场效应管RCR4446FE简介
fefet原理
fefet原理fefet原理是一种新型的非挥发性存储器器件结构，其全称为“Floating-Gate Electrode Ferroelectric Field-Effect Transistor”，即浮栅电极铁电场效应晶体管。
该原理结合了浮栅FET和铁电FET的优势，具有高密度、低功耗和长寿命等特点。
本文将对fefet原理进行详细介绍。
1. 简介fefet原理是一种基于铁电材料的晶体管，其工作原理与传统的MOSFET略有不同。
它利用了铁电材料在外部电场的作用下产生偏移极化的特性，通过对铁电材料施加电场，改变晶体管的导电特性，实现信息的存储和读取。
2. 基本结构fefet器件由铁电层、隔离层和栅极等组成。
铁电层是器件的核心部分，它具有铁电性质，可以在外部电场的作用下产生偏移极化。
隔离层用于分隔铁电层和栅极，以防止干扰和电荷泄漏。
栅极是控制铁电层偏移极化状态的关键。
3. 工作原理fefet原理通过改变铁电层的偏移极化状态，实现信息的存储和读取。
在初始状态下，铁电层的偏移极化为0，晶体管处于关态。
当施加正向或负向的电场时，铁电层的偏移极化方向会发生变化，晶体管由关态转为开态。
这一转变的过程可以用控制门电压的方式实现。
4. 特点与优势fefet原理相比传统的非挥发性存储器器件具有以下优势：4.1 高密度：fefet器件采用了三维堆叠结构，可以实现更高的存储密度，满足现代大容量存储的需求。
4.2 低功耗：fefet原理在读取和存储数据时，只需要较低的电压和电流，相较于传统的非挥发性存储器器件能有效降低能耗。
4.3 长寿命：由于铁电材料具有较高的稳定性和可靠性，fefet器件具有更长的寿命，可以实现更可靠的数据存储。
4.4 快速响应：fefet原理在数据的读取和写入过程中响应速度快，能够满足高速数据处理的要求。
5. 应用前景fefet原理的优秀特性使其在各种领域都有广阔的应用前景。
它可以用于智能手机、平板电脑等移动设备的存储器，提供更高的存储容量和更低的能耗。
德国英飞凌晶体管参数
德国英飞凌晶体管参数
德国英飞凌是一家知名的半导体公司，其晶体管参数包括以下方面：
1. 极间电压（Vce）：晶体管的最大工作电压差值，用于确定晶体管能否支持特定电路的工作电压要求。
2. 最大集电极电流（Ic max）：晶体管能够承受的最大集电极电流。
3. 最大功率（Pc）：晶体管可以承受的最大功耗。
4. 饱和电压（Vcesat）：当晶体管进行饱和工作时，集电极与发射极之间的电压。
5. 最大频率（fT）：晶体管能够工作的最高频率，通常用于射频放大器设计中。
6. 放大倍数（hFE）：晶体管在特定工作条件下的电流放大倍数。
7. 温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率，通常以温度系数负数来表示。
请注意，以上晶体管参数是一般性的示例，具体的参数取决于晶体管型号和规格。
如果您需要更具体的信息，建议直接参考英飞凌公司的官方资料或与他们联系。
4466场效应管参数
4466场效应管参数一、介绍场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种主要用于电子放大和开关电路的半导体器件。
4466场效应管是一种特殊型号的场效应管，其参数对于电路设计和性能优化至关重要。
本文将全面、详细、完整地探讨4466场效应管的参数，包括其基本概念、常用参数、参数的意义及影响等。
二、基本概念4466场效应管是一种三极管，由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）构成。
它通过控制栅极的电压来控制漏极和源极之间的电流，从而实现信号放大或开关操作。
三、常用参数1.静态工作点参数静态工作点是指4466场效应管在静止状态下的工作点。
常用参数包括栅极-源极电压（Vgs）、漏极-源极电压（Vds）和漏极电流（Id）等。
这些参数用于描述4466场效应管在不同工作状态下的电流和电压特性。
2.动态参数动态参数描述了4466场效应管在快速变化的工作条件下的响应能力。
常用参数包括开关速度（Switching speed）、增益带宽积（Gain-bandwidth product）和输入-输出电容（Input-output capacitance）等。
这些参数决定了4466场效应管在高频电路中的性能。
3.热特性参数热特性参数描述了4466场效应管在不同温度下的性能变化。
常用参数包括温度系数（Temperature coefficient）和热阻（Thermal resistance）等。
这些参数对于电路的稳定性和可靠性至关重要。
四、参数的意义及影响1.静态工作点参数的意义及影响静态工作点参数反映了4466场效应管的偏置状态。
通过调节栅极-源极电压（Vgs）和漏极-源极电压（Vds），可以使4466场效应管处于合适的工作状态，以获得最佳的放大性能或开关特性。
Vgs过大或过小会导致4466场效应管工作不稳定，输出失真严重。
Vds过大会使4466场效应管工作在饱和区，导致功耗增加。
场效应管基本资料
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108W～109W）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应晶体管的型号命名方法现行场效应管有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
三、场效应管的参数1、IDSS —饱和漏源电流。
场效应管
效应管场（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件。
具有高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗低、大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为和的强大竞争者。
尽管由于的限制，以及曾经比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。
快速导航•中文名场效应晶体管外文名Field Effect Transistor别名场效应晶体管目录•1•2•3•4•5•••••••••••••1基本结构直流参数饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
场效应管夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
交流参数低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
极限参数漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生击穿时的UDS。
击穿电压正常工作时，栅、源极之间的处于状态，若电流过高，则产生击穿现象。
2主要分类场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管()两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
结型场效应管(JFET)1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
场效应管结型场效应管也具有三个电极，它们是：;漏极;源极。
场效应管的概述
场效应管的概述(下篇)电气特性场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：贴片场效应管1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。
晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。
2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。
3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。
也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。
4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。
特性曲线场效应管特性曲线场效应管-参数符号场效应管-参数符号Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数注意事项MOS-1型功率场效应管测试仪（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
最新场效应管工作原理68703
场效应管工作原理68703场效应管工作原理时间:2007-06-15 来源: 作者: 点击：7148 字体大小:【大中小】1.什么叫场效应管？FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。
然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的工作原理：(a) JFET的概念图(b) JFET的符号图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。
图1（a）表示n沟道JFET的特性例。
以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。
在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。
VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。
此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。
与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。
将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。
n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。
关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
d4286场效应管参数
d4286场效应管参数
场效应管（FET）是一种三端器件，它的特性由一些关键参数决定。
以下是一些常见的场效应管参数：
1. 饱和漏-源电压（VDS(sat)），这是场效应管在工作时的漏-源电压的最大值。
超过这个值，管子将进入饱和状态，导通电流不再随电压的增加而线性增加。
2. 饱和漏-源电流（ID(sat)），这是场效应管在饱和状态下的最大漏-源电流。
超过这个值，管子将损坏。
3. 衰减电压（VGS(off)），这是场效应管的栅-源电压，当施加在栅极上时，导致漏-源电流减小到一个可以忽略的水平。
4. 漏-源电阻（rDS(on)），这是场效应管在导通状态下的漏-源电阻。
它越小，管子的导通能力越好。
5. 器件电容，场效应管的栅极-源极和栅极-漏极之间会存在电容，这些电容对于高频应用非常重要。
6. 最大耗散功率（PD），这是场效应管能够稳定耗散的最大功率。
超过这个值，管子可能会过热损坏。
7. 工作温度范围，这是场效应管可以安全可靠工作的温度范围。
超出这个范围，管子的性能可能会受到影响。
这些参数对于不同类型和用途的场效应管可能有所不同。
在选
择和使用场效应管时，需要仔细考虑这些参数，并根据特定的应用
需求进行合适的选择。
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
z Features VDS (V) = 30V ID = 15A (VGS = 10V) RDS(ON) < 8.5mΩ (VGS = 10V) RDS(ON) < 13mΩ (VGS = 4.5V)
30
--
--
V
--
--
1
μA
1
1.9
3
V
--
--
100
nA
--
5.9
8.5
mΩ
--
7
13
mΩ
--
25
--
S
--
0.71
1.0
V
--
--
2
A
Switching
Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge Turn-on Delay Time Turn-on Rise Time Turn-off Delay Time Turn-off Fall Time Dynamic
a kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance. RCR4446FE and RCR4446FEL are electrically identical. -RoHS Compliant -RCR4446FEL is Halogen Free
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate Threshold Voltage Gate Leakage Current
Drain-Source On-state Resistance
z Pin Configurations Top View
z Package Information
ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｊｕｎｙｉ－ｉｃ．ｃｏｍ
1/5
z Absolute Maximum Ratings @TA=25℃ unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Sour20 ns
Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance
Ciss
-- 2470 -- pF
VGS=0V, VDS=15V,
Coss f=1MHz
-- 325 -- pF
Crss
-- 185 -- pF
A: The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in² FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA=25°C. The value in any given
application depends on the user's specific board design.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C: The current rating is based on the t≤ 10s junction to ambient thermal resistance rating.
TJ//TSTG
RCR4446FE
Ratings
Unit
30
V
±20
V
15
A 12
50
A
3.5
W 2
-55~150
℃
z Electrical Characteristics @TA=25℃ unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ
ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｊｕｎｙｉ－ｉｃ．ｃｏｍ
5/5
VDSS
Gate-Source Voltage
VGSS
TA=25°C
Drain Current (Continuous) *AC
ID
TA=70°C
Drain Current (Pulse) *B
IDM
TA=25°C
Power Dissipation
PD
TA=70°C
Operating Temperature/ Storage Temperature
RCR4446FE
YUKUN SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. YUKUN DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENCE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.
Qg Qgs Qgd td ( on ) tr td( off ) tf
VGS=5V, VDS=15V, ID=14A
VGS=10V, VDS=15V, RL=15Ω,RGEN=6Ω
--
16 20.8 nC
--
5
6.5 nC
--
3
3.9 nC
--
17 34 ns
--
5
10 ns
--
50 100 ns
Forward Transconductance Diode Forward Voltage Maximum Body-Diode Continuous Current
V(BR)DSS IDSS
VGS(TH) IGSS
RDS(on)
gFS VSD IS
VGS = 0V, ID = 250μA VDS = 30 V , VGS = 0V VGS = VDS , IDS = 250μA VGS = ±20V , VDS= 0V VGS = 10V , ID = 15A VGS = 4.5V , ID = 10A VDS = 5V, ID = 15A ISD = 2A , VGS = 0V
z General Description The RCR4446FE/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow
2/5
ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｊｕｎｙｉ－ｉｃ．ｃｏｍ
z TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
RCR4446FE
ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ／ｊｕｎｙｉ－ｉｃ．ｃｏｍ
3/5
RCR4446FE
ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｊｕｎｙｉ－ｉｃ．ｃｏｍ
4/5
DISCLAIMER