电容ESR研究
电容的ESR
电容的ESRESR，是Equivalent Series Resistance三个单词的缩写，翻译过来就是“等效串联电阻”。
电容的ESR是指电容的等效串联电阻（或阻抗）。
理想的电容，是没有电阻的。
但是实际上，任何电容都有电阻，这个电阻值和电容的材料、结构有关系。
在开关电源技术之前，普遍采用线性电源（现在经常使用的LDO，就属于这种技术），电源电路都工作在低频直流状态，通过滤波整流电路把交流转换成直流。
在低频直流电源中，电容的容量对滤波效果起决定作用，电容的串联阻抗作用可以忽略。
但是低频电源效率低，体积大的缺点非常明显。
后来发展了开关电源技术，大大地提高了电源的转换效率，也减小了电源的体积。
开关电源的工作频率越高，电源的体积也可以越小。
开关电源的工作频率从几十KHz到几MHz不等。
在开关电源中，电容的ESR直接影响电容的效果，它比电容的容量还重要（事实上，我们所说的电容容量一般都是在120Hz下测量的值，当工作频率提高时，电容容量会急剧降低，甚至根本不能启动电容的作用）。
一般而言，我们应该选择ESR小店电容。
在不同的电容类别中，电解电容的ESR通常最大，钽电容次之，陶瓷电容最佳。
当然，即使是电解电容中，也分普通电解电容和低ESR的电解电容。
用在开关电源输出滤波的应该采用低ESR的电解电容。
在维修中，如果用普通电解电容替换低ESR的电解电容，开关电源可能短时间能工作，但是寿命肯定不长。
弄不好，电容很快因为损耗太大而爆裂甚至爆炸，所以更换电容应该小心。
同样容量同样耐压的电解电容，体积大的往往ESR小。
同样容量不同耐压的电解电容，耐压高度往往ESR小。
同样耐压同样容量的电容，105度比85度的ESR要小。
当然，这也不是绝对的，对于同一厂家同一系列的电解电容，基本上成立。
电容ESR
ESR：等效串联电阻理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容变得不“完美”。
这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就起了个名字叫做“等效串联电阻”。
比如，我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。
但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。
无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源啦一类的，都使用低ESR的电容器。
同样的，在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。
所以在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现。
不过事情也有例外，有些时候，这个ESR也被用来做一些有用的事情。
比如在稳压电路中，有一定ESR的电容，在负载发生瞬变的时候，会立即产生波动而引发反馈电路动作，这个快速的响应，以牺牲一定的瞬态性能为代价，获取了后续的快速调整能力，尤其是功率管的响应速度比较慢，并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。
这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。
这时候，太低的ESR反而会降低整体性能。
实际上，需要更低ESR的场合更多，而低ESR的大容量电容价格相对昂贵，所以很多开关电源采取的并联的策略，用多个ESR相对高的铝电解并联，形成一个低ESR的大容量电容。
牺牲一定的PCB空间，换来器件成本的减少，很多时候都是划算的。
和ESR类似的另外一个概念是ESL，也就是等效串联电感。
早期的卷制电容经常有很高的ESL，而且容量越大的电容，ESL一般也越大。
ESL经常会成为ESR的一部分，并且ESL也会引发一些电路故障，比如串联谐振等。
但是相对容量来说，ESL的比例太小，出现问题的几率很小，再加上电容制作工艺的进步，现在已经逐渐忽略ESL，而把ESR作为除容量之外的主要参考因素了。
电容esr（CapacitanceESR）
电容esr（Capacitance ESR）低电阻电阻表介绍随着电解电容器的老化，它们的内阻-等效串联电阻（ESR）-增加和最终。
导致电路操作错误。
这种装置可以测量ESR &也可以用来测量小尺寸。
电阻..电路描述IC1a配置为振荡器。
ic2a将该信号2确保50 / 50马克/空间比。
端交换机之间的5伏和¨5volt从而施加交流方波电流约2毫安的电容器待测CX。
iC3b / 1,2指示正半周期C9和iC3b / 3，消极的指示的C10。
R4、C9和C10作为低通滤波器来衰减100千赫Cx的两端电压的交流分量。
C9和C10的电荷直流分量是成正比的ESR。
C9保持正向电压在负半周期和C10持有负电压在正半周期。
IC4的放大差分直流信号可以显示在数字万用表（在200mV的规模）。
10欧姆将由100毫伏表示，1欧姆10 MV，等。
校准调整小一获得100 TP3千赫。
探针连接在一起在IC4的调整/ 6 0mV P4。
分离探针。
设置P2以平衡R2的正电流和负电流，如下所示。
使用- 5V 至TP2。
连接TP4和B、注电流之间的万用表（约2 Ma）。
转移到TP1和TP2 - 5V的调整P2直到获得相同的电流（幅度，忽略信号）。
从TP1删除- 5V。
在A和B之间连接万用表。
将探头应用到一个10欧姆电阻上并调整P3直到多用表。
读100毫伏。
带电电容器的保护。
在测试其ESR之前，始终确保被测试的电容器放电。
然而，事故会发生，所以R3，D1和D2保护充电至少20伏的电容器。
R4，D3和D4的至少32伏。
如果电压是大于这些，这些组件的生存将取决于存储在电容器上的能量。
关于电压和电容。
Len考克斯林山澳大利亚血沉及低电阻测试仪简介电解电容器的年龄，他们的内部阻力-等效串联电阻（ESR）-增加和最终导致电路故障该装置可以测量的ESR及也可以用来测量小。
电阻..电路描述IC1A配置为振荡器。
ic2a这2分，以确保信号50 / 50 /空间比例马克。
电容的ESR效应
ESR，是Equivalent Series Resistance三个单词的缩写，翻译过来就是“等效串联电阻”。
理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容变得不“完美”。
这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就起了个名字叫做“等效串联电阻”。
ESR的出现导致电容的行为背离了原始的定义。
比如，我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。
但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。
无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源啦一类的，都使用低ESR的电容器。
同样的，在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。
所以在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现。
不过事情也有例外，有些时候，这个ESR也被用来做一些有用的事情。
比如在稳压电路中，有一定ESR的电容，在负载发生瞬变的时候，会立即产生波动而引发反馈电路动作，这个快速的响应，以牺牲一定的瞬态性能为代价，获取了后续的快速调整能力，尤其是功率管的响应速度比较慢，并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。
这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。
这时候，太低的ESR反而会降低整体性能。
ESR是等效“串联”电阻，意味着，将两个电容串联，会增大这个数值，而并联则会减少之。
实际上，需要更低ESR的场合更多，而低ESR的大容量电容价格相对昂贵，所以很多开关电源采取的并联的策略，用多个ESR相对高的铝电解并联，形成一个低ESR的大容量电容。
牺牲一定的PCB空间，换来器件成本的减少，很多时候都是划算的。
和ESR类似的另外一个概念是ESL，也就是等效串联电感。
早期的卷制电容经常有很高的ESL，而且容量越大的电容，ESL一般也越大。
电容ESR表（二）电容ESR表的设计、制作、调试
电容ESR表（⼆）电容ESR表的设计、制作、调试3 设计构思及最终完成的电路⼀、⽅案选择在设计制作之前，最重要的决定是动⼿的⽅向。
⼏经考虑和权衡，笔者决定采⽤指针式ESR表的⽅案。
原因有三：⼀是指针式ESR表的测量更便捷。
指针表长于定性测量，数字表长于定量测量，这已是很多电⼦爱好者的共识。
如果不需要确切的测量数值，使⽤指针表更为⽅便。
当我们使⽤ESR表测量⼀只电容时，这只电容“正确”的ESR值往往是未知的，需要做的⼯作是，判断此值是否落在⼀个合理的区间内。
因为有刻度的辅助，指针表的指⽰更直观。
根据笔者多年既使⽤指针式万⽤表，⼜使⽤数字式万⽤表的经验，对于这样的模糊判断，指针表明显更快、更省事（前提是你需习惯指针表的使⽤）。
只要看⼀眼指针摆动的⼤致情况，即可作出判别，不⽤像使⽤数字表那样，需在脑海中进⾏数字的读⼊与⽐较。
⼆是指针式ESR表的量程更宽。
⼀个挡位就可以覆盖从0~∞的范围。
只要适当安排好⾼分辨率指⽰区域，就可以满⾜我们检测电解电容（以及部分⾮电解电容）的需要。
若做成数字表形式，⼀个挡位就只能覆盖某⼀个范围。
⽐如，采⽤万⽤表专⽤A/D芯⽚ICL7106。
因其显⽰数值最⼤为1999，若安排最⼩显⽰ 0.01Ω，其最⼤显⽰将变为19.99Ω，在某些场合下使⽤会受到限制，这样就不能⽤于辅助检测那些容量不⼤的⾮电解电容。
三是指针式ESR表的制作难度更低。
对于数字式ESR表来说，适⽤的显⽰屏难以购买得到，可⾏的⽅法是利⽤现成的数字万⽤表来改制。
但数字万⽤表体积⼩，内部空间狭窄，元件不易安排，还需对准显⽰屏原来安装的位置，给PCB的制作带来较⼤的困难。
对于指针式ESR表来说，则没有这样的限制。
因此，在国外电⼦爱好者的DIY中，数字式ESR表多是以套件形式供应的，个⼈独⽴制作⼤部分采⽤指针式⽅案。
此外，另⼀个促使笔者下决⼼选定指针表制作⽅案的重要因素是，刚好⼿头有⼀块闲置多年的MF500指针式万⽤表。
这⼀型号的指针表曾经在国内风靡，成为⼀代经典。
电容esr等效电路
电容esr等效电路全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：电容ESR（Equivalent Series Resistance等效电路）是指电容器内部存在的等效电阻。
在理想情况下，电容器只具有电容性质，即可以存储电荷并产生电场，而没有任何损耗。
然而在现实中，电容器的内部结构会导致一定的电阻存在，这就是ESR。
电容的ESR对于电路的性能有着重要的影响，因此在设计电路时需要充分考虑ESR的影响。
ESR是电容器内部电阻的简称，也叫动态电阻。
它由电容器内部的电解液或电极的电阻引起，主要由电解液的电导率决定。
ESR的存在会导致电容器在充电和放电时损耗能量，产生热量，使得电容器效率降低。
ESR还会影响电容器的响应速度和稳定性。
在电路设计中，ESR是一个非常重要的参数。
对于一些对性能要求较高的电路，如功率电源、滤波器等，ESR的影响更加明显。
如果不考虑ESR，可能会影响电路的稳定性、效率和性能。
为了更好地理解ESR的影响，我们可以将电容器和其等效电路进行对比。
电容器的等效电路主要由电容性量element（C）、ESR（R）、电感（L）和介质损耗角（tanδ）四个元素组成。
对于一个实际的电容器，我们可以用一个等效电路来表示其实际情况，如下图所示：[图片描述：电容ESR等效电路图]在这个等效电路中，C是电容器的电容值，R是ESR的电阻值，L 是电容器内部的电感值，tanδ是介质损耗角，表示电容器内部损耗的能量。
将电容器看作这个等效电路，可以更好地理解电容器的实际工作原理。
ESR的大小取决于电容器的类型、材料、尺寸等因素。
一般来说，电容器的ESR越小，其性能越好。
常见的电解电容器和液体电解电容器的ESR相对较高，而固态电容器的ESR较低。
在选择电容器时，需要根据具体的应用场景来选择适合的电容器类型和ESR值。
为了减小ESR的影响，可以采取一些措施。
一是选择ESR较小的电容器，比如固态电容器或专门设计的低ESR电容器。
电容器的等效电阻(ESR)
电容的ESR参数对电路的影响电容器的ESR（等效串联电阻）参数电容器的主要技术指标有电容量、耐压值、耐温值。
除了这三个主要指标外，其他指标中较重要的就是等效串联电阻（ESR）了。
有的电容器上有一条金色的带状线，上面印有一个大大的空心字母“I”，它表示该电容属于LOWESR低损耗电容。
有的电容还会标出ESR值（等效串联电阻），ESR越低，损耗越小，输出电流就越大，电容器的品质越高。
ESR是Equivalent Series Resistance的缩写，即“等效串联电阻”。
理想的电容自身不会有任何能量损失，但实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗。
这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就称为“等效串联电阻”。
和ESR类似的另外一个概念是ESL，也就是等效串联电感。
早期的卷制电感经常有很高的ESL，容量越大的电容，ESL一般也越大。
ESL经常会成为ESR的一部分，并且ESL会引起串联谐振等现象。
但是相对电容量来说，ESL的比例很小，出现问题的几率很小，后来由于电容制作工艺的提高，现在已经逐渐忽略ESL，而把ESR作为除容量、耐压值、耐温值之外选用电容器的主要参考因素了。
串联等效电阻ESR的单位是毫欧（mΩ）。
通常钽电容的ESR通常都在100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的 ESR甚至会高达数欧姆。
ESR的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度都有关系，当额定电压固定时，容量愈大 ESR愈低。
同样当容量固定时，选用高的额定电压的品种也能降低 ESR；故选用耐压高的电容确实有许多好处；低频时ESR高，高频时ESR 低；高温也会造成ESR的升高。
现在电子技术正朝着低电压高电流电路的设计方向发展，供应给元器件的电压呈现越来越低的趋势，但对功率的要求却丝毫没有降低。
按P=UI的公式来计算，要获得同样的功率，电压降低了，那就必须得增大电流。
例如INTEL、AMD 的最新款CPU，电压均小于2V，和以前3、 4V的电压相比低得多。
关于陶瓷电容ESR的问题
关于陶瓷电容ESR的问题似乎所有的硬件工程师谈起电解电容的好坏的时候，最后总是少不了一句，要选择ESR参数低一点的电容云云，公司采购员按这个要求去采购电容的时候，只能选择好品牌，因为采购员心里知道，好品牌的电容ESR参数才低，电解电容的ESR值从不标示出来。
作为开关电源的输出整流滤波电容器，电容量往往是首要的选择，铝电解电容器的电容量完全可以满足要求，而ESR则相对比较高。
可以通过多只并联的方法降低ESR。
也可以选择更大的电容量来降低ESRESR是高频电解电容里面最重要的性能参数，很多电容供应商都强调“LOW ESR”这一性能特征，也就是ESR值很小的意思。
那么，我们如何正确理解LOW ESR的实际意义呢?由于现在电子技术的发展，供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势，例如FPGA、DSP、RAM 系列的供电电压都是很低，有的电路电压小于2V，相比以前动辄3、4V的电压要低得多。
但是，另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增，需求的功耗却是有增无减，因此按P=UI的公式来计算，这些设备对电流的要求就越来越高了。
比如在电脑主板上，例如两颗功耗同样是70W的CPU，前者电压是 3.3V，后者电压是 1.8V。
那么，前者的电流就是I=P/U=70W/3.3V大约在21.2A左右。
而后者的电流就是I=P/U=70W/1.8V=38.9A，达到了前者的近一倍。
在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那么就会产生比以往更高的涟波电压(理想的输出直流电压应该是一条水平线，而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷)。
此外，即使是相同的涟波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。
例如对于3.3V的MCU而言，0.2V涟波电压所占比例较小，还不足以形成致命的影响，但是对用于1.8V供电的FPGA、DSP而言，同样是0.2V的涟波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。
那么ESR值与涟波电压的关系何在呢?我们可以用以下公式表示：V=R(ESR)×I这个公式中的V就表示涟波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。
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电容ESR研究
在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那幺就会产生比以往更高的涟波电压(理想的输出直流电压应该是一条水平线，而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷)。
此外，即使是相同的涟波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。
例如对于3.3V的CPU而言，0.2V涟波电压所占比例较小，还不足以形成致命的影响，但是对于1.8V的CPU而言，同样是0.2V的涟波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。
那幺ESR值与涟波电压的关系何在呢?我们可以用以下公式表示：V=R(ESR)&TImes;I 这个公式中的V就表示涟波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。
可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高，采用更低ESR 值的电容是势在必行。
这就是为什幺如今的板卡等硬件设备上所用的电容，越来越强调LOW ESR的缘故。