电芯结构剖面图-
2-3 剖视图
河南机电学校机械系数控教研室 刘安民
1.单一剖切面： ⑴用平行于某一基本投影面的单一剖切平面剖切 (单一平行剖)
单一剖切平面（平行于基本投影面）是最常用的一种。 前面的全剖视图、半剖视图或局部剖视图都是采用单一剖 切平面获得的，希望读者自行分析。
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1.单一剖切面： ⑵ 用单一斜剖切平面剖切
出的机件内部对称结构的细虚线。在半个剖视 图中未表达清楚的结构，可在半个视图中作局 部剖视。 ３）半个视图的位臵通常按以下原则配制： 主视图中位于对称线右侧，俯视图中位于对 称线下方，左视图中位于对称线右侧。
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3. 局部剖视图
用剖切面局部剖开物体所得 的剖视图，称为局部剖视图。 局部剖视图主要用以表达机 件的局部内部形状结构，或 不宜采用全剖视图或半剖视 图的地方（如轴、连杆、螺 钉等实心零件上的某些孔或 槽等）。 由于它具有同时表 达机件内、外结构形状的优 点，且不受机件是否对称的 条件限制，有什么地方剖切、 剖切范围的大小，均可根据 表达的需要而定，因此应用 河南机电学校机械系数控教研室 刘安民 广泛。
（3）注意细虚线的取舍：当剖视图中看不见的结构形状，在其他视图中已表达 清楚时，其细虚线可以省略不画。对尚未表达清楚的结构形状，也可用细虚线 表达。 （4）不可漏画可见的轮廓线：在剖切面后面的可见轮廓线，应全部用粗实线画 出。
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２. 画剖视图时应该注意的问题
容易漏画的线条
用法：半剖视图主要用于内外结构形状都需要
表示的对称机件。其优点在于它能在一个图形中同 时反映机件的内形和外形，由于机件是对称的，所 以据此很容易想象出整个机件的全貌。
半导体工艺原理-集成电路制造工艺介绍
GND
Vi
T
Vo
R VDD
23
二）、MOS集成电路芯片制 造工艺
（N阱硅栅CMOS工艺）
24
1、CMOS工艺中的元器件结构
电阻
NSD和PSD电阻结构剖面图
25
多晶硅电阻结构剖面图
26
N阱电阻结构剖面图
27
电容
CMOS工艺中PMOS晶体管电容剖面图
28
CMOS工艺中N阱电容剖面图
29
多晶硅-多晶硅电容器剖面图
双极工艺主要分类
3
CMOS
●标准CMOS工艺（数字电路的主流工艺 技术）特点：互补的NMOS、PMOS，工 艺流程简单，集成度高
●模拟CMOS工艺（应用最广泛的模拟IC 工艺）特点：在标准CMOS的基础上集成 高品质的无源器件，此外对阈值电压精度 和耐压的要求更高
●RF CMOS（RF IC） 特点：依靠缩小光刻尺寸提高MOS晶体管 的速度，集成模拟IC所必需的高品质无源 器件
30
二极管
PSD/N阱齐纳二极管剖面图
31
PSD保护环肖特基二极管剖面图
32
MOS晶体管
N阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图
33
P阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图
34
双阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图
35
2、主要工艺流程图
36
衬底准备
P型单晶片
P+/P外延片
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工艺流程：
氧化、光刻N-阱(nwell)
NBL
NSINK
P阱
PBL
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●BCD（智能功率集成芯片） 特点：在BiCMOS优势的基础上再集成 DMOS等功率器件，是智能功率芯片的理 想工艺平台
第1章 直流电机的结构与工作原理
字是机座中心高，第四个阿拉伯数字表示电枢铁芯长度代号，
第五个阿拉伯数字表示端盖的代号。 例如型号是Z4—200—21的直流电机，Z是系列（即一般用 途直流电动机）代号，200是电机中心高（mm），21中的2是电 枢铁芯长度代号，1是端盖的代号。
2.第一节距 y1 第一节距是指一个线圈两有效边之间在电枢表面上的跨距， 以槽数表示，如图1—10所示。由于线圈边要放入槽内，所以应 是整数。而为了让组能感应出最大的电动势，应使接近或等于 极距。
Zu y1 2p
为了节省铜线及其工艺的方便，一般采用短距或整距绕组。
1.2 直流电机的电枢绕组
（4）正负电刷间电动势最大。
1.3 直流电机的铭牌数据及主要系列
1.3.1 直流电机的铭牌数据
铭牌数据主要包括：电机型号、额定功率、额定电压、
额定电流、额定转速和励磁电流、励磁方式、励磁电压、工
作方式、绝缘等级等，此外还有电机的出厂数据，如出厂编 号、出厂日期等。
1.3 直流电机的铭牌数据及主要系列
新世纪高职高专 电气自动化技术类课程规划教材
新世纪高职高专教材编审委员会 组编 主编 郑立平 张 晶 王文一 主审 孙建忠
第一章 直流电机的结构与工作原理
1.1直流电机的结构与工作原理
1.2直流电机的电枢绕组
1.3直流电机的铭牌数据及主要系列
1.1 直流电机的结构与工作原理
1.1.1 直流电机的结构 主磁极 换向磁极 电刷装置
图1-3 换向极结构 1．换向极铁芯 2．换向极绕组
1.1 直流电机的结构与工作原理
硅麦产品介绍 PPT
频率响应
优异的平坦度和高带宽的频响，让语音更加清晰，逼真，可辨识度高。 具有良好的匹配性，显著增强消噪效果。
典型应用电路
在耳机中的应用
硅麦的输出信号加载在VDD上送回到BB侧，R2和C2组成一个低通滤波器， f=32Hz，将VDD上的语音信号滤掉，获得干净稳定的VDD给硅麦供电。 R1和C1设置输出信号的带宽的下限频率，f=40Hz。
全球领先的封测供应商 MEMS MIC全自动封装测试生产线 产品以LGA，BGA，FC，CSP等高端封装为主
AW8610：高性能、超强RFI抑制、上进音模拟硅麦
主要特性：
采用Infineon MEMS晶圆 支持SMT贴片 优异的一致性，显著增强双MIC降噪效果 平坦的频率响应，使语音清晰逼真 超强RFI抑制 高信噪比：59dB 灵敏度：-42 dBV/Pa 上进音，全向模拟硅麦 3.76mm*2.95mm*1.1mm LGA封装
主动降噪耳机
通过内置在耳机内的MIC 采集环境中噪声，将噪声信 号送入降噪电路处理，产生 与噪声信号大小相等，方向 相反的反向信号来抵消噪声。
线控耳机
在线控耳机中，硅麦可以完全替代ECM，且性能更佳。 硅麦让线控耳机的控制部分外形更加小巧时尚，语音更清晰逼真， 辨识度更高。
SMT注意事项
拾取硅麦时，真空吸嘴必须处于拾取区域内，否则有损坏的风险。 禁止使用超过标准回流焊温度来焊接硅麦。 用静电袋包装硅麦时，不允许抽真空。 真空吸嘴不允许吸到硅麦的进音孔。 不允许用超声波清洁PCBA。 请谨慎使用气枪或清洗液清洁PCBA；非用不可时，务必用胶带贴住 硅麦的进音孔，以免异物或液体进入。 禁止对着硅麦的进音孔吹气或吸气。 禁止灰尘等细小颗粒物和液体进入硅麦。
硅麦产品介绍
各类电线电缆结构图
3. 1 额定电压1 kV及以下架空绝缘电缆:JKLYJ 型图例：1 —LY8或LY9型紧压硬铝导体; 缘料。
3•额定电压10 kV架空绝缘电缆产品结构示意图:1 —LY8或LY9型紧压硬铝导体；3—35 kV级及以下用耐侯型交联聚乙烯绝缘料;5 —绞合在钢芯外的LY9型硬铝导体。
附三.产品结构示意图（截面）:架空导线185图例:JKLYJ 型2JKLGYJ 型4 5 2 32 —10 kV级及以下用耐侯型硅烷交联聚乙烯绝2—半导电内屏蔽料；4—G1A型绞合钢丝;5.2 YC 450/750 V 重型橡套软电缆:图例：1 —无氧纯铜束合导体或复合绞束合导体： 2— 橡皮绝缘层； 3— 橡皮条或纤维绳填充； 4— 成缆绕包包带； 5— 橡皮护套层。
说明：若非镀锡铜单丝，则导体外加包带。
图例：1 —无氧纯铜单根实心导体; 2— 阻燃聚氯乙烯绝缘层； 3— 填充或挤塑内护层； 4— 涂塑铝箔复合包带； 5— 阻燃聚氯乙烯护套。
VY 0.6/1 kV 铜芯聚氯乙烯绝缘聚乙烯护套电力电缆:图例：1— 无氧纯铜单根导体; 2— 聚氯乙烯绝缘层； 3— 成缆填充； 4— 成缆绕包包带； 5— 黑色聚乙烯护套。
5.7 本安电缆:123452 3 4234450/750 V BFYJ 辐照交联聚乙烯绝缘电线:图例：1 —无氧纯铜绞合导体；2—辐照交联聚乙烯绝缘层。
YFD-ZR-YJV 0.6/1 kV 铜芯阻燃交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套预制分支电力电缆;1 2 3 4 1 2 3图例：1—无氧纯铜紧压导体；2—硅烷交联聚乙烯绝缘层；3—阻燃90°C聚氯乙烯护套;4—分支接头封头料。
AWM 1015 105 °C/600 V VW-1 UL 导线:图例：1 —无氧纯铜单线束合导体；2 —1050C阻燃聚氯乙烯绝缘层。
5. 7 YC 450/750 V 重型橡套软电缆:图例：1 —无氧纯铜束合导体或复合绞导体: 2— 橡皮绝缘层； 3— 橡皮条或纤维绳填充； 4— 成缆绕包包带； 5— 橡皮护套层。
CMOS工艺流程版图剖面
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2. 典型P阱CMOS工艺的剖面图
硅栅
薄氧化层
漏
金属
源
低氧
场氧化层 （FOX）
n-衬底
p-阱
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CMOS process
p+
p+
p-
73
Process (Inverter)p-sub
In
GND
VDD
SGD
DGS
图例
低氧
场氧
Legend of each layer
N-well
p+
P-diffusion
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合金 形成钝化层
– 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 – 光刻11，钝化版 – 刻蚀氮化硅，形成钝化图形
测试、封装，完成集成电路的制造工艺
CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料
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4) 图解双阱硅栅 CMOS制作流程
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首先进行表面清洗，去除wafer 表面的保护层和 杂质，三氧化二铝 必须以高速粒子撞击，并 用化学溶 液进行清洗。
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以类似的方法，形成PMOS，植入硼 (+3)离子。 (后序中的PSG或BPSG能很好 的稳定能动钠离子，以保证MOS电压稳定)。
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后序中的二氧化硅层皆是化学反应沉 积而成，其中加入PH3形成PSG (phosphosilicate-glass)，加入B2H6形成BPSG (borophospho-silicate-glass)以平坦表面。所谓 PECVD (plasma enhanced CVD) 在普通 CVD反应空间导入电浆(等离子)，使气体活 化以降低反应温度)。
形成N阱
– 初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层
CMOS器件介绍
集成电路常用器件介绍、CMOS：艺下器件：CMO理艺可分为P阱CMOS N阱CMO副双阱CMOS以NWELLX艺为例说明CMO舛常用有源及无源器件的器件结构、工作原理、特性参数等。
建议在此之前先了解CMOS勺基本工艺。
1.1有源器件1. MOS管采用N阱工艺制作的PMO由NMOS吉构示意图如图（1.1-1 ），在衬底为轻掺杂P的材料上，扩散两个重掺杂的N夜就构成了N沟器件，两个N+区即源漏，中间为沟道。
中间区域的表面上有以薄层介质材料二氧化硅将栅极（多晶硅）与硅隔离开。
同样，P沟器件是在衬底为轻掺杂的N的材料（即N阱或NWELL 上，扩散两个重掺杂的P+区形成的。
pmos 5v: W/L=20/2.0uinnmos 5v: W/L=20/2.Oum图（1.1-1）图中的B端是指衬底，采用N阱工艺时，N阱接最高电位VDD Psub接VSS通常将PMOS NMOS勺源极与衬底接在一起使用。
这样，栅极和衬底各相当于一个极板，中间是二氧化硅绝缘层，形成电容。
当栅源电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
以N 沟器件为例说明 MO 磨的工作原理：(1) N 沟增强型MOS^:当栅源之间不加电压时，漏源之间是两只背靠背的 因此即使漏源之间加电压，也不会有漏极电流。
当 U DS =。
,且U GS 0时，由于二氧化硅的存在，栅极电流为零。
但是栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P 型衬底靠近二氧化硅一侧的空穴 ，使之留下不能移动的负离子区，形成耗尽层 。
当U GS 增大，一方面耗 尽层加宽，另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层于绝缘层之间，形成一个 N 型薄层，称为反型层，如图(1.1-2)。
这个反型层即源漏之间的导电沟道。
指沟道刚刚形成的栅源电压称为开启电压 U Gs (th )。
U GS越大反型层越厚，导电沟道电阻越小。
图（1.1-2 ）当u GS 是大于U G S (th )的一个确定值时，若在漏源之间加正向电压，则产生一定的漏极电流。
铝栅+硅栅器件的版图
P+ Doped Source and Drain (under Field Oxide)
• *Step 7a: (patterning) Apply photoresist.
Photoresist Thick Field Oxide P+ Source P+ Drain
Thin Gate Oxide N Doped Silicon
N Doped Silicon
• Step 5d: (patterning) Wet etch permanent opening for gate region into field oxide.
Photoresist Thick Field Oxide P+ Source P+ Drain
N Doped Silicon
• Step 7b: (patterning) Expose photoresist to create temporary pattern for contact holes.
Ultraviolet Light Photomask
Photoresist Thick Field Oxide P+ Source P+ Drain
多晶硅
栅氧化层
N阱
P-SUB
P+离子注入
P+ 光刻4，刻P+离子注入掩膜版
掩膜版
N阱 P-SUB
N+离子注入
N+ 光刻5，刻N+离子注入掩膜版
N阱 P-SUB
生长磷硅玻璃PSG
PSG
N阱 P-SUB
光刻接触孔
光刻6，刻接触孔掩膜版
N阱
N+