微电子材料与工艺
微电子加工基础工艺总结
1、分立器件和集成电路区别分立元件：每个芯片只具有一种器件；集成电路：每个芯片具有各种元件。
2、平面工艺特点平面工艺是由Hoerni于1960年提出。
在这项技术中，整个半导体表面先形成一层氧化层，再借助平板印刷技术，通过刻蚀去除某些氧化层，从而形成一种窗口。
P-N结形成办法：①合金结办法A、接触加热：将一种p型小球放在一种n型半导体上，加热到小球熔融。
B、冷却：p型小球以合金形式掺入半导体底片，冷却后，小球下面形成一种再分布结晶区，这样就得到了一种pn结。
合金结缺陷：不能精确控制pn结位置。
②生长结办法半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P型）半导体熔液中生长出来。
生长结缺陷：不适当大批量生产。
扩散结形成方式与合金结相似点：表面表露在高浓度相反类型杂质源之中与合金结区别点：不发生相变，杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部扩散结长处扩散结结深可以精准控制。
平面工艺制作二极管基本流程：衬底制备——氧化——一次光刻（刻扩散窗口）——硼预沉积——硼再沉积——二次光刻（刻引线孔）——蒸铝——三次光刻（反刻铝电极）——P-N结特性测试3、微电子工艺特点高技术含量设备先进、技术先进。
高精度光刻图形最小线条尺寸在亚微米量级，制备介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。
超纯指工艺材料方面，如衬底材料Si、Ge单晶纯度达11个9。
超净环境、操作者、工艺三个方面超净，如 VLSI在100级超净室10级超净台中制作。
大批量、低成本图形转移技术使之得以实现。
高温多数核心工艺是在高温下实现，如：热氧化、扩散、退火。
4、芯片制造四个阶段固态器件制造分为4个大阶段（粗线条）：①材料制备②晶体生长/晶圆准备③晶圆制造、芯片生成④封装晶圆制备：（1）获取多晶（2）晶体生长----制备出单晶，包括可以掺杂（元素掺杂和母金掺杂）（3）硅片制备----制备出空白硅片硅片制备工艺流程（从晶棒到空白硅片）：晶体准备（直径滚磨、晶体定向、导电类型检查和电阻率检查）→切片→研磨→化学机械抛光（CMP）→背解决→双面抛光→边沿倒角→抛光→检查→氧化或外延工艺→打包封装芯片制造基本工艺增层——光刻——掺杂——热解决5、high-k技术High—K技术是在集成电路上使用高介电常数材料技术，重要用于减少金属化物半导体（MOS）晶体管栅极泄漏电流问题。
微电子材料-第三章-20181016
3.3 光刻技术原理
光刻基本原理 利用光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，与化
学腐蚀相结合，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
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3.3 光刻技术原理
在集成电路制造中，利用光刻胶图形作为保护膜，对选定区域进行刻蚀， 或进行离子注入，形成器件和电路结构。
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3.4 光刻胶
光学曝光过程中，为了将掩模上的图形转移到圆片上，辐 照必须作用在光敏物质上，该光敏物质必须通过光照，改 变材料性质，使在完成光刻工艺后，达到转移图形的目的。 该光敏物质称为光刻胶。 • 传统I线光刻胶（I线紫外波长365nm，0.35μmCD） • 深紫外（DUV）光刻胶（248nm，0.25μmCD） • 深紫外光刻胶的化学放大（193nm，0.18μmCD）
显影后图形与掩膜版相同。凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的 照射下，以降解反应为主的光刻胶称为 正性光刻胶，简称 正胶。正胶在 感光时，曝光对聚合物起断链作用，使长链变短，使聚合物更容易在显影 液中溶解。
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3.4 光刻胶
两种光刻胶的性能
显影液：
正胶：典型的正胶显影液为碱性水溶液，如： 25%的四甲 基氢氧化氨[TMAH--NH4（OH）4] 水溶液。
金属层：在不同晶体管之间 形成复合互连金属层，具体 布局取决于相应处理器所需 要的不同功能性。芯片表面 看起来异常平滑，但事实上 可能含20多层复杂的电路。
晶圆测试：内核级别，图 中是晶圆的局部，正在接 受第一次功能性测试，使 用参考电路图案和每一块 芯片进行对比。
晶圆切片(Slicing)：晶圆 级别，将晶圆切割成块， 每一块就是一个处理器的 内核(Die)
负胶：典型的负胶显影液为二甲苯。
正胶和负胶的工艺温度： 1. 正胶 前烘：90°C，20分；坚膜：130 °C，30分。 2. 负胶 前烘：85 °C，10分；坚膜：140 °C，30分；
微电子工艺原理的具体应用
微电子工艺原理的具体应用引言微电子工艺是研究和制造微电子器件的技术，它在现代电子领域发挥着重要的作用。
本文将探讨微电子工艺原理在实际应用中的具体情况。
半导体材料的应用•半导体材料是微电子器件的基础材料，具有独特的电子性质，被广泛应用于集成电路、太阳能电池、光电器件等。
半导体材料的特性能够进行电子输运和控制，从而实现各种电子功能的实现。
制造工艺的应用•清洗：微电子器件制造的第一步是对基片进行清洗，以去除表面的杂质和污染物，确保高质量的器件制造。
•沉积：沉积过程用于在基片上生成不同的薄膜层，如金属薄膜、多层介电膜，以及掩模材料等。
•石英湿腐蚀：石英湿腐蚀是一种用于蚀刻、清洗和去除微米级结构的工艺，常用于制造微细通道和微电子传感器等。
•光刻：光刻是一种将芯片图案转移到光刻胶上的过程，通过光刻胶的曝光和显影来形成芯片图形。
制造器件的应用•集成电路：集成电路是微电子器件的主要应用领域之一，它是将成千上万个电子元器件封装在一个芯片上，实现电子功能的高度集成。
•传感器：微电子工艺原理被广泛应用于制造各种传感器，如加速度传感器、压力传感器、温度传感器等。
这些传感器具有高灵敏度和稳定性，可用于测量和监测各种物理量。
•太阳能电池：微电子工艺原理在太阳能电池的制造中起着关键作用，通过在半导体材料上制造pn结构，将太阳能转化为电能。
光电子器件的应用•激光器：激光器是一种利用光电子效应产生激光的器件。
它常用于光通信、激光切割和医学领域等。
•光纤通信：光纤通信是一种利用光信号传输数据的通信技术，光电子器件在光纤通信中起着至关重要的作用。
•光电二极管：光电二极管是一种将光信号转化为电信号的器件，广泛应用于光通信和光电探测等领域。
综述微电子工艺原理在现代电子领域的具体应用非常广泛。
半导体材料的应用、制造工艺的应用、制造器件的应用以及光电子器件的应用等都是微电子工艺原理的重要应用方向。
随着科技的不断进步，微电子工艺原理将继续发展并在更多领域发挥关键作用。
微电子工艺原理的应用
微电子工艺原理的应用1. 简介微电子工艺原理是微电子技术中的核心概念，它涵盖了半导体物理、微加工技术、电子器件、集成电路设计等方面的知识。
本文将重点探讨微电子工艺原理在现代科技领域中的广泛应用。
2. 微电子工艺原理在集成电路制造中的应用在集成电路制造过程中，微电子工艺原理具有重要的应用价值。
•光刻工艺：微电子工艺原理在光刻工艺中起到关键作用。
光刻工艺是指利用光法将电子器件的图形传输到硅片上的加工工艺。
通过硅片表面的光敏化材料，以及光刻机等工艺设备，可以实现图形的高精度转移。
光刻工艺的应用使得集成电路制造中器件的精度和制造效率得到了极大的提升。
•沉积工艺：沉积工艺是将不同材料沉积到硅片上以形成电子器件的工艺过程。
微电子工艺原理在沉积工艺中起到重要作用，可以实现对硅片上特定区域的材料控制和涂覆，制造出高质量的导电膜、绝缘膜等电子器件。
•蚀刻工艺：蚀刻工艺是指通过化学气相或湿法将硅片表面非所需的材料去除，形成所需的器件结构的工艺过程。
微电子工艺原理在蚀刻工艺中可以准确控制蚀刻速率和蚀刻剖面，实现对器件结构的精确加工。
3. 微电子工艺原理在传感器制造中的应用微电子工艺原理在传感器制造领域也有重要的应用。
•MEMS传感器：MEMS（微电子机械系统）传感器是一种集成了微电子器件和微机械器件的传感器，具有小型化、高灵敏度和低功耗等优点。
微电子工艺原理在MEMS传感器制造中可以实现对微机械结构的加工和微电子器件的集成，为传感器的性能提高和功能拓展提供了基础。
•光学传感器：光学传感器是利用光学原理实现对环境光、物体颜色、温度等参数变化的检测和测量。
微电子工艺原理在光学传感器制造中可以实现对光学元件的加工和光电器件的集成，提高传感器的灵敏度和准确度。
•压力传感器：微电子工艺原理在压力传感器制造中可以实现对微机械结构的加工和微电子器件的集成，将压力信息转化为电信号输出。
压力传感器广泛应用于汽车、医疗、工业控制等领域，具有重要的应用价值。
微电子工艺概论1-5
微电⼦⼯艺概论1-51.硅作为电⼦材料的优点·原料充分，占地壳25%，沙⼦是硅在⾃然界中存在的主要形式；·硅晶体表⾯易于⽣长稳定的氧化层，这对于保护硅表⾯器件或电路的结构、性质很重要； ·密度只有2.33g/cm3，是锗/砷化镓的43.8%，⽤于航空、航天；·热学特性好，线热膨胀系数⼩，2.5*10-6/℃，热导率⾼，1.50W/cm ·℃，芯⽚散热； ·单晶圆⽚的缺陷少，直径⼤，⼯艺性能好，⽬前16英⼨；·机械性能良好，MEMS 。
2.硅晶体缺陷——点缺陷·本征缺陷（晶体中原⼦由于热运动）空位 A ：晶格硅原⼦位置上出现空缺；⾃填隙原⼦B ：硅原⼦不在晶格位置上，⽽处在晶格位置之间。
·杂质（⾮本征缺陷：硅以外的其它原⼦进⼊硅晶体）替位杂质C 填隙杂质D 注：·肖特基缺陷：空位缺陷； ·弗伦克尔（Frenkel ）缺陷：原⼦热运动脱离晶格位置进⼊晶格之间，形成的空⽳和⾃填隙的组合；·填隙杂质在微电⼦⼯艺中是应尽量避免的，这些杂质破坏了晶格的完整性，引起点阵的变，但对半导体晶体的电学性质影响不⼤； ·替位杂质通常是在微电⼦⼯艺中有意掺⼊的杂质。
例如，硅晶体中掺⼊Ⅲ、Ⅴ族替位杂质，⽬的是调节硅晶体的电导率；掺⼊贵⾦属Au 等，⽬的是在硅晶体中添加载流⼦复合中⼼，缩短载流⼦寿命。
3.硅晶体缺陷——线缺陷·线缺陷最常见的就是位错。
位错附近，原⼦排列偏离了严格的周期性，相对位置发⽣了错乱。
位错可看成由滑移形成，滑移后两部分晶体重新吻合。
在交界处形成位错。
⽤滑移⽮量表征滑移量⼤⼩和⽅向。
·位错主要有刃位错和螺位错刃（形）位错：晶体中插⼊了⼀列原⼦或⼀个原⼦⾯，位错线AB与滑移⽮量垂直；螺（旋）位错：⼀族平⾏晶⾯变成单个晶⾯所组成的螺旋阶梯，位错线AD 与滑移⽮量平kT E v v e N n /0-=νkTE i i i e N n /0-=1 23 BA 缺陷附近共价键被压缩1、拉长2、悬挂3，存在应⼒·刃形位错的两种运动⽅式：滑移和攀移。
微电子器件的材料与工艺选择
微电子器件的材料与工艺选择在当今科技飞速发展的时代，微电子器件已经成为了我们生活中不可或缺的一部分。
从智能手机、电脑到各种智能家电，微电子器件的身影无处不在。
而微电子器件的性能和质量，很大程度上取决于所选用的材料和工艺。
微电子器件所使用的材料种类繁多，每种材料都有其独特的性质和应用场景。
首先要提到的是硅，它是目前微电子领域中应用最为广泛的半导体材料。
硅具有良好的电学性能、稳定性和易于加工等优点。
通过对硅进行掺杂，可以改变其导电性能，从而制造出各种类型的晶体管和集成电路。
除了硅，砷化镓也是一种重要的半导体材料。
相比于硅，砷化镓具有更高的电子迁移率和工作频率，适用于制造高频、高速的微电子器件，如微波器件和光电器件。
在材料的选择上，还需要考虑材料的纯度和晶体结构。
高纯度的材料可以减少杂质对器件性能的影响，而良好的晶体结构有助于提高电子的传输效率。
在工艺方面，光刻技术是微电子制造中的关键工艺之一。
它就像是在微小的世界里进行精细的雕刻。
通过光刻，可以将设计好的电路图案转移到半导体材料上。
光刻的精度直接决定了器件的尺寸和性能。
薄膜沉积工艺也是至关重要的。
常见的薄膜沉积方法包括化学气相沉积和物理气相沉积。
这些方法可以在半导体表面沉积出各种薄膜，如绝缘层、导电层等，从而构建出复杂的电路结构。
蚀刻工艺则用于去除不需要的材料，以形成特定的器件结构。
有干法蚀刻和湿法蚀刻两种方式，它们各有优缺点，需要根据具体的工艺要求进行选择。
另外，封装工艺对于微电子器件的性能和可靠性也有着重要影响。
好的封装可以保护器件免受外界环境的影响，同时提供良好的散热和电气连接。
在选择微电子器件的材料和工艺时，需要综合考虑多个因素。
首先是性能需求。
如果需要制造高性能、高速的器件，可能会倾向于选择砷化镓等特殊材料，并采用更先进的光刻和蚀刻工艺。
而对于一些对成本较为敏感、性能要求不那么高的应用，硅材料和成熟的工艺可能是更合适的选择。
其次是成本因素。
微电子工艺
微电子工艺微电子工艺引论硅片、芯片的概念硅片：制造电子器件的基本半导体材料硅的圆形单晶薄片芯片：由硅片生产的半导体产品*什么是微电子工艺技术？微电子工艺技术主要包括哪些技术？微电子工艺技术：在半导体材料芯片上采用微米级加工工艺制造微小型化电子元器件和微型化电路技术主要包括：超精细加工技术、薄膜生长和控制技术、高密度组装技术、过程检测和过程控制技术等集成电路制造涉及的五个大的制造阶段的内容硅片制备：将硅从沙中提炼并纯化、经过特殊工艺产生适当直径的硅锭、将硅锭切割成用于制造芯片的薄硅片芯片制造：硅片经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂步骤，一整套集成电路永久刻蚀在硅片上芯片测试/拣选：对单个芯片进行探测和电学测试，挑选出可接受和不可接受的芯片、为有缺陷的芯片做标记、通过测试的芯片将继续进行以后的步骤装配与封装：对硅片背面进行研磨以减少衬底的厚度、将一片厚的塑料膜贴在硅片背面、在正面沿着划片线用带金刚石尖的锯刃将硅片上的芯片分开、在装配厂，好的芯片被压焊或抽空形成装配包、将芯片密封在塑料或陶瓷壳内终测：为确保芯片的功能，对每一个被封装的集成电路进行电学和环境特性参数的测试IC工艺前工序、IC工艺后工序、以及IC工艺辅助工序IC工艺前工序：（1）薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等（2）掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术（3）图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术IC工艺后工序：划片、封装、测试、老化、筛选IC工艺辅助工序：超净厂房技术超纯水、高纯气体制备技术光刻掩膜版制备技术材料准备技术微芯片技术发展的主要趋势提高芯片性能（速度、功耗）、提高芯片可靠性（低失效）、降低芯片成本（减小特征尺寸，增加硅片面积，制造规模）什么是关键尺寸（CD）？芯片上的物理尺寸特征称为特征尺寸，特别是硅片上的最小特征尺寸，也称为关键尺寸或CD半导体材料本征半导体和非本征半导体的区别是什么？本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体，其纯度在99.999999%（8~10个9）为何硅被选为最主要的半导体材料？a) 硅的丰裕度——制造成本低b) 熔点高(1412 OC)——更宽的工艺限度和工作温度范围c) SiO2的天然生成GaAs相对Si的优点和缺点是什么？优点：a) 比硅更高的电子迁移率，高频微波信号响应好——无线和高速数字通信b) 抗辐射能力强——军事和空间应用c) 电阻率大——器件隔离容易实现主要缺点：a) 没有稳定的起钝化保护作用的自然氧化层b) 晶体缺陷比硅高几个数量级c) 成本高圆片的制备两种基本的单晶硅生长方法。
微电子工程中的新材料与工艺技术
微电子工程中的新材料与工艺技术微电子工程是现代科技领域的重要组成部分，它涉及到电子器件的设计、制造和应用。
随着科技的不断进步，人们对微电子工程的要求也越来越高。
新材料和工艺技术的应用在微电子工程中起着至关重要的作用。
本文将从新材料和工艺技术两个方面来探讨微电子工程的发展。
一、新材料在微电子工程中的应用新材料的应用是推动微电子工程发展的重要因素之一。
在过去，硅材料一直是微电子器件的主要材料，但随着技术的发展，人们发现硅材料的性能已经达到了瓶颈。
因此，寻找新的材料成为了迫切的需求。
1.1 碳纳米管碳纳米管是一种由碳原子构成的纳米材料，具有优异的导电性和机械性能。
由于其独特的结构和性质，碳纳米管被广泛应用于微电子器件中，如场效应晶体管和存储器件。
碳纳米管的引入使得微电子器件的性能得到了大幅度的提升。
1.2 二维材料二维材料是指具有纳米尺度厚度的材料，如石墨烯和二硫化钼等。
这些材料具有优异的电学、光学和力学性能，被广泛应用于微电子器件的制备中。
石墨烯作为一种二维材料，被认为是未来电子器件的理想材料之一，其高导电性和高透明性使得其在柔性显示器件和太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。
二、工艺技术在微电子工程中的应用工艺技术是微电子工程中至关重要的一环，它直接影响着器件的性能和可靠性。
随着技术的不断进步，微电子工程中的工艺技术也在不断演进。
2.1 纳米制造技术纳米制造技术是一种用于制备纳米尺度结构的技术，如电子束曝光和原子层沉积等。
这些技术可以精确地控制微电子器件的尺寸和形状，从而提高器件的性能和可靠性。
纳米制造技术的发展使得微电子器件的制备更加精细化和高效化。
2.2 三维集成技术三维集成技术是一种将多个芯片堆叠在一起的技术，以提高芯片的集成度和性能。
通过将多个芯片堆叠在一起，可以减小芯片之间的电阻和电容，提高信号传输的速度和可靠性。
三维集成技术的应用使得微电子器件的功能更加强大，同时减小了器件的尺寸。
结语新材料和工艺技术的应用对微电子工程的发展起着至关重要的作用。
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ALD反应所形成的单原子层的结构和密度强烈依赖于材料表面重 构特性。 （1）完整的单原子层生长：对于III-V族材料，已经观察到饱和 密度与体材料晶面原子密度相当。 （2）亚单原子层生长（小于一个“完整的单原子层”）：绝大 多数情况会发生，受表面重构的影响。采用大反应分子可能会减 小单原子层的饱和密度，这是由于位阻效应的存在。
Chapter 2 High-K Dielectrics
(part 1)
Dielectric constant; Permittivity; Static dielectric constant; Dynamic dielectric constant; Optical frequency dielectric constant; Relative dielectric constant; Absolute dielectric constant;
课程：《微电子材料与工艺》
授课教师：丁士进
Atomic layer deposition system
课程：《微电子材料与工艺》
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基本原理
第1种反应物的吸附
多余反应物清除
第2种反应物的通入和反应
反应生成的薄膜和多余反 课应程物：及《副微产电物子清材洗料与工艺》
授课教师：丁士进
不同衬底表面对ALD过程的影响
气相反应分子Bn通过前反应态Bn’和表面 反应活化能 EB’（如表面重构的破坏来 创造一个成键位置），在固相表面A的
吸附。该模型适用于表面交换反应，即
反应物分子的化学吸附伴随着副产物的 能量变化图 生产，且副产物会从表面脱附。
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授课教师：丁士进
所有ALD的本质特征是表面反应达到饱和，使得生长停止。因此 薄膜厚度直接正比于表面反应已完成的次数（反应循环数）。
A(s)＋Bn(g)＝A(s)＋n B’ (s) 接着就发生表面反应
A(s)+B’(s)=AB(s)
这个反应又建立了一个新的B(s)表面以备下个生长周期。
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对于选择性解吸附（或脱附），原子A和B(s)表面间的键合能要 比原子A和A(s)间的高。为了利用这个条件，工艺温度和周期时 间应当设置成这样的值，既让原子A从A(s)表面有效脱附，而从 B(s)的脱附几乎不可能。
CdTe单晶
生长在Al2O3非晶表面 上的CdS薄膜（多晶）
对于真正的表面，原子A在B(s)表面的键能是BA(s)表面填充密度 或表面重构的函数。饱和密度是温度的函数，由于在不同的温度
下表面重构不同。表面反应饱和不一定导致完全的单层覆盖。
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2. 用化合物源的交换反应
1) As a gate dielectric material to replace SiO2 in advanced MOSFET structures:
2) As a dielectric material in the capacitor structures of dynamic RAMS (DRAMS);
一种化学气相薄膜淀积方法，其明显特征是通过依次饱和 表面反应来生长薄膜，即将两种或多种前体脉冲交替通入 反应腔中，每次通入后进行吹洗。
最早提出，俄 罗斯科学院的 Valentin Borisovich Aleskovskii
Dr Tuomo Suntola invented ALE in 1974.
5) As tunneling layer, blocking layer and trapping layer in MOSFET for flash memory
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Important High-k Dielectric Materials
Dielectric constant Bandgap (eV) Crystal Structure
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高介电常数的定义： High-k dielectrics are defined as those with a dielectric constant greater than that of silicon nitride (k=7).
高K介质在IC中的主要应用：
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原子层化学气相淀积
• ALE: Atomic layer Epitaxy
• ALD: Atomic Layer Deposition
• ALCVD: Atomic Layer Chemical Vapor Deposition
• MLE: Molecular Layer Deposition
第2种反应气源通入时它只能与其接触到的表面单原子层反应， 生成所需的原子层和气体副产物，反应完毕，薄膜生长停止。 惰性气体又带走未反应完的第2种反应物和反应副产物。
每个周期生长的薄膜都是固定不变的，至多一个单原子层薄膜。
ALD技术的优点：
• 薄膜组成和厚度的原子级控制; • 优异的保形性; • 良好的界面控制性能; • 极好的大面积均匀性和重复性.
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Key deposition techniques for high-k dielectrics
• Atomic layer deposition • Chemical vapor deposition (MOCVD) • Pulsed laser deposition • Physical vapor deposition (reactive sputtering)
低温区
低温区：
L1 － 超过了饱和 原子密度；
L2 －没有达到饱 和原子密度;
可能的原因：
L1：发生了反应源凝结。
L2：在至少一个反应次序中反应的激活能没有达到。
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正常温度 (工艺窗口)
N1-饱和密度，对应于 每个反应循环形成了 一个完整的单原子层。
N2-饱和密度, 对应于 每个反应循环形成部 分单原子层。
ALD Al2O3薄膜
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ALCVD ZrO2厚度4.8nm, 上下 界面层厚度1.1nm (Yudong
Kim, 2001 IEDM)
SEM image of AFM tip coated by 30nm SnO2.
表明了良好的保型性和超薄的 厚度控制能力。
N3-饱和原子密度随温 度增加而减小。
可能的原因： N2：表面重构，反应源中含有大配位体，其位阻效应使得 有利的成键位置不足。
N3：表面某些位置存在分散式的键能，这是无序表面（如： 多晶和非晶表面）的特征。
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H1: 超过了饱和 密度。
H2: 没有达到饱 和密度。
对于加成反应，每个生长单原子层周期的化学反应描述如下： B(s)＋A(g)＝BA(s) 。当B(s)表面完全转变成BA(s)表面时，反 应停止。意味着A(s)单原子层已经生长在原来固体的表面上。
A(固)单原子层形成的必要条件：A(g)剂量足够大；不能在A(s)
表面上凝聚。这可以通过选择足够高的反应温度来实现，而且 还要求A(s)表面足够稳定(B-A bonds)直到与B(g)反应。可以用 Bn(g)离解成前反应态B’(s)来描述
AXn-k(s)+BYn(g)=A-BYk(s)+(n-k)*X-Y(g) 其中k值大小从0-n。X和Y为配体元素，不参与成膜。
如果表面发生配位体的热脱附作用，反应途径就复杂了。表 面物种的任何分解都导致反应途径依赖于工艺动力学。
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ALD工艺窗口 在ALD工艺中控制饱和机理的最重要参数是工艺温度。温度对 生长的总体影响可以由下图所示的ALD工艺的温度窗口描述。
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授课教师：丁士进
与原子层淀积过程相关的机理
单原子的 元素反应
表面吸附的能量变化模型
气相原子A在固体表面B上的吸附，表面 反应直接发生，不需要前反应态和激活 能；【激活能：由于表面结构的改变需 要产生一个成键位置；由于反应物分子 Bn状态的改变，如分解或结构修饰】这
种反应必须假定表面上没有表面重构，表 面上有直接成键的位置.
高温区
可能的原因： H1：反应源的分解导致非挥发的产物沉积。 H2：大量脱附阻止了单层的形成，表面配位体的离解。
3) As a dielectric material in the capacitor structures of RF and Analog/Mixed-signal devices;
4) As a dielectric in the capacitor structure of non-volatile ferroelectric random access memories (FeRAMs).
只对第一次脉冲过程有影响
ALD源在衬底表面化
ALD源与活性衬底
学吸附致饱和
表面反应致饱和
表面无活性基团 课程：《微电子材料与工艺》
表面有活性基团 授课教师：丁士进
采用不同反应源，ALD化合物AB薄膜
(a) 单质反应源；
（b）化合物反应源
Basic sequences for compound AB. (a) elemental reactants, A and
4. 清除多余的H2S气体及副产物HCl, 留下ZnS薄膜
1st 半反应 (half-reaction)
ClZn*Cl (s)＋2H2S (g) HSZn*SH (s)+2HCl (g)