVcbo(Vcbo)
BVcbo是指三极管发射极开路时，集电结的反向最大电压。
使用时，集电极与基极间的反向电压不允许超过此值的规定。
(5)发射极一基极反向击穿电压BVebo(Vebo)
BVebo是指三极管集电极开路时，发射结的反向最大电压。
使用时，发射结承受的反向电压不应超过此值的规定。
三极管参数说明
三极管参数说明VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。
VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。
VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。
VDSO, 漏源击穿电压。
ICM,集电极最大允许电流。
IDSM,最大漏源电流。
PCM,集电极最大耗散功率。
PDM,漏极最大耗散功率。
IC,集电极电流。
ID,漏极电流。
hFE,共发射极静态放大倍数。
gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。
fT,特征频率。
td,延迟时间。
tf,下降时间。
一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
500个常用三极管场效应管主要参数资料
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。
三极管的参数解释
三极管的参数解释三极管的参数解释△λ---光谱半宽度△VF---正向压降差△Vz---稳压范围电压增量av---电压温度系数a---温度系数BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路，CE结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压Cib---共基极输入电容Cic---集电结势垒电容Cieo---共发射极开路输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cie---共发射极输入电容Cjo/Cjn---结电容变化Cjo---零偏压结电容Cjv---偏压结电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容CL---负载电容（外电路参数）Cn---中和电容（外电路参数）Cob---共基极输出电容。
在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Coe---共发射极输出电容Co---零偏压电容Co---输出电容Cp---并联电容（外电路参数）Cre---共发射极反馈电容Cs---管壳电容或封装电容CTC---电容温度系数CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Ct---总电容Cvn---标称电容di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率D---占空比ESB---二次击穿能量fmax---最高振荡频率。
当三极管功率增益等于1时的工作频率fT---特征频率f---频率h RE---共发射极静态电压反馈系数hFE---共发射极静态电流放大系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hie---共发射极小信号短路输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导hoe---共发射极小信号开路输出导纳hre---共发射极小信号开路电压反馈系数IAGC---正向自动控制电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值IB---基极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE 为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICMP---集电极最大允许脉冲电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
常用三极管数据
常用三极管数据三极管是一种常见的电子器件，广泛应用于放大、开关等电路中。
本文将详细介绍常用三极管的数据，包括参数、特性和应用等方面。
1. 参数常用三极管的参数可以分为静态参数和动态参数两类。
1.1 静态参数1.1.1 最大耐压（VCEO）：指三极管的集电极与发射极之间最大可承受的电压。
通常以伏特（V）为单位来表示。
例如，常见的NPN型三极管BC547的VCEO为45V。
1.1.2 最大集电电流（IC）：指三极管的集电极最大可承受的电流。
一般以安培（A）为单位。
例如，BC547的IC为100mA。
1.1.3 最大功耗（P）：指三极管在工作时所能承受的最大功率。
通常以瓦特（W）为单位。
例如，BC547的最大功耗为500mW。
1.2 动态参数1.2.1 增益（hFE）：指三极管的放大倍数，也称为β值。
它表示三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
例如，BC547的hFE为200。
1.2.2 饱和电压（VCEsat）：指三极管在饱和状态下，集电极与发射极之间的电压。
一般以伏特（V）为单位。
例如，BC547的VCEsat为0.7V。
2. 特性2.1 极性三极管有NPN型和PNP型两种极性。
在NPN型三极管中，发射极为N型材料，基极为P型材料，集电极为N型材料。
而在PNP型三极管中，发射极为P型材料，基极为N型材料，集电极为P型材料。
2.2 工作模式三极管一般有放大模式和开关模式两种工作模式。
在放大模式下，三极管被用作信号放大器，其输入信号较小，输出信号经过放大后得到。
在开关模式下，三极管被用作开关，其输入信号控制输出信号的开关状态。
2.3 频率响应三极管的频率响应是指三极管在不同频率下的放大能力。
一般来说，三极管的频率响应范围在几十赫兹到几百兆赫兹之间。
3. 应用三极管在电子电路中有广泛的应用。
3.1 放大器三极管可以用作放大器，将输入信号放大到所需的幅度。
例如，音频放大器中常使用三极管来放大音频信号，使其能够驱动扬声器。
常用三极管数据
常用三极管数据三极管是一种常见的电子元件，用于放大和开关电路。
根据您的要求，我将为您提供三极管的常用数据，以及相关的标准格式文本。
1. 三极管型号：BC547- 极性：NPN- 封装类型：TO-92- 最大集电极电流：100mA- 最大集电极-基极电压：45V- 最大功耗：500mW- 最大集电极-发射极电压：6V- 最大集电极电流增益：200-800- 工作温度范围：-55°C至+150°C2. 三极管型号：2N3904- 极性：NPN- 封装类型：TO-92- 最大集电极电流：200mA- 最大集电极-基极电压：40V- 最大功耗：625mW- 最大集电极-发射极电压：6V- 最大集电极电流增益：100-300- 工作温度范围：-55°C至+150°C3. 三极管型号：2N3906- 极性：PNP- 封装类型：TO-92- 最大集电极电流：200mA- 最大集电极-基极电压：40V- 最大功耗：625mW- 最大集电极-发射极电压：6V- 最大集电极电流增益：100-300- 工作温度范围：-55°C至+150°C以上是常用的三极管型号及其相关数据。
这些数据对于电子工程师和电路设计师来说非常重要，因为它们提供了关于三极管的性能和限制的信息。
三极管的极性指定了其内部结构和工作方式。
NPN型三极管的集电极和基极之间的电流流动方向与发射极相反，而PNP型三极管则相反。
这种极性差异在电路设计中非常重要，因为它们决定了三极管在电路中的连接方式。
封装类型描述了三极管的外部尺寸和引脚布局。
TO-92封装是一种常见的小型封装，其中三极管的引脚通过曲线形状的金属外壳连接到电路板上。
TO-92封装易于焊接和插入，非常适合手工组装和小型电子设备。
最大集电极电流指定了三极管可以承受的最大电流。
超过这个限制可能导致三极管过热或损坏。
因此，在设计电路时，需要确保集电极电流不超过三极管的额定值。
三极管参数详解
三极管参数详解
三极管是一种电子器件，它是由三个P型或N型材料构成的。
三极管具有放大、开关和稳压等多种功能。
由于三极管具有很多种类，下面分别介绍不同种类的三极管的参数。
1. NPN三极管
NPN三极管是由两个N型半导体夹一个P型半导体构成的。
NPN三极管是一种常见的三极管。
下面介绍NPN三极管的几个重要参数：
（1）最大耐压：指三极管的最大工作电压。
在超过此电压后，三极管会发生击穿。
（4）放大系数：也称为电流增益，指输出电流与输入电流之比。
在放大电路中，使用NPN三极管时，需要保证其放大系数在一个可接受的范围内。
3. MOSFET
MOSFET又称MOS场效应管，是一种通用的高频低噪声功率放大器。
MOSFET的导通与截止是通过施加控制电压来实现的。
其控制电压可以是电压、电流、光等。
下面介绍MOSFET 的几个重要参数：
（1）阈值电压：MOSFET的导通与截止需要一个阈值电压来控制，这个电压即为阈值电压。
当控制电压小于这个电压时，MOSFET处于截止状态；当控制电压大于这个电压时，MOSFET处于导通状态。
（3）最大电流：指MOSFET的最大电流负载能力。
在超过此电流后，MOSFET会被烧毁。
（4）漏极电流：指MOSFET导通时从漏极流过的电流。
4. JFET
（4）增益：指JFET的放大倍数。
常用三极管型号参数大全
常用三极管型号参数大全三极管是一种常用的电子器件，广泛应用于电子设备中，如放大器、开关等。
在实际应用中，我们常用到的三极管型号有很多，每个型号的参数也不尽相同。
下面是一些常用的三极管型号及其参数介绍：1.2N3904这是一款常用的NPN型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是200mA，最大集电极电压为40V，最大发射极电流是50mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为60V。
2.2N3906这是一款常用的PNP型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是200mA，最大集电极电压为40V，最大发射极电流是50mA，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为40V。
3.BC547这是一款NPN型三极管，它的最大功率是500mW，最大集电流是100mA，最大集电极电压为45V，最大发射极电流是5mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为45V。
4.BC557这是一款PNP型三极管，它的最大功率是500mW，最大集电流是100mA，最大集电极电压为45V，最大发射极电流是5mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为45V。
5.2N2222这是一款NPN型三极管，它的最大功率是500mW，最大集电流是800mA，最大集电极电压为30V，最大发射极电流是800mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为60V。
6.2N2907这是一款PNP型三极管，它的最大功率是600mW，最大集电流是600mA，最大集电极电压为40V，最大发射极电流是600mA，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为40V。
7.MPSA42这是一款NPN型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是500mA，最大集电极电压为300V，最大发射极电流是500mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为300V。
8.MPSA92这是一款PNP型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是500mA，最大集电极电压为300V，最大发射极电流是500mA，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为300V。
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三极管不同材料的门限电压
三极管的门限电压是指在正向偏置下，使得三极管开始工作的电压值。
不同材料的三极管的门限电压可能会有些差异，以下是常见三种材料的三极管门限电压范围：
1. 硅（Si）三极管：Silicon是最常见的材料之一。
硅三极管的门限电压通常在0.6V到0.7V之间。
2. 锗（Ge）三极管：Germanium是早期常用的材料之一。
锗三极管的门限电压通常在0.2V到0.3V之间。
3. 砷化镓（GaAs）三极管：Gallium Arsenide是一种III-V族化合物半导体材料，用于高频应用。
砷化镓三极管的门限电压通常在0.7V到1.3V之间。
这些门限电压仅供参考，实际数值可能会因制造工艺、器件设计以及工作条件等因素而有所不同。
在实际应用中，应根据具体器件的规格书或制造商提供的参数进行准确的判断和使用。