电子技术期中试题
对口单招计算机专业电子技术期中试卷
2022—2023学年第一学期期中考试《电子技术》试卷班级学号姓名得分一、选择题(每小题3分，计45分)1、有两根同种材料的电阻丝，长度之比为1：2；横截面积之比为2：3，则它们的电阻之比是（）。
A、1：2B、2：3C、4：5D、3：42、R1和R2为两个并联电阻，已知R1＝R2，且R2上消耗的功率为1W，则R1上消耗的功率为( )。
A．2W B．1W C．4W D．0.5W3、如图1所示，可调变阻器R获得最大功率的条件是R=（）。
A、1．2ΩB、2ΩC、3ΩD、5Ω4、如图2所示，电流I的值为（）。
A、1AB、-2AC、2AD、-1A5、仍如上题图2中所示，Us的值为（）。
A、3VB、-3VC、2VD、-2V6、图3所示的电路中，C1=C2=1μF，C1已充电，两极板之间的电压为100V，当开关S闭合后，电容器两端的电压变为（）。
A、各为100VB、各为50VC、各为0VD、C1上为0V,C2上为100V7、用万用表测量小功率三极管的正、反向电阻，应使用（）进行测量。
A、R×1电阻档B、10V直流电压档C、R×10K电阻档D、R×1K电阻档8、如图4所示，R AB=（）Ω。
A． 10 B． 60 C．20 D． 309、在图5所示电路中，当开关S闭合后，P点的电位为（）。
A．不变 B．升高 C．为零 D．无法确定10、在图6所示电路中，○V是电压表，当1A电流源单独作用时，○V的读数为3V；而当5V电压源单独作用时，○V的读数为2V；若将5V电压源换成15V电压源，并与1A电流源共同作用，则○V的读数为：（）。
A．10V B．11V C．9V D．12V11、如图7所示单相桥式整流电容滤波电路中，变压器副边电压有效值U2=20V，R L=50Ω，电容C=2000μF，若电路正常工作，则测得R L两端的输出电压的平均值为（）。
A、28V B、18V C、24V D、20V12、仍如上题图7中，电容C去掉，则测得R L两端的输出电压的平均值为（）。
模拟电子技术期中考试卷
模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。
中职电子技术基础期中试题
2023年-2024年度第二学期 中等职业技术学校22 级 船舶 专业 电子技术基础 科目期中检测试卷（A 卷） 考试形式：闭卷■、开卷□ 出卷人：康洋 考试时间： 60分钟一、判断题（本大题共10小题，每小题3分，共30分，请将其答案写在答题卡内。
）1.制造半导体器件用得最多的是硅和碳两种材料。
2.纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力是很弱的 。
3. PN 结加正向电压导通，加反向电压截止，这是 PN 结的重要特性——“单向导电性”。
4. 正向特性是指给二极管加正向电压（二极管正极接高电位，负极接低电位）时的特性。
5. 二极管导通后，二极管两端的电压会一直增加。
6. 三极管里面有PN 结结构，因此三极管具有单向导电性。
7.三极管可以用两个二极管拼接而成。
8.发射极电流的方向，箭头朝外的是 NPN 型三极管，箭头朝内的是 PNP 型三极管。
9.三极管的发射极和集电极可以互换。
10.三极管电流放大的实质是：用较小的基极电流控制较大的集电极电流。
二、单项选择题（本大题共10小题，每小题4分，共40分，请将其答案写在答题卡内。
）1. 从 PN 结的 P 区引出的电极为二极管的正极，又称（ ）。
A.阳极 B.阴极 C.负极 D.亮极2.硅管的“死区电压”为（ ）。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 3.硅材料二极管两端的电压降为（ ）。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 4.三极管的发射极用符号（ ）可以表示。
A.cB.eC.bD.a 5. 三极管实现电流放大作用的条件是（ ）。
A. 发射结正偏，集电结反偏B. 发射结正偏，集电结正偏C. 发射结反偏，集电结正偏D. 发射结反偏，集电结反偏 6. NPN 型三极管中，当V C >V B >V E ，三极管处于（ ）A.共射极放大电路B. 共集电极放大电路C.共基极放大电路D.共阳极放大电路 7.以下哪项属于直流电的表示符号（ ）A.I BB. i bC. i BD. I b8.在某放大电路中， 测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V ， -10 V ， -9.3 V ， 则这只三极管是（ ）。
电子技术期中试题及答案
电子技术基础试卷（A）卷班级姓名得分一、填空（30分每空2分）1．二极管最主要的特性是。
2．差分放大电路，若两个输入信号u I1=u I2，则输出电压，u O=；若u I1=100μV，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id=μV；共模输入电压u Ic= μV3．若三级放大电路中A u1=A u2=30 d B，A u3=20 d B，则其总电压增益为dB，折合为倍。
4．．集成三端稳压器CW7915的输出电压为V。
5．只读存储器的类型有固定ROM、_________________和EEPROM三种。
6．四位二进制异步减法计数器有________________________个计数状态。
7．BCD编码中最常用的编码是______________________。
8．PN结反向偏置时，PN结的内电场被___________________。
9．在构成电压比较器时集成运放工作在开环或_________________________状态10．逻辑表达式中，异或的符号是，同或的符号是。
11．二进制码11100001表示的十进制数为。
二、选择（30分每空3）1．在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型锗管 B. NPN 型硅管 C. PNP 型锗管 D. PNP 型硅管2．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大3.如图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
A．1500 B.80 C.50 D.304.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（）。
A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
电工电子技术期中试题
电工电子技术期中试题一、选择填空(1)、下图方框代表电源或负载，已知U = 220V，I = -1A，其中哪一个方框是电源？（）(2)、下面说法正确的是（）。
a、电源的实际输出功率一定等于其额定功率b、电源的实际输出功率决定于负载的大小c、电源的实际输出功率与负载的大小无关(3)、图１所示的电路中Ａ点的电位V A为（）。
a、12Vb、- 4Vc、+4V(4)、在ＲＣ串联的交流电路中，下列表达式正确的是（）。
(5)、在两个阻抗串联的交流电路中，以下表达式正确的是（）。
a、Z = Z1+Z2，b、|Z|=|Z1|+|Z2|，c、(6)、正弦交流电路的电压= 30∠15ºV，= -3∠-160ºV , 该电路的性质是（）。
a、阻性b、感性c、容性(7)、三相交流电路的有功功率为（）。
(8)、当电路发生换路时，下面的说法中正确的是（）。
a、电感元件上的电压和电容元件中的电流不能突变b、电感元件中的电流和电容元件上的电压不能突变d、电阻元件的端电压和流过电阻的电流都不能突变I I Ia、Ub、Uc、Ua、P =√3 U L I L sinφb、P = √3 U L I L cosφc、P =√3 U p I p sinφ-12V5kΩ4kΩ A图18kΩ+12VZ = Z12 + Z22(9)、关于三相异步电动机下面的说法正确的是（ ）。
a 、 在电源电压一定时，电动机起动转矩与负载的大小无关b 、 如保持电源电压不变，负载转矩增加，电动机转速上升c 、 电动机转速的大小与电源电压的高低有关(10)、变压器绕组的极性下面判断正确的是（ ）。
二、计算图２所示的电路中的电流I 。
三、在图３所示的电路中，已知： E = 50V ， Is = 3A ， R 1 = 10Ω， R 2 = 5Ω，R 3 = 5Ω，R 4 = 10Ω，试求各支路电流。
四、正弦交流电路如图４，已知 I 1 = 10A ，U 1 = 100V ，求电流Io ，电压Uo 。
电工电子技术与技能期中试卷
电工电子技术与技能期中试卷学号姓名一、填空题1、物质按导电能力的大小可以分为，,二极管属于2、晶体二极管加一定的正向电压时，加反向电压时，这一导电特性，称为晶体二极管的。
3、硅管的门坎电压约为V，锗管约为V；硅管的导通电压约为V，锗管约为V.4、二极管的正向电阻，反向电阻.5、PN结的主要特性是。
6、晶体三极管按半导体材料可分为管和管；按PN结的组合方式不同可分为型和型。
7、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是：发射结、集电结.电流分配关系是。
8、通常把晶体三极管的输出特性曲线分成三个区域,它们分别是、和。
9、晶体三极管集电极输出电流I C=9mA,该管的电流放大系数为β=50，则输入电流I B=mA。
10、晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管，所以热稳定性三极管较好.二、判断题：1、晶体三极管具有能量放大作用。
(）2、当发射结正偏，集电结反偏时，晶体三极管工作在放大状态。
（）3、当集电极电流I C值大于集电极最大允许电流I CM时，晶体三极管一定损坏。
（）4、二极管和三极管都属于非线性器件。
（）5、晶体三极管的集电极和发射极可以对调使用。
(）6、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位.（）7、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。
(）8、对于NPN型三极管,当V BE〉0时，V BE〉V CE，则该管工作状态处于饱和状态。
（）三、选择题1、在P型半导体中（）A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B．空穴的数量略多于电子C．电子是多数载流子，空穴是少数载流子D．没有电子2、二极管两端加上正向电压时（ )A．一定导通 B．超过死区电压才能导通C．超过0。
7伏才导通 D．超过0.3伏才导通3、用万用表的"R×10”挡和”R×100”挡测量同一个二极管的正向电阻，两次测量得的值分别是R1和R2,则二者相比( ）A。
《电子技术基础及应用》期中考试题
《电子技术基础及应用》期中考试题姓名___________ 学号_____________ 班级_______一填空题（共8个题每题0.5分共10分）1. PN 结的正向接法是：P区接电源的_______极，N区接电源的_______极。
2.多级放大电路的耦合方式有_______、_______和_______三种。
3、PN结具有_________特性。
4、单半波整流电路中，利用二极管的特性，可以将正弦交流电变成单方向脉动的直流电。
5、二极管的类型按材料分为和。
6、从输出特性曲线可以看出，晶体管有三个工作区域，分别为、和。
晶体管用来放大时，应使发射极处于偏置，集电极处于偏置。
7、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为信号；在时间上和数值上离散的信号叫做信号。
8、直流电源一般可分为_____ ____，______ ___，______ ___稳压电路四部分。
二、选择题（共30个小题，每个小题1分共30分）1. 如果二极管正反向电阻都很小，则该二极管_______A. 正常B. 已被击穿C. 内部短路2. 三极管具有_______作用A. 电压控制B. 电流放大C. 既不是电压控制又不是电流控制3. 三极管的两个PN结都反偏，则该三极管的状态时_______A. 放大B. 截止C. 饱和4. 三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是_______A. 发射结和集电结同时反偏B.发射结和集电结同时正偏C.发射结正偏，集电结反偏5. 如果一个二极管的正极的电位是5V, 负极的电位是3V，那么该二极管_______A. 正向导通B. 截止C. 击穿6. 当硅二极管加上0.3伏正向电压时，该二极管的状态是______A. 正向导通B. 截止C. 放大7、一个四环电阻的色环颜色依次是紫、红、红、金，此电阻值是（）A、7.2KΩB、6.3KΩC、722ΩD、72KΩ8、一个电容器上标注为335，此电容器的容量为（）9、3.3PF B、335PF C、3.3μF D、335μF10、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
电子技术基础与技能期中试卷
《电子技术基础与技能》第一学期期中试卷班级___________姓名___________学号______________一、单项选择题（每小题2分，共40分）1、以下特性中，属于半导体材料的性质有（ ）。
A ．掺杂性B ．光敏性C ．热敏性D ． 以上都是2、N 型半导体中，（ ）。
A ．多数载流子是电子B ．电子与空穴相等C ．多数载流子是空穴D ．无电子无空穴3、二极管正向导通时，呈现（ ）。
A ．零电阻B ．较小电阻C ．较大电阻D ．不稳定电阻4、主要用于计算机、脉冲或开关电路中的二极管为（ ）。
A ．整流二极管B ．检波二极管C ．开关二极管D ．发光二极管5、如图所示电路中，理想二极管12,VD VD 的工作状态为（ ）。
A ．12,VD VD 均导通B ．1VD 截止，2VD 导通C ．12,VD VD 均截止D ．1VD 导通，2VD 截止6、右图所示发光二极管，关于其引脚极性的说法，正确的是（ ）。
A ．长引脚为正极，短引脚为负极B ．长引脚为负极，短引脚为正极C ．这种发光二极管没有极性D ．无法判断7、用万用表检测小功率二极管的极性时，量程应选择（ ）。
A ．1R ⨯挡B ．10R ⨯挡C ．100R ⨯或1k 挡D ．10R k ⨯挡8、用指针式万用表不同电阻档测量二极管正向电阻时，测得的阻值不相同，其原因是（）。
A ．二极管质量差B ．万用表不同电阻档有不同的内阻C ．二极管有非线性的伏安特性D ．用指针式万用表测量的结果不准确9、用万用表检测发光二极管时，其正、反向电阻都为无穷大，则该发光二极管（ ）。
A ．正常B ．已被击穿C ．内部短路D ．内部开路10、目前市场上常见的型号为14007N 的二极管是（ ）。
A ．整流二极管B ．稳压二极管C ．发光二极管D ．变容二极管11、图所示三极管，其引脚从左到右依次为（ ）。
A ．,,b c eB ． ,,c b eC ． ,,e b cD ． ,,e c b12、测得某电路中几个硅材料三极管的各极电位如图所示，试判断（ ）管处于正常放大状态。
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《电子技术基础》期中试题
一、填空：（每空2分，共20分）
1、 PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，这种特性称为PN结的。
2、当硅材料的二极管正向偏压小于，锗材料的二极管正向偏压小于
时，二极管仍不导通，我们把这个区域称为死区。
3、三极管有三种工作状态，当工作在状态时，I C = I CEO≈0；当工作在
___________状态时，关系式I C =βI B才成立；当工作在状态时，V CE≈0。
4、晶体三极管的管压降V CE保持不变，基极电流I B=30μA时，集电极电流I C=1.2mA，
则发射极电流I E=。
如果I B增大到50μA时，I C增加到2mA，则三极管电流放大系数β= 。
5、对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要___________些，以减轻信
号源的负担；输出电阻要___________些，以增加带动负载的能力。
二、判断：（每题2分，共20分）
（）1、桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。
（）2、画放大器的直流通路时，电容要作开路处理；画交流通路时，直流电源和电容应作短路处理。
（）3、晶体管放大器常采用分压式偏置电路，因为它具有稳定静态工作点的作用。
（）4、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。
（）5、晶体管放大器接有负载RL后，电压放大倍数Av，将比空载时提高。
（）6、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
（）7、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（）8、三级放大器中，各级的功率增益为：-4dB，20dB和40dB，则总功率增益为56dB。
（）9、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈多，通频带愈窄。
（）10、两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A V1，A V2，则这两个放大器连成两级放大器后总的放大倍数为A V，则A V=A V1+A V2。
三、选择：（每题2分，共20分）
（）1、NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是（）。
A、V C＞V B＞V E
B、V C＜V B＜V E
C、V C＞V E＞V B
（）2、用万用表欧姆挡测量晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）。
A、R×100Ω或R×1KΩ
B、R×1Ω
C、R×10KΩ
（）3、有三只晶体三极管，除β和I CBO不同外，其它参数相同，用作放大器件时，应选用（）管为好。
A、β=50，I CBO=0.5μA
B、β=140，I CBO=2.5μA
C、β=10，I CBO=0.5μA
（）4、对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（）。
A、三极管可以把小能量放大成大能量
B、三极管可以把小电流放大成大电流
C、三极管可以把小电压放大成大电压
D、三极管可以用较小电流控制较大电流
（）5、在变压器次级电压相同时，二极管承受反向电压最大的是（）电路。
A、单相半波整流
B、单相全波整流
C、单相桥式整流（）6、放大电路中某三极管极间电压如图所示，则该管类型及1、2、3 极分别为（）。
A. NPN型硅管，E、C、B。
B. NPN型硅管，C、B、E。
C. PNP型锗管，E、C、B。
D. PNP型锗管，B、C、E。
（）7、三极管各电极对地电位如图所示，工作于饱和状态的三极管是（）。
（A）（B）（C）（D）
（）8、差分放大器比非差分的直接耦合放大器以多用一个晶体三极管为代价，换取（）。
A 、高的电压放大倍数
B 、使电路放大信号时减少失真
C 、抑制零点漂移
（ ）9、 电路如图，设二极管正向电阻为0
反向电阻为∞，则V AB 为（）。
A 、-3V
B 、
C 、8V
D 、
（ ）10、正确的稳压管稳压电路是题图中的（）。
R R R
( A ) ( B ) ( C ) ( D )、
四、计算与问答题：（40分）
1、 已知某三极管的I
B1=10μA 时，I C1=0.88mA ；当I B2=40μA 时，I C2=2.38mA ，求
该三极管的电流放大系数β为多少？（5分）
2、 单相桥式整流电路中，若输出电压V 0=18V ，负载电流I 0=2A ，试求：
⑴ 变压器次级电压； ⑵ 整流二极管承受的最高反向电压和正向平均电流； ⑶ 若加电容滤波，则V 01=？（15分）
-
3、如图所示放大电路中，三极管β=50，r be=1KΩ，R b1=22KΩ，R b2=4.7 KΩ，Rc=2.5K
Ω，R e =1 KΩ，Vcc=12V。
试求：⑴估算电路的静态工作点；⑵估算Av、ri、ro；⑶若接上4KΩ的负载电阻，则Av=？（20分）
+Vcc
O。