M8050贴片三极管规格书
8050三级的基本管参数
8050三级的基本管参数（原创实用版）目录一、8050 三级的基本概念二、8050 三级的基本管参数概述三、8050 三级的基本管参数详解四、8050 三级的基本管参数应用实例五、总结正文一、8050 三级的基本概念8050 是指一种特定的电子元器件，即三极管。
这种三极管具有三个控制电极，分别是发射极、基极和集电极，广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路。
根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和 PNP 型。
8050 则是 NPN 型三极管的一种。
二、8050 三级的基本管参数概述8050 三级的基本管参数包括静态工作点、电流放大系数、输出特性等。
这些参数决定了三极管的工作性能和应用范围。
三、8050 三级的基本管参数详解1.静态工作点：静态工作点是指三极管在直流偏置下的工作状态，通常包括发射极电压、基极电压和集电极电压。
在静态工作点附近，三极管的电流放大系数最大，因此它处于最佳工作状态。
2.电流放大系数：电流放大系数是指三极管的集电极电流与基极电流之比。
对于 8050 三极管，其电流放大系数约为 100。
3.输出特性：输出特性是指三极管的集电极电流与集电极电压之间的关系。
当三极管工作在截止区或饱和区时，输出特性呈非线性。
而在线性区，输出特性接近于线性。
四、8050 三级的基本管参数应用实例以 NPN 型 8050 三极管为例，假设发射极电压为 0.7V，基极电压为 0.7V，集电极电压为 3V。
此时，三极管工作在静态工作点附近，电流放大系数约为 100。
当基极电流为 1mA 时，集电极电流为 100mA。
若集电极负载电阻为 1kΩ，则可以得到集电极电压为 3V，与输入信号一致。
五、总结8050 三级作为常用的三极管之一，其基本管参数对电路性能具有重要影响。
PXT8050贴片三极管 SOT-89三极管封装PXT8050参数
T =25℃ a
10
100
COLLECTOR CURREMT I (mA) C
I ——
C
V BE
β=10
1000 1500
100
=25℃
=100℃
T a
T a
10
1 0
1000
COMMON EMITTER V = 1V
CE
300
600
900
1200
BESE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
Symbol
A b b1 c D D1 E E1 e e1 L
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.
1.400
1.600
0.320
0.520
0.400
0.580
0.350
0.440
4.400
4.600
1.550 REF.
2.300
2.600
3.940
Seal the box with the tape
QA Label
Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×２０３ mm
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=100uA, IE=0
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO IC=0.1mA, IB=0
Emitter-base breakdown voltage
8050三极管参数
8050三极管参数类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;最大集存器电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集存器发射电(VCEO):25;频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W(贴片：0.3W)集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 引脚排列多为EBCUTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压(VCEO):25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
FOSAN富信电子 三极管 M8050-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M8050 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点NPN General Purpose通用▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO40V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO25V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO5V Collector Current集电极电流I C800mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA417℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标H FE(2)80-300(L)300-400(H)Marking Y11ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M8050■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =100uA ，I E =0)BV CBO 40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)BV CEO 25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =100uA ，I C =0)BV EBO 5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =35V ，I E =0)I CBO ——100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =20V ，V BE =0)I CES ——100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =3V ，I C =0)I EBO ——100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =5mA)H FE (1)45——DC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =100mA)H FE (2)80—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =800mA)H FE (3)40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =800mA ，I B =80mA)V CE(sat)——0.5VBase-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =800mA ，I B =80mA)V BE(sat)—— 1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =5V ，I C =20mA)f T —150—MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—6—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M8050■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M8050■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
8050三极管参数
8050三极管参数题目：8050三极管参数简述与应用导语：在电子电路领域，三极管是一种常见的电子元件，其广泛应用于放大、开关等电路中。
本文将深入探讨8050三极管的参数特性以及其在电路中的应用，帮助读者更好地理解和使用该元件。
一、8050三极管概述8050三极管是一款NPN型晶体管，具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降。
其结构由三个半导体区域组成：发射区、基区和集电区。
在晶体管的工作过程中，发射区与基区之间存在正向偏置，而基区与集电区之间则存在反向偏置。
二、8050三极管参数解读1. 最大集电电流（ICmax）：它表示三极管能够承受的最大集电电流。
超过该电流值，三极管可能会损坏，因此在使用时应该确保电流不超过该限制。
2. 最大集电-发射电压（VCEOmax）：它表示三极管在集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
当超过这个电压时，三极管可能发生击穿，导致失效或损坏。
3. 最大功耗（Pmax）：它表示三极管能够承受的最大功率。
超过该功率值，三极管可能过热并损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：它表示输入电流与输出电流之间的倍数关系。
高hFE值意味着三极管具有较好的放大性能。
三、8050三极管的应用1. 放大电路：由于8050三极管具有较高的电流放大倍数，常用于放大电路中。
通过合理选择电阻和电容，可以构建各种放大电路，如B类放大电路和C类放大电路。
2. 开关电路：8050三极管还可作为开关元件使用。
在电路中，通过控制输入信号的变化，可以将三极管从导通状态切换到截止状态，或者反之。
这种开关能力使8050三极管在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
3. 振荡电路：利用三极管的正反馈特性，8050三极管还可以用于构建振荡电路。
该振荡电路可以在特定频率范围内产生稳定的信号输出。
结语：通过对8050三极管的参数和应用进行简要介绍，我们可以看到，它作为一款常见的晶体管元件，在电子电路中发挥着重要的作用。
了解三极管的参数特性并合理应用，能够帮助我们设计和调试电路，使电子设备工作更加稳定和高效。
8050M 8050 功放三极管
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于功率放大电路。/Purpose: Power amplifier applications. 特点:与 8550M(3CA8550M)互补。/Features: Complementary pair with 8550M(3CA8550M).
0.5 1.2 1.0
100
V V V MHz pF
hFE(1)分档、印章/hFE(1) Classifications、Marking： hFE(1)分档 hFE(1) Classifications hFE(1)范围 hFE(1) Range 印章 Marking B 85～160 HY1B C 120～200 HY1C D 160～300 HY1D
IE=0 IB=0 IC=0 IE=0 IC=0 IC=100mA IC=800mA IC=5.0mA IB=80mA IB=80mA IC=10mA IC=50mA IE=0 f=1.0MHz
40 25 6.0 0.1 0.1 300
V V V μA μA
85 40 45 0.28 0.98 0.66 190 9.0
VCBO VCEO VEBO ICBO IEBO hFE(1) hFE(2) hFE(3) VCE(sat) VBE(sat) VBE fT Cob
IC=0.1mA IC=2.0mA IE=0.1mA VCB=35V VEB=6.0V VCE=1.0V VCE=1.0V VCE=1.0V IC=800mA IC=800mA VCE=1.0V VCE=10V VCB=10V
佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
SS8050三极管规格书：三极管SS8050参数与封装尺寸
Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
300
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
1000 1500
C /C ob ib
——
V /V CB EB
Cib
f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25℃
Cob
3
1 0.1
350 300 250 200 150 100
50 0 0
0.3
1
3
REVERSE VOLTAGE V (V)
P —— T
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV)
140 120 100
80 60 40 20
0 0.0
1000
300 100
30 10
3 1
1
1500 1000
300 100
30 10
3 1 0.2
1000
300 100
30 10
3 1
1
Static Characteristic
VCE=10V Ta=25℃
100
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
CAPACITANCE C (pF)
BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V)
8050三极管参数
8050三极管参数三极管，也被称为晶体管，是一种半导体器件，常常作为放大器和开关使用。
三极管是由三个控制电极组成的晶体管，包括基极、发射极和集电极。
基于三极管的内部结构和特性，可以通过控制输入信号的强度来控制输出信号的放大倍数或开关状态。
以下是三极管的一些常见参数和相关参考内容：1. 三极管的电流放大倍数（β）：β是指集电极电流（IC）与基极电流（IB）之间的比值。
它表示了输入电流和输出电流之间的放大倍数。
通常，三极管的β可以在数据手册或器件规格表中找到。
每个具体型号的三极管都有不同的β值，一般在20到1000之间。
2. 最大集电极电流（ICmax）：ICmax是指三极管能够最大承受的集电极电流。
如果IC超过了这个限制，三极管可能会受到损坏或烧毁。
ICmax可以在数据手册或规格表中找到，在设计电路时需要确保三极管的工作电流不超过该值。
3. 最大集电极-发射极电压（VCEOmax）：VCEOmax是指三极管能够最大承受的集电极-发射极电压。
如果VCEO超过了这个限制，三极管可能无法正常工作或损坏。
VCEOmax也可以在数据手册或规格表中找到，需要根据具体电路要求选择合适的三极管。
4. 最大功耗（Pmax）：Pmax是指三极管能够承受的最大功率。
如果三极管超过了这个功率限制，可能会受到损坏或烧毁。
在设计电路时，需要根据所需功率计算器件所需的最大功耗，并选择合适的三极管。
5. 输入电容（Cib）和输出电容（Cob）：Cib是指输入电容，它反映了三极管输入端的电容。
Cob是指输出电容，它反映了三极管输出端的电容。
这两个参数都会对放大器的频率响应产生影响，需要在设计中进行考虑。
6. 上下限工作温度（Tmin和Tmax）：Tmin和Tmax是指三极管能够正常工作的最低和最高温度范围。
超出这个范围，三极管可能无法正常工作或损坏。
以上是三极管的一些常见参数和参考内容，设计电路时需要根据具体要求选择合适的三极管。
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encap s ulate Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter
Symbol Test conditions M in M ax Unit Collector-base breakdown voltage
V (BR)CBO I C =100μA, I E =0 40 V Collector-emitter breakdown voltage
V (BR)CEO * I C =1mA , I B =0 25 V Emitter-base breakdown voltage
V (BR)EBO I E =100μA, I C =0 6 V Collector cut-off current
I CBO V CB = 35V, I E =0 0.1 μA Collector cut-off c urrent
I CEO V CE = 20V, I B =0 0.1 μA h FE(1) V CE =1V, I C =5mA 45 h FE(2)
V CE =1V, I C =100mA 80 400 DC current gain h FE (3)
V CE =1V, I C =800mA 40 Collector-emitter saturation voltage
V CE(sat) I C = 800mA, I B =80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =800mA, I B = 80mA 1.2 V
Transition frequency
f T V CE =6V, I C = 20mA , f=30MHz 150 MHz * Pulse Test : pulse width ≤ 300µs , duty cycle ≤2%.
CLASSIFICATION OF h FE (2)
Rank L
H Range 80-300 300-400
BASE
B ,Jun ,2011
【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
0255075100125150
AMBIENT TEMPERATURE T
a ()
℃
Typical Characteristics M8050
I
C
h ——
B,Jun,2011
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
The bottom gasket
The top gasket
3000×1 PCS 3000×15 PCS Label on the Reel Label on the Inner Box Label on the Outer Box QA Label Seal the box
with the tape Seal the box
with the tape Stamp “EMPTY”
on the empty box Inner Box: 210 mm × 208 mm ×203 mm Outer Box: 440 mm × 440 mm × 230 mm。