部分高频场效应管参数
场效应管系列参数
场效应管系列参数上一页场效应管系列参数(1)型号沟道类型耐压（V）V电流( I ) A功率(PD/P沟)W内阻(Rds)脚位IRF530*N100V14A88W<0.16GDS IRF540*N100V28A150W<77m GDS IRF630*N200V9A74W<0.4GDS IRF640*N200V18A125W<0.18GDS IRF644*N250V14A125W<0.28GDS IRF730*N400V 5.5A74W<1.0GDS IRF740*N400V10A125W<0.55GDS IRF830*N500V 4.5A74W<1.5GDS IRF840*N500V8A125W<0.85GDS IRF1010E*N60V81A170W<12m GDS IRF2807*N<GDS IRF3205*N55V110A200W<8m GDS IRF3710*N<GDS IRFP054#N60V70A230W<14m GDS IRFP064#N60V70A300W<9m GDS IRFP140#N100V31A180W<77m GDS IRFP150#N100V41A230W<55m GDS IRFP240#N200V20A150W<0.18GDS IRFP250#N200V30A190W<85m GDS IRFP260#N200V46A280W<55m GDS IRFP264#N250V38A280W<75m GDS IRFP350#N400V16A190W<0.3GDS IRFP360#N400V23A280W<0.2GDS IRFP450#N500V14A190W<0.4GDS IRFP460#N500V20A280W<0.27GDS IRFZ44N*N60V50A150W<28m GDS IRFZ46N*N50V50A150W<24m GDS IRFZ48N*N60V50A190W<18m GDS IRFZ24N*N60V17A60W<0.1GDS场效应管系列参数(2)型号沟道类型耐压（V）V电流( I ) A功率(PD/P沟)W内阻(Rds)脚位2SK30N NF/Uni,Ra50V Idss>0.3ma Up<5v DGS 2SK117N NF/ra,50V Idss>0.6ma Up<1.5v<SGD 2SK701N60V+_2A15W<0.6R SDG 2SK702N100V+_5A50W<0.45R GDS 2SK703N100V+_5A35W<0.45R GDS 2SK787N900V+_8A150W<1.6R GDS 2SK790N500V15A150W<0.4R GDS 2SK792N900V3A100W<4.5R GDS 2SK794N900V5A150W<2.5R GDS 2SK827N450V+_18A150W<0.38R GDS 2SK832N900V+_4A85W<4R GDS 2SK851N200V30A150W<85mr GDS 2SK957N900V2A40W<8.5R GDS 2SK962N900V8A150W<2R GDS 2SK1019N450V35A300W<0.2R GDS 2SK1020N500V30A300W<0.25R GDS 2SK1082N800V7A125W<2.2R GDS 2SK1117N600V6A100W<GDS 2SK1118N600V6A45W<GDS 2SK1119N1000V4A100W<GDS 2SK1120N1000V8A150W<GDS 2SK1169N450V20A120W<0.25R GDS 2SK1170N500V20A120W<0.27R GDS 2SK1271N1400V+_5A240W<4R GDS 2SK1317N1500V 2.5A100W<12R GDS 2SK1358N900V9A150W<1.4R GDS 2SK1359N1000V5A125W<3.8R GDS 2SK1426N60V100A200W<12mr GDS 2SK1500N500V+_25A160W<0.25R GDS延吉市大众摩配商店版权所有。
常用高频场效应管参数
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
BF994
超低噪声
0.2
20
20
15
1.0
18
200MHz
SOT143
3SK194
超低噪声
0.2
15
35
17
1.0
30
200MHz
SOT143
3SK122
－
0.2
20
25
28
1.2
24
200MHz
SOT143
3SK131
－
0.2
20
25
28
1.3
24
200MHz
－
1.0
13
50
23
1.5
19
0.9GHz
SOT143
3SK191
－
1.0
12
80
>10
1.5
12
0.9GHz
SOT143
3SK121
－
1.0
10
50
17
1.5
20.5
0.9GHz
N-02
3SK129
－
1.0
13
50
25
1.2
17
1GHz
N-02
MOS双栅场效应管
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
四、高频场效应管
GaAs微波低噪声场效应管适用于卫星接收及微波通信等
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
场效应管参数及应用
场效应管参数及应用场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是一种用来放大电信号或者作为开关的电子器件。
它是一种三端口的半导体器件，由栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）组成。
FET有多种类型，其中最常见的是金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET），还有金属-半导体场效应管（MESFET）和绝缘体-半导体场效应管（JFET）。
场效应管具有以下几个重要参数：1.漏极-源极饱和电流（IDSS）：在栅极短路时，漏极-源极之间的电流。
它是FET的最大电流值，一旦超过该值，FET可能会损坏。
2. 开启电压（VGS(th)）：当栅极电压达到一定值时，FET开始导通。
这个值被称为开启电压，它决定了FET的灵敏度和工作状态。
3.增益（μ）：增益是指FET输出电流与输入电流之比。
它决定了FET的放大效果，即输入信号经过FET放大后的输出信号强度。
4.漏极电流（ID）：漏极电流是FET的输出电流，也是通过FET的电流。
它取决于栅极电压和源极电压。
5. 最大电源电压（VDSmax）：FET能够承受的最大漏极-源极电压。
一旦超过该值，FET可能会损坏。
6.漏极电导（gDS）：漏极电导是指当FET处于导通状态时，漏极电流随漏极电压的变化率。
它决定了FET的开关速度和功耗。
场效应管在电子设备中有广泛的应用，主要包括以下几个方面：1.放大器：FET作为放大器能够放大弱小的输入信号，并产生强大的输出信号。
它常用于音频放大器、射频电路和功率放大器等领域。
2.开关：由于FET具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗，因此它可以作为开关用于控制电流流动。
它广泛应用于数字电路、模拟电路和功率开关等领域。
3.模拟开关：FET在模拟开关电路中起到将模拟信号发送到特定路径的作用。
它通常用于电路选择、模拟开关和模拟复用等应用。
4.振荡器：FET可以用作振荡器，产生连续振荡信号。
它通常用于无线电设备和通信系统中的频率合成器和本地振荡器。
部分场效应管型号用途参数
部分场效应管型号用途参数型号材料管脚用途参数3DJ6 NJ 低频放大20V0.35MA0.1W2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118)2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.522SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关850V3A100W4.5 可驱电机2SK794 NMOS GDS 电源开关900V5A150W2.5 可驱电机2SK817 NMOS GDS 电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.33 2SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.92SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.22SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动800V7A125W 145/250nS2.22SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V8A125W 145/250nS2.82SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.0652SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.652SK1117 NMOS GDS 电源开关600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关600V6A45W65/105nSD1.252SK1119 NMOS GDS 电源开关1000V4A100W3.82SK1120 NMOS GDS 电源开关1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.82SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.02SK1272 NMOS GDS 高速开关60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US50 2SK1379 NMOS GDS 激励,开关60V50A150W78/640nS0.0172SK1387 NMOS GDS 激励,开关60V35A40W66/500nS0.0352SK1388 NMOS GDS 激励,开关30V35A60W125/480nS0.0222SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.42SK1459 NMOS GDS 高速开关900V2.5A30W40/160nS6.02SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.52SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.02SK1540 NMOS GDS 变频开关功放450V7A60W70/135nS0.82SK1544 NMOS GDS 变频开关功放500V25A200W240/590S0.22SK1547 NMOS GDS 开关800V4A40W95/170nS4.52SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.92SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.02SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745 NMOS GDS 激励,开关500V18A150W120/210nS0.362SK1794 NMOS GDS 电源激励开关900V6A100W50/105nS2.82SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.072SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937 NMOS GDS 开关UPS用500V15A125W100/230nS0.482SK1985 NMOS GDS 开关UPS用900V5A50W35/105nS2.82SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.52SK2040 NMOS GDS 电源开关600V2A20W 11/45nS52SK2082 NMOS GDS 开关UPS用900V9A150W 85/210nS1.402SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.12SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.12SK2147 NMOS GDS 开关UPS用900V6A80W 145/250nS2.82SK2161 NMOS SDG 高速开关200V9A25W 27/255nS0.452SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.02SK2485 NMOS GDS 监视器用电源900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源900V8A140W 50/153nS1.12SK2611 NMOS GDS 监视器用电源900V9A150W2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源500V15A125W2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.083SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055 BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS 高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS 高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS 高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS 高速开关FS12KM NMOS GDS 高速开关250V12A35W53/120nS0.40FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关800V7A150W1.6H120N60 N MOS GDS 开关600V120AIRF230(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/30nS0.85 IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18 IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5 IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8 IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0 IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5 IRF840 NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/33nS0.85 IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3 IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3IRF9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20 NMOS GDS 功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120 NMOS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3 IRFD123 NMOS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55IRFP350 NMOS GDS 功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140 PMOS GDS 功放开关100V19A150W100/70nS0.2IRFP9240 PMOS GDS 功放开关200V12A150W68/57nS0.5IRFPF40 NMOS GDS 功放开关900V4.7A150W2.5IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFU020 NMOS GDS 功放开关50V15A42W83/39nS0.1IXGH20N60A NMOS GDS 600V20A150WIXGFH26N50 NMOS GDS 500V26A300W0.3IXGH30N60A NMOS GDS 600V30A200WIXGH60N60A NMOS GDS 600V60A250WIXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117J177 PMOS SDG 开关30V1.5mA0.35WM75N06 NMOS GDS 音频功放开关60V75A120WMTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150WMTM30N50 NMOS 功放开关(铁)500V30A250WMTM55N10 NMOS GDS 功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP40N06 NMOS GDS 功放开关(双)60V40A150W/70nS0.3MTW20N50 NMOS GDS 功放开关500V20A250W0.27RFP40N10 NMOS GDS 功放开关100V40A160W30/20nS0.04RFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150WSMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.023SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150WSMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150WSSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关900V7A150WSSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关600V6A150WSSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关900V5A125WSSP7N80 NMOS GDS 高速电源开关800V7A75WSUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS 功放开关50V12A150W300/600nSGT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150WGT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150WGT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180WGT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300WGT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300WGT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300WIMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W IMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻) SDT3055 NMOS GDSTSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400WTN2460L35N120 1200V35A250WEXB841 IGBT驱动。
80n07场效应管参数
80n07场效应管参数80N07场效应管参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子设备中。
80N07是一种常见的场效应管，本文将介绍其相关参数。
1. 导通电阻（RDS(on)）：导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小。
对于80N07场效应管来说，其导通电阻为80mΩ。
导通电阻的大小决定了场效应管的导通能力，导通电阻越小，场效应管的导通能力越强。
2. 最大漏源电压（VDS）：最大漏源电压是指场效应管能够承受的最大漏源电压。
对于80N07场效应管来说，其最大漏源电压为75V。
超过这个电压值，场效应管可能会损坏。
3. 最大漏源电流（ID）：最大漏源电流是指场效应管能够承受的最大漏源电流。
对于80N07场效应管来说，其最大漏源电流为80A。
超过这个电流值，场效应管可能会过载而损坏。
4. 阈值电压（VGS(th)）：阈值电压是指场效应管的控制电压达到一定值时，场效应管开始导通的电压。
对于80N07场效应管来说，其阈值电压为2-4V。
当控制电压大于等于阈值电压时，场效应管开始导通。
5. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管的输入端电容。
对于80N07场效应管来说，其输入电容为3800pF。
输入电容的大小影响场效应管的响应速度和输入电路的带宽。
6. 输出电容（Coss）：输出电容是指场效应管的输出端电容。
对于80N07场效应管来说，其输出电容为790pF。
输出电容的大小影响场效应管的开关速度和输出电路的带宽。
7. 反馈电容（Crss）：反馈电容是指场效应管的漏极和栅极之间的电容。
对于80N07场效应管来说，其反馈电容为190pF。
反馈电容的大小影响场效应管的高频特性和稳定性。
80N07场效应管具有较低的导通电阻、较高的最大漏源电压和最大漏源电流，适用于高功率应用。
其阈值电压较低，需要较小的控制电压即可导通。
此外，80N07场效应管的输入电容、输出电容和反馈电容较小，有利于提高开关速度和频率响应。
irfpg50场效应管参数
irfpg50场效应管参数IRFPG50场效应管是一种常用的功率场效应管，具有许多重要的参数。
本文将介绍IRFPG50场效应管的主要参数及其意义。
首先，IRFPG50场效应管的最大漏极电流（ID）是一个重要的参数。
它表示在特定的工作条件下，场效应管可以承受的最大漏极电流。
这个参数决定了场效应管的功率处理能力。
如果超过了最大漏极电流，场效应管可能会过热并损坏。
其次，IRFPG50场效应管的漏极-源极电压（VDS）也是一个关键参数。
它表示在特定的工作条件下，场效应管可以承受的最大漏极-源极电压。
超过这个电压，场效应管可能会发生击穿，导致损坏。
因此，在设计电路时，需要确保VDS不超过IRFPG50的额定值。
另一个重要的参数是IRFPG50场效应管的栅极-源极电压（VGS）。
它表示在特定的工作条件下，场效应管的栅极-源极电压范围。
超过这个范围，场效应管可能无法正常工作。
因此，在使用IRFPG50场效应管时，需要确保VGS在规定的范围内。
此外，IRFPG50场效应管的导通电阻（RDS(on)）也是一个重要的参数。
它表示在特定的工作条件下，场效应管导通时的电阻。
导通电阻越小，场效应管的导通能力越好，功率损耗也越小。
因此，在功率放大电路中，选择低导通电阻的场效应管可以提高效率。
最后，IRFPG50场效应管的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也是需要考虑的参数。
输入电容表示场效应管的栅极和源极之间的电容，输出电容表示场效应管的漏极和源极之间的电容。
这些电容会影响场效应管的频率响应和开关速度。
因此，在高频应用中，需要选择具有较小输入和输出电容的场效应管。
综上所述，IRFPG50场效应管的参数对于电路设计和性能优化非常重要。
最大漏极电流、漏极-源极电压、栅极-源极电压、导通电阻、输入电容和输出电容都需要在设计中合理考虑。
只有充分理解和正确使用这些参数，才能充分发挥IRFPG50场效应管的优势，实现高效、稳定的电路设计。
常用功率场效应管参数大全
常用功率场效应管参数大全功率场效应管（Power MOSFET）是常用的功率驱动器件之一，具有高效率、低开关损耗、低驱动电流等优点，广泛应用于功率放大、开关、驱动等领域。
下面将介绍功率场效应管的常用参数。
1.静态参数静态参数用于描述功率场效应管在静止状态下的性能。
(1) 雅功耗（Drain Power Dissipation，Pd）：指功率场效应管在规定条件下最大允许的耗散功率。
(2) 雅耗（Gate Efficacy，η）：指单位面积底板的立体角功率。
(3) 雅-换算导热阻（Outlet Thermal Resistance，Rth,j-ch）：指从场效应管的结到环境之间的温度差与单位功率热流之比。
(4) 输入电容（Input Capacitance，Ciss）：指场效应管的栅结与源结之间的电容。
(5) 输出电容（Output Capacitance，Coss）：指场效应管的漏结与栅结之间的电容。
(6) 反馈电容（Feedback Capacitance，Crss）：指栅结与源结之间的电容。
(7) 静态栅极电压（Gate-Source Voltage，Vgs(th)）：指场效应管在截止与导通之间的栅极电压。
(8) 静态漏极电流（Drain Current，Idss）：指场效应管在最大栅极电压下的静态漏极电流。
2.动态参数动态参数用于描述功率场效应管在动态工作状态下的性能。
(1) 开启时间（Turn-on Time，ton）：指从场效应管的栅极电压上升到90%的开启电平所需的时间。
(2) 关断时间（Turn-off Time，toff）：指从场效应管的栅极电压下降到90%的关断电平所需的时间。
(3) 正向传导电阻（Forward Transconductance，Gfs）：指场效应管在导通状态下，输出电流与栅极电压之间的比值。
(4) 带宽（Bandwidth）：指场效应管在特定条件下能够放大信号的频率范围。
场效应管参数含义
场效应管参数含义场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种控制输入电压来改变输出电流的三极管。
它具有高输入电阻、低输出电阻、高放大倍数等优点，被广泛应用于电子电路中。
场效应管具有许多参数，这些参数描述了场效应管的特性和性能。
以下是常见的场效应管参数及其含义：1.静态参数：静态参数用于描述场效应管在静态条件下的性能。
a.静态射极漏电流（IDSS）：这是指在封装器件上限制的条件下，栅极短路时漏极到源极的电流。
这是场效应管关闭时的最大漏电流。
b. 确定工作点的零（平衡）栅极-漏极电压（VGS(off)）：这是指当漏极电流为零时，栅极到源极的电压。
该参数用于确定场效应管工作在关闭状态的电压范围。
c.漏极电流温度系数（IDSSTC）：这是指在特定温度下，封装管子样品的射极漏电流变化的率。
它表示了温度变化对射极漏电流的影响。
2.动态参数：动态参数用于描述场效应管在动态响应下的性能。
a. 输入电容（Ciss）：这是指由于栅极-源极间有载流注入或抽出而导致的输入电容。
它与场效应管的输入电流和电压变化相关。
b. 输出电容（Coss）：这是指由于漏极-源极间有载流注入或抽出而导致的输出电容。
它与场效应管的输出电流和电压变化相关。
c. 反转传输电容（Crss）：这是指由于栅极-源极和漏极-源极间电流注入或抽出而导致的电容。
它与场效应管的电流和电压变化相关。
d. 开关时间（Ton，Toff）：这是指场效应管从打开到关闭或从关闭到打开所需的时间。
这些参数决定了场效应管在开关应用中的速度和效率。
3.最大参数：最大参数用于描述场效应管在特定工作条件下的极限值。
a.最大耐压（VDS）：这是指场效应管可以承受的最大漏极-源极电压。
超过这个值可能会导致器件损坏。
b.最大漏极电流（ID）：这是指场效应管可以承受的最大漏极电流。
超过这个值可能会导致器件过热。
c.最大功耗（PD）：这是指场效应管可以承受的最大功耗。
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用途
构造
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
2SK507
振荡用
结型
0.8
15
50
26
－
－
－
SOT-23
2SK508
振荡用
结型
0.8
15
50
26
－
－
－
SOT-23
2SK302
高放
MOS
0.2
20
30
14
1.7
28
100MHz
SOT-23
2SK238
－
－
－
10
2GHz
－
GaAs双栅场效应管
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
*3SK240
超低噪声
1.0
9
50
19
1.0
20.5
0.8GHz
SC-82
*3SK228
－
1.0
12
50
34
1.3
19.6.
0.9GHz
SC-82
*3SK239
－
1.0
MGF0905
Po=33dBm
1.65
8
800
800
－
8
1.65GHz
14×4.3×1mm
FLL351
Po=3.3W
2.3
10
－
－
35.5
11.5
2.3GHz
－
FLL120
Po=10W
2.3
10
－
－
40
10
2.3GHz
－
FLL500I
Po=50W
2
12
－
－
－
10
2GHz
－
FLL600
Po=60W
2
12
SOT143
3SK151
变频适用
0.25
15
30
27
5.5
24.5
245MHz变频
SOT143
3SK197
变频适用
0.25
12
35
27
5.5
24
230MHz变频
SOT143
3SK195
－
0.2
13
30
13
1.1
27
200MHz
SOT143
3SK123
－
0.9
18
25
18
2.8
17
900MHz
SOT143
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
BF994
超低噪声
0.2
20
20
15
1.0
18
200MHz
SOT143
3SK194
超低噪声
0.2
15
35
17
1.0
30
200MHz
SOT143
3SK122
－
0.2
20
25
28
1.2
24
200MHz
SOT143
3SK131
－
0.2
20
25
28
1.3
24
200MHz
FHX06X
卫星接收
12
3.5
30
45
0.75
10.5
12GHz
N-02
ATF10136
超低噪声
12
2
25
－
0.5
13
4GHz
N-02
ATF10236
超低噪声
12
2
25
－
0.8
13
4GHz
N-02
ATF20136
超低噪声
12
2
25
－
1.2
13
4GHz
N-02
SGM5102
－
12
5
30
25
1.8
8.5
N-02
MGF1423
－
12
6
60
35
<2.3
>8
12GHz
N-02
MGF4310
－
12
4
50
－
<1.4
>9.5
12GHz
N-02
MGF1423
－
12
3
80
－
<2.3
>8
12GHz
N-02
MGF1902
－
12
3
100
－
<4.0
>5
12GHz
N-02
MGF1903
－
12
3
80
－
<2
>8
12GHz
N-02
GaAs微波中功率场效应管
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
MGF1601
Po=21dBm
12
12
250
90
－
8
8GHz
N-02
ATF10136
Po=20dBm
12
2
25
－
0.5
13
4GHz
N-02
ATF10236
Po=20dBm
12
2
25
12
50
31
1.3
19
0.9GHz
SC-82
3SK229
－
1.0
12
50
34
1.3
20
0.9GHz
SOT143
3SK184
－
1.0
13
50
23
1.2
16
0.9GHz
SOT143
3SK165
－
2.0
8
80
22
1.6
17
2GHz
SOT143
CF930
－
2.0
10
80
25
1.5
17
2GHz
SOT143
3SK241
高放
结型
0.2
20
10
3.5
3.0
21
100MHz
SOT-23
2SK210
高放
结型
0.2
18
10
7.0
1.8
24
100MHz
SOT-23
2SK360
高放
MOS
0.2
20
12
14
2.0
30
100MHz
SOT-23
2SK168
高放
结型
0.2
30
20
10
1.7
27
100MHz
TO-92
2SK241
高放
MOS
3SK132
－
0.9
20
25
22
2.8
22
900GHz
SOT143
3SK146
－
0.8
13
30
16
2.6
17.5
800MHz
SOT143
3SK199
－
0.8
13
30
21.5
1.9
19.5
800MHz
SOT143
3SK207
－
0.8
13
30
21.5
1.9
19.5
800MHz
SOT143
小信号高频场效应管
－
0.8
13
4GHz
N-02
ATF20136
Po=20dBm
12
2
25
－
1.2
13
4GHz
N-02
GaAs微波大功率场效应管
型号
特点
fT
(GHz)
VDS
(V)
ID
(mA)
Gm
(ms)
P1dB
(dBm)
PG
(dB)
测定条件
外形
MGF0904
Po=28dBm
1.65
8
200
200
13
1.65GHz
14×4.3×1mm
0.2
20
30
10
1.7
28
100MHz
TO-92
2SK192
高放
结型
0.2
18
10
7
1.8
24ห้องสมุดไป่ตู้
100MHz
TO-92
－
1.0
13
50
23
1.5
19
0.9GHz
SOT143
3SK191
－
1.0
12
80
>10
1.5
12
0.9GHz
SOT143
3SK121
－
1.0
10
50
17
1.5
20.5
0.9GHz
N-02
3SK129
－
1.0
13
50
25
1.2
17
1GHz