Si硅的色散曲线
材料的光学性能
石英等透明材料在红外区的反常色散
当光束通过平整光滑的表面入射到 各向同性介质中去时,它将按照折 射定律沿某一方向折射,这是常见 的折射现象。研究发现,当光束通 过各向异性介质表面时,折射光会 分成两束沿着不同的方向传播,见 图,这种由一束入射光折射后分成 两束的现象称为双折射。许多晶 体具有双折射性质,但也有些晶体 (例如岩盐)不发生双折射。双折射 的两束光中有一束光的偏折方向 符合折射定律, 所以称为寻常光(或 O光)。另一束光的折射方向不符 合折射定律,被称为非常光(或e光)。 一般地说,非常光的折射线不在入 射面内,并且折射角以及入射面与 折射面之间的夹角不但和原来光 束的入射角有关,还和晶体的方向 有关。
材料的光学性能
众所周知,材料对可见光的不同吸收和反射性能使我们周围的世界呈现五光 十色。 金和银对红外线的反射能力最强,所以常被用来作为红外辐射腔内的镀层。 玻璃、石英、金刚石是熟知的可见光透明材料 金属、陶瓷、橡胶和塑料在一般情况下对可见光是不透明的。 橡胶、塑料、半导体锗和硅却对红外线透明。因为锗和硅的折射率大,故被 用来制造红外透镜。 许多陶瓷和密胺塑料制品在可见光下完全不透明,但却可以在微波炉中作食 品容器,因为它们对微波透明。 玻璃、塑料、晶体、金属和陶瓷都可以成为光学材料。 钕玻璃是应用最广泛的大功率激光发射介质。 发光材料的进步对于信息显示技术有重要意义,它给人类的生活带来了巨大 的变化:1929年成功地演示了黑白电视接收机;1953年出现了彩色电视广 播;1964年以稀土元素的化合物为基质和以稀土离子掺杂的发光粉问世,成 倍地提高了发红光材料的发光亮度,这一成就使得“红色”能够与“蓝色” 和“绿色”的发光亮度相匹配,实现了如今这样颜色逼真的彩色电视。
光的传播特性的基本规律。
硅材料基础知识
导体：导体是很容易导电的物质，电阻率约为10-6-10-8Ωcm,绝缘体：极不容易或根本不导电的一类物质。
半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，目前已知的半导体材料有几百种，适合工业化的重要半导体材料有：硅、锗、砷化镓、硫化镉，电阻率介于10-5-1010Ω（少量固体物质如砷、锑、铋，不具备半导体基本特性，叫做半金属。
冶金级硅（工业硅）：将自然级自然界的SI02矿石冶炼成元素硅的第一步，冶金级硅分为两类：1、供钢铁工业用的工业硅，硅含量约为75%。
2、供制备半导体硅用，硅含量在99.7%-99.9%，它常用作制备半导体级多晶硅的原料。
多晶硅：1、改良西门子法，2、硅烷法，3、粒状硅法。
改良西门子法：多晶硅生产的西门子工艺，在11000C左右德高纯度硅芯上还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。
过程：1、原料硅破碎；2、筛分（80目）——沸腾氯化制成液态的SIHCL3——粗馏提纯——精馏提纯——氢还原——棒状多晶硅——破碎——洁净分装。
硅烷法：原料破碎——筛分——硅烷生成——沉积多晶硅——棒状多晶——破碎、包装。
单晶硅：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体，纯度要求达到99.9999%甚至达到99.9999999%用于制造半导体器件、太阳能电池等。
区域熔炼法：制备高纯度、高阻单晶的方法。
切克劳斯基法（直拉法）：制作大规模集成电路、普通二极管和太阳能电池单晶的使用方法。
硅棒外径滚磨：将单晶滚磨陈完全等径的单晶锭。
硅切片：硅切片是将单晶硅原锭加工成硅圆片的过程（内圆切片机刀口厚度在300-350um，片厚300-400um。
线切机刀口厚度不大于200u，片最薄可达200-250u.）.硅磨片：一般是双面磨，用金刚砂作原料，去除厚度在50-100u，用磨片的方法去除硅片表面的划痕，污渍和图形，提高硅片表面平整度。
用内圆切片机加工的硅片一般都需要进行研磨。
al在si扩散系数
al在si扩散系数引言在材料科学领域，研究材料的扩散性质对于了解材料的性能和应用具有重要意义。
其中，al（铝）在si（硅）中的扩散系数是一个关键参数，它描述了铝在硅中的扩散速率。
本文将介绍al在si扩散系数的相关概念、影响因素以及测量方法。
什么是扩散系数扩散是指物质由高浓度区域向低浓度区域自发传播的过程。
扩散系数是描述物质从一个区域向另一个区域传播的速率和程度的参数。
对于固体材料中的元素，其在晶体结构中通过空位、间隙等位点进行迁移。
在本文中，我们将重点讨论铝（al）元素在硅（si）晶体中的扩散行为。
al在si扩散系数的影响因素al在si扩散系数受到多种因素的影响，主要包括温度、晶格缺陷和掺杂等。
温度温度是决定固体中原子迁移速率的重要因素之一。
通常情况下，随着温度的升高，原子迁移速率增加，扩散系数也随之增大。
这是因为高温会提供更多的能量，使得原子能够克服晶格势垒，从而更容易进行扩散。
晶格缺陷晶格缺陷是指晶体中的点缺陷、线缺陷和面缺陷等。
这些缺陷可以提供额外的位点供原子迁移，并且它们可以作为扩散路径。
因此，晶格缺陷的存在会显著影响al 在si中的扩散系数。
掺杂掺杂是向材料中引入其他元素或化合物，以改变其性质和功能的过程。
掺杂可以改变晶体结构和原子间相互作用，从而影响al在si中的扩散行为。
不同掺杂元素对al在si中的扩散系数具有不同的影响。
al在si扩散系数的测量方法测量al在si扩散系数可以采用不同的实验方法和技术。
以下是几种常用的测量方法：接触法接触法是一种常用且简单的测量方法。
该方法通过将al与si直接接触，在一定温度下进行扩散反应，然后通过分析接触界面的形貌和成分变化来确定扩散系数。
放射性示踪法放射性示踪法利用放射性同位素标记al和si，通过测量放射性同位素的浓度变化来确定扩散系数。
这种方法需要使用放射性同位素，并且需要特殊设备和技术来进行测量。
电子显微镜（TEM）观察TEM是一种高分辨率的显微镜技术，可以观察到原子级别的细节。
Ge、Si的晶体结构
❖ 怎样才能保证在半导体中既要掺杂浓度高又要保持晶体的完整呢？这 就是所谓“完美晶体技术”需要解决的一个重要课题。目前，在硅工 艺中所采用的办法，归纳起来可以有三种：
❖ （1）用As取代P和Sb ❖ （2）四面体半径大于Si的杂质，和四面体半径小于Si的杂质同时掺入。 ❖ （3）P和As或B和As同时掺入。
键作用着，即（100）面间每一个原子有2个
键作用着。而（100）面上的原子密度为2/a2，
所以在（100）面间，单位面积上作用的键
数——键的面密度为2×2/a2=4/a2。
rsi0117nmrge0122nm014701460146014401400136012601220118012601170110008800770070四面体半径nmtlpbbiinsnsbgageasalsipbcn杂质元素表11常用杂质元素的四面体半径004270342020023100770077024801600080016在硅中晶的失配因子gecsningaalbsbasp杂质表12杂质在硅中的失配因子4掺杂问题在gesi晶体中如果所掺入杂质的失配因子较大则杂质将使晶格发生畸变在晶体中造成较大的应力在高温下由于晶体内摩擦力迅速减小则晶体原子有可能发生重新排列以减小应力这就必将导致各种晶体缺陷的出现
（ 1/4 ， 1/4 ， 1/4 ）；（ 3/4 ， 3/4 ， 1/4 ）； （ 3/4 ， 1/4 ， 3/4 ）；（ 1/4 ， 3/4 ， 3/4 ）；……
光电材料与半导体器件
2、锗，硅晶体中原子排列的规律
完整晶体中原子的排列是很规则的，各有一定的排列 规律，这种规律可完全由其晶胞结构反映出来。
仔细分析图1-1中的晶胞，就会发现，对Ge、Si晶体， 其原子排列的规律可从两方面来看：
硅光技术原理
硅光技术原理全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：硅光技术是一种基于硅材料的光学技术，利用硅材料的特殊性质来实现光学功能。
硅材料是一种常见的半导体材料，具有优良的光学性能和电学性能，被广泛应用于光子学领域，如激光器、光纤通信、光电子器件等。
硅材料不仅具有卓越的光学性能，还具有成本低廉、制备工艺成熟、稳定性高等优点，因此成为了光子学领域的重要材料之一。
硅光技术的原理主要包括硅材料的光学特性、硅光子学器件的设计和制备工艺。
硅材料的光学特性主要包括折射率、色散、吸收系数等。
硅材料的折射率比较高，通常在1.4-4之间，这使得硅材料在光学器件中具有良好的指导性能。
硅材料的色散较小，这意味着在硅光子学器件中可以实现更加复杂的光学功能。
硅材料的吸收系数也比较低，这有利于提高光子器件的效率。
设计硅光子学器件时，需要考虑硅材料的特性，通过合理的结构设计来实现所需的光学功能。
硅光子学器件可以通过构造一定的结构，在硅材料中引入光子波导、光子晶体、光子谐振腔等结构来控制光的传播和耦合过程。
通过调控硅材料中的衍射光栅、非线性光学效应等机制，可以实现光的操控和传输。
制备硅光子学器件通常采用微纳加工技术，包括激光刻蚀、离子注入、热氧化等工艺。
激光刻蚀是一种常用的微纳加工方法，可以通过控制激光的功率和照射时间，在硅表面形成微米级的结构。
离子注入是一种改变硅材料光学性质的方法，可以在硅材料中引入不同的杂质，改变硅材料的折射率、色散等性质。
热氧化是一种在硅表面生成氧化硅层的方法，可以形成光子波导、光子晶体等结构。
硅光技术在光子学领域有着广泛的应用，如硅基光波导器件、硅基激光器件、硅基传感器器件等。
硅基光波导器件是一种利用硅材料的折射率高的特性，在硅波导中实现光的传输和操控的器件。
硅基激光器件是一种利用硅材料的光学性能，在硅芯片上实现激光发射的器件。
硅基传感器器件是一种利用硅材料的敏感性，在硅波导中实现化学、生物等物质的检测的器件。
硅的柯西色散系数
硅的柯西色散系数简介柯西色散是指物质的折射率随着光的频率变化而变化的现象。
硅是一种常见的半导体材料，具有重要的光电性能。
硅的柯西色散系数是描述硅材料光学性质的重要参数之一。
本文将详细介绍硅的柯西色散系数的定义、计算方法以及其在光学器件中的应用。
定义柯西色散系数是描述物质折射率与光的频率之间关系的参数。
在柯西色散模型中，折射率n与光的频率ν的关系可以用以下公式表示：n(ν) = A + B/ν^2 + C/ν^4 + …其中A、B、C等为常数，代表不同阶次的色散项。
柯西色散系数C是指上述公式中C项的系数。
计算方法硅的柯西色散系数可以通过实验测量得到，也可以通过理论计算获得。
下面将介绍一种常用的计算方法——拟合实验数据法。
1.收集实验数据：使用光谱仪测量不同波长下硅的折射率。
测量时需要注意选择适当的波长范围和间隔，以获得较为准确的数据。
2.数据处理：对实验数据进行处理，将波长与折射率转换为频率与折射率的关系。
可以通过以下公式进行转换：ν = c/λ其中c为光速，λ为波长。
3.拟合曲线：使用拟合算法，如最小二乘法，对处理后的数据进行拟合。
选择合适的拟合函数，通常选用柯西色散模型，根据实验数据拟合出最佳的C值。
4.确定柯西色散系数：根据拟合结果，得到硅的柯西色散系数C。
该值可以用于描述硅材料在不同频率下的折射率变化。
应用硅的柯西色散系数在光学器件中有着广泛的应用。
以下介绍几个常见的应用领域：1.光纤通信：光纤通信是现代通信技术的重要组成部分。
硅材料具有较高的折射率和较低的色散系数，使其成为制造光纤的理想材料之一。
硅的柯西色散系数可以用于设计和优化光纤的色散特性，提高光纤传输的带宽和距离。
2.光学元件设计：硅材料广泛应用于光学元件的制造，如透镜、棱镜、滤光片等。
硅的柯西色散系数可以用于优化光学元件的性能，如减小色差、提高分辨率等。
3.光学传感器：硅材料具有优良的光学性能和稳定性，被广泛应用于光学传感器的制造。
半导体物理讲义
半导体物理讲义一、硅的性质硅是一种呈灰色金属光泽的半金属。
所谓半金属是其一些物理，化学特性介于金属和非金属之间的元素。
硅无毒，无害，性脆，易碎。
元素符号为Si，属周期表中第三周期ⅣA族元素，比重为2.33，原子序数14，原子量为28.086。
在自然界中没有游离状态的硅、多呈氧化物状态存在。
在岩石圈（自表面深度为16公里内的地壳）中的丰度为27.6（重量）%，因而硅的资源极为丰富。
硅的资源虽然极为丰富，但由于其在自然界中呈氧化物状态存在，想要获得半导体级硅实为不是一件易事。
硅的主要原子价态是4价，其次是2价。
常温下化学性质稳定，不溶于强酸，易溶于碱。
在高温下性质活泼，易与多种物资发生化学反应。
硅在自然界的同位素及其所占的比例分别为：28Si 为92.23%, 29Si为4.67 %，30Si为3.10 %。
常压下硅的晶体结构为金刚石型，α=0.5431nm, 加压到15GPa时，改变为面心立方型，α=0.6636nm。
硅纯化到一定程度为良好半导体材料。
所谓半导体，是指其电阻率介于导体和绝缘体之间，其范围为10-3-1010Ω.cm的一种固体物质。
如载流子浓度为1×1018 cm-3的N型重掺硅单晶，其电阻率大约为5×10-2Ω.cm，而载流子浓度为1×1012 cm-3的N型高纯度硅单晶，其电阻率大约为5000Ω.cm。
载流子浓度是一个与杂质浓度有关的重要电学参数，杂质含量多少是影响电阻率大小的重要因素。
电流是带正电的空穴和带负电的电子定向传输实现的。
硅是一种神奇元素，通常的工业硅（99.0 - 99.9%）不具有半导体性能。
这种纯度水平的硅多用在制造硅钢片或与铝制成合金用在汽车工业上。
只有将硅提纯到很高纯度，即人们常说的89（99.999999 %）到99 （99.9999999 %）时就显示出其优异的半导体材料性能。
半导体硅材料包括：硅多晶，硅单晶，硅单晶片（切片，研磨片以及抛光片等）硅外延片，非晶硅和微晶硅，多孔硅以及以硅基材料（SOI和SiGe/Si材料等）。
【doc】硅的等离子体色散效应及其应用
硅的等离子体色散效应及其应用牛)一年[6第25卷第5期1996年5月光子ACTAPHOTONICASINICAV01.25\o.5Mav1996硅的等离子体色散效应及其应用主墨生惑斜T丸牛.{2晒锻沮大学屯际",'摘要本文介绍了si的等离子体色散效应,并应用它研制了si的电光调制器和2×2电光开关,取得j满意的结果.关键词Si;光开关;等离子体;色散r.——一一F—一0引言集成光学是70年代初迅速发展起来的--U新兴边缘学科,它在通讯,数据传输,计算机及自动控制等领域具有广泛的应用前景,是当今信息社会的一个重要支柱.光的调制和开关是集成光学技术的基本元件.由于si不具有Pockels效应(线性电光效应),起初集成光学器件的研究主要集中于LiNbO.和一些m～『V族化合物半导体材料上,而目前在半导体工业中最重要的si材料却很少受到重视.si材料成本低,制作器件的工艺最成熟.而且,对1.3～1_6v-m波长的光学窗口(石英光纤损耗最低),Si是透明的.因此,人们把Si材料用于集成光学器件的努力一直在进行着.随着研究的不断深入,发现了Si的其它一些效应,如Frany—Keldysh效应,Kerr效应和等离子体色散效应.其中等离子体色散效应相当显着,可以被某些器件所利用.另外,《日本经济新闻》l992年3月30日报道,日本东京大学尖端科学技术中心的研究小组开发出一种新型si基半导体材料,可以发出十分强烈的光.这些都为Si基集成光学的发展开辟了广阔的前景.1si的等离子体色散效应本征si单晶对波长^一1.3~rll光的折射率为一3.505;波长3.--1.5m时,一3.480.本征sI中若掺杂或注入,或者掺杂和注入兼有,使自由载流子浓度增加(△,△Ⅳ)时,则引起折射率下降(△)和吸收系数的增大(△").这种效应称为"等离子体色散效应".该效应可用下式定量表示.一+㈩△a一c+㈣其中,口是电子电荷是真空介电常数,是本征si的折射率,和分别是电子和空穴的电导有效质量,和分别是电子和空穴的迁移率.在1.0～2.0#m波长范围内,通过对实际数据的拟合,式(1)变成下面更为简便和精确的形式△/一[3.48×1(△Nh)..+4.63×10_".(△N)..](3'其中,^的单位为m.从式(3)可见,对于k--1.3m的光,△一E5.88×10(△Nh).+7.82×10.(△N)](于^一1.52#m的光,△一一E8.04×10(△Nh).+1.07×10(△N)]?收稿日期:199502—2725卷式(d)和式(5)是常用的计算公式,只要知道自由载流子浓度相对于本征S一时的变化(△^l,△N),就容易求碍此两个波跃时折射率的相对变化(△).当然,此时的折射率也能求出来. 为r知道△和△n变化的具体数量,1表给出了^==1.3pm和^一1.55fire,自由载流子浓度变化10cm和10CFII时,△n干Ⅱ△"的实验变化值.表j单晶s:中自滤载流子浓度变化引起△和△的变化(7'一300K),3.△..△.(CIll)△"(cm】(fm)^一j.3Im1?aSFm'^一13urnI一ll55ta.013O一【.4629.1×】08.2X10.2.1X10.1.2×10—衷1了rl由载流子浓度变化l起折射率和吸收系数的显着变化.可见.等离子体色散效应是有利用忻值的效应.2si等离子体色散效应的应用这里缩台我们的研究课题介绍一下等离子体色散效应的应用情况.自由载流子浓度的变化通常是利刷pn结注八或者耗尽来实现,后哲的报道见《西安交通大学》199t年第1期,在此从略.2.is-电光强度调制器图l示出rS-电光调制器的结构.衬底选<i00>晶向的n～sj,掺杂浓度约为4×10cm.n外延层厚约6ttm.掺杂浓度约16c[n.在SiO.的保护下.用EPW溶液尉蚀出倾宽】2ffm的梯形波导.在波导顶制作面积为l0OOX12m的浅P'区,再经电极制备及端面处理,即得si的电光强度调制器.困n硅衬底和空气的折射率都比n硅外延层的小,所以光模被限制在n梯形波导中传播.当Pn结没有载流于注入叫,耦台进波导-?端的光模能够赢接传播到另一一端;当Pn结加上正向导通电压时.土=垣的空穴从P医注入到n区,为了保持电中性.n区图lSi电光调制器还有等量的电子积累.注入到n区的这些大量的电子空Fi1Eltoopt[ca1modu}aforoISi穴对.i起波导层这个局部区域吸收系数增大和折射事下降(和n衬底的折射率相差不多,甚至还低),导致在其中传播的光模在这里被大量吸收从n讨底泄漏掉.这样,从渡导另一端输出光的强度就受到pn结上正向电压(即调制信号)大小的调制.将152fire的红外激光从调制器样品的一端射八,另一端用光电探测器探测(或者用红外变像管观察),发现输出光的强度随ptl结t加的调制信号电压的大小而变化,即实现了电对光的强度的调制当注入的电流密度达】.7×10'A/cm时,调制深度达90以上,此时调制信号电压约3～4V.2.22×2Si电光开关等离子件色散效应也可用于s的光开关,图2示出了非对称2×2s电光开关的结构.1和2端为光的输入端,3和4端为光的输出端.在波导的交叉区制作了一个不在对称位置的P 一区当P--n-结没有注人时,从l或2端输入的光模从3或4端直通输出.当有大量电子空穴对注入时,P区下面的n区的折射率变小(光速变火),光学中称为光疏媒质.而在P区以外的n一波导区,折射率仍较大(光速仍较小),称为光密媒质.因此,从2端传来的光到达光疏,光密媒质的界面时,只要设计合理,入射角社能大于全反射的临界角.这时光模无折射部分.全部被反射到从3端输出,而4端无光模输出了由l^l.l^m呲i95捌李目等.硅的等离子休色散教应及jH41于交叉处的P区不是对称设置.所以从l端输入的光模却不能反射到扶4端输出.这种开关称为非对称全内反射si电光开关.当然还有对称全内反射si电光开关,但工艺制作难度大.所以比较少用.我们试制的si电光开关是非对称全内反射型,除了图形和尺寸的设计与电光调制器不同之外,制作工艺大体相同,图3是2×2电光开关的端面照片.经过测试.开关工作电流约100mA,开关工作频率达到500kHz.如图4所示其中,上方是调制信号的方波波形.下方是开关从4端输出的'光响应方波波形.图32X2电光开关的端面照片Fig.3Sectionphotographof2×2electroopticaswitch圈22×2Si电光开芰Fig22x2opticalswitcholSi图42×2电光开荚的凋制信号和输出光响麻信Fig4Modulatingsignalandomputoptica[resFon~esignalof2^2e]ectroopticalswitch3实验结果分析根据以上分析和实验结果可见,si的等离子体色散效应是明显的.完全可以利用它来制作电光调制器和电光开关等集成光学器件.我们研制的2X2Si电光开关的特性.虽然还不能随很好.但比国外报道的要好.困为到目前为止,还未见刊国外有关这种器件工作频率的报道.全si电光调制,开关器件同GeSi/S[应变超晶格等光学器件一样,目前大多处在实验室开发阶段,距离实用化还有一定距离.量子阱,超晶格器件在材料制备上比si器件要困难得多,成本也高.s微电子工艺技术最成熟,这是其他材料的器件无法比拟的.从我们的研制结果看,si电光开关和制调器目前主要存在以下两个问题:1)工作电流还较大.这是注入载流予的浓度不高,即工作电流密度不大造成的.我们开始研制s电光调制器时,由于波导顶上P注入区的面积较大,工作电流调到2A左右时才能观察到对光强的调制现象.后来,通过缩小器件尺寸和改进工艺,si电光开关的工作电流降到了现在的100mA左右进是一个很大的进步,但并未到达终点.因为波导顶上P注入区的面积还有望减小,同时我们正在发妊种能使注入到1"1波导区的载流子不怎么分散开的结构.设想若能实现,工作电流的密度定会人大矗高,工作电流降到几个mA就很有希望.2)工作频率遵不太高.这是由于n一区中△N(△N)的稳态分布建立过程较慢造成的,这可从圈4输出光响应信号的关断时间较长得到证实.再滁究原因,可归结到n一衬底h生长的n一外延层三是在高温下生长的.衬底的杂质必然会向11外延层中反扩散,使n区的掺杂不均匀,杂质是下浓l野416光子25卷分布.这样,在p+n结大注入时.n区存在如下式所示的电场EF—KT垒—KT一～N+△N^dx.qN.一△Ⅳ^d其中,第一项是大注入引起的电场,第二项是掺杂不均匀产生的电场,Ⅳ是n区杂质浓度,△Ⅳ是p区注入到n区的空穴浓度.z的方向是从n区的下指向上.围Ⅳ一是下浓上淡的分布,所dN/dx为负,显然,这种掺杂的不均匀会阻碍注入到n区的窀穴向下漂移.从而使△Ⅳ(GN)稳态的建立过程变慢,光被关掉的时间变氏,即工作频率不太高,若将高温外延工艺改为低温分子束外延工艺.并在n区形成下淡上浓的杂质分布,人为建立往入空穴向下漂移的加速电场,那么,电光开关器件的工作频率定会提高总之,si电光开关(调制)器件日前存在功耗较大和工作频率不太高的问题,是可以解决的,绝不会停止在目前的水平上.我们现在的研究工作正是促使它们早日成为si基集成光学器件中的新成员.参考文献1Se[varajanA.etalOpticalandQuantumElectronics,f989,21(1):1～152ItoF.eta1.IEEEJQ㈣tumE[ectton,1989t25171:1677～l6813SorerRA,eta1.IEEEJQuantLiraElectron,1987矗3/1):120～1284LorenzoJP,Sore/RA,ApplPhysLett,1987?51(1):6～8 THEEFFECTANDAPPLICAT10N0NPLASMADISPERS10N0FSiIiGuozheng.1.iuYuliang.1.iuEnkeDepartmentofEle,~ronicEngineeringtJ"-IiaotongUniversity?710049Rjve【date.1995 (0227)AbstractTheeffectonplasmadispersionofSihasbeenintreducedinthispaper.Theelectroopt ica[modulatorand2×2eleetroopt[calswitchofSihasbeenmadebyusingthiseffectanditsresu[tis satisfactory.KeywordsSi;Opticalswitch~P[asmadispersionLiGuozhengwasborninXiaft,onOctober16,1939.HereceivedtheB.S.degreeinmicroe[ectronicsfromXianJiaotongUniversityin1964.Hehasbeenworkingonteachingandstudingofphotoelee—Irondevicesandintegrationtecnnolog3r.Hebecameaprofessor andtheteacherofgraduatestudentsin1988.Nowheisthedirectorofthemr0elec1r0nicsteachingandresearchinginstitute.。