FCB微波高频三极管FC1405规格书讲课稿
三极管规格书
三极管规格书摘要：1.三极管简介2.三极管的分类3.三极管的参数与性能4.三极管的应用领域5.三极管的选购与使用注意事项正文：三极管，作为一种最基本的电子元器件，广泛应用于各种电子设备中。
它具有放大电流、开关等功能，是构建各种电路的重要组件。
本文将对三极管进行详细介绍，包括规格书、分类、参数与性能、应用领域以及选购和使用注意事项。
一、三极管简介三极管，又称晶体三极管，是由三个区域组成的半导体器件。
分别为：发射极（Emitter，E）、基极（Base，B）和集电极（Collector，C）。
发射极和集电极之间有宽禁带，当基极电流控制时，可以实现电流的放大和开关功能。
二、三极管的分类根据结构和工作原理，三极管可分为两类：NPN 型和PNP 型。
NPN 型三极管的发射极是电子浓度较低的N 型半导体，基极是P 型半导体，集电极是N 型半导体。
PNP 型三极管则正好相反，发射极是电子浓度较高的P 型半导体，基极是N 型半导体，集电极是P 型半导体。
三、三极管的参数与性能三极管的主要参数有：电流放大系数（Current Gain）、耗散功率（Dissipation Power）、最大集电极电流（Collector Current）、最大基极电流（Base Current）等。
三极管的性能主要取决于其结构、材料和制造工艺，不同类型和规格的三极管在参数和性能上有所差异。
四、三极管的应用领域三极管广泛应用于各类电子设备和电路中，如放大器、振荡器、电源开关、信号处理等。
它具有体积小、重量轻、功耗低、工作稳定等优点，是构建各种电子系统的关键器件。
五、三极管的选购与使用注意事项在选购三极管时，应根据实际应用需求选择合适的类型、规格和参数。
同时，需要注意三极管的工作温度、贮存条件等，确保其在使用过程中可靠稳定。
在安装和使用过程中，要注意避免静电损坏，遵循安全操作规程。
总之，三极管作为一种重要的电子元器件，了解其规格书、分类、参数与性能、应用领域以及选购和使用注意事项，对于电子工程师和电子爱好者来说都是十分必要的。
三极管规格书
三极管规格书（原创版）目录1.三极管概述2.三极管的分类3.三极管的结构和工作原理4.三极管的参数及其含义5.三极管的选用和测试6.三极管的典型应用7.总结正文一、三极管概述三极管，又称晶体管，是一种常见的半导体器件。
它具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大器、振荡器、信号处理器等电子电路中。
根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和 PNP 型。
二、三极管的分类1.按照结构分类，三极管可以分为三极管晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
2.按照材料分类，三极管可以分为硅管和锗管。
3.按照工作频率分类，三极管可以分为低频管、中频管和高频管。
4.按照电流放大系数分类，三极管可以分为 NPN 型和 PNP 型。
三、三极管的结构和工作原理三极管主要由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
发射区和集电区由同一种半导体材料制成，而基区由另一种半导体材料制成。
三极管的工作原理是利用基区中的电子流来控制发射区和集电区之间的电流。
当基区电流发生变化时，发射区和集电区之间的电流也会相应变化，从而实现信号的放大和开关控制。
四、三极管的参数及其含义1.静态工作点：三极管正常工作时的基区电流和基区电压。
2.直流电流放大系数：表示三极管的电流放大能力，即集电区电流与基区电流之比。
3.交流电流放大系数：表示三极管在交流信号下的电流放大能力。
4.输入电阻：表示三极管输入端的电阻值，影响信号传输效果。
5.输出电阻：表示三极管输出端的电阻值，影响负载能力。
6.开关速度：表示三极管在开关状态下，从一个状态切换到另一个状态所需的时间。
五、三极管的选用和测试1.选用：根据电路需求选择合适的三极管类型和参数。
2.测试：使用万用表或示波器进行静态工作点、电流放大系数、开关速度等参数的测试。
六、三极管的典型应用1.信号放大：用于放大器、振荡器等电路，实现信号的放大和传输。
2.开关控制：用于开关电路、脉冲发生器等，实现信号的切换和控制。
高二物理竞赛课件三极管的高频小信号模型
Rb // rbe
Vo Vb'e
Ri Rs Ri
rb'e rbe
gm RL'
与以前所求的低频（实为音频）电压放大倍数是
一致的。
➢ 低频段电压放大倍数
A vsL
Vo Vs
Vi Vs
Vb'e Vi
Vce Vb'e
Vo Vce
Ri Rs Ri
rb'e rbe
gm
Rc
//( RL
1 jω C
A v sm
1
1 jω Rs' Ci
1 jω Ci
gm
R
' L
设 τ H Rs' Ci
fH
1 2 H
1 2Rs' Ci
则
A vsH
Avsm 1
1 jf /
fH
三极管的高频小信号模型
三极管的高频小信号模型
物理模型
发射结正偏，结电容 由扩散电容决定(Cb'e
达一百皮法左右)；集 电结反偏，结电容由 势垒电容决定(Cb'c 几 个皮法)。
忽略rc、re
（为集电区和发射区 的体电阻，很小）
C1h (1 K )Cb'c Cb'c
同理
C2h
K 1 K Cb'c
➢ 分频段分析法
• 中频段：
C 容抗很小，交流短路； Ci 容抗很大，交流开路。
• 低频段：
C 容抗增大，不能忽略； Ci 容抗更大，交流开路。
• 高频段：
C 容抗更小，交流短路； Ci 容抗减小，不能忽略。
➢ 中频段电压放大倍数
Avsm
gm
三极管经典教程PPT课件
04
考虑封装和引脚排列
根据PCB设计和组装要求，选择 合适的封装和引脚排列。
29
新型三极管技术发展趋势
微型化与集成化
随着电子技术的发展，三极管趋向于 微型化和集成化，以适应小型化电子 产品的需求。
高性能化
提高三极管的电流、电压和功率处理 能力，以满足高性能电子设备的需求 。
低功耗化
降低三极管的功耗，提高电子设备的 能效比。
9
动态特性参数
电流放大系数β
表示三极管放大能力的大小，定义为集 电极电流IC与基极电流IB之比。
极间反向电流
2024/1/26
包括集电结反向饱和电流ICBO和发 射极反向电流IEBO，用于衡量三极管
的稳定性。
截止频率fT
表示三极管的高频性能，定义为当β 下降到低频时β值的0.707倍时所对应 的频率。
4
三极管基本结构
三个区
发射区、基区、集电区。
三个电极
发射极（E）、基极（B）、集电极（C）。
2024/1/26
5
电流放大原理
发射区向基区发射电 子
发射结加正向电压，使发射结处于正 向偏置，发射区的多数载流子（自由 电子）不断地越过发射结进入基区， 形成发射极电流Ie。同时基区多数载 流子也向发射区扩散，但由于多数载 流子浓度远低于发射区载流子浓度， 可以不考虑这个电流，因此可以认为 发射结主要是电子流。
饱和导通状态：当加在三极管发射结 的电压大于PN结的导通电压，并当 基极电流增大到一定程度时，集电极 电流不再随着基极电流的增大而增大 ，而是处于某一定值附近不怎么变化 ，这时三极管失去电流放大作用，集 电极与发射极之间的电压很小，集电 极和发射极之间相当于开关的导通状 态。三极管的这种状态我们称之为饱 和导通状态。
三极管讲稿
三极管外形
三极管基本形式
集电极 C 基极 B 符号： 符号：
C B IB E
NPN型 NPN型
N P N
发射极 E
集电极 C
PNP型 PNP型
P N P
发射极 E
基极 NPN型三极管 NPN型三极管
IC B IB E IE C
B PNP型三极管 PNP型三极管
IC
IE
结构特点： 结构特点： 集电区： 集电区： 面积最大 集电结 基极 B 发射结 集电极 C N P N E 发射极 发射区：掺 发射区： 杂浓度最高
基区：最薄， 基区：最薄， 掺杂浓度最低
电流分配和放大原理
• 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、 发射结正偏、集电结反偏 从电位的角度看： 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VB>VE 集电结反偏 VC>VB 发射结正偏 集电结反偏 PNP VB<VE VC<VB
C
N B RB E EB EC P N RC
P+
N型衬底 N型衬底
P+
G 加电压才形成 P型导电沟道 型导电沟道 S
增强型场效应管只有当U 增强型场效应管只有当UGS > UGS(th）时才形成导 GS(th (th） 电沟道。 电沟道。
2. 耗尽型绝缘栅场效应管 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道， 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在 源之间加上一定的电压U UGS= 0时，若漏 源之间加上一定的电压 DS，也会 时 若漏–源之间加上一定的电压 漏极电流用 表示， 产生。 时的漏极电流 有漏极电流 ID 产生。 这时的漏极电流用 IDSS表示， 饱和漏极电流。 称为饱和漏极电流 称为饱和漏极电流。 0时 使导电沟道变宽， 增大； 当UGS > 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 0时 使导电沟道变窄， 减小； 当UGS < 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS 负值愈高，沟道愈窄， 就愈小。 负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 达到一定负值时 负值时， 型导电沟道消失 型导电沟道消失， 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。 ，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。 这时的U 称为夹断电压， 这时的 GS称为夹断电压，用UGS(off）表示。 (off） (off 表示。
三极管规格书
三极管规格书摘要：1.三极管的基本概念2.三极管的分类3.三极管的主要参数4.三极管的放大原理5.三极管的应用领域正文：三极管，作为一种最基本的电子元件，广泛应用于各种电子设备和电路中。
这篇文章将详细介绍三极管的规格书。
首先，我们来了解三极管的基本概念。
三极管，又称晶体三极管，是由三个控制电极（或称栅极、源极、漏极）组成的半导体器件。
通过改变栅极的电压，可以控制源漏电流的大小，从而实现信号放大、开关等功能。
接下来，我们来探讨三极管的分类。
根据结构和工作原理的不同，三极管可以分为两类：NPN型和PNP型。
NPN型三极管的三个电极分别由氮化硼、磷化铟和硼化镓等半导体材料制成；而PNP型三极管的三个电极则由磷化铟、硼化镓和氮化硼等半导体材料制成。
在了解三极管的分类后，我们来关注一下三极管的主要参数。
这些参数主要包括：电流放大系数（或称电流增益）、输入电阻、输出电阻、耗散功率等。
电流放大系数是衡量三极管放大能力的重要指标，输入电阻和输出电阻则分别表示三极管在输入和输出端的电流阻力，耗散功率则表示三极管在承受电流和电压时的热量损耗。
进一步地，我们来探讨三极管的放大原理。
当在栅极施加一定的电压时，栅极和源极之间的绝缘层会发生电场效应，使得源极和漏极之间的电阻发生变化，从而导致源漏电流的变化。
这种现象被称为“场效应”，是三极管实现信号放大的基本原理。
最后，我们来了解一下三极管的应用领域。
由于其独特的放大和开关功能，三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，如放大器、振荡器、电源开关、信号处理等。
总之，三极管作为一种重要的电子元件，其规格书涉及到基本概念、分类、主要参数、放大原理和应用领域等多个方面。
三极管经典教程PPT课件
三极管符号
两种类型的三极管
2021
结构特点：
• 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且
掺杂浓度最低。
管芯结构剖面图
2021
三极管的电流分配与放大作用
正常放大时外加偏置电压的要求
be结正 偏
bc结反偏
发射结应加正向电压（正向偏置） 集电结应加反向电压（反向偏置） 问：若为PNP管，图中电源极性如何？
线IB=0那条曲线- 所 +
e
对应的Y坐标的数值。
IC EO -
c b
uA
+
Ve C C
ICEO也称为集电极 I e = 0
ICEO
V CC
发射极间穿透电流。
2021
集电极最大允许电流ICM
三极管正常工作时集电极所
极
允许的最大工作电流
限
参 数
集电极最大允许功率损耗PCM
PCM 值 与 环 境 温 度 有 关 ， 温 度 愈 高 ， 则 PCM 值 愈 小 。 当 超 过 此值时，管子性能将变坏或烧
安全工作区
由ICM、V(BR)CEO、及PCM三个极限参数 可画出三极管的安全工作区图。
2021
222
333
§2.2.4 三极管的模型
三极管的简化直流模型
BBB
CCC
BBB
CCC
BBB
IIBIBB
IICICC
CCC
00.07..77VVV
OOO.2..22VVV
00.07..77VVV
ββIβII BBB
2021
三极管三个电极间的分配关系
IRF1405规格书
ParameterMax.UnitsI D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 169 I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 118 A I DMPulsed Drain Current 680P D @T C = 25°C Power Dissipation 330W Linear Derating Factor 2.2W/°C V GS Gate-to-Source Voltage± 20V E AS Single Pulse Avalanche Energy 560mJ I AR Avalanche CurrentSee Fig.12a, 12b, 15, 16A E AR Repetitive Avalanche Energy mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 5.0V/ns T J Operating Junction and-55 to + 175T STGStorage Temperature RangeSoldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )°CMounting Torque, 6-32 or M3 screw10 lbf•in (1.1N•m)HEXFET ® Power MOSFETSpecifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET ® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.Absolute Maximum RatingsDescription3/25/01q Advanced Process Technology q Ultra Low On-Resistance q Dynamic dv/dt Ratingq 175°C Operating Temperature q Fast SwitchingqRepetitive Avalanche Allowed up to TjmaxBenefitsAUTOMOTIVE MOSFETThermal ResistanceParameterTyp.Max.UnitsR θJC Junction-to-Case–––0.45°C/WR θCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50–––R θJAJunction-to-Ambient–––62TO-220ABPD -93991AIRF1405Typical Applicationsq Electric Power Steering (EPS)q Anti-lock Braking System (ABS)q Wiper Control q Climate Control qPower Door查询IRF1405供应商IRF1405IRF1405IRF1405IRF1405IRF1405IRF1405IRF1405IRF1405。
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B 90-140
C FCB 130-180
D 170-250
E 250-300
电学特性 (TA=25℃)
参数
符号 最小 典型 最大 单位
测试条件
集电极基极击穿电压 集电极基极漏电流 发射极基极漏电流 直流增益 增益带宽乘积 输出反馈电容
插入功率增益 噪声因子
VCBO ICBO IEBO hFE
fT Cre
B
1.150
1.350
C
2.150
2.450
D
0.650
G
1.200
1.400
H
2.000
2.200
K
0.900
1.100
L
0.525
M
0.080
0.150
极限工作条件范围 (TA=25℃)
参数
符号
极值
单位
集电极基极击穿电压
VCBO
15
V
集电极发射极击穿电
压
VCEO
9
V
发射极基极击穿电压
VEBO
2
V
集电极电流
IC
50
mA
功耗
PC
100ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
mW
结温度
Tj
150
℃
存储温
度
Tstg
-65 ~ +150
℃
hFE 规格
FC1405
分档 标号 hFE
A 60-100
| S21e |2
NF
15
V
IC=1.0µA
0.1 µA
VCB=10V
0.1 µA
60 150 300
79
GHz
VEB=1V VCE=5V，IC=20mA VCE=5V，IC=20mA
0.65 1.0 pF VCB=10V,IE=0mA, f=1MHz
13.5
dB VCE=5V,IC=5mA, f=0.9GHz
FC1405
描述
FC1405 是一款超高频低噪声晶体管，采用平面 NPN 硅外延双极型工艺，具有高功 率增益、低噪声特性和大动态范围。由于采用了超小型的 SOT-323 封装，特别适用于 高密度表面贴片安装，主要用于微波感应模块放大器。
典型应用线路图
R 10 0K
C 10 0nf
C
3* 100 nf Q FC14 0 5
R 1K
R
C
1K
10 0p
C?
10 u
C
R
10 n 47 K
R 10 K
Sensor
C 10 n R 1M
C 2.2u
R 2M
C
JT850
1
8
OP2in VCC
10 u
2
7
OP1out VDD
3 OP 1in
6 TD
4 VC
5 Vout
Q N PN -P HO TO
GND
6--12V
C 2.2u
R 10 0K
14
dB VCE=5V,IC=20mA,f=0.9GHz
1.6 2.5 dB VCE=5V, IC=5mA, f=0.9GHz
封装形式
SOT-323 管脚定义：1：发射极（Emitter） 2：基极（Base） 3：集电极（Collector）
符号 最小值（mm ）最大值（mm）
A
0.200
0.400
LE D
C 10 n
LE D
Q
R
N PN
2K
主要特性
高增益:︱S21e︱2 典型值为 14dB 低噪声: NF 典型值为 1.6dB 增益带宽乘积: fT 典型值为 9.5GHz
@ VCE=5V，IC=20mA，f=0.9GHz @ VCE=5V，IC=5mA， f=0.9GHz @ VCE=5V，IC=20mA，f=0.9GHz