陶瓷介质电容器
10uf 陶瓷电容 尺寸
10uf 陶瓷电容尺寸10uf陶瓷电容是一种常见的电子元件，尺寸通常为10mm x 10mm x 4mm。
它在电子电路中具有重要的作用，广泛应用于各种电子设备中。
10uf陶瓷电容的尺寸为10mm x 10mm x 4mm。
这个尺寸相对较小，适用于紧凑的电路板设计。
它的小尺寸使得它可以在各种电子设备中被方便地安装和使用。
10uf陶瓷电容的主要特点之一是其电容量为10微法。
电容量是电容器存储电荷的能力的度量。
10uf的电容量较大，可以存储较多的电荷，因此在电子电路中具有良好的电容性能。
陶瓷电容的材料是陶瓷，具有良好的绝缘性能。
陶瓷电容器由两个金属电极和一个陶瓷介质组成。
陶瓷介质具有高绝缘性和低损耗特性，使得陶瓷电容器可以在较高的频率下工作，适用于各种电子电路中的高频应用。
10uf陶瓷电容还具有高稳定性和低漏电流。
稳定性是指电容器电容值的变化程度。
10uf陶瓷电容能够在不同的温度和湿度条件下保持较稳定的电容值，这对于电子设备的长期稳定运行非常重要。
漏电流是指电容器在充电或放电过程中逸出的电流。
10uf陶瓷电容具有较低的漏电流，可以避免能量的损失和电路的不稳定。
10uf陶瓷电容还具有快速响应和长寿命的特点。
它能够快速响应电路的变化，提供所需的电荷或能量。
同时，它的寿命较长，能够在各种环境条件下稳定运行。
总的来说，10uf陶瓷电容是一种具有多种优点的电子元件。
它的小尺寸、高电容量、良好的绝缘性能、高稳定性、低漏电流、快速响应和长寿命使其成为电子设备设计中不可或缺的元件。
无论是在通信设备、计算机、手机还是其他电子设备中，10uf陶瓷电容都发挥着重要的作用，为电路的正常运行提供了稳定的电容支持。
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器，我们会想到电子元件器工业。
电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展，使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。
继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现，给我们的生活带来了极大地便利。
而电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。
英文名称：capacitor。
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
文章开篇所提到的陶瓷电容器（ceramiccapacitor；ceramiccondenser）就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。
它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。
一、陶瓷电容器基础知识简介1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。
低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
3、陶瓷电容器有四种材质分类：这四种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)。
那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差。
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量一般做不大。
贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)
AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
容量精度在5％左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF以下，100PF-1000PF也能生产但价格较高介质损耗最大0。
15%封装DC=50V DC=100V0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
cbb22电容
cbb22电容电容是电路中常见的一种电子元件，它能够储存电荷并在需要的时候释放出来。
电容的作用是储存电荷，是由两个带电体之间的电场引力形成的。
电容的大小主要取决于两个因素：一个是电容器两极板的面积，另一个是两极板之间的距离。
在电路中，通常使用字母C来表示电容的大小，单位是法拉（F）。
CBB22电容是一种多层陶瓷电容器。
它采用多层陶瓷片作为电介质，在两侧镀上电极，形成了一个由多个平行板组成的电容器。
CBB22电容器的外观常为矩形或方形，尺寸较小，通常用于小功率电子设备中。
CBB22电容的电容值通常在几皮法（pF）到几微法（μF）之间。
它具有体积小、频率响应快、温度稳定性好等特点。
CBB22电容器还具有耐高温、耐冷热冲击等性能，适应了现代高技术电子设备的要求。
CBB22电容广泛应用于电子产品中。
例如，它可以用于电源滤波电路中，用于去除电源中的杂波和纹波，提供稳定可靠的电源给电路其他部分。
此外，CBB22电容还可用于电路中的耦合和绕组补偿电路，用于信号耦合和校正电路，提高电子设备的性能和稳定性。
在使用CBB22电容时，我们需要注意一些问题。
首先，要注意电容的电压等级，确保所选电容的工作电压范围适应电路的工作电压。
否则，电容器会因电压过高而损坏。
其次，要考虑电容的容量大小，根据电路的要求选择适当的电容值。
最后，要注意电容的极性问题，有些电容是极性电容，必须按照标志连接，否则会烧毁电容器。
总的来说，CBB22电容是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它能够储存电荷并在需要时释放出来，具有体积小、响应快、温度稳定性好等特点。
使用CBB22电容时需要注意电压等级、容量大小和极性等问题，以确保电容器能够正常工作。
Z5U,X7R,X5R,NPO陶瓷电容
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)
AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
容量精度在5％左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF以下，100PF-1000PF也能生产但价格较高介质损耗最大0。
15%封装DC=50V DC=100V0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
陶瓷电容介绍(最全)word资料
一、陶瓷电容介绍1、介质材料种类介绍COG/NPO：属1类陶介质，电气性能最稳定，基本上不随温度、时间、电压的改变而改变，适用于稳定性、可靠性要求比较严格的场合，由于电气性能稳定，高频特性好，可很好的工作在高频、特高频、甚高频频段。
X7R：属2类陶介质，电气性能较稳定，随温度、时间、电压的变化，其特性变化并不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHZ的中频场合。
Y5V：属3类陶介质，具有很高的介电系数，常用于生产小体积、大容量的电容，其容量随温度改变比较明显，抗恶劣环境能力差，仍用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
2、介质特性表：项目COG/NPO X7R Y5V 温度特性0+_30PPM/℃+_15% +30%——82% 环境温度-55℃--+125℃-55℃--+125℃-30℃--+85℃精度范围C、D、F、G、J、K K、M Z 绝缘电阻IR≥10GΩ≥4GΩ≥4GΩ损耗高校正切≥30PF：≤1/100000≤30PF：Q=400+20*C50V≤2.5%；25≤3%16V≤3.5%；10V≤5%50V≤3.5%；25≤5%16V≤7%；10V≤10%抗电强度 2.5倍VDCW 2.5倍VDCW 2.5倍VDCW 测试条件25℃、1MHZ、1V 25℃、1KHZ、1V 25℃、1KHZ、03V二、不同品牌适用的标准TDK片状电容器KYOCERA片状电容器TAIYO片状电容器AVX片状电容器↓↓↓↓EIAJ标准/日本EIAJ标准/日本JIS标准/日本EIA标准/美国三、片状电容器品牌选型说明：1、指标类别：品牌类型尺寸材质电容量电容误差额定电压端接包装①②③④⑤⑥⑦⑧2、不同品牌的指标类别说明、比较：①品牌及产品类型②规格尺寸③材质（温度系数）④ 电容值 ⑤ 电容误差2位有效数+0的个数 通用参数⑥ 额定电压⑦端头T=A=标准镀Ni和焊锡1=B=Pd=Ag(注:钯/银) ⑧标准包装量:(A VX/KYOCERA)0402(7” )=10000PCS 0603(7” )=4000PCS 0805(7” )=4000PCS 1206(7” )=3000或2000PCS 1210(7” )=2000PCS3、各品牌/标准规格型号对照说明:冷却塔选型冷却水量的计算：[1]. Q = m s △ tQ 冷却能力 Kcal / h (冷冻机/ 空调机的冷冻能力) m 水流量(质量) Kg / hs 水的比热值 1 Kcal / 1 kg - ℃△ t 进入冷凝器的水温与离开冷凝器的水温之差[2]. Q 的计算Q = 72 q ( IQ冷却能力 Kcal / h q冷却水塔的风量 CMMI 入口冷却水塔入口空气的焓(enthalpy)I 出口冷却水塔出口空气的焓(enthalpy)[3]. q 冷却水塔的风量 CMM 的计算q = Q / 72 ( I 入口－ I 出口 )上述计算系依据基本的热力学理论，按空气线图(psychrometrics)的湿空气性能，搭配基本代数式计算之。
mlcc电容的生产工艺
mlcc电容的生产工艺
MLCC（多层陶瓷电容器）的生产工艺主要有三种：干式流延工艺、湿式印刷工艺和瓷胶移膜工艺。
以下是具体流程：
干式流延工艺：在基带上流延出连续、厚度均匀的浆料层。
在表面张力的作用下浆料层形成光滑的自然表面，干燥后形成柔软如皮革状的膜带，再经印刷电极、层压、冲片、排粘、烧结后形成电容器芯片。
湿式印刷工艺：将陶瓷介质浆料通过丝网印刷制成陶瓷薄膜作为多层陶瓷电容器的介质，金属电极和上下保护片都采用丝网印刷形成，达到设计的层数后进行烘干，再按片式电容器的尺寸要求切割成芯片。
瓷胶移膜工艺：以卷式胶膜为载体，通过特殊浆料挤出设备，将陶瓷浆料均匀挤在载体上，以获得陶瓷介质层连续性卷材，膜厚精准，可做到2μm以下，实现介质层的超薄制作。
制作电容器时，以陶瓷介质卷材为基础，在上面印刷金属电极后再套印瓷浆层。
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第一类陶瓷介质电容器的温度性质
按照美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示的陶瓷电容器的温度性质有三部分：第一部分为（如字母
C）温度系数的有效数字；第二部分是有效数字的倍乘；第三部分为随温度变化的容差。
三部分字母与数
字所表达的意义如下表
第一类陶瓷介质电容温度特性（EIA-198-D）
温度系数α的有效数字倍乘随温度变化的容差
C=0.0 S=3.3 0=1 5=+1 G=±30
L=±500
M=1.0 T=4.7 1=-10 6=+10 H=±60
M=±1000
P=1.6 U=7.5 2=-100 7=+100 J=±120 N =±2500
R=2.2 3=-1000 8=+1000 K=±1250
（1）α的额定值和伴随值的限制误差用-20～+85℃间的电容变化来定义，（2）温度系数为0和
限制偏差为±30ppm/℃的电容字码为C0G（类别为1B）
例如C0G（NP0）=±30ppm/℃，C0H=±60ppm/℃，S2H=(3.3*100)±60ppm/℃第一类陶瓷介质电容器的容量几乎不随温度变化，以C0G为例，±30ppm/℃，实际上温度系数只有一半
，在-55℃到+125℃间，电容量变化为0.3%，其损耗因素在40℃到60℃时最小，绝缘电阻随温度上升而
下降，-40℃时为10000s（ohm*F），+125℃时为200s多一点，电容量基本不因频率变化而改变。
第二类陶瓷介质电容器的温度性质
按照美标EIA-198-D，第一部分为最低工作温度，第二部分有效数字为最高工作温度，第
三部分为随温度
变化的容差，三部分字母与数字表达意义如下表
第二类陶瓷介质电容温度特性
最低温度最高温度随温度变化的容值偏差
Z=-10℃4=+65℃ 7=+125℃ A=±1.0 D=±3.3 P=±10 T=+22%/-32%
Y=-30℃5=+85℃ 8=+15℃ B=±1.5 E=±4.7 R=±15 U=+22%/-56 %
X=-55 ℃ 6=+105℃ C=±2.2 F=±7.5 S=±22 V=+22%/-82%
例子X7R：-55 ℃，+125 ℃，±15%容差；Z5U：+10 ℃，+85 ℃，T=+22%/-32%容差；Y5V：-30 ℃，+85 ℃，
T=+22%/-56%容差
几种常见的陶瓷介质温度系数如下表
温度特性温度范围容量变化或温度系数工作温度范围类别
SL -55℃～+85℃+350～1000ppm/℃-55℃～+125℃ 1
C0G -55℃～+125℃ 0±30ppm/℃ -55℃～+125℃ 1
C0H -55℃～+125℃ 0±60ppm/℃ -55℃～+125℃ 1
P2H -55℃～+85℃-150±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1
S2H -55℃～+85℃-220±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1
T2H -55℃～+85℃ -470±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1
U2J -55℃～+85℃ -750±60ppm/℃ -55℃～+125℃ 1
B -25℃～+85℃ ±10% -25℃～+85℃ 2
Z5U -10℃～+85℃ +22%/-56% -10℃～
+85℃ 2
Y5V -30℃～+85℃ +22%/-82% -30℃～+85℃ 2
R -55℃～+125℃±15% -55℃～+125℃ 2
X5R -55℃～+85℃ ±15% -25℃～+125℃ 2
X7R -55℃～+125℃ ±15% -55℃～+125℃ 2
Y5V瓷片电容
Z5V瓷片
C0G（NP0）瓷片
SL瓷片
Z5U
Y5P瓷片
由于NPO属零温度系数器件，因此它主要是和同样零温度系数的高稳定电感器配合使用，或者在无电感器的晶振、定时电路中使用。
一般的电感器通常具有正的温度系数，因此作谐振用的电感器应配用负温度系数的电容器。
晶体的温度系数较小，配谐电容器可以使用NPO。
无电感定时电路中的积分电容器用于产生各种波形，应当使用NPO。
各类仪器中的输入分压器的频率补偿电容器，应当使用NPO。