MLCC工艺流程介绍

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MLCC工艺简介(经理)

MLCC工艺简介(经理)

MLCC工艺简介配流工序原则上讲,配方和生产工艺是影响和决定陶瓷材料质量和性能的两大方面。

配料和流延工序不但包含了配方的确定过程,而且是mlcc制备工艺中的起始工序,该环节的工序质量对后续生产有重要影响。

因此,从产品的角度讲,配流可以说是整个生产过程中最重要的环节。

1. 配料工序配料工序包括两个过程,备料和分散。

后续成型工艺的不同对原料的种类要求不同。

针对流延成型来讲,备料是指按照配方要求给定的配比准确称量瓷粉、粘合剂、溶剂和各种助剂,混和置入球磨罐中准备分散;分散是指以球磨机或者砂磨机为工具通过机械粉碎和混合的原理达到细化粉粒、均匀化浆料的目的。

1.1 关于原料1.1.1 瓷粉瓷粉是电容行为发生的主体,整个工艺是围绕瓷粉为核心进而展开的。

不同体系瓷粉其主要成分不同,比如高频陶瓷常采用BT系、BTL三价稀土氧化物系、ZST系材料,中高压陶瓷常采用BT系、SBT系以及反铁电体材料。

我公司所采用瓷粉全部为外购瓷粉,因此对瓷粉材料的成分本身不用太为苛刻,一般只按照使用的产品类型和牌号来进行标识。

目前,公司使用的瓷粉按照端电极材料可以分为BME(based metal electrode)及NME(noble metal electrode)两大系列,按照其容温特性又可具体细分如下:(NP0) 高频热稳定材料:CG-32BME (X7R) 低频中介材料:AN342N、X7R252N、AD352N等(Y5V) 低频高介材料:AD143N、YF123B等(NP0)高频热稳定材料:CG800LC、C0G150L、CGL300、VLF220B NME(X7R)低频中介材料:AD302J、X7R262L等对于粉体材料,控制其物理性能的稳定性对最终产品的一致性有重要意义。

常用的性能参数有:振实密度、比表面积、颗粒度以及微观形貌。

特别是对于有烧结行为的陶瓷电容器粉体材料,为了得到生长适度的晶粒,控制颗粒的初始粒径以及一致性是非常必要的。

mlcc叠层工艺

mlcc叠层工艺

mlcc叠层工艺MLCC(多层陶瓷电容器)叠层工艺是一种常见的电子组件制造工艺,用于制造高性能的陶瓷电容器。

MLCC是一种电子元件,它由多个薄层陶瓷片和金属电极交替叠加而成。

这种结构使得MLCC具有高电容密度、低损耗、良好的温度稳定性和可靠性等优点。

在本文中,我们将探讨MLCC叠层工艺的相关内容。

我们来了解一下MLCC的基本结构。

MLCC由多个薄层陶瓷片和金属电极交替叠加而成。

陶瓷片通常采用氧化铝等陶瓷材料,具有良好的绝缘性能和稳定性。

金属电极通常采用银浆或铜浆制成,用于连接电路。

通过多层叠加,可以实现较高的电容密度,满足各种电子设备对小型化和高性能的要求。

MLCC的制造过程中,叠层工艺是关键步骤之一。

首先,需要准备好陶瓷片和金属电极。

陶瓷片通常通过切割成薄片的方式制备,而金属电极则通过印刷或涂覆的方式施加在陶瓷片上。

然后,将陶瓷片和金属电极按照一定的顺序叠加在一起,形成多层结构。

在叠层的过程中,需要注意控制每一层的厚度和位置,以确保电容器的性能和可靠性。

在叠层过程中,还需要考虑陶瓷片和金属电极之间的粘结问题。

通常情况下,陶瓷片和金属电极之间使用玻璃粉或有机胶粘结,以确保层与层之间的粘合牢固。

粘结的质量对于电容器的性能和可靠性至关重要,因此需要严格控制粘结剂的质量和使用方法。

叠层完成后,还需要进行烧结和电极处理等后续工艺。

烧结是将叠层结构加热到一定温度,使陶瓷片和金属电极之间形成致密的结合。

烧结的温度和时间需要根据具体的材料和工艺要求进行控制。

电极处理是在烧结后对金属电极进行加工,以便与外部电路连接。

总结一下,MLCC叠层工艺是制造高性能陶瓷电容器的关键工艺之一。

通过多层陶瓷片和金属电极的叠加,可以实现较高的电容密度和良好的性能。

在叠层过程中,需要注意控制层的厚度和位置,以及陶瓷片和金属电极之间的粘结质量。

叠层完成后,还需要进行烧结和电极处理等后续工艺。

通过优化叠层工艺,可以生产出满足各种电子设备要求的高性能陶瓷电容器。

mlcc沾银工艺

mlcc沾银工艺

MLCC沾银工艺一、MLCC的概述MLCC(Multilayer Ceramic Capacitor)是一种多层陶瓷电容器,由于其体积小、电容量大和价格低廉,被广泛应用于电子产品中。

MLCC具有优良的性能指标,如高电容密度、低电压系数、快速响应时间和优秀的高频性能等。

在电子行业中,MLCC的需求量巨大,但随着电子产品的发展,对MLCC的要求也越来越高。

因此,为了满足市场需求,人们开发了不同的制造工艺,其中之一就是沾银工艺。

二、MLCC沾银工艺的原理MLCC沾银工艺是指在陶瓷基片上通过电化学方法沾附一层银膜的工艺。

具体来说,沾银工艺包括以下几个步骤:1. 清洗:将陶瓷基片进行清洗,以去除表面的杂质和污染物,保证陶瓷表面洁净。

2. 浸润:将陶瓷基片浸入含有银粉和有机成分的溶液中,使银粉均匀地附着在陶瓷表面。

3. 固化:将浸润后的陶瓷基片进行高温处理,使银粉与陶瓷基片结合,形成牢固的结构。

4. 焊接:将沾银后的陶瓷基片与其他电子元件进行连接,完成电路的组装。

三、MLCC沾银工艺的优势通过沾银工艺,可以使MLCC具有更好的导电性能和可靠性,具体表现在以下几个方面:1. 低电阻:银是一种优良的导电材料,沾银后的MLCC表面电阻更低,可以提供更好的电流传导能力。

2. 抗氧化性能优异:沾银膜具有很好的抗氧化性能,可以有效防止银膜在长期使用中被氧化,提高了MLCC的可靠性和稳定性。

3. 良好的焊接性能:沾银后的MLCC易于与其他电子元件进行焊接,可以提高组装效率和质量。

四、MLCC沾银工艺的应用由于MLCC沾银工艺具有许多优势,因此在电子行业中得到了广泛应用,特别是在一些对高频性能要求较高的领域,如通信设备、计算机和汽车电子等。

沾银后的MLCC具有良好的电流传导能力和高频响应能力,可以满足这些领域对电子器件的高要求。

五、MLCC沾银工艺的发展趋势随着电子产品的高速发展,对MLCC的要求越来越高。

因此,MLCC沾银工艺也在不断改进和创新。

MLCC工艺流程介绍-国瓷材料mlcc生产工艺

MLCC工艺流程介绍-国瓷材料mlcc生产工艺

温度范围 -55 ~ 125℃ -55 ~ 85℃
容量变化 (TCC) ± 15% ± 15% ± 30 ppm/℃
诱电率 ~ 2400 ~ 3000 ~ 120
外层电极 : 外部电极: 铜金属电极或银金属电极,与 内部电极相连接,引出容量 阻 挡 层: Ni镀层,起到热阻挡作用,可 焊的镍层能够避免焊接时Sn层熔落. 焊 接 层: Sn镀层,提供焊接金属层
Insentive zone
成型厚度检测
X-ray 厚度探测仪-通过物质对X-ray吸收率计算厚度 I=I0EXP(-A*T) I 0:原始信号强度 I 测试信号强度 A 材料吸收率 T 厚度
Scientific Mind
MLCC工艺流程介绍
BATCH工程 成型工程
印刷工程就是在陶瓷体薄膜上制作内部电极的工程
Batch工程就是制造陶瓷体slurry的工程
Powder 陶瓷体颗粒,决定MLCC根本特性的材料。 Binder 是线性的互相拧在一起的高分子Resin组成的溶液,使Powder 之间维持一定的距离并给与Sheet强度 Solvent 甲 苯 和酒精按照一定比例混合用 来 溶解 Powder 和和 Binder 分散剂 搅 拌 过 程中避免 powder 表面 静电 作用易 发 生的粘 连 及 团 聚 添加剂 调节 Powder 本身的 电 特性、 满 足制品信 赖 性方面的某些 要求、保 证烧结 能 够较 好地 进 行 M/S 一 种矿 物油 , 在成型 时挥发 留下 气 孔 , 降低了Sheet 的成型密 度提高 Sheet 的通 气 度 DOP 一 种 分子量 较 小的有机物,能 够 降低固体的玻璃化 温 度Tg , 有助于 烧结
대외비
MLCC工艺流程介绍

mlcc工艺流程

mlcc工艺流程

mlcc工艺流程MLCC(多层陶瓷电容器)是一种常见的电子元件,广泛应用于电子产品中。

MLCC工艺流程是指制造MLCC的一系列工艺步骤和流程。

本文将介绍MLCC工艺流程的主要步骤和相关内容。

1. 原材料准备:制造MLCC的主要原材料包括陶瓷粉末、导电粉末和电极材料。

这些原材料需要经过筛选、称量和混合等步骤,以确保原材料的质量和配比的准确性。

2. 陶瓷材料成型:将混合好的陶瓷粉末通过成型工艺,如注射成型、挤出成型或压坯成型,制成具有一定形状和尺寸的陶瓷基片。

这些陶瓷基片通常是长方形或圆形的。

3. 电极材料制备:将导电粉末与有机胶粘剂混合,形成电极浆料。

然后,将电极浆料涂覆在陶瓷基片的表面,形成电极层。

通常,陶瓷基片的两侧都涂覆有电极层。

4. 层叠和压合:将涂有电极层的陶瓷基片进行层叠,形成多层结构。

在层叠过程中,需要注意电极层的对称性和对准度。

然后,将层叠好的多层结构进行压合,使其形成坚固的整体。

5. 烧结:将压合好的多层结构放入高温炉中,进行烧结处理。

在烧结过程中,通过控制温度和时间等参数,使陶瓷基片和电极层之间的材料相互融合,形成致密的陶瓷电容体。

6. 电极粘结:在烧结后的陶瓷电容体上涂覆金属粘结剂,并将金属电极材料(如银浆)涂覆在金属粘结剂上。

这一步骤是为了连接外部电路和MLCC的电极,以便电荷的传递和电流的流动。

7. 电极成型:通过切割、研磨和抛光等工艺,将涂有电极的陶瓷电容体切割成具有一定尺寸和形状的单个电容器。

这些单个电容器即为成品MLCC。

8. 电性能测试:对成品MLCC进行电性能测试,包括容量、电阻、电压等参数的测试。

这些测试是为了确保MLCC的质量和性能达到要求。

9. 包装和贮存:将测试合格的MLCC进行包装,并进行标识和分类。

然后,将其存放在干燥、无尘的环境中,以确保其质量和稳定性。

MLCC工艺流程包括原材料准备、陶瓷材料成型、电极材料制备、层叠和压合、烧结、电极粘结、电极成型、电性能测试以及包装和贮存等步骤。

MLCC配料工艺简介

MLCC配料工艺简介

二、主要设备:
设备 名称
球磨 机
SC100砂 磨机
SC220砂 磨机
DNS030砂 磨机
双轴 砂磨 机
制造 数 适用 设备 厂家 量 规格 产能
台湾 台溢
6
非 0201
30Kg/ 天
1 日本
36Kg/ 天
三井
2
360Kg /天
所有
规格
DNTE 1
50Kg/ 天
K
CO.,LT
D1
/
相同点
都是对 瓷粉进 行分散 ,制成 瓷浆
台湾台溢球磨机 6台
小砂磨机产能较小,主要用于工艺试 验开发。 该砂磨机没有循环泵,瓷浆靠重力下 落到机头。
机头
SC-100小砂磨机 1台
配料主要设备,效率较高。 主 要 用 于 配 制 2R104 、 2F104 及 C 类 各 规 格 产 品 的浆料。
循环泵
机头
SC-220砂磨机 2台
泵隔膜
台湾台溢球磨机
A:滑流 B:倾流
C:离心运动
分散过程:
配料过程分主要为A、B两步进行。(部分配方采用三步法)
A步主要原料:瓷粉、甲苯、乙醇、分散剂、(稀释剂)。 主要把团聚的瓷粉颗粒打散,以及润湿瓷粉。分散剂和粘结剂对陶瓷粉的吸附有竞争性,先加入分散 剂使其吸附在陶瓷粉颗粒表面后不易解吸,可使浆料分散效果好,使浆料粘度低以利于成膜。
我公司目前使用的为混合有机溶剂:甲苯+乙醇。
其主要优点: ①其表面张力越小,对瓷粉颗粒的湿润性能越好; ②其对分散剂、粘合剂和增塑剂的溶解性能较佳; ③混合溶剂的沸点低,有利于流延过程中膜片的干燥。
缺点:甲苯本身的毒性较大。
分散剂:又称为解凝剂、解胶剂、反絮凝剂等。分子内具有亲油性和亲水性两种相反性质的界面活性 剂,可在瓷粉颗粒表面形成吸附层,提高浆料系统的zeta电位(电动电位),进而提高形成立体阻碍 的颗粒间的反作用力,改善浆料的流动性。

mlcc镍浆生产工艺

mlcc镍浆生产工艺

mlcc镍浆生产工艺MLCC(多层陶瓷电容器)是一种广泛应用于电子产品中的电子元件。

镍浆是MLCC生产工艺中重要的一环,它用于制备MLCC的电极。

下面将为大家介绍MLCC镍浆生产工艺的过程。

制备镍浆的原材料是镍粉。

镍粉经过筛网处理,去除杂质和颗粒不均匀的部分。

然后,将筛选后的镍粉与粘结剂进行混合。

粘结剂的选择非常重要,它能够让镍粉充分粘结并形成电极。

混合后的镍粉和粘结剂形成了浆料。

接下来,将浆料进行搅拌和均匀化处理,以确保镍粉和粘结剂的充分混合。

搅拌过程中需要控制好搅拌时间和速度,以避免造成镍粉颗粒聚集或分散不均匀。

然后,将搅拌均匀的浆料进行过滤,以去除其中的杂质和颗粒。

过滤后的镍浆需要经过干燥处理,通常采用喷雾干燥或真空干燥的方法。

干燥后的镍浆具有一定的粘度和流动性。

接着,将干燥后的镍浆进行研磨处理,以使其颗粒更加细小,提高电极的光滑度和均匀性。

研磨处理需要在适当的时间和速度下进行,以避免过度研磨导致镍粉颗粒过小。

经过研磨处理的镍浆需要进行分散和稀释处理,以调整其粘度和稳定性。

分散和稀释处理需要根据具体的工艺要求进行,以保证镍浆的质量符合要求。

通过以上的工艺步骤,镍浆的制备过程基本完成。

制备好的镍浆可以用于MLCC的生产,形成电极的部分。

MLCC作为一种重要的电子元件,广泛应用于手机、电脑、电视等电子产品中,起到了储能和滤波的作用。

总体来说,MLCC镍浆的制备过程需要经过筛选、混合、搅拌、过滤、干燥、研磨、分散和稀释等多个步骤。

每个步骤都需要严格控制工艺参数,以确保制备出质量稳定的镍浆。

通过精细的工艺控制,MLCC的质量和性能可以得到有效保证,为电子产品的发展提供了重要的支持。

mlcc电容的生产工艺

mlcc电容的生产工艺

mlcc电容的生产工艺
MLCC(多层陶瓷电容器)的生产工艺主要有三种:干式流延工艺、湿式印刷工艺和瓷胶移膜工艺。

以下是具体流程:
干式流延工艺:在基带上流延出连续、厚度均匀的浆料层。

在表面张力的作用下浆料层形成光滑的自然表面,干燥后形成柔软如皮革状的膜带,再经印刷电极、层压、冲片、排粘、烧结后形成电容器芯片。

湿式印刷工艺:将陶瓷介质浆料通过丝网印刷制成陶瓷薄膜作为多层陶瓷电容器的介质,金属电极和上下保护片都采用丝网印刷形成,达到设计的层数后进行烘干,再按片式电容器的尺寸要求切割成芯片。

瓷胶移膜工艺:以卷式胶膜为载体,通过特殊浆料挤出设备,将陶瓷浆料均匀挤在载体上,以获得陶瓷介质层连续性卷材,膜厚精准,可做到2μm以下,实现介质层的超薄制作。

制作电容器时,以陶瓷介质卷材为基础,在上面印刷金属电极后再套印瓷浆层。

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Batch工程就是制造陶瓷体slurry的工程
Powder 陶瓷体颗粒,决定MLCC根本特性的材料。 Binder 是线性的互相拧在一起的高分子Resin组成的溶液,使Powder 之间维持一定的距离并给与Sheet强度 Solvent 甲 苯 和酒精按照一定比例混合用 来 溶解 Powder 和和 Binder 分散剂 搅 拌 过 程中避免 powder 表面 静电 作用易 发 生的粘 连 及 团 聚 添加剂 调节 Powder 本身的 电 特性、 满 足制品信 赖 性方面的某些 要求、保 证烧结 能 够较 好地 进 行 M/S 一 种矿 物油 , 在成型 时挥发 留下 气 孔 , 降低了Sheet 的成型密 度提高 Sheet 的通 气 度 DOP 一 种 分子量 较 小的有机物,能 够 降低固体的玻璃化 温 度Tg , 有助于 烧结
积层工程就是将印有内部电极的sheet裁剪叠加的工程
Peeling Force Electrode
PET Film Green Sheet
压着工程就是将积层品加压成型的工程
Stacking bar 真空封装 放入加压设备 加压加温压着
Stacking Bar
Powder Inner Electrode
陶瓷介质 : 电场作用下,极化介电储能,电场变化时 极化率随之发生变化,不同介质种类由于 它的主要极化的类型不一,其对电场变化 的响应速度和极化的类型不一率亦不一 样 内部电极 : 内部电极与陶瓷介质交替叠层,提供电极 板正对面积
SEMCO 分 类标记 B 特性 A 特性 C 特性
EIA code X7R X5R C0G、C0H 等
温度范围 -55 ~ 125℃ -55 ~ 85℃
容量变化 (TCC) ± 15% ± 15% ± 30 ppm/℃
诱电率 ~ 2400 ~ 3000 ~ 120
外层电极 : 外部电极: 铜金属电极或银金属电极,与 内部电极相连接,引出容量 阻 挡 层: Ni镀层,起到热阻挡作用,可 焊的镍层能够避免焊接时Sn层熔落. 焊 接 层: Sn镀层,提供焊接金属层
积层/压着工程 切断工程 假烧工程
0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 Time (min)
H2 (%)), O2(ppm)/100
烧结形态
烧 烧成工程 成工程
脱Binder阶段 研磨工程 外电工程 电烧工程 镀金工程 测定选别工程 作成: 张宏亮 温度范围: 25℃ ~ 900℃ 升温速度: 70~120℃/hr 在脱Binder阶段不完成 工作的话,剩下的渣碳 阻碍烧结,增加材料的 空孔,结果导致不良
Scientific Mind
MLCC工艺流程介绍
BATCH工程 成型工程 印刷工程 积层 压着工程 积层 //压 着工程 切断工程 假烧工程 烧成工程 研磨工程 外电工程 电烧工程
Lamination Powder Inner Electrode Pore
Pressure Temperatur e
Scientific Mind
MLCC工艺流程介绍
BATCH工程 成型工程 印刷工程 积层/压着工程 切断工程 假烧工程 烧成工程 研磨工程 磨工程 研 外电工程 电烧工程 镀金工程 Tumbled Chip 测定选别工程 作成: 张宏亮 Scientific Mind
Round Edge Shrinkage of Ni-electrode Sharp Edge
Temp ( ℃)
烧成工程就是使假烧后chip陶瓷体颗粒烧结致密化的工程
1600 1400 1155℃, 60min 1200 1000 800 600 400 200 0.067% 0.3% 15℃/m 1000℃ Temp (℃) Sampling H2 (%) O2 (ppm) 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 -0.1 1600
Ag or Cu Ni Sn
Table 1-1. MLCC 一般的 Specification
項目 Size Capacitance 溫度特性 Type 0201, 0402, 0603, 0805, 1206 1210, 1812, 2220, Array Type 0.5pF ~ 100uF Class I (COG, TC series) Class II (X5R, X7R, X6S, Y5V)
- 发泡前 Index 除去
Chip Separation
- 高温加入分离Tape Chip
Scientific Mind
MLCC工艺流程介绍
BATCH工程 成型工程 印刷工程 积层/压着工程 切断工程 假 烧工程 工程 假 烧 烧成工程 研磨工程 外电工程 电烧工程 镀金工程 测定选别工程 作成: 张宏亮 Scientific Mind 种类 1次假烧 2次假烧 气氛 Air(氧化气氛) N2 + H2(还原气氛) 温度 250℃ 750℃ 时间 23~45 Hr 4.5 Hr 假烧后binder量 ~20% <1%
Scientific Mind
MLCC工艺流程介绍BATCH工程Fra bibliotek成型干燥
成型工程 成型工程 印刷工程 积层/压着工程
调整线速、温度、泵流量将Slurry中溶 剂完全挥发,使Sheet收缩、致密化, 具有一定厚度、膜密度的过程
Counter flow zone
切断工程 假烧工程 烧成工程 研磨工程 外电工程 电烧工程 镀金工程 测定选别工程 作成: 张宏亮
镀金工程 测定选别工程 作成: 张宏亮
Lamination Bar
[Stacking Bar]
[Lamination Bar]
Scientific Mind
MLCC工艺流程介绍
BATCH工程 成型工程
切断工程就是压着bar切割形成单个制品的工程
Trimming
- 按一定大小切断 Bar
印刷工程 积层/压着工程
-Termination Paste中dip后 blotting,形成外观形态良好 的外部电极.
外 电 外 电工程 工程
电烧工程 镀金工程
Drying
-140℃ 空气中干燥,使外部电 极具有一定强度
Eject
测定选别工程 作成: 张宏亮
- 从 Carrier Plate 把Chip eject.
Scientific Mind
过滤
Batch检查
粒度 BET XRF 粘度 比重 固型分
解碎
Basket mill Apex mill Visco mill
MLCC工艺流程介绍
BATCH工程 成型工程 成型工程 印刷工程
成型工程就是制造陶瓷体薄膜的工程
将 Batch 制造出均一 Slurry,均匀涂布在 PET Film 上,通过加热干燥方式,形成具有一 定厚度、密度、均一的薄膜 Dry zone
MLCC工艺流程介绍
BATCH 工程 BATCH工程
成型工程 印刷工程 积层/压着工程 切断工程 假烧工程 烧成工程 研磨工程 外电工程 电烧工程 镀金工程 测定选别工程 作成: 张宏亮
组成 甲 苯 ( T) 酒 精 ( E) 甲 苯 ( T) 酒 精 ( E) 甲 苯 ( T) 酒 精 ( E) 甲 苯 ( T) 酒 精 ( E) 配比(wt) T: E=5: 5 T: E=6: 4 T: E=4: 1 T: E=32:68 备注 binde r BH-3 B76 NIB Slu rry SE-2 B79 共沸 组 成 SE-3
假烧工程就是去除chip中bender等有机物的工程
一次假烧 为了防止因Binder的急剧挥发导致的Crack或Delam等不良发 生,在低温中缓慢挥发Binder的工程
二次假烧 又名氛围气假烧,在较高的温度下去除1次假烧后残留Binder 的过程
MLCC工艺流程介绍
BATCH工程 成型工程 印刷工程
积层/压着工程 切断工程 假烧工程 Slurry suply zone 烧成工程 研磨工程 图片 外电工程 电烧工程 镀金工程 缺点 测定选别工程 作成: 张宏亮 重点 优点 Gap调节Sheet厚度 成型的厚度调节范围宽 ~Sheet厚度受Film厚度变化影响大 ~外部环境影响大 Tension控制,Slurry吐出量控制厚度 成型厚度薄,Film影响较小 ~薄膜成型时,设备的Tension影响大 成型方式 Coating zone Unwind zone Rewind zone OFF ROLL ON ROLL
대외비
MLCC工艺流程介绍
2014年12月
MLCC介绍
BATCH工程 成型工程 印刷工程 积层/压着工程 切断工程 假烧工程 烧成工程 研磨工程 外电工程 电烧工程 镀金工程 测定选别工程 作成: 张宏亮 Scientific Mind
CERAMIC BODY
MLCC 结构示意图
INNER ELECTRODE(Pd or Ni) TERMINATION
印刷类型 凸版印刷 凹版印刷 平板印刷 Screen印刷
印刷工程 印刷工程
积层/压着工程
原理
切断工程 假烧工程 烧成工程 研磨工程
在凸出部分蘸ink 之后加压印刷
在整个板上蘸ink之 后只在凹进部分留 ink进行印刷
利用水和油的排 斥作用,版面蘸 ink进行印刷
通过scrren的 丝网孔排出ink 后印刷
Film Taping
- Bar 下端Chip 固定用 Tape
切 断 切 断工程 工程
假烧工程 烧成工程 研磨工程 外电工程
Cutting
- 最终按Chip Size 切断 Bar
Blade
Cutting Inspecting
- 切断及积层不良检查
Index Removal
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