最新电工学(下册)电子技术基础 第4章 习题解答电子教案

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电路与电子技术基础第4章习题参考答案

电路与电子技术基础第4章习题参考答案

τ=
L 1 = R0 7
(s)
利用三要素公式,可得
i (t ) = 4 + (0 − 4)e −7t = 4(1 − e −7 t ) ( A)
4-4 电路如题图 4-3(a)所示,i(t)=10mA、R=10kΩ、L=1mH。开关接在 a 端为时已久, 在 t=0 时开关由 a 端投向 b 端,求 t≥0 时,u(t)、iR(t)和 iL(t),并绘出波形图。
《电路与电子技术基础》第四章参考答案
第6页
u c (t ) = U oc (1 − e τ )(V)
根据已知条件,得:Uoc=20V,τ=2s。因为τ=R0C,所以 R0=2/0.2=10Ω 当电容 C=0.05F 时,时间常数τ=10×0.05=0.5s。电容电压初始值为 uc(0+)=5V,稳态值 为 uc(∞)=20V,由三要素公式,可以得到全响应
u c (0 _ ) = 1 × 2 = 2(V)
开关闭合后
u c (0 + ) = u c (0 _ ) = 2(V)
τ = R0 C = (2 // 1) × 3 = 2(s)
u c (∞) = 1 × (1 // 2) =
所以
2 (V) 3
− t
u c (t ) = u c (∞) + (u c (0) − u c (∞))e 2 2 + (2 − )e −0.5t 3 3 2 − 0.5t − 0.5t = 2 e2 ) 1 3 + 3 (1 − e 14243 零输入响应 =
uc (0) = 3 × 2 = 6(V)
当开关投向 b 时电容电压的初始值
uc (0 + ) = uc (0 − ) = 6(V)

《电工学-电子技术-下册》习题册习题解答

《电工学-电子技术-下册》习题册习题解答

《电工与电子技术》习题与解答电工电子教研室第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路一、单项选择题*1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大,反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V ,当U i =3V 时,则U 0的值( D )。

A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3.半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。

A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个5.晶体管的主要特性是具有( D )。

A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6.稳压管的稳压性能是利用PN 结的( D )。

A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性8.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r o *9.射极输出器电路如题9图所示,C 1、C 2足够大,对输入的交流信号u 可视作短路。

则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。

A 、两者反相,输出电压大于输入电压B 、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°,且大小相等D 、两者同相,输出电压大于输入电压 *11.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时,电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变,符号改变 13.在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短路,这种处理方法是( A )。

题2图题9图A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的,直流电源视为短路则不正确。

《电工电子技术基础》教案-参考模板

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教案二教案三教学环节时间分配组织教学教学导入与新课内容清点学生人数,核实请假学生督促保持教室卫生一、电流1、电流的形成电荷的定向移动形成电流。

2、电流的大小电流的大小是指单位时间内通过导体横截面的电荷量。

恒定电流tQI=(DC)(“-”)交变电流tqi∆∆=(AC)(“~”)大小和方向都不随时间变化的电流称为恒定电流,也称为直流电流,用I表示。

大小和方向随时间变化的电流称为交变电流,简称交流电流,用i表示。

电流的单位为A(安[培]),还有kA(千安)、mA(毫安)、μA(微安)等。

31kA10A=361A10mA10Aμ==3、电流的方向(1)实际方向习惯上规定正电荷移动的方向或负电荷移动的反方向为电流的实际方向。

设计意图(2)参考方向:可以任意选取在分析电路时,常常要知道电流的方向,但有时电路中电流的实际方向难于判断,此时常可任意选定某一方向作为电流的“参考方向(也称正方向)”。

所选的参考方向不一定与实际方向一致。

当电流的实际方向与其参考方向一致时,则电流为正值;反之,当电流的实际方向与其参考方向相反时,则电流为负值,如图所示。

I I实际方向实际方向参考方向参考方向aabba )0I >b )0I <4、电流的表示方法(1)箭头:→ (2)双下标:ab I5、电流的测量——用电流表(安培表)来测量。

测量时注意: (1)交、直流电流用不同表测量。

(2)电流表应串联在电路中。

(3)直流电流表有正负端子,即:“+”、“-”记号,接线时不能接错。

(4)选择正确的量程。

教案四电压的测量用电压表(伏特表)来测量。

测量时注意:(1)交、直流电压用不同表测量。

(2)电压表应并联在被测电路两端。

(3)直流电压表有正负端子,即:“+”、“-”记号,接线时不能接错。

(4)选择正确的量程。

【例】电路如图所示,已知16VU=-,24VU=,求:ab?U=1U2Ua b++--解:ab12()6V(4V)10VU U U=+-=-+-=-电动势1、物理意义为维持电路中的电流流通,则必须保持电路a、b两端间的电压abU恒定不变,这就需要电源力源源不断地把正电荷从负极板b 移回正极板a上。

电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础

电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础

4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶 体管,或简称为三极管。
分类: 按材料分:硅管、锗管 按结构分:NPN型、PNP型 按频率分:高频管、低频管 按功率分:小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时,发射结和集电结均正偏,输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时,发射结正偏,集电结反偏,收集电子能力增强,发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集,从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大,则该管的 ICEO 也愈大。
3.极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时,三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时,值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘 积 等 于 规 定 的 PCM 值各点连接起来,可得 一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC,而表征三极管电流控制作用的参 数就是电流放大系数 。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论:
1、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来,这两 种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制 电流。 2、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。

数字电子技术基础(第四版)课后习题答案_第四章

数字电子技术基础(第四版)课后习题答案_第四章

第4章触发器[题4.1]画出图P4.1所示由与非门组成的基本RS触发器输出端Q、Q的电压波形,输入端S、R的电压波形如图中所示。

图P4.1[解]见图A4.1图A4.1[题4.2]画出图P4.2由或非门组成的基本R-S触发器输出端Q、Q的电压波形,输出入端S D,R D的电压波形如图中所示。

图P4.2[解]见图A4.2[题4.3]试分析图P4.3所示电路的逻辑功能,列出真值表写出逻辑函数式。

图P4.3 [解]由真值表得逻辑函数式01=+=+SR Q R S Q nn[题4.4]图P4.4所示为一个防抖动输出的开关电路。

当拨动开关S 时,由于开关触点接触瞬间发生振颤,D S 和D R 的电压波形如图中所示,试画出Q 、Q 端对应的电压波形。

图P4.4[解]见图A4.4图A4.4[题4.5]在图P4.5电路中,若CP 、S 、R 的电压波形如图中所示,试画出Q 和Q 端与之对应的电压波形。

假定触发器的初始状态为Q =0。

图P4.5[解]见图A4.5图A4.5[题4.6]若将同步RS触发器的Q与R、Q与S相连如图P4.6所示,试画出在CP信号作用下Q和Q端的电压波形。

己知CP信号的宽度t w = 4 t Pd 。

t Pd为门电路的平均传输延迟时间,假定t Pd≈t PHL≈t PLH,设触发器的初始状态为Q=0。

图P4.6图A4.6[解]见图A4.6[题4.7]若主从结构RS触发器各输入端的电压波形如图P4.7中所给出,试画Q、Q端对应的电压波形。

设触发器的初始状态为Q=0。

图P4.7[解] 见图A4.7图A4.7R各输入端的电压波形如图P4.8所示,[题4.8]若主从结构RS触发器的CP、S、R、DS。

试画出Q、Q端对应的电压波形。

1D图P4.8[解] 见图A4.8图A4.8[题4.9]已知主从结构JK触发器输入端J、K和CP的电压波形如图P4.9所示,试画出Q、Q端对应的电压波形。

设触发器的初始状态为Q = 0。

电工学少学时1-4章课后习题答案

电工学少学时1-4章课后习题答案

电工学少学时1-4章课后习题答案第一章电路的基本概念和基本定律一、填空题1、电路的作用是实现电能的传输和转换,以及对电信号的传递和处理。

2、电流的实际方向规定为正电荷定向移动的方向,电压的实际方向规定为由高电位指向低电位。

3、电阻元件的伏安特性曲线是一条过原点的直线,其斜率表示电阻的大小。

4、电源的电动势是电源将其他形式的能转化为电能的能力的物理量,其方向规定为在电源内部由负极指向正极。

二、选择题1、已知空间有 a、b 两点,电压 Uab=10V,a 点电位为 Va=4V,则b 点电位 Vb 为()A 6VB -6VC 14VD -14V答案:B解析:Vb = Va Uab = 4 10 =-6V2、一电阻元件,当其电流减为原来的一半时,其功率为原来的()A 1/2B 1/4C 2 倍D 4 倍答案:B解析:P = I²R,当 I 变为原来的一半时,P' =(I/2)²R = 1/4 I²R三、计算题1、如图所示电路,已知 E1 = 18V,E2 = 12V,R1 =3Ω,R2 =6Ω,R3 =9Ω,求各支路电流。

解:首先设各支路电流方向如图所示。

根据基尔霍夫电压定律(KVL),对于回路①:E1 I1R1 I3R3 = 0即 18 3I1 9I3 = 0 (1)对于回路②:E2 I2R2 + I3R3 = 0即 12 6I2 + 9I3 = 0 (2)根据基尔霍夫电流定律(KCL),在节点 A 处:I1 = I2 + I3 (3)联立(1)、(2)、(3)式,解得:I1 = 3A,I2 = 1A,I3 = 2A第二章电路的分析方法一、填空题1、支路电流法是以支路电流为未知量,应用基尔霍夫定律列出方程组求解的方法。

2、网孔电流法是以网孔电流为未知量,列写网孔的 KVL 方程进行求解的方法。

3、节点电压法是以节点电压为未知量,列写节点的 KCL 方程进行求解的方法。

电工电子第四版答案(最新)

电工电子第四版答案(最新)

第1章思考题与习题解答1-3 I 1的实际方向向下,I 2的实际方向向左,I 3的实际方向向上;U 1的实际方向下正上负,U 2的实际方向向右正左负,U 3的实际方向下正上负;W 360111-==I U P 释放功率 W 210222=-=I U P 吸收功率 W 150333==I U P 吸收功率1-4 (a )W 162A V 8=⨯=P(b )W 123A V 4-=⨯-=P (c )W 51A V 5=⨯=P (d )W 183A V 6-=⨯-=P 1-6 V 600==RI U W 1802==RI P 1-7 []900kWh kWh 30)(3100)10100(3=⨯⨯⨯⨯==-Pt W1-8 (a )A 1A 268=-=I V 2V )12(bc -=⨯-=U (b )8V V )152512(S =⨯++-⨯+U 4V S =U 1-9 (a )V 1V 2V 3ab =-=U(b )1)V 2(V 5⨯+-=R Ω=7R1-10 (a )A 2)A 221(=+=I电压源功率:W 42)W 2(US -=⨯-=P 电流源功率:W 21)W 2(IS =⨯=P电阻功率:W 2W 222R =⎥⎦⎤⎢⎣⎡=P(b )1V V )211(=⨯+-=U电压源功率:W 22)W 1(US -=⨯-=P电流源功率:[]W 2W 2)1(2)W (IS -=⨯--=⨯-=U P 电阻功率:[]W 4W 122R =⨯=P 1-11 0521=-+I I I0645=--I I I 0236=-+I I I0134=--I I I0S11144S455=-++-U I R I R U I R 0S44433S366=+--+U I R I R U I R05566S222=--+-I R I R U I R 其他回路电压方程略1-12 5V 2)V 756366(-=⨯-+⨯+=U 1-13 0321=-+I I I0S13311=-+U I R I R0S23322=-+U I R I R将已知数据代入方程,得:A 121=I ,A 42-=I ,A 83=I 以b 点位参考点, 0b =V0V 1233a ==I R V 0V 18S1c ==U V 0V 8S2d ==U V 0V 10d c cd =-=V V U以d 点位参考点, 0d =V0V 422a =-=I R V 0V 8S2b -=-=U V 0V 10S2S1c =-=U U V 0V 10d c cd =-=V V U第2章思考题与习题解答2-1 (a )图中四个电阻并联,Ω=2R(b )图中两个2Ω电阻并联后与3Ω电阻串联,然后与4Ω电阻并联,再与6Ω电阻串联,最后与 8Ω电阻并联,Ω=4R 2-2 开关打开A 91.2A 2624)2(6)2(410=++++⨯+=I开关闭合A 94.2A 2222646410=+⨯++⨯=I2-3 (a )(b )6V(c2-4 将电路进行等效变换,可求出电流。

电工电子技术基础-第4章

电工电子技术基础-第4章

U Z U P 220 V ;各个负载的相电流等于线电流,即 I Z I L
U Z 220 A 22 A Z 10
[4.09] 有一电源为三角形联接,而负载为星形联接的对称三相电路,已知电源相电压为 220V,每相负载的阻抗模 Z 10 ,试求负载的相电流和线电流。 [解] 当电源为三角形联接时, U L U P 220 V ;
所以负载电压 U Z U P
A A
2200V, U 220 120 V ,U 220 120 V U A B C
各相电流分别为
20 0 A 10 120 A I I A B , , I I I 10 0 A I N A B C
A B C N
A相
图JT4.06
B相 二层
C相 三层
一层
中线在“×”附近断开,接在 A 相的第一层楼的电灯不受影响,电灯的亮度不变。而 第二、 第三层的电灯接在 B 相和 C 相上, 在中线断开后, B 相和 C 相负载呈串联关系接 380V, 因而 B 相和 C 相电压低于额定电压 220V,故电灯暗淡下来。 由于第三层楼并联的电灯较多,因而总电阻较小,由分压公式知 UC<UB,因此,第三 层楼灯更暗些。 [4.07] 如图 T4.07 所示的是三相四线制电路, 电源线电压 UL=380V。 三个电阻性负载联 成星形,其电阻为 RA=11, RB = RC =22。 (1)试求负载电压、相电流及中性线电流,并作出它们的相量图; (2)如无中性线,求负载电压及中性点线电压 (3)如无中性线,当 A 相短路时求各相电压和电流; (4)如无中性线,当 C 相断路时求另外两相的电压和电流; (5)在(3)、(4)中如有中性线,则又如何?
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第4章 场效应管放大电路与功率放大电路4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管各属于何种类型。

说明它的开启电压th U (或夹断电压p U )约是多少。

GSGS (a)(b)(c)图4.1 习题4.1图解:(a) N 沟道 耗尽型FET U P =-3V ; (b) P 沟道 增强型FET U T =-4V ; (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。

4.2 某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = -8V 。

(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道?(2) 计算U GS = -3V 是的I D ;(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。

解:(1) N 沟道; (2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I 4.3 画出下列FET 的转移特性曲线。

(1) U P = -6V ,I DSS = 1mA 的MOSFET ;(2) U T = 8V ,K = 0.2mA/V 2的MOSFET 。

解:(1)/V(2)i D /V4.4试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET 的转移特性示意图,并标明各自的开启电压或夹断电压。

解:i Du GSo 耗尽型N 沟道增强型N 沟道U PU TU PU T耗尽型P 沟道增强型P 沟道4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。

解: (a) 能放大(b) 不能放大,增强型不能用自给偏压(c) 能放大(d )不能放大,增强型不能用自给偏压。

共漏1<uA ,可增加R d ,并改为共源放大,将管子改为耗尽型,改电源极性。

图4.2 习题4.5电路图4.6 电路如图4.3所示,MOSFET 的U th = 2V ,K n = 50mA/V 2,确定电路Q 点的I DQ 和U DSQ 值。

解:)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ =⨯+=⨯+=V R R R U22DQ n GSQ th ()50(3.132)63.9(mA)I K U U =-=⨯-=)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V UR g1R g2100k 15k Ω(a)图4.3 习题4.6电路图 图4.4 习题4.7电路图4.7 试求图4.4所示每个电路的U DS ,已知|I DSS | = 8mA 。

解:(a) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD -I DQ R d = 12-8×1=4(V) (b) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =-8(mA)U DSQ =V DD -I DQ R d = -9+8×0.56=-4.52(V)4.8 电路如图4.5所示,已知VT 在U GS = 5V 时的I D = 2.25mA ,在U GS = 3V 时的I D = 0.25mA 。

现要求该电路中FET 的V DQ = 2.4V 、I DQ = 0.64mA ,试求:(1) 管子的K n 和U th 的值; (2) R d 和R S 的值应各取多大? 解:(1)I D =K n (U GS -U th )22.25= K n (5-U Th )2 0.25= K n (3-U th )2 → U th1=3.5(V) (不合理,舍去),U th2=2(V) 求得:K n =0.25mA/V 2,U th =2V(2)V DQ =V DD -I DQ ·R d 2.4=12-0.64R d →R d =15k Ω2GSQ )2(25.064.0-=U →U GSQ1=0.4(V)(不合理,舍去) U GSQ2=3.6(V)U GSQ =10-0.64·R s ∴R s =10k Ω4.9 电路如图4.6所示,已知FET 的U th = 3V 、K n = 0.1mA/V 2。

现要求该电路中FET 的I DQ = 1.6mA ,试求R d 的值应为多大?V DDSSV DD R g 1.2M图4.5 习题4.8图 图4.6 习题4.9图解:1.6=0.1(U GSQ -3)2 ∴U GSQ1=7(V) U GSQ2=-1(V)(不合理,舍去) U DSQ =U GSQ =7(V) U DSQ =15-1.6×R d ∴R d =5k Ω4.10 电路如图4.7所示,已知场效应管VT 的U th = 2V ,U (BR)DS = 16V 、U (BR)GS = 30V ,当U GS = 4V 、U DS = 5V 时的I D = 9mA 。

请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截止、恒流、可变电阻、击穿)?R g 1.2M R dΩ15VR g 1.2M R d Ω20VR g 1.2M R d Ω12VR g 1.2M R d Ω12V(a)(b)(c)(d)图4.7 习题4.10图解:(a) 截止(b) U DSQ =20V>U (BR)DS ,击穿(c) I D =K n (U GS -U th )2 9= K n (4-2)2 ∴K n =2.25mA/V 2 U GSQ =3V I DQ =2.25(3-2)2 ∴I DQ =2.25mA → U DSQ =12-2.25×5=0.75(V)<U GSQ -U th =1V ∴处于可变电阻区(d) U DSQ =12-2.25×3=5.25(V)>U GSQ -U th =1V∴处于恒流区4.11 图4.8所示场效应管工作于放大状态,ds r 忽略不计,电容对交流视为短路。

跨导为m 1ms g =。

(1)画出电路的交流小信号等效电路;(2)求电压放大倍数u A •和源电压放大倍数us A •;(3)求输入电阻i R 和输出电阻o R 。

图4.8 习题4.11电路图解:R sR g3R g2R g1R 1R d R iR osiU gsU gsm U g +-+-oU+-(2) R i =R g3+R g2//R g1=2+0.3//0.1=2.075(M Ω) R o =R d =10k Ω(3) 3.321110111m d -=⨯+⨯-=+-==R g R g U U A m i o u3.33.3001.0075.2075.2-≈⨯+-=+=us i i us A R R R A 4.12 电路如图4.9所示,已知FET 在Q 点处的跨导g m = 2mS ,λ=0,试求该电路的uA 、R i 、R o 的值。

u iC 1C 2R g1VTu o+V DD 20VR g2R S 2M Ω0.5M Ω3k ΩR L 10k Ω图4.9 习题4.12电路图解:R i =R g2//R g1=2//0.5=0.4(M Ω) R o =R s //m g 1=3//21=429(Ω) 822.010//32110//32//1//L s L s =⨯+⨯=+=R R g R R g A m m uR g2R g1R sR iR oiU gsU gsm U g +-+-oU +-R L4.13 由于功率放大电路中的晶体管常处于接近极限工作的状态,因此,在选择晶体管时必须特别注意哪3个参数?解:最大集电极电流I CM 、最大集电结耗散功率P CM 和反向击穿电压U (BR)CEO4.14 一双电源互补对称功率放大电路如图4.10所示,设CC 12V V =,L 16R =Ω,i u 为正弦波。

求:(1)在晶体管的饱和压降U CES 可以忽略的情况下,负载上可以得到的最大输出功率om P ;(2)每个晶体管的耐压|U (BR)CEO |应大于多少;(3)这种电路会产生何种失真,为改善上述失真,应在电路中采取什么措施。

解:(1) )W (5.4162122)(2L 2CES CC om =⨯=-=R U V P ,(2) )V (242||CC (BR)CEO =≥V U(3) 会产生交越失真,工作于甲乙类工作状态可以消除这种失真。

图4.10 习题4.14电路图 图4.11 习题4.15电路图4.15 一个单电源互补对称功放电路如图4.11所示,设CC 12V V =,L 8R =Ω,C 的电容量很大,iu为正弦波,在忽略晶体管饱和压降U CES的情况下,试求该电路的最大输出功率omP。

解:)W(25.28262)2/(2L2CESCCom=⨯=-=RUVP4.16 在图4.12所示的电路中,已知CC16VV=,L4R=Ω,iu为正弦波,输入电压足够大,在忽略晶体管饱和压降U CES的情况下,试求:(1)最大输出功率omP;(2)晶体管的最大管耗CMP;(3)若晶体管饱和压降CES1VU=,最大输出功率omP和η。

解:(1) )W(3242162)(2L2CESCCom=⨯=-=RUVP(2) )W(4.62.0omCM=≥PP(3) )W(1.2842152)(2L2CESCCom=⨯=-=RUVP,%6.731611644CCom=-⋅=⋅=ππηVU4.17 在图4.13所示单电源互补对称电路中,已知CC24VV=,L8R=Ω,流过负载电阻的电流为o0.5cos(A)i tω=。

求:(1)负载上所能得到的功率oP;(2)电源供给的功率VP。

图4.12 习题4.16电路图图4.13 习题4.17电路图解:)W(1825.02o=⨯⎪⎭⎫⎝⎛=P)W(82.35.0241122cmCCLomCCV=⨯⨯=⨯⋅=⨯⋅=πππIVRUVP4.18 在图4.14中哪些接法可以构成复合管?哪些等效为NPN管?哪些等效为PNP管?图4.14 习题4.18电路图解:(a) 不能 (b) 不能 (c) 能 NPN (d) 能 PNP4.19 图4.15所示电路中,三极管β1 = β2 = 50,U BE1 = U BE2 = 0.6V 。

(1) 求静态时,复合管的I C 、I B 、U CE ;(2) 说明复合管属于何种类型的三极管; (3) 求复合管的β。

I BI CR b 1.5M ΩR e 2k ΩU CE-15VR b1.5M ΩR c 300Ω+15VVT 1VT 2VT 1VT 2U CEI CI B(a)(b)图4.15 习题4.19电路图解:(a) )μA (2.95.16.06.015BQ =--=I)mA (92.23)1(BQ 21BQ 1CQ2CQ1CQ=++=+=I I I I I βββ)V (824.73.092.231515c CQ CEQ =⨯-=⋅-=R I U 250021=⋅≈βββ 相当于NPN (b) )μA (18.2]1[6.015c211b BQ =+++-=R R I βββ)mA (56.5)1(BQ 12EQ2CQ=+==I I I ββ)V (88.32)00218.056.5(1515c EQ CEQ =⨯+-=⋅-=R I U250021=⋅≈βββ 相当于PNP Lesson37 Making a bookcase一、 Teaching aims:1. Words: work hard make bookcase hammer paint pink favourite2.Sentences: I’m making a bookcase.I’m going to paint it pink.3.Grammar: 学会用be going to 表示打算、准备、按计划将要做某事。

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