《电磁场问题数值算法》经典习题解答
电磁场的典型练习题及解答
电磁场的典型练习题及解答电磁学是物理学中的重要分支，研究电荷和电流所产生的电场和磁场的相互作用规律。
在学习电磁学的过程中，练习题是检验我们对理论知识掌握的有效方法。
本文将介绍一些典型的电磁场练习题，并给出详细的解答，帮助读者加深对电磁场的理解。
1. 题目：一根无限长直导线产生的电场强度已知一根无限长直导线，导线上带有均匀分布的电荷线密度λ。
求导线距离d处的电场强度E。
解答：根据库仑定律可知，电场强度E与电荷线密度λ成正比，与距离d 成反比。
所以可以得出结论：电场强度E和d满足反比关系。
2. 题目：两个点电荷的叠加效应已知两个点电荷q1和q2，分别位于坐标原点和坐标轴上一点P(x,0)。
求点P处的电场强度E。
解答：根据叠加原理，点P处的电场强度E等于点电荷q1和q2分别在点P处产生的电场强度之和。
由库仑定律可知，点电荷产生的电场强度与电荷量成正比，与距离的平方成反比。
根据该性质，可以分别求出点电荷q1和q2在点P处产生的电场强度，再将两者相加得到点P处的总电场强度。
3. 题目：平行板电容器的电场强度已知一对平行板电容器，两平行板间距离为d，电容器的电容为C。
求平行板电容器中的电场强度E。
解答：根据平行板电容器的结构特点，可知平行板电容器中的电场强度E对于两平行板之间的距离d是均匀的，且大小与电容C的倒数成正比。
所以可以得出结论：电场强度E和d满足正比关系，与电容C成正比。
4. 题目：磁场的洛伦兹力已知带电粒子以速度v在磁场B中运动，其电荷量为q。
求带电粒子所受的洛伦兹力F。
解答：根据洛伦兹力的定义，带电粒子所受的洛伦兹力F等于其电荷量q与速度v以及磁场B的矢量积。
通过对矢量积的计算，可以得到带电粒子所受的洛伦兹力F的大小和方向。
5. 题目：安培环路定理的应用已知一安培环路中有多个电流元素，它们的电流分别为I1，I2，I3...In。
求安培环路中的磁场强度B。
解答：根据安培环路定理，安培环路中的磁场强度B与电流元素的电流之和成正比。
《电磁场问题数值算法》经典习题解答
吕波
矩量法
问题：求解金属圆柱在水平入射均匀平面波照射下，面电流分布及由此产生的远 区散射场分布。 分析：可将面电流密度用脉冲函数展开，即：
N J sz i i (r r i ) ……………………………………………………（1-1） i 1
它表示把导体横截面的周界分成 N 个小段， 且设每一个小段中的面电流密度 i 作 均匀分布。这样算子方程为：
jk ( x j cos i y j sin i )
（j=1,2,…,N）……………………（1-8）
Matlab 源程序如下：
%矩量法计算圆柱散射 %copyright by lvbo % clear; yita=120*pi%自由空间波阻抗 freq=5*10^8%频率为 500MHz k=(2*pi*freq)/(3*10^8)%该频率的传播常数 N=100%将圆柱导体横截面的周界 l 分成 N 个小段 r=0.1%圆柱导体的半径为 0.1 detaL=2*pi*r/N%每个小段的长度 2003,6,24
Hx1=zeros(N+1,N); Hy1=zeros(N,N+1); %迭代后新时刻场量值 Ez2=zeros(N+1,N+1); Hx2=zeros(N+1,N); Hy2=zeros(N,N+1); %设置脉冲源 tao=2*10^-10;%高斯脉冲的宽度 t0=tao/2%高斯脉冲峰值出现的时刻 deltaL=L/N;%空间间隔要求 deltaT=tao/(4*N);%时间间隔要求 t=0;%可以修改 t 的值一观察不同时刻的电磁场 %迭代过程 for dc=1:1000%迭代的次数 ca=1;%迭代系数 cb=deltaT/yps; cp=1; cq=deltaT/u; %激励源加入 It=exp(-4*pi*(t-t0).^2/(tao^2)); %非边界场值迭代 clear i j; for i=1:(N+1) for j=1:N Hx2(i,j)=cp*Hx1(i,j)-cq*(Ez1(i,j+1)-Ez1(i,j))/deltaL; end end clear i j; for i=1:N for j=1:(N+1) Hy2(i,j)=cp*Hy1(i,j)+cq*(Ez1(i+1,j)-Ez1(i,j))/deltaL; end end clear i j; for i=2:N for j=2:N
电磁场课后习题答案
电磁场课后习题答案电磁场课后习题答案电磁场是物理学中一个重要的概念，涉及到电荷、电流和磁场的相互作用。
在学习电磁场的过程中，我们经常会遇到一些习题，这些习题旨在帮助我们更好地理解电磁场的基本原理和应用。
本文将给出一些电磁场课后习题的答案，希望能够对大家的学习有所帮助。
1. 一个带电粒子在匀强磁场中作圆周运动，其运动半径与速度之间的关系是什么？答：带电粒子在匀强磁场中作圆周运动时，受到的洛伦兹力与向心力相等。
洛伦兹力的大小为F = qvB，向心力的大小为F = mv²/R，其中q为电荷量，v为速度，B为磁感应强度，m为质量，R为运动半径。
将这两个力相等，可以得到qvB = mv²/R，整理得到v = qBR/m。
因此，速度与运动半径之间的关系是v 与R成正比。
2. 一个长直导线中有一电流I，求其所产生的磁场强度B与距离导线距离r之间的关系。
答：根据安培定律，长直导线所产生的磁场强度与电流和距离的关系为B =μ₀I/2πr，其中B为磁场强度，I为电流，r为距离，μ₀为真空中的磁导率。
可以看出，磁场强度与距离的关系是B与1/r成反比。
3. 一个平面电磁波的电场强度和磁场强度的振幅分别为E₀和B₀，求其能量密度u与E₀和B₀之间的关系。
答：平面电磁波的能量密度与电场强度和磁场强度的关系为u = ε₀E₀²/2 +B₀²/2μ₀，其中u为能量密度，ε₀为真空中的介电常数，μ₀为真空中的磁导率。
可以看出，能量密度与电场强度的振幅的平方和磁场强度的振幅的平方之间存在关系。
4. 一个平行板电容器的电容为C，两板间的距离为d，若电容器中充满了介电常数为ε的介质，请问在电容器中存储的电能与电容、电压和介电常数之间的关系是什么？答：平行板电容器存储的电能与电容、电压和介电常数之间的关系为W =1/2CV²，其中W为存储的电能，C为电容，V为电压。
当电容器中充满了介质后，介质的存在会使电容增加为C' = εC，因此存储的电能也会增加为W' =1/2C'V² = 1/2εCV²。
电磁场习题解答
( ) 2.6 dF = (dp ⋅ ∇) E = ( P ⋅ ∇) EdV , ∇E2 = ∇ ( E ⋅ E ) = 2( E ⋅ ∇) E ， 体 积 受 力 f = ε − ε0 ∇ E2 。 2
2 .7 建 立 直 角 坐 标 系 ，令 n12 = ez ，坐 标 平 面 xOy 与 边 界 面 重 合 ，在 边 界 面 上 取 单 位
这 是 平 面 z = z0 （ z0 是 任 意 常 量 ） 内 所 有 点 绕 z 轴 旋 转 的 圆 周 运 动 。
1.4 ∂f = ∇f ⋅ t° = 2(2x + 5y + 7z) ， ∂f
= 28 。
∂t
∂t (1,1,1)
1.5 在 曲 面 u = C 上 任 意 点 r = ( x, y,z) 的 邻 域 取 增 量 Δr = (Δx,Δy,Δz) ， 则
⎞ ⎟⎠
+
1 sinθ
∂ ∂θ
⎛ ⎜⎝
sinθ
∂ϕ ∂θ
⎞ ⎟⎠
+
1 sin 2θ
∂2ϕ ∂φ 2
⎤ ⎥ ⎦
，得
（ 1）
ρv
=
0 ，（ 2）
ρv
=
ε0
A cos3θ sinφ sin 2θ
，（ 3）
ρv
=
q
⎛ ⎜
δ
(
r
)
−
⎝
a2 4π r
⎞ ⎟
e−
ar
⎠
。
( ) ∫ 2.4
根 据 ϕ (P) −ϕ (Q) =
<0， ∇⋅F <0。
1.10
∇×(
f
F)=
f
⎛ ⎜ ⎝
电磁场习题解答.
电荷与圆柱轴线平行相距为d。求圆柱内任意点
的电位。
解：将该圆柱看作是带等量异号电荷的偏心圆 柱导体间的电场。这里，只需将内导体圆柱的
半径 a1 取为零，外圆柱导体的内半径取为 a2 a。
这时，有：
h1 (a2 d 2 ) / 2d; h2 (a2 d 2 ) / 2d b (a2 d 2 ) / 2d
(1) E 2Axex
0
2
x2
2 A 0
(2) E A( yzex xzey yxez )
0
(3) E [(2A sin Bz)e A cose Bez ] 0 (3Asin Bz / )
(4) E [(2Ar sin coser Ar cos cose Ar sine ] 4A0 sin cos
(r, ,)的一个变量。试决定表面上各点的电
流密度。
解：利用J 与E 的关系，再利用E与的关系可以解
决此问题。
E
(
r
er
1 r
e
1
r sin
e )
1 r
0
sin e
J
rE
r
0
sin e
2-2.一半径为a的均匀带电体，总带电量为Q，
该球绕直径以角速度 旋转。求：（1）球内
各处的电流密度 J;（2）通过半径为a的半圆
0
(r b)
（2）在内球壳与外球壳之间，由于壳是球形的，内 球壳外表面上的感应电荷q的分布是均匀的，外球壳内 表面上的感应电荷（-q）的分布也是均匀的。因此内外 球壳间的电场强度由下式决定：
E
q
4 0 r 2
er
(a r b)
任一点的电位为：
电磁场习题解6
第六章 平面电磁波 1.在εr=2, μr=1的理想介质中,频率为f =150MHz 的均匀平面波沿y 方向传播,y=0处,E =zˆ10V/m,求E , E (y,t), H ,H (y,t) ,S c,υp.解： f =150MHz )/(102318s m cv rr p ⨯===εμμε)(2m f cfv rr p ===εμλπλπ22==kE =zˆ10yj e π2-Z=120π/2H ==⨯Z E y/ˆx ˆ2/12πyje π2-E (y,t)= zˆ102cos(2π*150*106t-2πy) H (y,t)= xˆ/6πcos(2π*150*106t-2πy) Sc=*H E ⨯=yˆ52/6π2.在真空中H =xˆx H =x ˆ0H zj e π2求E ,E (z,t), λ, f ,Z, S c.解：由πλπ22==k 得λ=1m ，s m cf /1038⨯==λ真空中 Z=120πE =k H Z ˆ⨯=z j e H z x ππ20120)ˆ(ˆ-⨯=yˆ120π0H z j e π2 Sc=-zˆ120π0H 2)21032cos(1202ˆ),(80z t H x t z E πππ+⨯⨯⨯=3.在理想介质中E (x,t)= y ˆ80π2cos(10*107πt+2πx)H (x,t)= -zˆ2cos(10*107πt+2πx)求: f , εr, μr,λ.解： 由ππ710102⨯=f 得 f =7105⨯Hzλ=k π2=1m,m fc 60==λ 由:rr εμλλ0=，从而 60==λλεμr r及 波阻抗 πεμπ80120=⨯==rr H EZ 得： εr=9 ,μr=44.均匀平面电磁波在真空中沿kˆ=1/2(yˆ+z ˆ)方向传播, 0E =10x ˆ,求E ,E (y,z,t),H ,H (y,z,t), Sc.解：设λ已知，则k=2π/λ,E =0E r j e ∙-=xˆ10)(/2z y j e +-λπH =1/Z*⨯kˆE =2/(24π)(yˆ-z ˆ))(/2z y j e +-λπE (y,z,t)= xˆ102cos(2πc/λt-2π/λ(y+z)) H (y,z,t)= 1/(12π)(yˆ-z ˆ)cos(2πc/λt-2π/λ(y+z)) Sc=*H E⨯=5/(62π)(yˆ+z ˆ)5.证明电磁波E =5(xˆ+3y ˆ))3(y x j e --πH =5/120πzˆ )3(y x j e --π为均匀平面波.证明：由E =5(xˆ+3y ˆ))3(y x j e --π)3()cos cos cos (y x z y x k r k -=++=⋅πγβα即 π3=x k ，π-=y k ，πππ2)()3(22222=-+=++=z y x k k k k2/1cos ,2/3cos -===βαkk xkˆ=3/2x ˆ-1/2y ˆ E ∙kˆ=0 ，H ∙k ˆ=0 又kˆ的方向不变，等相面为k ˆ与垂直的面，显然为平面。
电磁场原理习题与解答(第5章)
第五章习题答案5-2 如题图所示，一半径为a 的金属圆盘，在垂直方向的均匀磁场B 中以等角速度ω旋转，其轴线与磁场平行。
在轴与圆盘边缘上分别接有一对电刷。
这一装置称为法拉第发电机。
试证明两电刷之间的电压为22ωBa 。
证明：，选圆柱坐标， ρφe vB e B e v B v E z ind=⨯=⨯=其中 φρωe v=22ωρρωρερρa B d B e d e v B l d E aal ind====⎰⎰⎰∙∙∴证毕 5-3解：5-4 一同轴圆柱形电容器，其内、外半径分别为cm r 11=、cm r 42=，长度cm l 5.0=，极板间介质的介电常数为04ε，极板间接交流电源，电压为V t 10026000u πsin =。
求s t 0.1=时极板间任意点的位移电流密度。
解法一：因电源频率较低，为缓变电磁场，可用求静电场方法求解。
忽略边沿效应，电容器中的场为均匀场，选用圆柱坐标，设单位长度上内导体的电荷为τ，外导体电荷为τ-，因题图5-2zvρ此有ρρπετe 2E 0=21r r <<ρ1200222121r r d dl E u r r r r lnπετρρπετ===⎰⎰∙1202r r u ln=∴πετ所以ρρer r u E 12 ln =， ρρεer r u D 12ln=2A/mρρππρερεe t 10010026000r r e tu r r tD J 1212dcos ln ln ⨯=∂∂=∂∂=当s t 1=时2512A/m10816100100260004108584ρρρππρe e J d--⨯=⨯⨯⨯⨯=.cos ln .解法二：用边值问题求解，即⎪⎩⎪⎨⎧=====∇401u 02ρϕρϕϕ 由圆柱坐标系有0)(1=∂∂∂∂ρϕρρρ(1)解式(1)得 21ln c c +=ρϕ由边界条件得： 4u c 1ln -= u c 2=u 4u +-=∴ρϕln ln所以 ρρπϕe 4t10026000Eln sin =-∇=ρρπεεe 4t 100260004E D 0ln sin ==ρπρπεe 1004t 100260004t D J 0D⨯=∂∂=ln cos当s t 1=时)(.25D mAe 10816J ρρ-⨯=5-5由圆形极板构成的平板电容器)(d a >>见题图所示，其中损耗介质的电导率为γ、介电系数为ε、磁导率为μ，外接直流电源并忽略连接线的电阻。
电磁场理论课后习题1答案
电磁场理论课后习题1答案电磁场理论是物理学中的重要课程，它研究了电磁场的产生、传播和相互作用。
在学习这门课程时，课后习题是巩固知识、提高能力的重要途径。
本文将针对电磁场理论课后习题1给出详细的解答。
习题1：一个带电粒子在电磁场中运动，受到的洛伦兹力为F=q(E+v×B)，其中q是粒子的电荷量，E是电场强度，v是粒子的速度，B是磁感应强度。
请证明：洛伦兹力对粒子所做的功率为P=qv·E。
解答：根据洛伦兹力的表达式F=q(E+v×B)，我们可以将其展开为F=qE+qv×B。
其中第一项qE表示粒子在电场中受到的电力，第二项qv×B表示粒子在磁场中受到的磁力。
根据功率的定义，功率P等于力F对时间t的导数，即P=dW/dt，其中W表示对物体所做的功。
所以我们需要计算洛伦兹力对粒子所做的功。
根据力的功的定义，功W等于力F对位移的积分，即W=∫F·ds。
在这里，位移ds是粒子在运动过程中的微小位移。
将洛伦兹力F=qE+qv×B代入功的计算式中，得到W=∫(qE+qv×B)·ds。
由于电场强度E和磁感应强度B是空间中的矢量场，所以我们可以将其展开为E=E_xi+E_yj+E_zk和B=B_xi+B_yj+B_zk的形式。
对于微小位移ds，我们可以将其表示为ds=dx·i+dy·j+dz·k。
将上述表达式代入功的计算式中，得到W=∫(q(E_xi+E_yj+E_zk)+q(v_xi+v_yj+v_zk)×(B_xi+B_yj+B_zk))·(dx·i+dy·j+dz·k)。
根据矢量积的性质，可以得到v×B=(v_yB_z-v_zB_y)i-(v_xB_z-v_zB_x)j+(v_xB_y-v_yB_x)k。
将其代入功的计算式中，得到W=∫(q(E_xi+E_yj+E_zk)+q((v_yB_z-v_zB_y)i-(v_xB_z-v_zB_x)j+(v_xB_y-v_yB_x)k))·(dx·i+dy·j+dz·k)。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
程序结果：
1、
时域有限差分法
问题：在 TM 模式下，编写 matlab 程序，使用 FDTD 方法分析点脉冲源激励情
况下，正方形 MUR 边界的性能。
分析：对 TM 波，FDTD 公式为：
Hx
n 1 2 1 n Ezn (i, j 1) Ezn (i, j ) 1 1 2 (i , j ) cp (m) H x (i , j ) cq (m) 2 2 y
N N ' k L( J sz ) i L[ i (r r i )] i H 02(k | r r i |)dl 4 li i 1 i 1
若以狄拉克函数作为权函数切令它定义在各分段的中点 ( x j , y j ) 上，即令
W j ( x x j , y y j ) …………………………………………………… （1-2）
Matlab 程序如下：
yps=8.85*10^-12;%真空中介电常数 u=4*pi*10^-7; c=3*10^8;%真空中光速 L=0.1; %TM 波约定： %Hx(i,j)=Hx(i*deltaX,(j+1/2)*deltaY); %Hy(i,j)=Hy((i+1/2)*deltaX,j*deltaY); %Ez(i,j)=Ez(i*deltaX,j*deltaY); %区域设定 N=10 %将正方形区域均分成为 N*N 个小正方区域 %初始电磁场值 %旧时刻场量值 Ez1=zeros(N+1,N+1);
《电磁场问题数值算法》学习经典习题
吕波
矩量法
问题：求解金属圆柱在水平入射均匀平面波照射下，面电流分布及由此产生的远 区散射场分布。 分析：可将面电流密度用脉冲函数展开，即：
N J sz i i (r r i ) ……………………………………………………（1-1） i 1
它表示把导体横截面的周界分成 N 个小段， 且设每一个小段中的面电流密度 i 作 均匀分布。这样算子方程为：
Ezn 1 (i , j ) Ezn (i 1, j 1) Ezn 1 (i , j ) Ezn (i 1, j 1) Ezn 1 (i , j ) Ezn (i 1, j 1) Ezn 1 (i , j ) Ezn (i 1, j 1) Ezn 1 (i 1, j 1) Ezn (i , j ) （左下角） ct 2 Ezn 1 (i 1, j 1) Ezn (i , j ) （右上角） ct 2 Ezn 1 (i 1, j 1) Ezn (i , j ) （左上角） ct 2 Ezn 1 (i 1, j 1) Ezn (i , j ) （右下角） ct 2 ct 2 ct 2 ct 2 ct 2
[g]中个元素可按下面的分析定之。设自由空间中有一均匀平面波沿 r ' 方向传播，
r ' 和 x 轴之间的夹角为θi，则在空间任意点（x,y）处的电场强度可表示为： Ez( i ) e jk ( x cosi y sin i )
导体表面上匹配点处的电场强度应为
Ez( i ) ( x 以转化为代数方程组
[l ][ ] [ g ] ……………………………………………………………（1-3）
式中 （1-4） g j ( x x j , y y j ), Ezi Ezi ( x j , y j ) ………………………………
k (2) lij l ji ( x x j , y y j ), L i (r r i ) H0 (k ( xi x j ) 2 ( yi y j ) 2dli （1-5） 4 li
%计算 l 矩阵各个元素 D=1.781; for wx=1:N % this is for fufill the matrix for wy=1:N x(wx)=r*cos(pi/N+((wx-1)*2*pi)/N); x(wy)=r*cos(pi/N+((wy-1)*2*pi)/N); y(wx)=r*sin(pi/N+((wx-1)*2*pi)/N); y(wy)=r*sin(pi/N+((wy-1)*2*pi)/N); if wx==wy l(wx,wy)=(k*yita*detaL/4)*(1-j*2*(log(D*k*detaL/4)-1)); else l(wx,wy)=(k*yita/4)*besselh(0,2,k*sqrt((x(wx)-x(wy))^2+(y(wx)-y(wy))^2))*detaL; l(wy,wx)=(k*yita/4)*besselh(0,2,k*sqrt((x(wx)-x(wy))^2+(y(wx)-y(wy))^2))*detaL; end end end;
Hx
n
其中，真空中 ca(m)=cp(m)=1; cb(m)
0
t
; cq (m)
0
t
二维 Mur 吸收边界条件的 FDTD 形式如下（一阶） ： ct n 1 Ez (i 1, j ) Ezn (i , j ) Ezn 1 (i , j ) Ezn (i 1, j ) （左边界） ct ct n 1 Ezn 1 (i , j ) Ezn (i 1, j ) Ez (i 1, j ) Ezn (i , j ) （右边界） ct ct n 1 Ezn 1 (i , j ) Ezn (i , j 1) Ez (i , j 1) Ezn (i , j ) （上边界） ct ct n 1 Ezn 1 (i , j ) Ezn (i , j 1) Ez (i , j 1) Ezn (i , j ) （下边界） ct 二维 Mur 吸收边界角点的处理如下：
Hx1=zeros(N+1,N); Hy1=zeros(N,N+1); %迭代后新时刻场量值 Ez2=zeros(N+1,N+1); Hx2=zeros(N+1,N); Hy2=zeros(N,N+1); %设置脉冲源 tao=2*10^-10;%高斯脉冲的宽度 t0=tao/2%高斯脉冲峰值出现的时刻 deltaL=L/N;%空间间隔要求 deltaT=tao/(4*N);%时间间隔要求 t=0;%可以修改 t 的值一观察不同时刻的电磁场 %迭代过程 for dc=1:1000%迭代的次数 ca=1;%迭代系数 cb=deltaT/yps; cp=1; cq=deltaT/u; %激励源加入 It=exp(-4*pi*(t-t0).^2/(tao^2)); %非边界场值迭代 clear i j; for i=1:(N+1) for j=1:N Hx2(i,j)=cp*Hx1(i,j)-cq*(Ez1(i,j+1)-Ez1(i,j))/deltaL; end end clear i j; for i=1:N for j=1:(N+1) Hy2(i,j)=cp*Hy1(i,j)+cq*(Ez1(i+1,j)-Ez1(i,j))/deltaL; end end clear i j; for i=2:N for j=2:N
jk ( x j cos i y j sin i )
（j=1,2,…,N）……………………（1-8）
Matlab 源程序如下：
%矩量法计算圆柱散射 %copyright by lvbo % clear; yita=120*pi%自由空间波阻抗 freq=5*10^8%频率为 500MHz k=(2*pi*freq)/(3*10^8)%该频率的传播常数 N=100%将圆柱导体横截面的周界 l 分成 N 个小段 r=0.1%圆柱导体的半径为 0.1 detaL=2*pi*r/N%每个小段的长度 2003,6,24
当 i j 时，采用近似式
lij l ji k (2) H 0 (k (xi x j )2 ( yi y j )2 )li ………………………（1-6） 4
当 i j 时，
lii k li 4 Dk li 2 1 j (ln 4 1) ……………………………………（1-7）
%给 g 矩阵赋值 %入射波以 0 度(水平)入射圆柱导体
for px=1:N g(px)=exp(j*k*(x(px)*cos(0)+y(px)*sin(0))); end
%求解电流展开系数 afa=g*inv(l);
%求解面电流密度 for py=1:N J(py)=afa(py); magJ(py)=abs(J(py)); phasJ(py)=angle(J(py)); end subplot(2,2,1); polar(pi/N:2*pi/N:2*pi,magJ); title('面电流密度幅度分布'); subplot(2,2,2); plot(phasJ); title('面电流密度相位分布'); %求解远区散射场 fai=pi/N:2*pi/N:2*pi; p=1000%所求远区场与柱体的距离 Es=0; for pj=1:N Es=Es+(k*yita*exp(-j*k*p+0.75*pi)/sqrt(j*8*k*p))*afa(pj)*detaL*exp(-j*k*(x(pj)*cos(fai)+y(pj) *sin(fai))); end subplot(2,2,3); polar(fai,abs(Es)/max(abs(Es))); title('电场幅度随离开柱体距离的变化趋势'); subplot(2,2,4); plot(1:N,angle(Es)); title('电场相位随角度变化趋势');