光电技术自测题(全)资料

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光电检测单选题集

光电检测单选题集
一、简答题
1.什么是光电检测技术？
光电检测技术是利用光电传感器将光信号转化为电信号，并通过电子技术处理和分析电信号，以实现对物体特征或形态的检测、测量和判断的一种技术。

2.光电传感器有哪些常见的工作原理？
常见的光电传感器工作原理有电导式、应变式、电容式、电磁式、电热式、光电式等。

其中，光电式是指利用光电效应，将光信号转化为电信号的一种工作原理。

3.光电检测技术的应用领域有哪些？
光电检测技术广泛应用于工业自动化、安防监控、医疗器械、无人机、智能家居等领域。

例如，在工业自动化中，光电检测技术常常用于物体的检测、定位和计数；在安防监控中，光电检测技术可以用于人体、车辆和物体的检测和识别。

二、单选题
1.光电检测技术最常用的光源是：
A.白炽灯
B.激光器
C.红外LED
D.荧光灯
答案：C.红外LED
2.对于光电检测系统而言，以下哪个参数对系统性能影响最大：
A.光电传感器的灵敏度
B.光源的亮度
C.物体的反射率
D.环境光的干扰
答案：A.光电传感器的灵敏度
3.以下哪个光电传感器能够检测非接触式位置、速度和加速度：
A.光电开关。

光电技术试题和答案

三、名词解释：1、传感器：传感器是能感受规定的被测量并按照一定的规律将其转换成可用输出信号的器件或装置;2、重复性：用本方法在正常和正确操作情况下,由同一操作人员,在同一实验室内,使用同一仪器,并在短期内,对相同试样所作多个单次测试结果,在95%概率水平两个独立测试结果的最大差值3、线性度：测试系统的输出与输入系统能否像理想系统那样保持正常值比例关系线性关系的一种度量;2、正压电效应答：压电效应：某些电介质物体在沿一定方向受到压力或拉力作用时发生变形,并且在其表面上会产生电荷,若将外力去掉,它们又重新回到不带电的状态;具有压电效应材料有石英晶体、人工制造的压电陶瓷、锆钛酸铅等;逆压电效应：是指对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象四、简答题1、解释什么是传感器传感器的基本组成包括哪两大部分这两大部分各自起什么作用答：传感器是能感受规定的被测量并按照一定的规律将其转换成可用输出信号的器件或装置;通常传感器由敏感元件和转换元件组成;敏感元件是指传感器中能直接感受或响应被测量的部分,转换元件是指传感器中将敏感元件感受或响应的被测量转换成适于传输或测量的电信号部分;2、什么是传感器的静态特性,描述静态特性的技术指标有哪些答：传感器的静态特性是指被测量的值处于稳定状态时的输出—输入关系;与时间无关;主要性能指标有：线性度、灵敏度、分辨率、迟滞、重复性和量程等;3金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同答：金属电阻的应变效应主要是由于其几何形状的变化而产生的,半导体材料的应变效应则主要取决于材料的电阻率随应变所引起的变化产生的;4简要说明电容式传感器的工作原理;答：电容式传感能将被测量转换为传感器电容变化;传感器有动静两个板板,板板间的电容为;;;;;;当动板板运动或极板间的介质变化就会引起传感器电容值的变化,从而构成变极距式、变面积式和变介质型的电容式传感器;5、什么是电涡流效应答:根据法拉第电磁感应定律,块状金属导体置于变化的磁场中或在磁场中作切割磁力线运动时,导体内将产生呈漩涡状的感应电流,此电流叫电涡流,这种现象成为电涡流;6、石英晶体x、y、z轴的名称及其特点是什么X轴叫做电轴,y轴叫做机械轴,z轴叫做光轴;通常把沿电轴x方向的力作用下产生电荷的压电效应称为“纵向压电效应”,而把沿机械轴y方向上的力作用下产生电荷的压电效应称为“横向压电效应”;沿z轴方向的力作用时不产生压电效应;7、画出压电元件的两种等效电路8、画出压电式传感器中采用电荷放大器的电路图,并分析证明输出电压几乎不受联接电缆长度变化的影响;9．试说明压电式传感器中,压电片并联和串联后对测量的影响;答：压电元件能够方便地组合应用,起到提高电压输出灵敏度的作用,这是压电式传感器的一个特点;组合的基本方式有串联和并联;并联的特点是：输出电压相等,电容相加,总电荷量相加,因此输出的电荷量增加,适用于电荷输出场合;串联的特点是总电荷量不变,电压相加,电容减小,因此,电灵敏度提高,适用于电压输出场合10. 什么是霍尔效应答：在置于磁场的导体或半导体中通入电流,若电流与磁场垂直,则在与磁场和电流都垂直的方向上会出现一个电势差,这种现象就是霍尔效应,是由科学家爱德文·霍尔在1879年发现的;产生的电势差称为霍尔电压;11．光电效应有哪几种与之对应的光电元件各有哪些答：光电效应有外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种;基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等；基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏晶体管等；基于光生伏特效应的光电元件有光电池等;12、什么是内光电效应列举几种基于内光电效应工作的光电器件不少于三个;答：在光线作用下,物体的导电性能电阻率发生变化或产生光生电动势的现象称为内光电效应;包括光电导效应和光生伏特效应13、什么是外光电效应什么是内光电效应在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应;当光照射在物体上,使物体的电阻率ρ发生变化,或产生光生电动势的现象叫做内光电效应;根据工作原理的不同,内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类;。

光电技术自测题(全)含答案详解

第一部分自测题一、多项选择题1.下列选项中的参数与接收器有关的有（）A．曝光量 B.光通量 C.亮度 D.照度答案：AD2.光电探测器中的噪声主要包括（ABCDE ）A．热噪声 B.散粒噪声 C.产生复合噪声 D.1/f噪声E 温度噪声3.光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是（AB ）A．本征吸收 B.杂质吸收 C.激子吸收 D.自由载流子吸收E 晶格吸收二、单项选择题1.被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（）A．内光电效应 B. 外光电效应 C.光生伏特效应 D.丹培效应答案：B2.当黑体的温度升高时，其峰值光谱辐射出射度所对应的波长的移动方向为（）A.向短波方向移动B.向长波方向移动C.不移动D.均有可能答案：A3.已知某He-Ne激光器的输出功率为8mW，正常人眼的明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为683lm/W和1725lm/W，人眼明视觉光谱光视效率为0.24，则该激光器发出的光通量为（）A.3.31lxB.1.31lxC.3.31lmD.1.31lm答案：D4.半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。

A.价带，导带B.价带，禁带C.禁带，导带D.导带，价带答案：A5.一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方电压为答案BA 3nVB 4nVC 5nVD 6nV6.用照度计测得某环境下的照度值为1000lx，该环境可能是（B）A阳光直射B阴天室外 C 工作台 D 晨昏蒙影7.已知某辐射源发出的功率为1W，该波长对应的光谱光视效率为0.5，则该辐射源辐射的光通量为（B）A 683lm B341.5lm C 1276lm D 638lm8.为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是（D ）A 辐射照度B 辐射强度C 辐射出度D 辐射亮度9. 电磁波谱中可见光的波长范围为A0.38~0.78um B 0.38~1um C 1~3um D 8~12um答案：A10. 已知一束激光功率为30mW 、波长为0.6328um ，普朗克常数S h ⋅⨯=J 10626.634-则该激光束的光子流速率N 为（A ）。

光电技术试题.doc

光电技术自动成卷系统单选题（10题，20分）；简答题（5题，40分）；综合题（1题，15分）；计算题（1题，10分）；设计题（1题，15分）选择题（共10道，每题2分）1、锁定放大器是基于C A.自相关检测理论° B.互相关检测理论C C.直接探测量子限理论C I）.相干探测原理2、下列哪一种应用系统为典型的相干探测应用实例C A.照相机自动曝光C B.飞行目标红外辐射探测C C.激光陀螺测量转动角速度C D.子弹射击钢板闪光测量3、依据光电器件伏安特性，下列哪些器件不能视为恒流源：C A.光电二极管C B.光电三极管C C,光电倍增管C D.光电池4、对于P型半导体来说，以下说法不正确的是C A.空穴为多子，电子为少子B.能带图中费米能级靠近价带顶C.光照时内部不可能产生本征吸收J D.弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比5、在飞轮转速和方向的光电测量系统中，若光源采用激光二极管，激光波长632nm,输出光调制频率为lkl【z,探测器为CdSe光敏电阻,后接的检测电路为带通滤波放大器,其中心频率为Ikllz,带宽为lOOIlz。

这样，检测系统可以消除光敏电阻哪些噪声的影响？J A. 1/f噪声，热噪声C B.产生-复合噪声，热噪声° C.产生-复合噪声，热噪声C D. 1/f噪声，产生-复合噪声6、在非相干探测系统中J A.检测器能响应光波的波动性质，输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位C B.检测器只响应入射其上的平均光功率° C.具有空间滤波能力C D.具有光谱滤波能力7、关于半导体对光的吸收，下列说法正确的是A.半导体非本征吸收时，产生电子一空穴对C B.杂质半导体本材料不会发生本征吸收C C.半导体对光的吸收与入射光波长有关C D.非本征吸收时，吸收的能量全部转换为材料的热能8、下列关于热电偶和热电堆的说法不正确的是C A.热电堆的测景误差比热电偶小° B,热电堆的测量分辨率比热电偶高C.热电堆的光电灵敏度比热电偶高D.两者均基于光热效应9、下列哪一种探测器的积分灵敏度定标时，要用到色温2856K的白炽灯标准光源C A.热电偶C B.硫镉汞红外探测器C C. PMTc【）.热样电探测器10、克尔盒工作的基础是某些光学介质的C A.电光效应C B.磁光效应° c,声光效应C D.以上都不是简答题（共5道，每题8分）1、光电探测器的物理效应主要有哪几:类？每类有哪些典型效应？2、试说明热释电摄像管中的斩光器的作用。

光电检测技术期末试卷试题大全复习资料

1、光电器件的基本参数特性有哪些?（响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度）@响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应@噪声分类：热噪声散粒噪声产生-复合噪声 1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP2、光电信息技术是以什么为基础，以什么为主体，研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。

（光电子学光电子器件）3、光电检测系统通常由哪三部分组成（光学变换光电变换电路处理）4、光电效应包括哪些外光电效应和内光电效应）外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。

内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。

内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。

光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。

光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。

5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件，按用途可分为哪几种？（光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池）6、激光的定义，产生激光的必要条件有什么？（定义：激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔）7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出？（交变辐射）8、CCD是一种电荷耦合器件，CCD的突出特点是以什么作为信号，CCD的基本功能是什么？（电荷 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。

）9根据检查原理，光电检测的方法有哪四种。

（直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法）10、光热效应应包括哪三种。

（热释电效应辐射热计效应温差电效应）11、一般PSD分为两类，一维PSD和二维PSD，他们各自用途是什么？（一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置；二维PSD用来测定光点在平面上的坐标。

）12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器，它的结构特点是有一个真空管，其他元件都在真空管中，真空光电器件包括哪两类。

光电技术自测题(全)(答案参考)

光电技术自测题

光电技术⾃测题光电技术期中测验题⼀填空1在光辐射能的测量中，建⽴了两套参量和单位。

⼀套参量是（），适⽤于整个电磁波谱；另⼀套参量是（），适⽤于可见光波段。

2发光强度的单位是（），光通量的单位是（），光照度的单位是（）。

3本征吸收的长波限表达式为（）。

⾮本征吸收有（）、（）、（）、（）、（）等。

半导体对光的吸收主要是（）。

4半导体的光电效应主要有（）、（）、（）。

5 PN 结外加正偏电压时，耗尽区变（窄），结电容变（⼤）；PN 结外加反偏电压时，耗尽区变（⼤），结电容变（窄）。

6光⼦探测器输出光电流为0Φ=M h e Ip νη，其中M 指（光电增益），η指（量⼦效率）。

7光电探测器噪声主要有（热噪声）、（ 1/f 噪声）、（产⽣复合噪声）、（温度噪声）、（散粒噪声）。

8光电探测器的积分灵敏度与采⽤的光源有关。

通常测试光⼦探测器的积分灵敏度，辐射源采⽤（2856K 的⽩炽钨丝灯）；测试热探测器的积分灵敏度，辐射源采⽤（ 500K ⿊体）。

9激光器的基本组成包括三部分，分别为（⼯作物质）、（谐振腔）、（泵浦源）。

10可见光波长范围（ 0.38--0,。

78 ）。

紫外光波长范围（）。

红外光波长范围（）。

⼆单项选择1 海⽔可以视为灰体，300K 的海⽔与同温度的⿊体⽐较（）A 峰值辐射波长相同B 发射率相同C 发射率随波长变化D 都不能确定2 下列探测器最适合于作为光度量测量的探测器（）A 热电偶B 红外光电⼆极管C 2CR113蓝硅光电池D 杂质光电导探测器3 硅光⼆极管在适当偏置时，其光电流与⼊射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较⼤。

适当偏置是（）A 恒流B ⾃偏置C 零伏偏置D 反向偏置4 为了描述显⽰器的每个局部⾯元在各个⽅向的辐射能⼒，最适合的辐射度量是（）A 辐射照度B 辐射亮度C 辐射出度D 辐射强度5. 为了提⾼测辐射热计的电压响应率，下列⽅法中不正确的是（）A 将辐射热计制冷B 使灵敏⾯表⾯⿊化C 将辐射热计封装在⼀个真空的外壳⾥D 采⽤较粗的信号导线6. 光谱光视效率V(505nm)=0.40730，波长为505nm 、1mW 的辐射光，其光通量为（）A 683lmB 0.683lmC 278.2 lmD 0.2782 lm7. 下列探测器的光－电响应时间，由少数载流⼦的寿命决定：（）A 线性光电导探测器B 光电⼆极管C 光电倍增管D 热电偶和热电堆8. 下列光电器件, 哪种器件正常⼯作时需加100-200V的⾼反压（）A Si光电⼆极管B PIN光电⼆极管C雪崩光电⼆极管 D 光电三极管9.有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是（）A 半导体对光的吸收主要是⾮本征吸收B 本征半导体和杂质半导体内部都可能发⽣本征吸收C 产⽣本征吸收的条件是⼊射光⼦的波长要⼤于波长阈值D 产⽣本征吸收的条件是⼊射光⼦的频率要⼩于频率阈值10. 在常温下，热探测器的 D*~108--109cm·Hz1/2/W ，⽽ D* 的极限值可达到1.8×1010cm·Hz1/2/W。

《光电技术》测试题及参考答案

（答案：y）
7、光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动。
（答案：n）
8、光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随
之升高。
（答案：y）
9、光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。（答案：n）
（以上是第三章）
1、光伏器件的自偏置电路主要用于（）器件
1、为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合
的辐射度量是（）
（答案：D）
D、辐射亮度
2、已知某辐射源发出的功率为 1W，该波长对应的光谱光视效率为
0.5，则该辐射源辐射的光通量为（）
（答案：B）
B、341.5lm
3、半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的
5、假设某只 CdS 光敏电阻的最大功耗是 30mW，光电导灵敏度
Sg=0.5uS/lx，暗电导 g0=0。当 CdS 光敏电阻上的偏置电压为 20V 是
的极限照度为（）。
（答案：D）
D、150lx 和 22500lx
6、光电导探测器的特性受工作温度影响（）。
点位置敏感的光电器件。
（答案：y）
4、光电池通常工作在自偏置状态，用作弱光信号的线性测量或强光
信号的存在探测。
（答案：y）
5、硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。
（答案：n）
6、用双结光电二极管作颜色测量时，可以测出其中两个硅光电二极
管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。
1、可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，
自由载流子吸收和晶格吸收。

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光电技术复习题第一部分自测题一、多项选择题1.下列选项中的参数与接收器有关的有（AD ）A．曝光量 B.光通量 C.亮度 D.照度2.光电探测器中的噪声主要包括（ABCDE ）A．热噪声 B.散粒噪声 C.产生复合噪声 D.1/f噪声E 温度噪声3.光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是（AB ）A．本征吸收 B.杂质吸收 C.激子吸收 D.自由载流子吸收E 晶格吸收二、单项选择题1.被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（B）A．内光电效应 B. 外光电效应 C.光生伏特效应 D.丹培效应2.当黑体的温度升高时，其峰值光谱辐射出射度所对应的波长的移动方向为（A）A.向短波方向移动B.向长波方向移动C.不移动D.均有可能3.已知某He-Ne激光器的输出功率为8mW，正常人眼的明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为683lm/W和1725lm/W，人眼明视觉光谱光视效率为0.24，则该激光器发出的光通量为（D）A.3.31lxB.1.31lxC.3.31lmD.1.31lm4.半导体（A）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。

A.价带，导带B.价带，禁带C.禁带，导带D.导带，价带5.一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方电压为(B)A 3nVB 4nVC 5nVD 6nV6.用照度计测得某环境下的照度值为1000lx，该环境可能是（B）A阳光直射 B阴天室外 C 工作台 D 晨昏蒙影7.已知某辐射源发出的功率为1W，该波长对应的光谱光视效率为0.5，则该辐射源辐射的光通量为（B）A 683lm B341.5lm C 1276lm D 638lm8.为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是（D ）A 辐射照度B 辐射强度C 辐射出度D 辐射亮度9. 电磁波谱中可见光的波长范围为(A)A0.38~0.78um B 0.38~1um C 1~3um D 8~12um10. 已知一束激光功率为30mW 、波长为0.6328um ，普朗克常数S h ⋅⨯=J 10626.634-则该激光束的光子流速率N 为（A ）。

A. 9.55×1016个/秒B. 9.55×1019个/秒C. 2.87×1025个/秒D. 2.87×1022个/秒11. 某半导体光电器件的长波限为13um ，其杂质电离能i E ∆为（B ）A. J 095.0B. eV 095.0C. J 4105.9⨯D. eV 4105.9⨯ 12. 100W 标准钨丝灯在0.2sr 范围内所发出的辐射通量为（A ）A. W 592.1B. lm 223.27C. W 184.3D. W 223.2713. 已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K 标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为uW uA S e /5=，lm A o S v /4.=，则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（B ）A. 甲场灵敏度高B. 乙场灵敏度高C. 甲乙两场灵敏度一样高D. 无法比较 14. 光电发射材料CsSb K 2的光电发射长波限为680nm ，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（D ）A. J 31082.1⨯B. eV 31082.1⨯C. J 82.1D. eV 83.115. 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um ，则该材料的禁带宽度为（B ）A. J 886.0B. eV 886.0C. J 886D. eV 886三、判断题1. 比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。

（错）2. 探测率是一个反映探测器探测能力的物理量，探测率越大，说明探测器的探测能力越强。

（对）3. 噪声等效功率是信噪比为1时，入射到探测器上的信号辐射通量。

（对）4. 1/f 噪声是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。

（对）5. 量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。

（对）6. 若金属溢出功为W ，则长波限为1.24/W(nm).(错)7. 光通量的单位是坎德拉。

(错)8. 辐射通量与光通量的单位是相同的。

(错)9. 朗伯辐射体的辐射出射度等于他的辐射亮度。

（错）10. 被照明物体表面的辐射照度和光源与物体表面的距离平方成反比。

（对）11. 辐射出射度Me 与辐射照度Ee 的定义式都是：某点处面元的辐通量e d Φ除以改面元的面积dA 的商，所以这两个物理量是具有相同的概念。

（错）12. 发光方式主要有电致发光，光致发光，化学发光和热发光。

（对）13. 发光强度的单位是坎德拉（cd ）,其定义为：在给定方向上能发射Hz 1210540 的单色辐射源，在此方向上的辐强度为（1/683）W/sr ，其发光强度定义为1cd 。

（对）14. 在对具有一定量度和颜色的非黑体辐射体的温度标测中，亮温度与实际温度的偏差最小，色温度次之，辐射温度与实际温度的偏差最大。

（错）15. 波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。

（错）16. 杂志吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。

（对）17. 可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。

（错）18. 在弱辐射作用的情况下，半导体的光电导效应与入射辐射通量的关系是线性的。

（对）19. 光生伏特效应能将光能转换成电能。

（对）20. 外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。

（错）第二部分常用光辐射源自测题一、多项选择题1.常用的激光器有（ACDE ）A. 气体激光器B.液体激光器C.固体激光器D.染料激光器 E 半导体激光器2.按发光机理分类，常用光源有（ABCD ）A. 发光二极管B.激光器C.气体放电D.热辐射 E 太阳二、单项选择题1.低压汞灯光谱为（A ）。

A. 线状光谱B.带状光谱C.连续光谱D.混合光谱2.高压钠灯光谱为（B ）。

A. 线状光谱B.带状光谱C.连续光谱D.混合光谱3. 高压钠灯光谱为（B ）。

A. 线状光谱B.带状光谱C.连续光谱D.混合光谱4.白炽灯光谱为（ C ）A. 线状光谱B.带状光谱C.连续光谱D.混合光谱5. 荧光灯光谱为（ D ）A. 线状光谱B.带状光谱C.连续光谱D.混合光谱6.某光源的发光效率为90~100lm/W ，该光源可能是（ C ）A. 普通荧光灯B.高压汞灯C.高压钠灯D.卤钨灯7.连续波半导体激光器输出功率约为（ B ）A. 小于1mWB.几毫瓦到数百毫瓦C.几瓦D.几百瓦8. 黑体是指（ B ）A.反射为1B.吸收为1C.黑色的物质D.不发射电磁波三、判断题1.发光效率是光源发射的光通量与所需的电功率之比。

（对）2.GaAs的开启电压约为1V。

（对）3.物体温度升高时，辐射峰值波长向长波方向移动。

（错）4.氮化物蓝或紫LED的管芯中加上三基色荧光粉可激发出白光，成为白光LED。

（对）5.超高亮度LED是指辐射功率高，法向发光强度在1000mcd以上的LED，光效可以达到50~100lm/W。

（对）6.发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。

（错）7.LED发出的光是基于受激辐射，发出的是相干光。

（错）8.普通钨丝灯的发光效率约为8~18lm/W。

（对）9.LED的寿命通常小于106小时。

（错）10.通常利用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。

（对）第三部分光电导探测器自测题一、多项选择题1.下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（ BCDE）A．锗掺汞 B.硫化镉 C.硫化铅 D.锑化汞 E 碲鎘汞2.光电导器件的噪声主要有（ ABC ）A．热噪声 B.1/f噪声 C.产生与复合噪声 D.散粒噪声二、单项选择题1.光电导的单位（ B ）A.欧姆B.西门子C.流明 D 勒克斯2.氮化镓光电导器件的光谱响应范围为（ A ）A.200~365nmB.400~700nmC.700~1100nm D 1~7um3.硫化镉光电导器件的光谱响应范围为（ B ）A.200~365nmB.400~700nmC.700~1100nm D 1~7um4.常温硫化铅光电导器件的光谱响应范围为（ D ）A.200~365nmB.400~700nmC.700~1100nm D 0.4~3um5. 常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为（ C ）A.200~365nmB.400~700nmC.1~7.5um D 0.4~3um6.设某光敏电阻在100lx 光照下的阻值为2Ωk ，且已知它在90~120lx 范围内的9.0=γ。

则该光敏电阻在110lx 光照下的阻值为（C ）。

A ．2224.6ΩB ．1999.9Ω C. 1873.8 Ω D.935.2Ω7. 假设某只CdS 光敏电阻的最大功耗是30mW ，光电导灵敏度lx S S g /105.06-⨯=，暗电导00=g 。

当CdS 光敏电阻上的偏置电压为20V 是的极限照度为（D ）。

A. 150lxB.22500lxC.2500lxD. 150lx 和22500lx8.光电导探测器的特性受工作温度影响（B ）。

A.很小B.很大C.不受影响D.不可预知三、判断题1.由于电子的迁移率比空穴大，因此通常用P 型材料制成光电导器件。

（错）2.本征光电导器件的长波限可以达到130um 。

（错）3.弱辐射情况下，本征光电导与入射辐射通量成正比。

（对）4.材料确定后，光敏电阻的光照指数是一个常数。

（错）5.前历效应是指光电导探测器的时间特性与工作前历史有关的一种现象。

（对）6.光电导器件的时间响应都较小，适合于探测窄脉冲光信号。

（错）7.当光电导器件接收交变调制光时，随调制光频率的增加，其输出会减小。

（对）8.光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动。

（错）9光敏电阻光敏面做成蛇形状，有利于提高灵敏度。

（对）10.光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。

（错）11. 光电导器件在方波辐射的作用下，其上升时间大于小将时间。

（错）12. 在测量某光电导器件的γ值时，背景光照越强，其γ值越小。

（对）13. 光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。

（错）14. 光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。

（对）15. 光敏电阻的前例效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合而需要很长的时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴的浓度与复合机率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。