6.2 电介质陶瓷
电介质陶瓷讲解学习
5.2非铁电电容器陶瓷
• 5.2.1温度补偿电容器陶瓷 高频温度补偿电容器陶瓷的介电系数在650以下，介电常数 的温度系数较小，而且可通过组成的调整，使介电常数的 温度系数灵活地变化。介电常数的温度系数常为负值，用 来补偿回路中电感的正温度系数，使回路的谐振频率保持 稳定。 a金红石瓷 金红石瓷是一种利用较早的高介电材料，其主晶相为金红 石（TiO2）TiO2的活性、晶粒大小及烧结温度与于烧温度 有关。另外加入的高龄土、膨润土一方面可增加可塑性， 另一方面降低烧结温度。
4.电介质陶瓷陶瓷生产工艺、性能及应用
• 4.1电绝缘陶瓷的生产特点
另外，对于绝缘陶瓷还要求低介电损耗，陶瓷损耗的 主要 来源是漏导损耗、松弛质点的极化损耗及结构损耗。因此 ，降低材料的介电损耗主要从降低漏导损耗和极化损耗入 手：
① 选择合适的主晶相。② 在改善主晶相性质时尽量避免产 生缺位固溶体或填隙固溶体，最好形成连续固溶体。③ 尽量减小玻璃相含量。④ 防止产生多晶转换，因为多晶 转变时晶格缺陷多，电性能下降，损耗增加。⑤ 注意烧 结气氛，尤其对含有变价离子的陶瓷的烧结。⑥ 控制好 最终烧结温度，使产品“正烧”。
• 3.1电绝缘陶瓷
电绝缘陶瓷又称为装置陶瓷，是在电子设备中作为安装、 固定、支撑、保护、绝缘、隔离及连接各种无线电子原件 及器件的陶瓷材料。
具有以下性质：a高的体积电阻率；b介电常数小；c高频电 场下的介电损耗要小；d机械强度高；e良好的化学稳定性
3.电介质陶瓷的分类
• 3.2电容器陶瓷 根据陶瓷电容器所采用陶瓷材料的特点，电容器分为温度
陶瓷cti等级
陶瓷cti等级
陶瓷CTI等级是指陶瓷材料的耐电痕化指数（Comparative Tracking Index，简称CTI）。
根据不同的CTI值，陶瓷材料可以分为以下等级：
1. CTI大于600：该等级的陶瓷材料具有很高的耐电痕化性能，适用于高电压、大电流和高机械应力的场合。
2. 400≤CTI<600：该等级的陶瓷材料具有良好的耐电痕化性能，适用于中等电压和机械应力的场合。
3. 175≤CTI<400：该等级的陶瓷材料具有一定的耐电痕化性能，适用于低电压和低机械应力的场合。
4. CTI<175：该等级的陶瓷材料耐电痕化性能较差，可能只适用于某些特定场合或特定用途。
需要注意的是，不同国家和地区对于陶瓷材料的CTI等级要求可能不同，因此在具体应用中需要了解当地的标准和规范。
同时，为了确保陶瓷材料的耐电痕化性能，需要在制造和使用过程中采取相应的工艺控制和保护措施。
个人ppt 功能陶瓷的分类
光敏陶瓷也称光敏电阻瓷，属半导体陶瓷。 由于材料的电特性不同以及光子能量的差 异，它在光的照射下吸收光能，产生不同的光 电效应：光电导效应和光生伏特效应。
四、超导陶瓷
四、超导陶瓷
具有超导性的陶瓷材料。其主要特性是在 一定临界温度下电阻为零即所谓零阻现象。 超导体的分类，从材料来分，可分为三大 类，即元素超导体、合金或化合物超导体、氧 化物超导体（即陶瓷超导体）。
三、敏感陶瓷
定义：当作用于材料元件上的某一外界条件如温度、 压力、湿度、气氛、电场、磁场、光及射线等改变 时，能引起该材料某种物理性能的变化，从而能从 这些元件上准确迅速地获得某种有用的信号。
分类：热敏、压敏、湿敏、气敏、声波敏感陶瓷、 磁敏和多敏性陶瓷
三、敏感陶瓷—热敏陶瓷
1、热敏陶瓷
热敏陶瓷是一类电阻率随温度发生明显变 化的材料，用于制作温度传感器、线路温度补 偿及稳频的元件-------热敏电阻。 其优点是品种繁多，可以满足不同用途的 需要；灵敏度高、稳定性好、容易制造、价格 便宜。 按照热敏陶瓷的阻温特性，可把热敏陶瓷分为 负温度系数NTC热敏陶瓷：正温度系数PTC 热敏陶瓷；临界温度热敏电阻CTR及线性阻 温特性热敏陶瓷四大类。
一、电子陶瓷—电介质陶瓷
一、电子陶瓷—电介质陶瓷
（3）. 压电陶瓷
电介质陶瓷中的第三大类即为压电陶瓷，它
包括压电陶瓷、热释电陶瓷和铁电陶瓷三种。
陶瓷在外加力场作用下出现宏观的压电效应， 称为压电陶瓷。
压电陶瓷的优点是价格便宜，可以批量生产，
能控制极化方向，添加不同成分，可改变压电特 性。
一、电子陶瓷—导电陶瓷
2、导电陶瓷
众所周知，通常陶瓷不导电，是良好的绝缘 体。例如在氧化物陶瓷中，原子的外层电子受原 子核吸引，束缚在原子周围，不能自由运动。使 氧化物陶瓷不能导电。然而，某些氧化物陶瓷加 热时，处于原子外层的电子可以获得足够的能量， 以便克服原子核对它的吸引力，而成为可以自由 运动的自由电子，这种陶瓷就变成导电陶瓷。
探究电容器的电介质
探究电容器的电介质电容器是一种用来储存电荷的电子元件，其中的电介质在电场作用下可以极大地影响电容器的性能和特性。
本文将探究电容器的电介质的作用、种类及其对电容器性能的影响。
一、电介质的作用电介质是电容器中的一种非导电材料，其存在使得电容器能够存储电荷。
与导电材料相比，电介质具有较高的电阻，可以阻止电荷在电介质内部的自由移动。
电介质在电场作用下，会产生极化现象，即使内部的正负电荷分离。
通过这种极化，电介质在电场中建立了与外电场相反的电场，从而增加了电容器的电容量。
二、电介质的种类电容器中常用的电介质种类繁多，包括但不限于空气、纸介质、陶瓷、塑料以及复合电介质等。
不同的电介质材料具有不同的特性，适用于不同的电容器应用场景。
1. 空气介质空气作为一种常见的电介质，广泛应用于小型电容器中。
它具有优异的绝缘性能和低损耗，但其体积较大，适用于低电容量的应用。
2. 纸介质纸介质是电容器早期常用的一种电介质，其性能相对较差。
纸介质容易受潮，导致电容器性能损失或短路。
由于技术的进步，纸介质现在已被更先进的材料所取代。
3. 陶瓷陶瓷电介质具有较高的介电常数和稳定性，适用于高频率和高电压应用。
常见的陶瓷电介质有氧化铝陶瓷和钛酸锶陶瓷等。
4. 塑料塑料作为电介质被广泛应用于电容器中。
它具有良好的绝缘性能、低损耗和高稳定性。
常见的塑料电介质有聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)以及聚四氟乙烯(PTFE)等。
5. 复合电介质复合电介质是由多种电介质材料复合而成的复合材料。
它综合了各种电介质的优点，具有较高的介电常数、低损耗和良好的稳定性。
复合电介质常用于高性能电容器，如电力电容器和高频电容器等。
三、电介质对电容器性能的影响电介质的性能对电容器的性能有着重要的影响。
不同的电介质具有不同的介电常数、介电损耗和击穿电压等参数，会直接影响电容器的电容量、频率响应和耐压特性。
1. 介电常数介电常数是电介质的重要参数之一，它反映了电介质对电场的响应能力。
电介质陶瓷材料的介电性能测试及性能优化
电介质陶瓷材料的介电性能测试及性能优化介电性能是电介质陶瓷材料的关键物理特性之一。
它衡量了材料在电场作用下的响应能力和电介质材料在电场中存储电能的能力。
了解和优化电介质材料的介电性能对于研发高性能电子器件，如电容器和电子陶瓷元件，具有重要意义。
本文将讨论电介质陶瓷材料的介电性能测试以及性能优化方法。
首先，介电性能测试是评估电介质陶瓷材料性能的关键步骤。
常用的测试方法包括介电常数（εr）和介电损耗（tanδ）的测量。
介电常数是材料在电场中存储电能的能力的衡量，它指示了材料对电场的响应程度。
介电损耗则表示了材料在电场中能量损失的程度。
这两个参数通常使用电桥或矢量网络分析仪进行测量。
通过测试介电常数和介电损耗，我们可以了解电介质陶瓷材料的电性能及其适用性。
其次，性能优化是提高电介质陶瓷材料应用效果的关键。
以下是一些优化方法：1. 材料组成与配比优化：通过调整陶瓷材料的成分和配比，可以改变其晶体结构和微观结构，从而影响材料的介电性能。
例如，添加掺杂剂或调整烧结工艺可以减小晶粒尺寸，提高晶界阻抗，从而降低介电损耗。
2. 烧结工艺优化：烧结过程对材料的微观结构和性能有重要影响。
通过优化烧结工艺参数，如温度、时间和压力等，可以改善材料的致密性、晶粒尺寸和晶界结构，从而改善介电性能。
3. 表面处理与界面设计：材料的表面和界面特性可以影响其介电性能。
通过表面处理、涂覆或界面调控等方法，可以改善材料的界面特性，提高其界面状态和界面粘结能力，从而提高介电性能。
4. 成品后处理：部分材料在制备过程中，存在一些缺陷，如氧化物含氧量不足等。
在成品后处理阶段，可以使用氧化、还原或烧结再处理等方法来优化电介质陶瓷材料的性能。
5. 添加纳米颗粒：添加纳米颗粒可以改变电介质陶瓷材料的晶体结构和微观结构，从而改善其介电性能。
纳米颗粒的添加可以增加晶界数量，减小晶界宽度，从而增加晶界阻抗，提高材料的介电常数和降低介电损耗。
此外，纳米颗粒的表面效应还可以增强材料的界面特性，提高电介质材料的性能。
陶瓷介电常数
陶瓷介电常数
陶瓷介电常数是一种定义材料电磁特性的参数，表示材料内在介电属性的强度。
它也可以被称为极化率或介电比，用符号ε表示。
陶瓷是一种多介电性材料，其介电常数随频率变化。
它的介电常数一般高于常见的绝缘体，一般范围在2－10之间，有时甚至可以达到100或更高，但是低于其他介电材料，如金属盐和玻璃。
陶瓷介电常数的高低取决于材料成分、烧制及结晶状态以及温度。
它的介电常数与温度大小有关。
随着温度升高，介电常数增加，但在某些特定温度范围内，介电常数会有所下降。
在此温度范围内，可以开发出高介电常数的特殊陶瓷材料。
10-电容器陶瓷
2，陶瓷电容器材料的性能要求
❖ (1)陶瓷的介电常数应尽可能地高。介电常数越高，陶瓷电容器的 体积可以做得越小。
❖ (2)陶瓷材料在高频、高温、高压及其他恶劣环境下，应能可靠、 稳定地工作。
❖ (3)介电损耗角正切要小。这样可以在高频电路中充分发挥作用， 对于高功率陶瓷电容器能提高电功功率。
❖ (4)比体积电阻要求高于1010Ω·m，这样可保证在高温下工作不至于 失效。
❖ 近年来，随着电子线路的小型化、高密度化的迅猛发展，
电子陶瓷作为电子工业基础的作用，越来越受到人们的重视， 在高技术领域也取得了重要地位。在世界的电容器市场中，陶 瓷电容器无论从现实的数量上还是从未来的市场潜力上，所占 份额都最大。在小型电脑、移动通信等设备日益轻、薄、短、 小，高性能，多功能化的过程中，对小体积、大容量电容器的 要求日益迫切。固体电解电容器只能适用于直流场合，因此在 交流的情况下，陶瓷电容器则具有其特殊的重要性。陶瓷电容 器以其体积小、容量大、结构简单、优良的高频特性、品种繁 多、价格低廉、便于大批量生产而被广泛地应用于家用电器、 计算机等通信设备、工业仪器仪表等领域。
压抑效应提高电性能。另外，它们也可起降低烧结温度的作用。
一般CaF2加入量＜2～3%，ZnO为1％左右。 ❖ D，ZrO2：金红石的高温结晶能力很强，烧结温度稍高或
保温时间稍长，都易形成粗晶结构，使材料产生微观结构不均
匀，密度降低，气孔率增大，造成材料电性能恶化，尤其在潮
湿环境中工作会吸湿，使tgδ迅速增大。为了克服上述问题， 常加入ZrO2或Zr(OH)4阻止粗晶形成，促使瓷质结晶细密均匀， 改善材料的防潮稳定性及频率稳定性。此外，ZrO2还有抑制钛 离子还原的作用，提高瓷的电气性能。氧化锆的用量一般不宜
第3章 电介质陶瓷
在直流电场下,如果气孔内的电场降低,电离现象就很快消失,材 料中发生电荷渗漏。 交流电场中,介电材料每½个周期就发生电离。所以样品比处在 直流电场时更容易出现击穿现象。而且电荷的渗漏时间决定于电 离速率。这样交流电场下,样品的击穿电压通常比直流电场低。 (4).长期影响(化学击穿): 长期运行在远低于瞬间击穿电压下的陶瓷也会发生击穿现象被 击穿的影响因素在短期内不会表现出来。 空气污染和天气影响等因素都可以使器件表面变得粗糙,吸收水 蒸气和导电性杂质。在高温和所连接的导电体中的金属杂质离子 的溅蚀作用下,表面发生电离,材料逐渐失去绝缘性能,最后导致击 穿。 在直流电场中,材料内部和表面同时发生电化学反应,使得Ag+在 表面扩散并沿着晶界逐渐渗入材料内部,导致材料的电阻减小,绝 缘特性相应降低。另外,Na+在玻璃相中的扩散,Vo¨(氧空位)在晶相 中的扩散,形成了一定的电势差,也将有可能导致击穿。 由于样品形状、材料种类以及操作条件的不同都是导致材料产 生击穿的因素,如果根据经验来合适设计制备介电材料,可以在一 定程度上克服击穿现象的发生,但是对任何新的介电材料在应用之 前,必须进行长期的老化试验测试。
一般介质的击穿分 为电击穿和热击穿两 种。 电击穿是指在电场 直接作用下,介质中载 流子迅速增殖造成的 击穿。电击穿的发生 是由于晶体能带在强 电场作用下发生变化, 电子直接由满带跃迁 到空带发生电离所致。 热击穿是指陶瓷介质 在电场作用下发生热 不稳定,产生的热量大 于散失的热量,因温度 升高而导致陶瓷介质 图3.1 在直流电场下陶瓷材料击穿电场强度与温 度的关系 发生热击穿。
从直流到超高频
随温度变化有极大值
有
从直流到超高频
随温度变化有特别
很大
的铁电材料
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这种从原料矿物高温分解直接生成的莫来石称为一次莫来石。
(2)二次莫来石的生成 一次莫来石生成的同时，还伴生游离石英。石英有多晶转变， 对瓷质不利，在生产高铝瓷时要增加 Al2O3 成分，使之与游 离石英起反应生成莫来石，这时所生成的莫来石称为二次莫 来石。
3Al2O3 + 2SiO2 3Al2O3· 2SiO2
（三）绝缘陶瓷的应用及未来 1、应用 1）电力：绝缘子、绝缘管、绝缘衬套、真空开关。 2）汽车：火花塞、陶瓷加热器。 3）耐热用：热电偶保护管、绝缘管。 4）电阻器：膜电阻芯和基板、可变电阻基板。 5）电子管：管壳、磁控管、管座。 6）半导体：Si晶体管管座、二极管管座、超高频晶体管外 壳。 7）封接用：金属喷镀法加工、玻璃封接。 8）光学用：高压钠灯、紫外线透过窗口、红外线透过窗口。
由于电荷的移动，造成了正负电荷中心不重合，在电介质陶 瓷内部形成偶极矩，产生了极化。在与外电场垂直的电介质 表面上出现了感应电荷Q，这种感应电荷不能自由迁移，称 之为束缚电荷。束缚电荷的面密度即为极化强度P。 对于平板型真空电容器，极板间无电介质存在，当电场强度 为E时，其表面的束缚电荷为Q0，电容为C0，在真空中插入 电介质陶瓷时，则束缚电荷增为Q，电容也增至C。评价同 一电场下材料的极化强度，可用材料的相对介电常数εr 表示。 用下式计算：
2、莫来石的生成 (1)一次莫来石的生成 偏高岭石（ Al2O3· 2SiO2 ）或硅线石（ Al2O3· SiO2 ）在高 温下按下式分解：
1200℃
3（Al2O3· 2SiO2）
1300~1500℃
3Al2O3· 2SiO2+4SiO2
3 Al2O3· 2SiO2+4SiO2
3（Al2O3· SiO2）
（二）电容器陶瓷
根据陶瓷电容器所采用陶瓷材料的特点，电容器 分为：
温度(热)补偿型（Ⅰ型）：使用非铁电陶瓷，高
频损耗小，介电常数随温度线性变化，可补偿 电路中或电阻随温度系数的变化，维持谐振频 率的稳定。
温度(热)稳定型：使用非铁电陶瓷，特点是介电 常数随温度变化很小，接近于零，适用于高频和 微波电路中。 高介电常数型：采用铁电或反铁电陶瓷，特点是 介电常数非常高，可达30000，适用于低频高容 量电容器。 半导体型：非线性电阻电容器，用于开关电路或 热保护电路中，起自动开关作用。
二、 一般特性 电介质陶瓷在静电场或交变电场中使用，其一般特 性是电绝缘性、极化（polarization）和介电损耗 （dielectric loss）。 1、电绝缘与极化
电介质陶瓷中的分子正负电荷在弱电场的作用下， 虽然正电荷沿电场方向移动，负电荷逆电场方向移 动，但它们并不能挣脱彼此的束缚而形成电流，因 此具有较高的体积电阻率，具有绝缘性。
3、莫来石瓷及刚玉-莫来石瓷的配方 莫来石瓷及刚玉-莫来石瓷属于高铝瓷的范畴， 其烧结温度高，为了降低烧结温度，常引入碱土 金属氧化物做外加剂，常用的外加剂有BaO、 SrO、CaO、MgO等。 4、生产工艺 莫来石瓷及刚玉-莫来石瓷的生产工艺可按一般 陶瓷的生产过程加工处理： 混料球磨 →成型→烧结
Q / Q0 = C / C0 = εr 相对介电常数越大，极化强度越大，即电介质陶瓷表面的束 缚电荷面密度大。用于制作陶瓷电容器的材料， εr越大，电 容量越高，相同容量时，电容器的体积可以做的更小。
2、介电损耗
电介质在电场作用下，把部分电能转变成热能使 介质发热，在单位时间内因发热而消耗的能量称 为损耗功率或简称为介电损耗。常用tgδ表示，其 值越大，损耗越大，其中δ称为介质损耗角。
PbTiO3、La2O3、CeO2等，能将居里点从120℃移至室温MgZrO3、Bi2(SnO3)3、
NiSnO3、MgSnO3等，能降低居里点处的e峰值，并使e随湿度 的变化变得平坦。
烧结助剂：Al2O3、SiO2、ZnO、CeO、B2O3、Nb2O5、WO3 防止还原添加剂：MnO2、Fe2O3、CuO等
三、 性能与分类
根据体积电阻率、介电常数和介电损耗等参数的 不同，可把电介质陶瓷分为电绝缘陶瓷即装置陶 瓷和电容器陶瓷。此外，某些具有特殊性质，如 压电性、铁电性及热释电性的电介质陶瓷，按性 质分别称为压电陶瓷、热释电陶瓷和铁电陶瓷。 (一)电绝缘陶瓷 电绝缘陶瓷又称装置陶瓷，是在电子设备中作为 安装、固定、支撑、保护、绝缘以及连接各种无 线电元件及器件的陶瓷材料。
（2）生产工艺 钛酸钙瓷是一种含钛陶瓷，其合成与烧结必须在氧化气氛 中进行。 原料球磨时CaO可能水解生成水溶性Ca(OH)2，故球磨后 应进行烘干，不能过滤除水，否则会因Ca(OH)2流失而影 响配比。 钛酸钙的结晶能力较强，为防止晶粒长大，烧结温度和保 温时间均要控制好。生产中往往采用高温快速冷却来控制 晶粒长大。
作为装置陶瓷要求具备以下性质： （1）高的体积电阻率（室温下，大于1012Ω·m ）和高介电 强度（大于104 kV/m）。以减少漏导损耗和承受较高的 电压。 （2）介电常数小（常小于9）。可以减少不必要的分布电 容值，避免在线路中产生恶劣的影响，从而保证整机的 质量。 （3）高频电场下的介电损耗要小。介电损耗大会造成材料 发热，使整机温度升高，影响工作。 （4）机械强度要高，通常抗弯曲强度为45~300MPa，抗压 强度为400~2000MPa。 （5）良好的化学稳定性。能耐风化、耐水、耐化学腐蚀， 不致于性能老化。
（二）镁质瓷
按照主晶相的不同，它可分为以下四类： 原顽辉石瓷(即滑石瓷)、镁橄榄石瓷、尖 晶石瓷及堇青石瓷。
滑石瓷介电损耗小，用于一般高频无线电设备中，如 雷达、电视机常用它制造绝缘零件。 镁橄榄石瓷的介质损耗低，而且随频率的变化小，在 微波范围内也不增加，它的比体积电阻大，并且在高 温下仍然具有相当高的数值，可作为高频绝缘材料。 但它的热膨胀系数高，因此热稳定性较差。 尖晶石瓷的介质损耗低于滑石瓷，而介电常数稍高， 化学稳定性良好。在电子工业中，它是低压高频电容 器、感应线圈骨架及电子管插座等的良好材料。 堇青石瓷的膨胀系数低，热稳定性好，可用于要求体 积不随温度变化、耐热冲击的绝缘材料或电热材料。
四、 电绝缘陶瓷生产工艺、性能及应用
（一）刚玉-莫来石瓷及莫来石瓷 1、概述 莫来石瓷是以莫来石（3Al2O3· 2SiO2）和石英（SiO2）为 主晶相的陶瓷，它是应用最早的高频装置瓷。
刚玉-莫来石瓷的结晶相不是单一的刚玉，而是共存有莫来 石，因此称为刚玉-莫来石瓷。其主要原料是粘土、氧化铝 和碳酸盐。刚玉-莫来石瓷的电性能较好，机械强度较高， 热稳定性能好，工艺性能好，烧结温度不高，且烧结温度 范围宽。可用来制造高频高压绝缘子，线圈骨架，电容器 外壳及其他绝缘支柱，高压开关及其他大型装置器件等。
此外，随着电绝缘陶瓷的应用日益广泛，有 时还要求具有耐机械力冲击和热冲击的性能。如 高频装置瓷，除要求介质损耗小外，还要求热膨 胀系数小，热导率高，能承受较大的热冲击。作 为集成电路的基片材料，要求高导热系数，合适 的热膨胀系数、平整、高表面光洁度及易镀膜或 表面金属化。
电绝缘陶瓷按化学组成可分为氧化物系（如氧化 铝瓷、氧化镁瓷等）和非氧化物系（如氮化硅瓷、 氮化硼瓷等）两大类。除上述多晶陶瓷外，近年 来发展了单晶电绝缘陶瓷，如人工合成云母、人 造蓝宝石、尖晶石、氧化铍及石英等。
六、铁电电容器陶瓷
特点：铁电陶瓷晶体中存在着许
多自发极化的偶极子，在电场中 会产生一类似磁滞回线的电滞回 线，故称为铁电体。铁电陶瓷在 高于某温度时会失去自发极化， 低于该温度时又重新获得铁电性， 这一转变温度称为居里温度 (Curie Point)
材料及工艺
高介电常数铁电介电陶瓷：钛酸钡基陶瓷 居里点移动剂：BaSnO3、BaZrO3、CaZrO3、SrTiO3、
按制造陶瓷电容器的材料性质分：第一类为 非铁电电容器陶瓷（Ⅰ型），又称热补偿电 容器陶瓷。第二类为铁电电容器陶瓷（Ⅱ 型），又称强介电常数电容器陶瓷。第三类 为反铁电电容器陶瓷（Ⅲ型）。第四类为半 导体电容器陶瓷（Ⅳ型）。
用于制造电容器的陶瓷材料的性能要求： （1）介电常数要尽可能高。介电常数越高，陶瓷电容 器的体积可以做得越小。 （2）在高频、高温、高压及其它恶劣环境下稳定可靠。 （3）介质损耗角正切值小。对于高功率陶瓷电容器， 能提高无功功率。 （4）比体积电阻高于1010Ω·m ，可保证在高温下工作。 （5）高的介电强度。
6.2 电介质陶瓷
一、概念 二、一般特性 1、电绝缘与极化 2、介电损耗 三、性能与分类 四、电绝缘陶瓷生产工艺、性能及应用 五、非铁电电容器陶瓷 六、铁电电容器陶瓷 七、反铁电电容器陶瓷
一、 概念
电介质陶瓷是指电阻率大于108Ω·m的陶瓷材料， 能承受较强的电场而不被击穿。 按其在电场中的极化特性，可分为电绝缘陶瓷 （insulation ceramics）和电容器陶瓷 （capacitor ceramics；condenser ceramics）。 随着材料科学的发展，在这类材料中又相继发现了 压电、热释电和铁电等性能。
七、反铁电电容器陶瓷
特点：高介电常数，温度系数非 线性，存在居里点，该类材料中 的每个电畴中存在两个方向相反、 大小相等的自发极化，而不是方 向相同的偶极子，因此，具有双 电滞回线。 组成：反铁电陶瓷常以PbZrO3 或LaNbO3为主要组成的固溶体。
多层电子封装
电子陶瓷片式器件（电容、电感、电阻）
2、绝缘陶瓷的未来发展
1）向极端发展：高纯度、大型化（超大型绝缘 子）、小型化（超小型半导体管壳）。
2）向更大功能和多功能发展
3）向节约并开发资源和能源发展
五、非铁电电容器陶瓷
介电常数高：体积小，小型化和集成化 介电损耗小：高频电路和高功率的损耗少 体积电阻高：≥1010W.cm，高温下不失效