西北工业大学电力电子技术2007真题
电力电子技术试题20套及解答
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题20套及答案.docx
精品文档考试试卷(1)卷一、填空题（本题共8 小题，每空 1 分，共 20 分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在 PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________ ，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步 _________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量 ______相等而 __形状 _____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是 __MOSFET_，单管输出功率最大的是 __GTO_，应用最为广泛的是 __IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用 V1,VD1,V2,VD2 表示 )。
(1)0~t1 时间段内，电流的通路为___VD1_____ ； (2) t1~t2 时间段内，电流的通路为 ___V1____ ；(3)t2~t3 时间段内，电流的通路为__VD2_____ ；(4) t3~t4 时间段内，电流的通路为 __V2_____ ；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____ ；.精品文档二、选择题（本题共10 小题，前 4 题每题 2 分，其余每题 1 分，共 14 分）1、单相桥式PWM 逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B）A、V1 与 V4 导通， V2 与 V3 关断B、 V1 常通， V2 常断， V3 与 V4 交替通断C、V1 与 V4 关断， V2 与 V3 导通D、 V1 常断， V2 常通， V3 与 V4 交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（C）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于 180 度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180 度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2 时间段内，有（）晶闸管导通。
2007年4月自学考试模拟、数字及电力电子技术试卷及答
2007年（上）高等教育自学考试全国统一命题考试模拟、数字及电力电子技术试卷及答案详解第一部分选择题一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1．测得NPN型三极管三个电极的电位分别为U C=3．3V，U B=3．7V，U E=3V，则该管工作在( )A．放大区B．截止区C．饱和区D．击穿区2．理想运放组成的电路如题2图所示，其电压放大倍数为( )A．－10 B．11 C．10 D．－11题2图3．要提高放大电路的负载能力，可采用( )A．串联负反馈B．并联负反馈C．电流负反馈D．电压负反馈4．桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为20V，则输出直流电压为( )A．9V B．18V C．24V D．28V5．逻辑函数的最简与或式为( )6．逻辑函数的标准与或式为．( )A．∑(0,1,3,5,7) B．∑(1,2,4,5,6)C．∑ (0,2,3,6,7) D．∑ (1,3 4,6,7) 7．逻辑函数F(A，B，C，D)=∑(O，2，5，7，8，10，13，15)的最简与或非式为( )8．逻辑函数F(A，B，C，D)=∑(4，5，6，12，13，14)，其约束条件为BC =0，则最简与或式为( )9．题9图为TTL逻辑门，其输出F为( )题9图10．题10图为触发器的状态图，该触发器为( )题10图11．题11图中触发器的次态Q n+1为( )题11图12．为了将三角波变换为同频率矩形波，应选用( )A．计数器B．单稳态触发器C．施密特触发器D．多谐振荡器13．晶闸管SCR的导通条件是( )A．u ak＞0 u gk＜0 B．u ak＜0 u gk＜0 C．u ak＞0 u gk＞0 D．u ak＜0 u gk＞0 14．三相半波相控整流电路带电阻性负载，电源电压有效值为U2，则晶闸管SCR在电路中承受的最大反向电压为( )15．将固定的直流电压变成可调的直流电压称为( )A．整流B．斩波C．变频D．逆变第二部分非选择题二、填空题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。
2007西北工业大学数字电路与数字电子技术考试题A
七、由集成四位二进制同步步计数器74161和8选1数据选择器74LS151组成的电路如图所示。试按要求回答：（10分）
（1）74161组成几进制计数器电路；
（2）画出计数状态转换图；
（3）写出输出Y的序列信号的一个周期；
八、已知电路（10分）
1、本电路图由几部分组成及名称？分别简述其工作原理。
教务处印制共8页 第3页
西北工业大学命题专用纸
（2）试用74LS283四位超前进位全加器实现将5421BCD码转换成为2421BCD码的
码制转换电路（5分）
（3）由维持－阻塞型D触发器组成的电路如图所示。已知A、B、CP端的电压波形，试画出Q端对应的电压波形。设电路的初始状态为0。（8分）
教务处印制共8页 第4页
2、写出555定时器输出频率F的表达式。
3、74LS90采用何种计数方法，是模几计数器？
4、写出图示电路是那种D/A转换器及输出电压VO表达式。
5、试按CP节拍脉冲，画出Q0Q1Q2Q3及D/A输出波形。
已知VREF=-16V，R=Rf。
教务处印制共8页 第5页
西北工业大学命题专用纸
教务处印制共8页 第6页
教务处印制
共8页 第2页
西北工业大学命题专用纸
四、分析图示时序电路的逻辑功能，写出激励函数和状态方程，画出完全状态图，说明是几进制计数器，有无自启动能力。（10分）
五、试写出下列图示电路输出的逻辑表达式。（12分）
六、按要求完下列各题（18分）
（1）已知电路如图所示，要求列出主循环状态转换表，说明是几进制计数器。设初态D3D2D1D0=0011。（5分）
A.16-4 B.8 C.16-8 D.10-8
电力电子技术试题20套及答案【精选文档】
考试试卷（ 1 )卷一、填空题(本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制.在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制.4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即，其承受的最大正向电压为.7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2，VD2表示)。
(1）0～t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1～t2时间段内，电流的通路为___V1____;(3）t2～t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3～t4时间段内,电流的通路为__V2_____;（5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题(本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时,在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断,V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通.A、1个B、2个C、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）A、P组阻断,N组整流B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断，P组整流D、N组阻断,P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ D )A、30°～150B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（ A ）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种( C ）变换电路.A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( B ）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( A ）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下10、IGBT是一个复合型的器件，它是( B ）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO三、简答题(共3小题，22分)1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。
1-电力电子试卷-试题库-答案
洛阳理工学院《电力电子技术》试卷班级：姓名--------------------------------------------------------------------------------------一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是 MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。
二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
07级电力电子技术考试试题(A卷)
北京交通大学学生考试试题课程名称：电力电子技术（A卷）2009 –2010学年2学期出题：课程组一、单选题（每题2分，共20分）1、下列功率器件中，哪种器件最适合于小功率、高开关频率的变换器？①SCR ②IGBT ③MOSFET ④IGCT2、在单相全控桥带大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为：①0.707U2②1.414U2③0.9U2④3.14U23、对三相半波可控整流电路电阻性负载来说，触发脉冲的移相范围是：①0︒~90︒②0︒~120︒③0︒~150︒④0︒~180︒4、下列哪个电路不能实现输入输出之间的能量双向流动：①PWM整流电路②无源逆变电路③交交变频电路④BUCK电路5、单端反激变换器是①BOOST变换器的派生电路②BUCK变换器的派生电路③丘克变换器的派生电路④BUCK—BOOST变换器的派生电路6、在谐振变换器中，ZVS表示①零电压开关②零电流开关③硬开关④PWM开关7、采用并联缓冲吸收电路的目的是为了①减小导通损耗②减小关断过电压③实现开关器件的并联④实现软开关8、在晶闸管串联电路中，实现动态均压的主要元件是：①二极管②电感③电阻④电容9、晶闸管交流调压电路采用以下哪种控制方式：①相位控制②周期控制③通断控制④斩波控制10、在下列哪个电路中采用晶闸管时，需要加入强迫关断电路：①相控整流电路②有源逆变电路③无源逆变电路④交交变频电路二、判断题，正确的划“√”，不正确的划“×”（每题2分，共10分）（注意：每个小题后面有4个判断，答对4个判断得2分；答对3个判断得1分；其它不得分）1、三相电压型无源逆变器，每相桥臂由上下两个开关器件构成，下列哪些说法正确？①输出电压波形与负载性质有关（）②可以采用同步调制，也可以采用异步调制（）③可以采用方波控制，也可以采用PWM控制（）④桥臂上下两个开关器件换相时，在控制上应的控制需遵循“先断后开”的原则（）2、在带有大电感负载且触发角相同的情况下，单相全控桥电路与单相半控桥电路相比：①全控桥的输出电压平均值低于半控桥（）②全控桥的功率因数低于半控桥（）③全控桥负载电流连续而半控桥负载电流不连续（）④都会存在失控现象（）3、Boost DC—DC变换器：①工作状态（连续或断续）是根据负载电流的情况定义的（）②在连续工作状态下，输入电流是连续的（）③电感的作用是储能和滤波（）④又可称降压斩波器（）4、在谐振变换器中，下列哪些说法是正确的？①零电压开关、零电流开关都属于软开关（）②软开关的开关损耗比硬开关大（）③软开关的开关频率可以比硬开关高（）④软开关的电压、电流应力与硬开关相同（）5、晶闸管相控整流电路，考虑交流侧电抗时存在换相重叠角，其大小与许多因素有关：①直流负载电流越大，换相重叠角越大（）②输入变压器漏抗越大，换相重叠角越大（）③交流输入电压越大，换相重叠角越大（）④触发角α越大，换相重叠角越大（）三、简答题（共20分）1、如图所示交－直－交系统电路图， （1）简要说明图中各个变流器的作用；（2）当负载电机工作在发电状态时，说明该变流系统中的能量传递路径。
电力电子技术精彩试题20套及问题详解
文案大全考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。