材料导论碳纳米管综述
碳纳米管的特性及其高性能的复合材料综述
碳纳米管的特性及其高性能的复合材料综述摘要作为一种具有较强力学性能的材料，碳纳米管自诞生以来就受到了广泛关注，并且从以往的实践经验上来看，碳纳米管是非常理想的制备符合材料的形式。
在本文的研究当中，主要立足于这一领域进行分析，提出了碳纳米管本身所具备的特性，以及这种材料在实践过程当中的优越性，进而提出应用策略，希望能够在一定程度上起到借鉴作用。
关键词碳纳米管；复合材料；复合镀迄今为止，碳纳米管材料已经在诸多领域当中得以运用，并且取得了比较显著的成果，其中包括电极材料、符合材料、催化剂载体等诸多方面。
在应用过程当中，碳纳米管的优异性能能够使其在符合材料当中起到较强的作用。
本文研究的侧重点在于碳纳米管的制备和复合材料的应用方面，提出了碳纳米管的特性及其高性能的复合材料。
1 碳纳米管的结构及其性能从结构上来看，碳纳米管具有石墨层状的结构，其中包括单壁碳纳米管和多壁碳纳米管。
组成纳米碳管的C-C共价键是自然界当中具有稳定特征的化学键，无论在理论计算还是实践当中，都能够看出来，碳纳米管具有非常强的韧性。
在制备过程当中，碳纳米管主要涉及的电弧放电、催化热解和激光蒸发等。
具体来讲，在电弧放电当中，主要制备单壁碳纳米管，但是其中具有一定的弊端，比如产率非常低，但是成本却很高；而催化热解法当中所表现出来的是设备简单和生长速度较快等特点，一般在现代工程的批量化生产过程当中，会用到这种方法。
在当前应用领域，高强度的微米级碳纤维复合材料有着非常广阔的应用前景和较好的应用效果。
但是当前我国在这一领域所取得的进展依旧比较滞后，要想在强度上取得新的突破，必须要有效减少碳纤维的直径，提高纵横比。
碳纳米管是比较典型的纳米材料，纵横比非常可观。
更为重要的是，从长度上来讲，纳米管对于复合材料的加工性能并没有非常明显的不良影响，使用这一材料能够有效聚合复合材料，改变传统加工当中的一些问题，增强复合材料的导电性能。
再加上纳米管当中所具备的结构优势，使得聚合物电导率提升的同时也不容易被改变性能[1]。
新材料概论——碳纳米管
新材料概论——碳纳米管碳纳米管是一种由碳原子组成的纳米材料，具有特殊的结构和优异的性能，被认为是未来材料科学发展的重要方向之一、本文将从碳纳米管的定义、制备方法、结构特点和应用领域等方面进行阐述。
首先，碳纳米管是由碳原子按照特定的方式排列而成的管状结构。
它们的直径通常在纳米尺度范围内，但长度可达数微米至数厘米。
碳纳米管可以分为单壁碳纳米管（SWCNTs）和多壁碳纳米管（MWCNTs）两种形式。
单壁碳纳米管具有单层碳原子构成的管状结构，而多壁碳纳米管由多个同心层组成，每层之间有适当的间隙。
制备碳纳米管的方法有很多种，包括化学气相沉积、物理气相沉积、电化学剥离等。
其中，化学气相沉积是最常用的方法之一、该方法在惰性气氛中将碳源分解并沉积在金属催化剂上，从而形成碳纳米管。
此外，还可以利用电弧放电、化学还原剥离等方法获得碳纳米管。
碳纳米管的结构特点使其具有许多独特的性能。
首先，碳纳米管具有优异的导电性能，其导电能力可媲美铜和银等传统导电材料。
其次，碳纳米管具有优异的机械性能，具有很高的抗拉强度和模量。
此外，碳纳米管还具有优异的光学性质和热导性能，具有良好的化学稳定性和抗辐射性能。
碳纳米管的应用领域非常广泛。
在电子器件方面，碳纳米管可以用于制备纳米晶体管和纳米电极，可用于高分辨率显示器、柔性电子器件和高性能电池等。
在能源领域，碳纳米管也可以用于制备锂离子电池和超级电容器，以提高能源存储和转换效率。
此外，碳纳米管还可以用于传感器、生物医药、纳米催化剂等领域。
总之，碳纳米管作为一种新型材料，具有独特的结构和优异的性能，在材料科学领域具有广阔的应用前景。
随着制备技术的不断改进和研究的深入，碳纳米管的应用范围将进一步扩大，为各个领域的科技发展和实际应用带来更多的可能性。
碳纳米管材料的介绍
碳纳米管材料的介绍碳纳米管是一种由碳原子构成的纳米材料，具有许多独特的性质和应用潜力。
它的发现引起了科学界的广泛关注和研究。
碳纳米管具有极高的强度和刚度。
由于碳原子之间的键合非常强大，碳纳米管能够承受很大的拉伸力和压缩力，使其具有很强的抗弯曲性能。
这使得碳纳米管成为一种理想的材料，用于制造轻巧但坚固的结构，如飞机和汽车部件。
碳纳米管具有优异的导电性和导热性。
碳纳米管内部存在着一维的碳原子排列，使得电子在其内部能够自由传输，形成了高效的电子输运通道。
因此，碳纳米管被广泛应用于电子器件领域，如晶体管和纳米电线等。
同时，碳纳米管还具有良好的热导性能，使其成为制造高效散热器和热电材料的理想选择。
碳纳米管还具有丰富的表面化学活性和高比表面积。
碳纳米管的表面可以通过化学修饰来引入不同的功能团，从而赋予其特定的化学性质和应用功能。
例如，通过在碳纳米管表面引入亲水性团体，可以制备出具有优异吸附能力的纳米过滤器。
而碳纳米管的高比表面积则使其成为一种理想的催化剂载体，可用于提高化学反应的效率和选择性。
碳纳米管还具有良好的光学性能和生物相容性。
由于碳纳米管具有一维结构，使得它们能够吸收和发射可见光和红外光。
这使得碳纳米管在光学传感器和光电器件领域具有广泛的应用前景。
此外，碳纳米管还具有良好的生物相容性，可以用于生物医学领域，如药物传递和组织工程等。
碳纳米管具有多种优异的性质和应用潜力，使其在材料科学、电子学、化学和生物医学等领域具有广泛的应用前景。
随着对碳纳米管性质和制备方法的深入研究，相信碳纳米管将会在未来的科技发展中发挥更加重要的作用。
新材料科学中的碳纳米管材料
新材料科学中的碳纳米管材料碳纳米管是一种由碳原子构成的管状结构，在新材料科学中具有重要的应用价值。
碳纳米管的特殊结构使得它具有许多独特的性质和优异的物理化学性能，有着广泛的应用范围和前景。
一、基本介绍碳纳米管是一种类似于石墨烯的碳材料，其结构是由碳原子构成的具有管状形态的微观结构。
碳纳米管的直径在纳米级别，一般为1纳米到50纳米之间。
它的长度可以是数十微米到数百微米，甚至可以达到数厘米以上。
碳纳米管具有很多独特的性质，比如强度高、导电性好、导热性好、化学稳定性强等等。
这些性质决定了碳纳米管可以广泛应用于电子、机械、光学、化学等领域。
二、应用领域1.电子领域在电子领域中，碳纳米管作为一种新型的半导体材料，具有很多优异的性质，如高电导率、高耐电压性、超短开关时间等。
这些特点使得碳纳米管可以广泛应用于晶体管、场效应晶体管、逆变器、传感器等电子器件中。
2.机械领域在机械领域中，碳纳米管有着很高的强度和韧性，可以被用于制作高强度的机械零部件。
例如，碳纳米管可以制成强度高、重量轻、耐磨损的轮胎、杆、桥梁等。
此外，碳纳米管还可以制成高性能的自行车、汽车、飞机等机械设备。
3.光学领域在光学领域中，碳纳米管可以制成具有高透明度和高导电性的薄膜，可以被应用于太阳能电池板、智能窗等光学器件中。
4.化学领域在化学领域中，碳纳米管可以被用作催化剂、吸附剂和分离材料。
例如，碳纳米管可以被用来催化氢气的产生和净化工业废气。
此外，碳纳米管还可以被用来制备高效的分离膜，用于饮用水的净化。
三、未来发展趋势由于碳纳米管具有独特的物理化学性质，有着广泛的应用前景，因此在近年来得到了广泛的关注。
未来，碳纳米管的发展将主要集中在以下几个方面：1.化学合成方法的改进当前，碳纳米管的主要制备方法是电弧放电法、激光热解法和化学气相沉积法。
然而这些方法存在制备成本高、质量不稳定、难于大规模制备等问题。
因此，未来的发展方向是改进或发展出更简单、更可控性强、更可扩展的制备方法，以适应未来碳纳米管的大规模制备需求。
关于碳纳米管的研究进展综述
关于碳纳米管的研究进展1、前言1985年9月，Curl、Smally和Kroto发现了一个由个60个碳原子组成的完美对称的足球状分子，称作为富勒烯。
这个新分子是碳家族除石墨和金刚石外的新成员,它的发现刷新了人们对这一最熟悉元素的认识,并宣告一种新的化学和全新的“大碳结构”概念诞生了。
之后,人们相继发现并分离出C70、C76、C78、C84等。
1991年日本的Iijima教授用真空电弧蒸发石墨电极时,首次在高分辨透射电子显微镜下发现了具有纳米尺寸的碳的多层管状物—碳纳米管。
年,日本公司的科学家和匆通过改进电弧放电方法,成功的制备了克量级的碳纳米管。
1993年，通过在电弧放电中加入过渡金属催化剂,NEC和IBM研究小组同时成功地合成了单壁碳纳米管；同年，Yacaman等以乙炔为碳源，用铁作催化剂首次针对性的由化学气相沉积法成功地合成了多壁碳纳米管。
1996年,我国科学家实现了碳纳米管的大面积定向生长。
1998年,科研人员利用碳纳米管作电子管阴极同年,科学家使用碳纳米管制作室温工作的场效应晶体管;中国科学院金属研究所成会明研究小组采用催化热解碳氢化合物的方法得到了较高产率的单壁碳纳米管和由多根单壁碳纳米管形成的阵列以及由该阵列形成的数厘米长的条带。
1999年,韩国的一个研究小组制成了碳纳米管阴极彩色显示器样管。
2000年,日本科学家制成了高亮度的碳纳米管场发射显示器样管。
2001年,Schlitter等用热解有纳米图形的前驱体,通过自组装合成了单壁碳纳米管单晶,表明已经可以在微米级制得整体材料的单壁碳纳米管,并为宏量制备指出了方向。
2、碳纳米管的制备方法获得大批量、管径均匀和高纯度的碳纳米管,是研究其性能及应用的基础。
而大批量、低成本的合成工艺是碳纳米管实现工业化应用的保证。
因此对碳纳米管制备工艺的研究具有重要的意义。
目前,常用的制备碳纳米管的方法包括石墨电弧法、化学气相沉积法和激光蒸发法。
一般来说,石墨电弧法和激光蒸发法制备的碳纳米管纯度和晶化程度都较高,但产量较低。
归纳并总结碳纳米管的特性
归纳并总结碳纳米管的特性碳纳米管是一种由碳原子构成的纳米级管状结构材料，具有独特的物理、化学和电学特性。
它们在纳米科技领域具有广泛的应用前景。
本文将归纳并总结碳纳米管的特性，以便更好地理解和利用这一材料。
1. 结构特性碳纳米管的基本结构由碳原子以六角形排列形成，呈现出类似于由一个或多个碳层卷曲而成的管状形态。
碳纳米管可以分为单壁碳纳米管（SWCNTs）和多壁碳纳米管（MWCNTs）两种类型。
单壁碳纳米管由单层碳原子构成，而多壁碳纳米管则包含多个同心管状结构。
2. 尺寸特性碳纳米管的直径通常在1纳米至100纳米之间，长度可以从几十纳米到数微米不等。
其长度和直径比例的不同决定了碳纳米管的形态，如长棒状、管状或扁平形状。
3. 机械特性碳纳米管具有出色的力学性能，其强度和刚度是其他材料无法比拟的。
研究表明，碳纳米管的弹性模量和拉伸强度分别可以达到1000 GPa和100 GPa以上。
此外，碳纳米管还具有极高的柔韧性和耐久性。
4. 热学特性碳纳米管的热导率非常高，比钻石和铜等传统材料还要高。
这是由于碳纳米管的晶格结构和电子结构的特殊性质所决定的。
同时，碳纳米管还表现出优异的热稳定性和低热膨胀系数，使其在微电子器件的散热和封装方面具有广泛的应用潜力。
5. 电学特性碳纳米管是一种半导体材料，具有优良的电学性能。
SWCNT的导电性可分为金属和半导体两种类型，而MWCNT通常是半导体性质。
此外，碳纳米管还表现出高载流子迁移率、低电子散射率等优异特性，这使得其在纳米电子学领域具有重要的应用前景。
6. 光学特性由于碳纳米管具有一维结构和特殊的色散关系，使得其显示出独特的光学性质。
碳纳米管对可见光和红外光有很强的吸收和发射能力，具有广泛的应用潜力，如太阳能电池、光电器件和传感器等。
7. 化学特性碳纳米管具有高度的化学稳定性，能耐受高温、强酸和强碱等条件。
这使得碳纳米管可以在各种工业和科学领域中得到应用，如催化剂、储氢材料、吸附剂和纳米复合材料等。
新材料概论碳纳米管课件
环保与可持续性
在合成和使用过程中，考虑碳纳米管的环保 和可持续性问题也正在成为研究热点。
05
碳纳米管的生产与市场产主要采用气相沉积、电弧放 电和激光脉冲等方法。其中，气相沉积法具 有生长速度快、纯度高、可大规模生产等优 点，但设备成本较高。电弧放电法和激光脉 冲法具有设备简单、成本低等优点，但产量 较低。
02 将不同性能的材料进行复合，实现材料的多功能特性
，如强度、韧性、耐磨性、导电性、导热性等。
多功能复合材料应用
03
将多功能复合材料应用于不同的领域，如航空航天、
汽车、能源、生物医学等。
新兴应用领域拓展
01
新一代信息技术
发展新型电子器件、光电器件、 传感器的应用，推动信息技术领 域的创新发展。
02
化学稳定性
碳纳米管在大多数化学环境下都具 有很好的稳定性，使其在化学反应中 具有很好的应用前景。
挑战与瓶颈
01
生产与合成难度
碳纳米管的制备和合成仍存在一 定的挑战，其大规模生产和成本
控制是当前的研究重点。
03
界面稳定性差
在某些应用中，碳纳米管的界面 稳定性较差，可能会影响其性能
。
02
分散与纯化问题
其他制备方法
总结词
其他制备碳纳米管的方法
VS
详细描述
除上述方法外，还有许多其他制备碳纳米 管的方法，如燃烧合成法、溶胶凝胶法等 。这些方法各有优缺点，可根据实际需求 选择合适的方法。
03
碳纳米管的应用领域
纳米电子器件
碳纳米管在制造纳米电子器件方面具有高导电性和稳定性，可以用于制造高灵敏 度的场效应晶体管、逻辑电路和存储器等。
碳纳米管综述
碳纳米管综述碳纳米管的研究进展自20世纪90年代初，日本NEC公司的Sumio Iijima 发现碳纳米管（CNT）以来，其特异的力学和电学性质引发了世界范围内的研究热潮，碳纳米管逐渐成为纳米材料中的明星，得到众星捧月般的关注。
当前，碳纳米管的研究还处在早期阶段，研究工作主要集中在它的生长和表征上，到碳纳米管产品大量投放市场还需要一段时间。
这并不奇怪，因为通常一种新兴事物从发现到投放市场需要10年左右时间。
人们将跨越碳纳米管的奇妙性质研究阶段，而着手解决从材料到器件、从器件到系统等诸多实际问题。
相信在不远的将来，碳纳米管会走进我们的日常生活，成为我们工作和生活中不可或缺的一部分。
我国的碳纳米管研究队伍十分庞大，从事碳纳米管研究的高校和科研院所不下50家，人数不下2000人。
国家有过部门高度重视碳纳米管研究，科技部973计划、863计划以及刚刚启动的纳米重大研究计划、国家自然科学基金、中国科学院等对此均有部署。
我国科研人员发表的相关学术论文逾4400篇，占纳米管论文总数的21%以上，这反映了国内碳纳米管研究的活力和实力。
碳纳米管的分类石墨烯的碳原子片层一般可以从一层到上百层，根据碳纳米管管壁中碳原子层的数目被分为单壁和多壁碳纳米管。
单壁碳纳米管（SWNT）由单层石墨卷成柱状无缝管而形成是结构完美的单分子材料。
SWNT 的直径一般为1－6 nm，最小直径大约为0.5 nm，与C36 分子的直径相当,但SWNT 的直径大于6nm 以后特别不稳定，会发生SWNT 管的塌陷，长度则可达几百纳米到几个微米。
因为SWNT 的最小直径与富勒烯分子类似，故也有人称其为巴基管或富勒管。
多壁碳纳米管MWNT可看作由多个不同直径的单壁碳纳米管同轴套构而成。
其层数从2～50 不等，层间距为0.34±0.01nm，与石墨层间距(0.34nm)相当。
多壁管的典型直径和长度分别为2～30nm 和0.1～50μm。
多壁管在开始形成的时候，层与层之间很容易成为陷阱中心而捕获各种缺陷，因而多壁管的管壁上通常布满小洞样的缺陷。
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姓名：欧阳一鸣学号：2013012532班级：高材1313潜在的碳纳米管场效应晶体管的模拟电路介绍在集成电路晶体管的指数增长摩尔定律所描述的内容持续了近一个半世纪里。
然而,2010年的国际半导体技术发展路线图预测增长将减缓到2013年底。
这主要是因为互补金属氧化物半导体（CMOS的比例正迅速接近其物理限制带来了许多障碍，如更高的亚阈值传导，栅氧化层和结泄漏增加，低输出电阻和跨导，增加热量生产。
这使得半导体行业探索不同的材料和设备更加超越摩尔定律（如通过创造ITRS）。
在这些材料和器件研究，碳纳米管场效应晶体管（CNFET）已经获得了，因为它们规模小，流动性高，近弹道输运，大电流密度和较低的固有电容。
自推出CNFETs该研究已主要重点对他们的数字电路使用。
甚至中等规模薄流明碳纳米管（CNT的集成电路已报告了灵活塑料基板。
然而，开/关比（也称为噪声余量）通常很小对于目前制造CNFETs因为存在金属碳纳米管［，因此需要更多的调查，他们用于数字电路。
与此相反，CNFETs具有更多潜在用于高性能模拟电路，其中所述晶体管不需要充分关闭。
此外，特性perform-ANCE 度量类似物或RF晶体管是更适合材料和碳纳米管的设备性能和制造tol-era nces ，也可以更轻松得的。
CNFETS础知识场效应管的结构和MOSFE样的CNFETs在传统的MOSFET源区和漏区是由两个重掺杂区中的硅衬底形成，并且栅极由多晶硅材料，其是绝缘的形成从基板由薄的二氧化硅层。
如果电压被施加到栅极端，下方的连续信道栅极形成用于电流流动的源极和漏极之间。
另一方面为CNFETs栅极，源极和漏极接触由像铬或钨金属与 4.5电子伏特的功函数。
H是金属接触的高度，L是长度。
值得一提的是，出两种类型CNFETs 即肖特基势垒和MOSFE等的，选择后者，因为它具有较高的离子/IOFF比率，过渡频率f 低的，更低的寄生电容，更好的AC性能和更高的制造可行性。
在MOSTFE样的CNFE■之间的电流源和漏接触使用碳纳米管。
根据贝壳的数量形成管状结构这些碳纳米管可以作为折叠见石墨烯成管状结构，可以单壁和多壁。
单壁碳纳米管通常的特点是它的手性决定了它的属性和直径。
手性是由一对指数（N1, N2）的表示被称为手性矢量，它是用于选择在此工作的CNFET模型。
栅极下的管子是未掺杂的，而连接所述栅极到源极和漏极的管被重掺杂，从而掺杂管被称为源-漏延伸区，栅极，以及源极-漏极扩展区不包括源极和漏极金属接触，被认为是CNFET勺内在结构。
源的引进和漏极金属触点增加了寄生或外部电容，因此，完成CNFET勺设备型号。
两个相邻的管的中心之间的距离称为音调。
栅极氧化物为氧化铬的介电常数具有大致4纳米的高度。
这些管坐在一个厚的氧化硅（10微米）与硅衬底的底部上。
晶体管直流特性描述漏极电流对音高，碳纳米管和晶体管宽度被首先观察到沥青上CNFETS勺漏极电流的影响。
1伏的供给电压被连接到漏极端子和栅极端子，而源极和衬底的终端被接地。
漏极电流是独立的音调，除非管很近。
但是，当间距为＜20纳米，间CNT电容变得更加突出，漏电流降低，因为屏蔽效应。
屏蔽效应被去定义为在静电视场的变化以及由于其他原因在其附近的存在的带电粒子的库仑势。
因此，因为管之间的静电斥力的低球，电子排斥管的中心，导致电流的减少。
CNFET S极电流和管子的数量为两个不同的音调而晶体管宽度不是固定的。
很明显，目前与管子的数量线性增加；然而，随着筛查效果更突出5 nm。
自从问直径是固定的晶体管宽度的CNFETs数量的碳纳米管的产物和沥青。
随着管密度是通过选择控制，因此增加的宽度增加碳纳米管。
选择两个音高值20和5纳米。
因为我们比较漏极电流在一定宽度和两个值的音高，管子的数量不再是相同的。
此外，它是有趣地注意到，虽然与20纳米节距相比每管中的电流小于在5纳米的间距，所有的漏电流增加在5纳米节距射频描述跨导,g：跨导（g米漏极电流的变化）是一种测量晶体管的栅极电压的变化。
这是一个重要的基准测试参数尤其是模拟放大器等电路，因为它代表了增益和场效应晶体管的放大。
过渡或统一电流增益截止频f T：过渡频率或统一电流增益截止频率（f T）,是一个晶体管的固有速度的测量，通常用作基准参数之间不同的晶体管。
更多的射频:F马克斯最大可用增益（MAG），最大稳定增益和k这个小节介绍了其他知名的射频分布。
这些包括梅森的单边功率增益（U黑川纪章）、杂志、稳定因子（k）和最大振荡频率（f马克斯）。
这些射频参数导出了两口的线性网络分析使用y参数。
决定了系统的稳定性k（称为Rollet的因素）和4。
评估两个活动设备的功率增益，比较他们的U感兴趣的值在整个频率是必需的。
然而,它更方便单个数字基准。
这样一个实用的FOM的功率增益f马克斯频率的大小U成为零分贝。
这是上面的频率，功率增益不能获得一个活跃的设备在f马克斯的大小和杂志也变成了0分贝。
射频电路的比较1逆变器延迟：逆变器是许多集成电路。
例如，一个环形振荡器工作在射频频率由几级联逆变器阶段和在一起延迟相结合的系列逆变器决定了环形振荡器的振荡频率。
这个小节比较卸载逆变器延迟和CNFET之间。
为了一致性，选择通道宽度为1 p-FETs和n-FETs。
自从CNFET寄生参数较低与场效应管，设备要快得多。
此外，当管密度增加，减少，当前也在不断增加，因为增加的有效宽度的晶体管。
2环形振荡器：环形振荡器是锁相环（pll）的一个组成部分在高频收发器。
在这小节，它是用作水准电路MOSFE和CNFET之间,特别是比较振荡频率和功耗三级环形振荡器。
晶体管的漏极电压和宽度分别1 V和1卩m以来单个逆变器的延迟较小CNFETs环形振荡器的基础上CNFETs振荡频率要高得多。
然而,之间有一个权衡的振荡频率和功耗CNFET-basec三级戒指振荡器。
3 LC振荡器：一个典型的LC振荡器由一个电感器和电容器形成振荡回路g细胞, 补偿损失的实现持续振荡。
LC-based振荡器、特殊电压控制振荡器广泛用于毫米波射频锁相环电路产生本地振荡器信号。
4振荡频率:主要取决于总电路中电感和电容的值。
后者不仅包括贡献从从场效应晶体管的寄生参数。
结论CNFETS勺性能进行了比较与典型MOSFE的RF电路所得到的结果表明其巨大的潜力。
然而,当管密度是通过减少螺距增加到5nm,CNFET展示当前能力的两倍场效应。
因此，平版印刷技术的改进是至关重要的打入CNFETS勺全部潜力，场效应管的射频参数的和CNFETs比较揭示了后者的性能。
越g米，f T和f马克斯分别为2.7、2.6和4.5倍。
CNFET S于逆变器是高达10倍的速度，环形振荡器具有三倍更高的振荡频率和CNFE■型LC振荡电路提供了比它的MOSFE对应两次较小的寄生电容。
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