第6章 时效强化的位错理论
第六章 习题答案 1. (1)临界分切应力n及取向因子数据如附表23 …

第六章 习题答案1.(1)临界分切应力n及取向因子数据如附表2.3所示。
以上数据表明,实验结果符合临界分切应力定律τk =σm。
(2)屈服应力σs与取向因子,m之间的关系如附图2.17所示。
6.单滑移是指只有一个滑移系进行滑移。
滑移线呈一系列彼此平行的直线。
这是因为单滑移仅有一组多滑移是指有两组或两组以上的不同滑移系同时或交替地进行滑移。
它们的滑移线或者平行,或者相交成一定角度。
这是因为一定的晶体结构中具有一定的滑移系,而这些滑移系的滑移面之间及滑移方向之间都交滑移是指两个或两个以上的滑移面沿共同的滑移方向同时或交替地滑移。
它们的滑移线通常为折线或波纹状。
只是螺位错在不同的滑移面上反复“扩展”的结果。
10.滑移带一般不穿越晶界。
如果没有多滑移时,以平行直线和波纹线出现,如附图2.19(a),它可以通过抛光而去除。
机械孪晶也在晶粒内,因为它在滑移难以进行时发生,而当孪生使晶体转动后,又可使晶体滑移。
所以一般孪晶区域不大,如附图2.19(b)所示。
孪晶与基体位向不同,不能通过抛光去除。
退火孪晶以大条块形态分布于晶内,孪晶界面平直,一般在金相磨面上分布比较均匀,如附图2。
19(c)所示,且不能通过抛光去除。
11.低碳钢的屈服现象可用位错理论说明。
由于低碳钢是以铁素体为基的合金,铁素体中的碳(氮)原子与位错交互作用,总是趋于聚集在位错线受拉应力的部位以降低体系的畸变能,形成柯氏气团对位错起“钉扎”作用,致使σs 升高。
而位错一旦挣脱气团的钉扎,便可在较小的应力下继续运动,这时拉伸曲线上又会出现下屈服点。
已经屈服的试样,卸载后立即重新加载拉伸时,由于位错已脱出气团的钉扎,故不出现屈服点。
但若卸载后,放置较长时间或稍经加热后,再进行拉伸时,由于熔质原子已通过热扩散又重新聚集到位错线周围形成气团,故屈服现象又会重新出现。
吕德斯带会使低碳薄钢板在冲压成型时使工件表面粗糙不平。
其解决办法,可根据应变时效原理,将钢板在冲压之前先进行一道微量冷轧(如1%~2%的压下量)工序,使屈服点消除,随后进行冲压成型,也可向钢中加入少量Ti,A1及C,N等形成化合物,以消除屈服点。
位错基本理论

晶体滑移: 总沿一定的滑移面(密排面)和其上的
一个滑移方向进行,且只有当切应力 达到一定临界值时,滑移才开始。
此切应力被称为临界分切应力,即晶 体的切变强度。
1926年,弗兰克( Frankel)从刚体滑移模型出发,推算晶体的 理论强度。
(1)点缺陷:特征是在三维空间的各个方向上的尺寸都很小, 亦称为零维缺陷。如空位、间隙原子等。
(2)线缺陷:特征是在两个方向上的尺寸很小,在一个方向 上的尺寸较大,亦称为一维缺陷。如晶体中的各类位错。
(3) 面缺陷:特征是在一个方向上的尺寸很小,在另外两个 方向上的尺寸较大,亦称二维缺陷。如晶界、相界、层错、 晶体表面等
CUv n N
晶体中空位缺陷的平衡浓度:
设温度 T 和压强 P 条件下,从 N 个原子组成的完整晶体中 取走 n 个原子,即生成 n 个空位。
定义晶体中空位缺陷的平衡浓度为:
Cv n N
e e C
kUT
U RT
U -为空位的生成能,K-玻尔兹曼常数。
空位和间隙原子的平衡浓度:随温度的升高而急剧增加, 呈指数关系。
(a) 肖脱基空位
(b)
2、间隙原子 间隙原子:进入点阵间隙中的原子。可为晶体本身固有的原
子(自间隙原子);也可为尺寸较小的外来异类原子(溶质原 子或杂质原子)。 外来异类原子:若是取代晶体本身的原子而落在晶格结点上, 称为置换原子。
间隙原子:使其周围原子偏离平 衡位置,造成晶格胀大而产生晶 格畸变。
升高,增大了热力学不稳定性。 另一方面,因增大了原子排列的混乱程度,并改变了其周围
原子的振动频率,又使晶体的熵值增大,晶体便越稳定。 因此这两互为矛盾因素,使晶体中点缺陷在一定温度下有一
第六章 第二相强化

第三节 弥散强化机制
(不可变形粒子强化机制)
不可变形粒子的特点: (1)弹性模量远高于基体的弹性模量; (2)与基体非共格。 这种特点决定了位错只能绕过第二相,且阻力主要来源于: 位错线弓弯所需的力; 加工硬化率的明显升高; 第二相粒子与基体变形的不协调(辅助作用)。
一、Orawan公式
1. 弥散强化模型(Orawan模型):
2、不可变形粒子强化对材料塑性的影响
位错绕过阻力逐渐升高; 第二相粒子使位错平面塞积的可能性增大。
从而使均匀延伸率升高; 由于粒子与基体结合性不好,使局部延伸率下降; 总体来说,使材料塑性比固溶体下降,但比欠时效和峰时效态塑性高。
0.2
d
第五节 第二相粒子强化的特点
二、第二相粒子强化机制的利用
外
外
反
反
外
外
第三节 弥散强化机制
三、Orawan公式的进一步修正
硬粒子与基体弹性变形不协调性模型: 在外力作用下,无颗粒时,孔将发生变形; 有硬粒子时,基体产生变形,维持界面的连续性; 变形不协调性的结果:引起与外力应力相反的切应力
反
外
eff=
外
- 反 =
Gb l 1 .2 D
例如,Al-Li合金时效硬化过程: 580℃,0.5h固溶+水淬+180℃时效——
1.欠时效: 2.峰时效: 3.过时效:
欠 时 效
峰 时 效
过 时 效
第二相强化机制就是要解释:为什么随着组织的变化,会产生性能的变化?
第一节 第二相强化机制的分类
第六章-金属及合金强化的位错解释

3、滑动位错与第二相质点的交互作用
晶体中的位错在外力作用 下产生运动,在运动过程 中首先遇到的是第二相质 点周围的应力场(如果有 这种应力场存在的话), 对其产生阻碍作用,它属 于长程作用。继而有两种 可能,一种是位错切割质 点而过,一种是位错以某 种方式绕过质点
6.5 材料的断裂
6.6.5 影响材料断裂的基本因素
• 1、结合键及晶体结构类型对材料断裂形式 有决定性的影响;
• 2、材料的化学成分及显微组织对断裂行为 也有重要影响;
• 3、裂纹及应力状态的影响; • 4、温度对材料断裂行为的影响。
位错互相截割后可以 产生割阶(jog)。图6[两 个刃型位错的截割]
为伯格斯矢量互相垂直的两个刃型位错发生截割的情况。 AB在Ⅰ面上移动,CD在Ⅱ面上截割后产生割阶QQ (图6b [两个刃型位错的截割]其伯格斯矢量为。从QQ与相垂直 可知QQ属刃型,位于QQ 与构成的滑移面Ⅲ上, 故可与整个 位错一起运动。因为与AB平行,截割后位错AB不受影响。
金属及合金强化的位错解释
1、cottrell 气团 2、位错的交割和带割阶位错的运动 3、滑动位错与第二相质点的交互作用
1、柯氏气团(Cottrell atmosphere) 围绕于刃型位错(见滑移)周围的溶质原子聚物,又称溶质原子气团或 溶质原子云,溶质原子和刃型位错的相互弹性作用称为柯氏效应。 在含有溶质原子的固溶体合金中,同时存在位错与溶质,其周围均 有一个应力场,这两个应力场会发生交互作用,降低系统的应变能 溶质原子与位错应力场问的弹性交互作用能越大,则交互作用越强 烈。由于这种交互作用,溶质原子在晶体中将重新进行分布。刃型 位错具有拉应力区及压应力区,因此溶质原子被吸引到拉应力区(见 图);若置换的溶质原子比溶剂原子小时,则溶质原子被吸引到位错 的压应力区。在间隙固溶体中,溶质原子在刃型位错的拉应力区偏 聚,使溶质原子的浓度提高;而在压应力区,则溶质原子浓度降低。 柯氏气团对位错起钉扎作用,除产生强化效应外,还可解释某些合 金中出现的应变时效和明显屈服点现象的原因。柯氏气团的作用随 着温度的升高而减弱。
材料科学基础重点总结5材料的强化途径

材料的强化强韧化意义希望材料既有足够的强度,又有较好的韧性,通常的材料二者不可兼得。
提高材料的强度和韧性,节约材料,降低成本,增加材料在使用过程中的可靠性和延长服役寿命提高金属材料强度途径强度是指材料抵抗变形和断裂的能力,提高强度可通过以下两种途径: 1 完全消除内部的缺陷,使它的强度接近于理论强度2 大量增加材料内部的缺陷,提高强度增加材料内部缺陷,提高强度,即在金属中引入大量缺陷,以阻碍位错的运动四种强化方式:固溶强化细晶强化形变强化(加工硬化)第二相粒子强化实际上,金属材料的强化常常是多种强化方式共同作用的结果。
材料强度 缺陷数量材料强度与缺陷数量的关系固溶强化:当溶质原子溶入溶剂原子形成固溶体时,使材料强度硬度提高,塑性韧性下降的现象。
强化本质:利用点缺陷(间隙原子和置换原子)对位错运动的阻力使金属基体获得强化强化机理:1溶质原子的溶入使固溶体的晶格发生畸变,对在滑移面上的运动的位错有阻碍作用;2位错线上偏聚的溶质原子对位错的钉扎作用。
影响因素不同溶质原子所引起的固溶强化效果存在很大差别,影响因素主要有:1 溶质原子的原子数分数越高,强化作用也越大。
2溶质原子与基体金属的原子尺寸相差越大,强化作用也越大。
3间隙溶质原子比置换原子具有较大的固溶强化效果。
4溶质原子与基体金属的价电子数相差越大,固溶强化作用越显着。
固溶强化效果与溶质原子的质量分数成正比关系。
大多数溶质原子在室温的溶解度比较小,为了提高固溶度从而提高固溶强化的效果,可以将其加热到较高温度,经过保温后快速冷却到室温,使溶质原子来不及析出而得到过饱和固溶体,这就是固溶处理。
经过固溶处理后还可以经过时效处理进一步提高其强度。
对过饱和固溶体在适当温度下进行加热保温,析出第二相,使强度硬度升高的热处理工艺称为时效。
时效硬化的本质是从过饱和固溶体中析出弥散第二相,属于第二相强化途径。
固溶和时效广泛用于有色金属的强化,如铜合金,铝合金,镁合金,钛合金等。
位错理论

《位错与位错强化机制》杨德庄编著哈尔滨工业大学出版社1991年8月第一版1-2 位错的几何性质与运动特性一、刃型位错2.运动特性滑移面:由位错线与柏氏矢量构成的平面叫做滑移面。
刃型位错运动时,有固定的滑移面,只能平面滑移,不能能交叉滑移(交滑移)。
刃型位错有较大的滑移可动性。
这是由于刃型位错使点阵畸变有面对称性所致。
二、螺型位错1. 几何性质螺型位错的滑移面可以改变,有不唯一性。
螺型位错能够在通过位错线的任意平面上滑移,表现出易于交滑移的特性。
同刃型位错相比,螺型位错的易动性较小。
、位于螺型位错中心区的原子都排列在一个螺旋线上,而不是一个原子列,使点阵畸变具有轴对称性。
2.混合位错曲线混合位错的结构具有不均一性。
混合位错的运动特性取决于两种位错分量的共同作用结果。
一般而言,混合位错的可动性介于刃型位错和螺型位错之间。
随着刃型位错分量增加,使混合位错的可动性提高。
混合位错的滑移面应由刃型位错分量所决定,具有固定滑移面。
四、位错环一条位错的两端不能终止于晶体内部,只能终止于晶界、相界或晶体的自由表面,所以位于晶体内部的位错必然趋向于以位错环的形式存在。
一般位错环有以下两种主要形式:1. 混合型位错环在外力作用下,由混合型位错环扩展使晶体变形的效果与一对刃型位错运动所造成的效果相同。
2. 棱柱型位错环填充型的棱柱位错环空位型棱柱位错环棱柱位错环只能以柏氏矢量为轴的棱柱面上滑移,而不易在其所在的平面上向四周扩展。
因为后者涉及到原子的扩散,因而在一般条件下(如温度较低时)很难实现。
1-3 位错的弹性性质位错是晶体中的一种内应力源。
——这种内应力分布就构成了位错的应力场。
——位错的弹性理论的基本问题是对位错周围的弹性应力场的计算,进而还可以推算位错所具有的能量,位错的线张力,位错间的作用力,以及位错与其他晶体缺陷之间的相互作用等一些特性。
——一般采用位错的连续介质模型(不能应用于位错中心区),把晶体作为各向同性的弹性体来处理,直接采用胡克定律和连续函数进行理论计算。
位错强化理论[终稿]
![位错强化理论[终稿]](https://img.taocdn.com/s3/m/6ca22c7ab94ae45c3b3567ec102de2bd9605de9a.png)
位错强化理论通过合金化、塑性变形和热处理等手段提高金属材料的强度,称为金属的强化。
所谓强度是指材料对塑性变形和断裂的抗力。
从根本上讲,金属强度来源于原子间结合力,而根据理论计算的金属切变强度一般是其切变模量的1/10~1/30,而金属的实际强度只是这个理论强度的几十分之一,甚至几千分之一。
造成这样大差异使位错理论应运而生,晶体的滑移不是晶体的一部分相对于另一部分同时做整体运动,而是位错在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的结果。
位错虽然移动了一个原子间距,但位错中心附近的的少数原子只做远小于一个原子间距的弹性偏移,而晶体其他区域的原子仍处于正常位置,这样,位错运动只需要一个很小的应力(P169)就能实现,位错理论的发展揭示了晶体实际切变强度(和屈服强度)低于理论切变强度的本质。
金属材料的强化途径不外两个,一是提高合金的原子间结合力,提高其理论强度,并制得无缺陷的完整晶体,如晶须。
铁的晶须强度接近理论值,可以认为这是因为晶须中没有位错,或者只包含少量在形变过程中不能增殖的位错。
从自前来看,只有少数几种晶须作为结构材料得到了应用。
另一强化途径是向晶体内引入大量晶体缺陷,如位错、点缺陷、异类原子、晶界、高度弥散的质点或不均匀性(如偏聚)等,这些缺陷阻碍位错运动,也会明显地提高金属强度。
具体方法有固溶强化、形变强化(加工硬化)、沉淀强化和弥散强化(质点强化)、细晶强化、相变强化:1.固溶强化它的实现主要是通过溶质原子与位错的交互作用。
固溶体中存在着溶质原子,使合金的强度硬度提高,而塑性韧性有所下降,即产生固溶强化。
其原因在于,一是固溶体中溶质与溶剂的原子半径所引起的弹性畸变,与位错之间产生的弹性交互作用,对滑移面上运动着的位错有阻碍作用;二是在滑移线上偏聚的溶质原子(柯氏气团)对位错的束缚和钉扎作用。
(P176)2.形变强化,即加工硬化:随着变形程度的增加,金属的强度硬度增加,而塑性韧性下降。
其原因与位错的交互作用有关,随着变形程度的增加,位错密度不断增加。
第6章 时效强化的位错理论

三、Friedel关系
Friedel关系近似地给出了粒子能被滑动位错切割情况下的有效间距。 Friedel假定,在屈服过程,位错采取一种稳定态的形状,即一个位错每 次切过一个障碍物粒子B,它只与另外一个障碍物粒子B´相遇,弓出 成圆弧。
因此,每切一次粒子位错就扫过面积为A的滑移面如上图阴影部分 所示。 按平均,A值与单位滑移面上粒子数目成反比。如果滑移面上粒子 的平均间距为l,单位面积滑移面上粒子的数目为Ns,假定粒子是规则 平方排列。 l = Ns-1/2 l 2 = 1/Ns = A
2014合金
第三节
位错与第二相的交互作用
位错与第二相粒子相遇: 切过、绕过、爬过 第二相粒子(位错运动的障碍物)可分为两类: 可变形 粒子- 位错可切过 不可变形粒子 - 位错只能绕过或爬过 对于可变形的第二相粒子, 其强化效果取决于粒子的本性 对于不可变形的第二相粒子, 其强化效果取决于粒子尺寸和粒子间的平均距离。
单位长度螺位错线的能量E1
2
1
b r E ln E c 4 ro
2
单位长度刃位错线的能量E2
b r E2 ln E c 4 (1 - ) ro
r0=0.5~1nm
式中b为位错柏氏矢量,μ为剪切模量, ν为泊松比
对位错中心区域能量的估算表明,当r >10-4厘米时(即考虑位 错线周围半径已经达到10-4cm范围的弹性应变能时),相比之下位 错中心区域能量仅占位错总能量的五分之一左右,因此位错中心区域 的能量可以忽略。所以通常把单位长度螺位错线的能量E1和刃位错线 的能量E2分别写成:
通过分解成半位错, 位错更易移动, 但形成层错, 若层错能高, 不易分解成半位错。
四、气团拖曳与动态应变时效
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单位长度螺位错线的能量E1
2
1
b r E ln E c 4 ro
2
单位长度刃位错线的能量E2
b r E2 ln E c 4 (1 - ) ro
r0=0.5~1nm
式中b为位错柏氏矢量,μ为剪切模量, ν为泊松比
对位错中心区域能量的估算表明,当r >10-4厘米时(即考虑位 错线周围半径已经达到10-4cm范围的弹性应变能时),相比之下位 错中心区域能量仅占位错总能量的五分之一左右,因此位错中心区域 的能量可以忽略。所以通常把单位长度螺位错线的能量E1和刃位错线 的能量E2分别写成:
三、铃木气团(Suzuki)
溶质原子在层错中的偏聚被称作铃木气团 (置换原子间的作用) 在一些无限互溶的面心立方金属中出现,溶质溶剂晶格相 同、尺寸和电化学性相近。 热力学可证明,溶质原子在基体中与在层错中的分布是 不同的,溶质原子在层错区的偏聚可降低层错能。如果扩 展位错从富集溶质的层错中运动出来,将使体系自由能升 高,外力必须克服阻力作功。 因为铃木气团不像柯氏气团那样产生点阵畸变,因此气 团不属于弹性交互作用,而被认为是一种化学交互作用。
2、动态应变时效
当温度足够高时,溶质原子与位错的交互作用可以在变形过程中 发生,变形中产生时效的现象称作动态应变时效。 动态应变时效发生在一定温度范围,这个温度范围随应变速率的 增加而上移。 动态应变时效具有以下特点: (1)发生动态应变时效时的屈服应力与温度无关。 (2)发生动态应变时效时,动态应变时效时的屈服应力也与应变速 率无关。 (3)在动态应变时效温度范围,其塑性流变是不稳定的, 在应力应变曲线上常出现锯齿形, 此现象称为Portevin-Lechatelier效应。 (4)对含有间隙溶质原子的金属,动态应变时效现象表现为加工硬 化速率高得反常,且对应变速率和温度敏感。 (5)动态应变时效在钢中产生“蓝脆”,一般约在150℃左右。
b
故溶质原子溶入位错应力场中的交互作用能为:
4 u - r 3 ( xx yy zz ) 3 4 - r 3 (2 rr 2 rr ) 3 4 (1 ) 3 sin b r 3 (1- ) R
若ε>0,即溶质原子尺寸大于溶剂时, 在刃位错的上半部(0<θ<π),sinθ> 0, u为正值; 而在刃位错的下半部(π<θ<2π),sinθ< 0, u为负值, 因而大原子被吸引到刃位错的下半部(膨胀区)。
第六章
时效强化的位错理论
时效强化的本质: 在晶面上析出的第二相质点及 其 周围应力场阻碍位错运动,提高滑 移变形阻力,从而提高强度(使合 金硬化)。
第一节 位错的能量、线张力、 受力及弯曲位错的恢复力
一、位错的能量
单位长度位错线的能量(E)可以分为两个部分
E=Ec+Es
Ec为位错中心区的能量 Es为中心区以外区域(r-ro)弹性应变产生的应变能
T=αμb2
α=0.3~1.2, 作为粗略估计α=1/2, 因此通常把位错的线张力T简单地写成:
T=1/2μb2
三、作用在位错上的力(位错受力 F )
根据外力作用使位错运动所作功的关系,推导出作用在位错上的力(位错受力)
设沿晶体的滑移面和柏氏矢量方向施加切应力τ,推动长度为L的刃型位 错运动了ds距离,这种运动使晶体已滑移区域增加了Lds,在这个增加区域 中的上下两部分晶体产生相对位移b,
2
F=2Tcos
T- 位错线张力,
-切断角(breaking angle)
二、剪切粒子的力
施加剪应力τ 使柏氏矢量为b的位错弯成曲率半径为R的圆弧 在弯曲位错向心恢复力中已证明τb ds=Tdθ, ∵ ds=Rdθ τ b=T/R
由图可见,2Rsinθ=λ,因此τb=2Tsinθ/λ 由于θ=90º - ,根据F=2Tcos 2 2 可得τb=F/λ 或τbλ=F 其中重要的一项, 就是粒子之间的有效距离
刃型位错的能量大于螺型位错的能量,E2≈3/2E1 单位长度位错的能量的数量级为:
பைடு நூலகம்
b 2 r E2 ln 4 (1 - ) ro
E≈αμb2
b r E ln 4 ro
2
1
粗略估计时, α
≈0.5,
即E≈0.5μb2
二、位错的线张力
位错的线张力用T表示并定义为:位错线每增加单位长度 所增加的能量(即单位长度位错的能量)。 对直位错一般将T近似地写成:
2014合金
第三节
位错与第二相的交互作用
位错与第二相粒子相遇: 切过、绕过、爬过 第二相粒子(位错运动的障碍物)可分为两类: 可变形 粒子- 位错可切过 不可变形粒子 - 位错只能绕过或爬过 对于可变形的第二相粒子, 其强化效果取决于粒子的本性 对于不可变形的第二相粒子, 其强化效果取决于粒子尺寸和粒子间的平均距离。
位错切过共格沉淀相的示意图,形成粒子与 基体新界面,Ni-6.5Si合金中位错切过有序 Ni3Si粒子的透射电镜照片,1974年
在Cu-30%Zn晶体中的Al3O2粒子周围的位错 环(小变形)
在Cu-30%Zn晶体中的Al3O2粒子周围的位错 环(大变形)
一、第二相粒子阻碍位错运动的力
第二相粒子阻碍位错运动的力(F)也就是位错作用在 第二相粒子上的力,主要集中在位错的钉扎点上。
一个直刃位错其滑移面离质点中心距离为z, 其交互作用力为:
z2 3 (当 2 ) 2 4 z r z2 z2 3 F 8 b z(1 - 2 )(当 2 ) 4 r r 3 3/2 F=( ) 2
b r3
该式表明 : Fmax 4 b r(当z 2 /r 2= 1/2)
长度为ds,曲率半径为R的一段位错线, f =τb,作用在ds长度上的合力f ds =τb ds ) d d 当dθ很小时,sin 2 = 2 , d d 由位错线张力T分量引起的弯曲位错线向心恢复力为2T sin =2T =Tdθ
2 2
τb ds=Tdθ
由于ds=Rdθ,又T=1/2μb2,因此,τb R=1/2μb2
由上推导可得
λ=l /(cosΦ/2)1/2
障碍粒子的间距取决于切断角Φ,而且障碍粒子越强 λ值越小。
l为滑移面上粒子的平均间距,
当位错切过粒子时,粒子对位错的阻碍与粒子本身的性质有关,
强化机制包括: 共格强化、化学强化、层错强化、模量强化、有 序强化
化学强化(Chemical Strengthing)
故:τb≈μb2/R 或: f = μb2/2R
曲率R越小 向心恢复力f 越大
(使位错线弯曲的力)
第二节 溶质原子与位错的交互作用(固溶强化)
一、柯氏气团(Cottrell)
刃型位错的应力场既有切应力也有正应力,螺型位错的应力场只有切应力。
假如溶质原子只在基体中造成对称的畸变,那么溶质原子只与刃 型位错有交互作用。因为只有体积变化而无形状变化,故与螺位错无 交互作用。尺寸大的溶质原子容易偏聚到刃位错的下半部张应力区, 减小了位错线本身的应变能,减小的那部分应变能即称为溶质原子和 位错的弹性交互作用能(为负值)。 对于面心立方晶体,无论是置换式还是间隙式溶质原子,在溶入 基体后只造成对称型畸变,所以它们与位错交互作用的情况简单。 如果是间隙式溶质原子溶入体心立方晶体,则会造成非对称畸变, 这时溶质原子与刃位错和螺位错都有交互作用,所以体心立方金属的 屈服、应变时效等现象更加明显。
三、Friedel关系
Friedel关系近似地给出了粒子能被滑动位错切割情况下的有效间距。 Friedel假定,在屈服过程,位错采取一种稳定态的形状,即一个位错每 次切过一个障碍物粒子B,它只与另外一个障碍物粒子B´相遇,弓出 成圆弧。
因此,每切一次粒子位错就扫过面积为A的滑移面如上图阴影部分 所示。 按平均,A值与单位滑移面上粒子数目成反比。如果滑移面上粒子 的平均间距为l,单位面积滑移面上粒子的数目为Ns,假定粒子是规则 平方排列。 l = Ns-1/2 l 2 = 1/Ns = A
当z2/r2 < 3/4, Fmax位于基体与质点的界面上。 当z2/r2 > 3/4, Fmax不是在位错与质点接触处。 当滑移面在第二相的中心平面上, 即z=0,交互作用力为零。
通过分解成半位错, 位错更易移动, 但形成层错, 若层错能高, 不易分解成半位错。
四、气团拖曳与动态应变时效
1、气团对位错的拖曳 稀释的柯氏气团和史氏气团都对运动位错有一个拖 曳力。拖曳力构成金属流变应力的一部分。拖曳力的大小 取决于位错运动的速度。 位错运动速度高时,溶质原子的扩散速度跟不上位 错的运动,来不及形成柯氏气团(或原子的跳动来不及有 序分布,不能形成史氏气团),拖曳力小。 位错运动速度很低时,极端地说,接近一个静止位 错,位错与溶质原子形成一稳定的低能结构,这时并不产 生拖曳力。 只有当位错以某一速度运动,气团中心落后于位错 并离它一定距离,才产生拖曳力。
因此,切应力所作的功dW等于:
dW=τbLds
这样的功相当于垂直位错线且沿ds方向有一个F力所作的功, 即: 因此,
dW=Fds Fds=τbLds F=τbL
于是,作用在单位长度位错上的力应 f=F/L为:
f =τb
同一位错线的b相同,故沿位错线上各处的力相同,且垂直 于位错线。
四、弯曲位错的向心恢复力
有序强化(Order Strengthening)
当共格沉淀相的晶体结构是超点阵,基体是无序 固溶体时,产生这种强化
共格强化(Coherency Strengthening)
由于共格错配的沉淀相的应变场与位错之 间的弹性相互作用而引起的强化。
共格应变强化 基体中的共格析出相产生应力场
(析出相的点阵常数比基体小)
由于位错剪切沉淀相粒子,造成附加的界面 (沉淀相与基体之间的界面),引起能量增加。