MOS管电路工作原理及详解没有之一
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一引言金属氧化物半导体场效应管（MOS管）是现代电子器件中最重要的元件之一。
其简单可靠的特性使得它被广泛应用于各种电路中。
本文将详细介绍MOS管的工作原理及其在电路中的应用。
MOS管基本结构MOS管由金属-氧化物-半导体结构组成。
它包括一个P型或N型基底（S）和负电压 gate 之间的氧化层与金属电极（G）以及源（D）和漏极（S）两个接触点。
氧化层通常由二氧化硅材料构成。
MOS管工作原理MOS管的工作原理是基于栅极电场对电荷载体浓度的控制。
当施加在栅极上的电压发生变化时，电场会改变二氧化硅层下的电荷载体浓度。
这将导致了漏极和源极区域之间的电流的控制。
MOS管的工作可以分为三个区域：割开区（cutoff）、线性区（linear）和饱和区（saturation）。
割开区当栅极电压低于阈值电压时，MOS管处于割开区，漏极和源极之间的电流几乎没有流动。
在这个区域内，MOS管相当于一个开断的开关，不导通任何电流。
线性区当栅极电压超过阈值电压，但不足以将MOS管推入饱和区时，MOS管处于线性区。
在这个区域内，漏极和源极之间的电流与栅极电压成正比。
可以调节栅极电压来控制电流的大小。
饱和区当栅极电压足以将MOS管推入饱和区时，MOS管处于饱和区。
在这个区域内，电流几乎不再与栅极电压有关，而主要取决于漏极和源极之间的电压差。
MOS管在饱和区工作时，可提供稳定的电流放大功能。
MOS管电路应用MOS管由于其优越的特性，广泛应用于各种电路中。
以下是几个常见的MOS管电路应用示例：开关电路MOS管作为开关元件的应用十分广泛。
在数字电路中，MOS管可用于实现逻辑门电路，通过调节栅极电压来控制电流的开关状态。
，MOS管还可用于交流电源开关、电机驱动器等电路中。
放大电路MOS管可用作放大电路的关键组件。
在放大电路中，MOS管的饱和区工作特性使得其能够提供高增益的放大功能。
mos管的工作原理
mos管的工作原理MOS管的工作原理。
MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应管，是一种常见的半导体器件，广泛应用于集成电路和功率电子领域。
它具有高输入阻抗、低输入电流、低噪声和低功耗等优点，因此在电子设备中扮演着重要的角色。
本文将介绍MOS管的工作原理，以便更好地理解其在电路中的应用。
MOS管由金属-氧化物-半导体三层结构组成，其中金属层和半导体层之间通过氧化物层隔开。
当在MOS管的栅极上施加正电压时，栅极和源极之间形成电场，使得氧化物层下的半导体中出现一个带电层，这个带电层将控制源极和漏极之间的电流。
因此，MOS管的工作原理可以简单地概括为栅极电压控制漏极-源极之间的电流。
在MOS管中，当栅极电压为零时，氧化物层下的半导体中不存在带电层，此时MOS管处于截止状态，漏极和源极之间的电流非常小。
而当施加正电压到栅极时，电场将使得氧化物层下的半导体中出现带电层，这个带电层将控制漏极和源极之间的电流。
因此，MOS管可以被看作是一个电压控制的电流源。
MOS管的工作原理还可以从能带结构的角度来理解。
在MOS管中，半导体和金属之间的能带结构是不连续的，而通过氧化物层将它们隔开。
当施加正电压到栅极时，会在氧化物层下的半导体中形成一个空穴层，这个空穴层将控制漏极和源极之间的电流，从而实现对电流的控制。
因此，MOS管的工作原理也可以通过能带理论来解释。
除了工作原理，MOS管的特性也与其工作原理密切相关。
由于MOS管的栅极具有很高的输入电阻，所以可以在电路中起到信号放大的作用。
同时，MOS管的漏极和源极之间的电流可以通过调节栅极电压来控制，因此可以实现对电流的精确控制。
这些特性使得MOS管在集成电路和功率电子领域得到了广泛的应用。
总之，MOS管是一种重要的半导体器件，其工作原理是通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流。
通过能带理论的解释，可以更深入地理解MOS管的工作原理。
MOS管的特性与其工作原理密切相关，这些特性使得MOS管在电子设备中发挥着重要的作用。
MOS管电路工作原理及详解
MOS管电路工作原理及详解在电子电路的世界里，MOS 管（MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）扮演着极为重要的角色。
它的工作原理看似复杂，实则有章可循。
MOS 管有增强型和耗尽型之分，我们先从增强型 MOS 管说起。
增强型 MOS 管又分为 N 沟道增强型和 P 沟道增强型。
以 N 沟道增强型 MOS 管为例，它由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。
在栅极和源极之间加上正向电压，并且达到一定的阈值时，在靠近栅极下方的 P 型半导体表面会形成一个反型层，也就是 N 型导电沟道。
这个沟道就像一条“通道”，让电子能够从源极流向漏极，从而形成电流。
当栅源电压越大，导电沟道就越宽，电流也就越大。
这就好比是控制水流的阀门，栅源电压就是控制阀门开度的手，电压越大，阀门开得越大，水流（电流）也就越大。
而 P 沟道增强型 MOS 管的工作原理与 N 沟道类似，只是导电的载流子是空穴。
再来说说耗尽型 MOS 管。
耗尽型 MOS 管在制造时，在栅极下方的半导体表面已经存在一定的导电沟道。
当栅源电压为零时，就有电流从源极流向漏极。
当栅源电压为负时，导电沟道变窄，电流减小；当栅源电压为正时，导电沟道变宽，电流增大。
在实际的电路应用中，MOS 管常常被用作开关。
比如在电源电路中，通过控制 MOS 管的导通和截止，实现电源的开关控制，从而达到节能和保护电路的目的。
当栅源电压达到开启电压时，MOS 管导通，相当于开关闭合；当栅源电压低于开启电压时，MOS 管截止，相当于开关断开。
MOS 管还可以用于放大电路。
在放大电路中，通过输入信号改变栅源电压，从而控制漏极电流的变化，实现信号的放大。
这是因为栅源电压的微小变化能够引起漏极电流较大的变化。
在 MOS 管的电路设计中，需要考虑一些重要的参数。
比如阈值电压，它决定了 MOS 管导通和截止的条件。
MOS管电路工作原理及详解
MOS管电路工作原理及详解MOS管，全称金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电路中，如放大、开关和逻辑电路等。
其工作原理和详解如下。
MOS管是一种固态电子器件，由金属栅、氧化物绝缘层和半导体管道构成。
工作时，栅极的电势可以控制管道中的电流流动。
当栅极电压Vgs为零，即不施加任何电压时，MOS管处于截止状态，不导电。
当施加正电压到栅极，即Vgs > 0时，形成一个正电场，吸引电子进入通道，导致N型沟道中电子增加，电荷密度增加，电流开始流动，MOS管进入导通状态。
而当施加负电压到栅极，即Vgs < 0时，形成一个负电场，把放在绝缘氧化物界面的电子吸引到栅极区域，减少沟道中电子数目，导致电流减小，MOS管进入截止状态。
因此，通过改变栅极电压，可以控制MOS管的导电特性。
MOS管有两种类型：P型MOS（PMOS）和N型MOS（NMOS）。
在PMOS 中，栅极为N型半导体，通道为P型半导体；而在NMOS中，栅极为P型半导体，通道为N型半导体。
两种类型的MOS管具有不同的导通方式。
对于PMOS，当栅极电压为负值（Vgs < 0），P型沟道会形成一个电子空穴击穿区域，通道中的电子将被拉入空穴区域，电流减小。
而当栅极电压为正值（Vgs > 0），击穿区域的电子将会被驱逐回通道，创造一个恢复的电子空穴区域，电流增加。
所以，PMOS管的导通与栅极电压是相反的。
对于NMOS，当栅极电压为负值（Vgs < 0），P型沟道中的电子将被排斥到源极区域，通道被堵塞，电流减小。
而当栅极电压为正值（Vgs > 0），电子将被吸引到沟道并形成导电路径，电流增加。
因此，NMOS的导通与栅极电压是一致的。
MOS管的导通特性由其工作区域决定，通常可分为三个区域：截止区、饱和区和线性区。
mos管工作原理及详解
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点击进入万联芯城点击进入万联芯城MOS管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小，且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管工作原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管工作原理图电源开关电路详解这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS的工作原理图。
它一般有耗尽型和增强型两种。
本文使用的为增强型MOSMOS管，其内部结构见mos管工作原理图。
它可分为NPN型PNP型。
NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。
但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS管工作原理图，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。
mos管或电路
mos管或电路MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的半导体器件，常用于集成电路中。
MOS管的工作原理是通过调节栅极电压来控制导通沟道的电阻，从而实现信号的放大、开关和放大等功能。
下面将详细介绍MOS管的结构、工作原理和应用。
MOS管的结构包括源极、漏极和栅极三个部分。
源极和漏极之间通过氧化物绝缘层隔开，栅极则通过栅极氧化层与沟道相隔开。
当在栅极上加上正电压时，栅极下方的沟道会形成导通通道，从而使源极和漏极之间产生导通。
当栅极上的电压变化时，沟道的导电性也会相应变化，实现对电流的调节。
MOS管的工作原理是基于场效应的调控。
栅极上的电压改变了栅极下方的场强，从而改变了沟道的导电性。
当栅极电压为正时，沟道导通，电流从源极流向漏极，此时MOS管处于导通状态。
而当栅极电压为零或负时，沟道的导电性减弱或消失，电流无法通过，MOS管处于截止状态。
通过调节栅极电压，可以实现对电流的精确控制，从而实现放大、开关和放大等功能。
MOS管在集成电路中有着广泛的应用。
作为场效应晶体管的一种，MOS管可以用于数字电路、模拟电路和混合电路中。
在数字电路中，MOS管可用作开关，实现逻辑门的功能；在模拟电路中，MOS管可用作放大器，实现信号的放大和处理；在混合电路中，MOS管既可以用于数字信号处理，又可以用于模拟信号处理，实现电路的多功能集成。
总的来说，MOS管作为一种常用的半导体器件，具有结构简单、工作稳定和应用广泛的特点。
通过对栅极电压的调节，可以实现对电流的精确控制，从而实现各种电路功能的实现。
在未来的发展中，MOS管将继续发挥重要作用，推动集成电路的不断进步。
MOS管电路工作原理及详解
MOS管电路工作原理及详解在电子电路的世界里，MOS 管（MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种极其重要的元件。
它的性能卓越，应用广泛，从简单的电子设备到复杂的集成电路，都能看到MOS 管的身影。
为了更好地理解和运用MOS 管，我们需要深入探究其电路工作原理。
MOS 管主要有两种类型：增强型和耗尽型。
增强型 MOS 管又分为N 沟道增强型和 P 沟道增强型；耗尽型 MOS 管同样分为 N 沟道耗尽型和 P 沟道耗尽型。
在实际应用中，增强型 MOS 管更为常见。
先来说说 N 沟道增强型 MOS 管的结构。
它由一块 P 型半导体作为衬底，在上面扩散两个高浓度的 N 型区，分别作为源极（S）和漏极（D）。
在源极和漏极之间的衬底表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，然后在绝缘层上沉积一层金属铝，形成栅极（G）。
当栅极电压为零时，源极和漏极之间没有导电沟道，MOS 管处于截止状态。
当在栅极和源极之间加上正向电压（VGS），并且 VGS 超过一定的阈值电压（VT）时，在靠近栅极下方的 P 型半导体表面会形成一个N 型导电沟道。
此时，若在漏极和源极之间加上电压（VDS），就会有电流（IDS）从漏极流向源极，MOS 管处于导通状态。
而且，IDS的大小与 VGS 和 VDS 都有关系。
在 VGS 一定的情况下，当 VDS 较小时，IDS 随 VDS 线性增加，MOS 管工作在电阻区。
随着 VDS 的增大，靠近漏极一端的导电沟道会变窄，这种现象被称为沟道夹断。
当 VDS 增加到使得沟道在漏极一端刚好夹断时，称为预夹断状态。
继续增大 VDS，夹断区会延长，而IDS 基本保持不变，MOS 管工作在恒流区。
P 沟道增强型 MOS 管的工作原理与 N 沟道增强型 MOS 管类似，只是所加电压的极性相反。
再谈谈 MOS 管在电路中的应用。
MOS管工作原理详细讲解
MOS管工作原理详细讲解MOS管（Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种重要的电子器件，广泛应用于电子领域中。
它采用了金属-氧化物-半导体结构，具有高度的集成度、低功耗和快速开关速度等优点。
下面将详细讲解MOS管的工作原理。
MOS管的结构一般由P型或N型半导体基底、N型或P型沟道、金属栅极和绝缘层构成。
基底扮演着支撑的作用，而绝缘层则用于隔离栅极和沟道之间，通常是用氧化硅（SiO2）材料制备。
当栅极施加正电压时，栅极和沟道之间会形成一个电场。
根据栅极电压的不同，MOS管可以工作在三种模式下：截止区、线性区和饱和区。
1.截止区：在截止区，栅极电压低于沟道引起的阈值电压。
此时，沟道中的电子和空穴不能形成导电通道。
整个沟道的电阻非常大，电流基本上是不流动的。
MOS管处于截止状态，不导电。
2.线性区：当栅极电压高于阈值电压时，沟道中的电子和空穴被弯曲，形成了一个导电通道。
这个导电通道具有可变电阻，称为沟道电阻。
当在沟道两端施加一个电压时，电流会通过沟道流过。
此时，MOS管处于线性状态，电流与电压成正比。
3.饱和区：当栅极电压继续增加，逐渐超过了一定的阈值电压，并且沟道已经完全形成。
这时，栅极电场已经无法影响到沟道中的电子和空穴。
电流的增长不再与栅极电压相关。
MOS管处于饱和状态，电流基本上保持不变，称为饱和电流。
MOS管的控制是通过栅极电压来实现的。
当栅极电压变化时，会引起沟道的电压和电流的变化。
MOS管的沟道电流与栅极电压的平方成正比。
因此，可以通过改变栅极电压来控制电流的大小。
MOS管的开关速度非常快，因为它的结构中不包含PN接头和载流子的注入。
当栅极电压施加或者移除时，沟道不会存在大量的载流子重新注入或排出的时间延迟。
这种快速的开关速度使得MOS管在高频率应用中表现出色。
另外，MOS管还具有低功率消耗的特点。
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电路符号
小结：“MOS管的开关条件”
前面解决了MOS管的接法问题，接下来谈谈MOS管的 开关条件：
控制极电平为“ ？V ” 时MOS管导通（饱和导通）？ 控制极电平为“ ？V ” 时MOS管截止？
这个问题涉及到MOS管原理，我们这里不谈，只记结果：
不论N沟道还是P沟道MOS管， G极电压都是与S极做比较。
实物 看看这些MOS管：
呵呵，都是很常见的吧？
能告诉大家， 哪个脚是S（源极）吗？
哪个脚是D（漏极）？
G（栅极）呢？ 是P沟道还是N沟道MOS？ 呵呵，这个有点难哦。
给你万用表，怎么测量 MOS管是好是坏呢？
实物
1 如何分辨三个极？
首先，来看看常见的SO-8封装MOS管吧。
共有八个脚，显然会有几个脚内部是相连的。 第1步： 请确定MOS管PIN1（第一脚） 方法：芯片上会用一个小圆点标示出PIN1，
（想像DS边的三节断续线是连通的）
P沟道
不论N沟道还是P沟道MOS管， 中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭 头方向总是一致的：
要么都由S指向D， 要么都由D指向S。
D极
电路符号
4 它能干吗用呢？
在我们天天面对的笔记本主板上，
MOS管有两大作用：
此处电压
被拉低
开1关. 开作用关(作1)用: ；
2. 隔离作用。
三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了：
S极
N沟道MOSFET
G极 箭头指向G极的是N沟道
D极
电路符号
S极
P沟道MOSFET
G极 箭头背向G极的是P沟道
D极
当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性。
电路符号
小测试： 先判断是什么沟道，再判断三个脚极性。
G极 1
1 S极
2 D极
D极 2
NMOS管正确接法：
D极接输入；S极接输出。
假如：
S接输入，D接输出呢？
输入
S极
G极
N沟道
D极
输出
由于寄生二极管直接导通，因此 S极电压可以无条件到D极，MOS 管就失去了开关的作用。
PMOS管正确接法：
S极接输入；D极接输出。
假如反接：
D接输入，S接输出。
输出
S极
G极
P沟道
D极
输入
同样失去了开关作用。
N沟道： UG>US时导通。 （简单认为）UG=US时截止。
P沟道： UG<US时导通。 （简单认为）UG=US时截止。
但UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？
电路符号
饱和导通问题：
UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？
这要看具体的MOS管，不同MOS管需要的压差不同。
作用： 电压通断（开关）
常用接法： D极接输入，UD=5V。 S极接输出。
截止条件： UG=US=0V。
导通条件： UG比US大10V以上， UG=US+10V=15V。 （导通时，US=5V）
电路符号
示例3：
PMOS管： AOD425
作用： 电压通断（开关）
+19V S极
常用接法： S极接输入，US=19V。 D极接输出。
电路符号
电路符号篇
电路符号
开始之前，一个小测试：
请回答： 哪个脚是S（源极）？
哪个脚是D（漏极）？
G（栅极）呢？
是P沟道还是N沟道MOS？
如果接入电路， D极和S极，哪一个该接输 入，哪个接输出？ 你答对了吗？
电路符号 再来一个，试试看：
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
哪个脚是S（源极）？
哪个脚是D（漏极）？
G（栅极）呢？ 是P沟道还是N沟道MOS？ 依据是什么？
电路符号
MOS管作用总结：
（结合寄生二极管）
如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道）， 一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。 否则就无法实现开关功能了。
所以，N沟道一定是D极接输入，S极接输出或地。 P沟道则相反，一定是S极接输入，D极接输出。
如果MOS管用作隔离时，（不论N沟道还是P沟道）， 寄生二极管的方向一定是和主板要实现的单向导通方向 一致。
假如MOS管表面磨损，或是无法辨认PIN1的标记圆点，你可以用什么 方法确认PIN1脚，以及G极，D极和S极？ 拿出万用表，试试吧！
实物
再来看看相似的DFN封装MOS管：
外形上来看，DNF封装的MOS管仍旧有8个脚，但已经变成贴片形式， 节约了高度，散热性能更好些。 但其PIN脚极性还是一样排列。
还有Ultra SO-8封装的MOS管：
Ultra SO-8封装的MOS管相对DFN封装厚度 上有点增加，PIN1,2,3直接相连成为S极。
实物
接下来，看看6个脚的TSOP-6封装MOS管：
SI3456
PIN1,2,5,6为D极； PIN3为G极；
PIN4为S极。
同样是6个脚，的SOT-363封装MOS管则为双MOS管：
笔记本主板上用PMOS做隔离管的最常见，但也有极少 的主板用NMOS来实现。
电路符号 5 做个挑错游戏吧
有没有发现过笔记本电路图上的MOS管也有画错的？ 通过前面的学习， 我们来做个挑错 游戏吧， 看看你能发现多 少错误？
图1
电路符号
两张截图里， 你发现了几处错误？
答案在文档最后面。
图2
实物
实物篇
导通
+1.5V
+15V
由+1.5V_SUS产生+1.5V电路（2）
电路符号
看过前面的例子，你能总结出“MOS管用做开关时在电路 中的连接方法”吗？
其实关键就是： 确定哪一个极连接输入端；哪个极连接输出端。 控制极电平为“ ？V ” 时MOS管导通（饱和导通）？ 控制极电平为“ ？V ” 时MOS管截止？
如果接入电路， D极和S极，哪一个该接输 入，哪个接输出？
这次怎么样？
电路符号 1 三个极怎么判定 ？
MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方 。
S极
G极，不用说比较好认。
S极，
G极
不论是P沟道还是N沟道，
两根线相交的就是；
D极，
不论是P沟道还是N沟道，
D极
是单独引线的那边。
电路符号 2 他们是N沟道还是P沟道？
电路符号
示例1：
19V
Adapter
PMOS管： AOL1413
接地
6V 19V
5V
导通
作用： 隔离
19V
截导止通
19V
隔离
19V
BAT
大家有兴趣可分析一下：拔掉适配器后只用电池供电时AOL1413的工作情况，试试吧！
电路符号
笔记本主板上的隔离，其实质是将适配器电压（+19V） 和电池电压（+12V左右）分隔开来。不让它们直接相通。 但又能在拔除任意一种电源时，保证电脑都有持续的供电，实 现电源无缝切换。
实物
最后，3PIN脚的MOS管： （1）SOT-23
3
D
G
S
1
2
PIN1为G极；PIN2为S极；PIN3为D极。
图纸习惯
但请大家特别注意：主板上标示的PIN1与PIN2脚与此刚好颠倒了。
主板图纸上也是如此。 而且，似乎作为一种错误的习惯被保持了下来。
另外一种3PIN脚的MOS管： （2）TO-252
3
1
2
2
1
常见型号有: AOD425
实物
2 它是N沟道还是P沟道的呢？
先从简单的开始，拿最常见的3PIN脚MOS管（SOT-23）讲起。
D
G S
01.6220V
接下来， 将万用表调 到“二极体档”。
由上一小节内容，我们可以立即找 到MOS管的G,S,D三极。
电路符号
示例1：
NMOS管： 2N7002E
作用： 信号切换（开关）
D极 05V
G极
3V
导通
S极
常用接法： S极接地，US=0V。
截止条件： UG=US=0V。
导通条件： UG比US大3V---5V即可， UG=3V。
电路符号
示例2：
NMOS管： AON7406
D极 5V
+15V G极
S极
导通
05V
它一般会在芯片的左下角。
第2步： 请确定MOS管其他脚
方法：从PIN1开始，逆时针方向依次为2，3， …..6，7，8脚。
实物
第3步： 请确定三个极。
D极单独位于一边，而G极是第4PIN。 剩下的3个脚则是S极。 它们的位置是相对固定的，记住这一点很有 用。
看看我们常见的NMOS管4816：
请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的。
A
B
此处MOS管实现的功能就是：隔离作用。
所以，所谓的MOS管的隔离作用，其实质也就是实现电路 的单向导通，它就相当于一个二级管。
但在电路中我们常用隔离MOS，是因为： 使用二级管，导通时会有压降，会损失一些电压。而使用 MOS管做隔离，在正向导通时，在控制极加合适的电压，可以 让MOS管饱和导通，这样通过电流时几乎不产生压降。
S极 3
P沟道MOSFET
3 G极
N沟道MOSFET
电路符号
3 寄生二极管的方向如何判定？
接下来，是寄生二极管的方向判断：
S极
寄生二极管
S极
G极
N沟道 G极
P沟道
D极
D极
它的判断规则就是：
N沟道，由S极指向D极； P沟道，由D极指向S极。