固体物理学06_02
固体物理学答案 黄昆原著 韩汝琦改编

《固体物理学》习题解答黄昆 原著 韩汝琦改编第一章 晶体结构1.1、解:实验表明,很多元素的原子或离子都具有或接近于球形对称结构。
因此,可以把这些原子或离子构成的晶体看作是很多刚性球紧密堆积而成。
这样,一个单原子的晶体原胞就可以看作是相同的小球按点阵排列堆积起来的。
它的空间利用率就是这个晶体原胞所包含的点的数目n 和小球体积V 所得到的小球总体积nV 与晶体原胞体积Vc 之比,即:晶体原胞的空间利用率,VcnVx = (1)对于简立方结构:(见教材P2图1-1) a=2r , V=3r 34π,Vc=a 3,n=1∴52.06r8r34a r 34x 3333=π=π=π=(2)对于体心立方:晶胞的体对角线BG=x 334a r 4a 3=⇒= n=2, Vc=a 3∴68.083)r 334(r 342a r 342x 3333≈π=π⨯=π⨯=(3)对于面心立方:晶胞面对角线BC=r 22a ,r 4a 2=⇒= n=4,Vc=a 374.062)r 22(r 344a r 344x 3333≈π=π⨯=π⨯= (4)对于六角密排:a=2r 晶胞面积:S=6260sin a a 6S ABO ⨯⨯=⨯∆=2a 233 晶胞的体积:V=332r 224a 23a 38a 233C S ==⨯=⨯ n=1232126112+⨯+⨯=6个74.062r224r 346x 33≈π=π⨯= (5)对于金刚石结构,晶胞的体对角线BG=3r 8a r 24a 3=⇒⨯= n=8, Vc=a 334.063r 338r 348a r 348x 33333≈π=π⨯=π⨯=1.2、试证:六方密排堆积结构中633.1)38(ac 2/1≈=证明:在六角密堆积结构中,第一层硬球A 、B 、O 的中心联线形成一个边长a=2r 的正三角形,第二层硬球N 位于球ABO 所围间隙的正上方并与这三个球相切,于是: NA=NB=NO=a=2R.即图中NABO 构成一个正四面体。
物理吸附

应用
应用
物理吸附在化学工业、石油加工工业、农业、医药工业、环境保护等部门和领域都有广泛的应用,最常用的 是从气体和液体介质中回收有用物质或去除杂质,如气体的分离、气体或液体的干燥、油的脱色等。物理吸附在 多相催化中有特殊的意义,它不仅是多相催化反应的先决条件,而且利用物理吸附原理可以测定催化剂的表面积 和孔结构,而这些宏观性质对于制备优良催化剂,比较催化活性,改进反应物和产物的扩散条件,选择催化剂的 载体以及催化剂的再生等方面都有重要作用。
化学吸附的研究可分为宏观理论、微观理论、统计理论三个方面。本文着重从微观角度对化学吸附进行介绍, 因为它可以使人们从更深的层次去认识化学吸附的反应机制,从而使在这方面的研究不但具有理论意义,同单分子层吸附;吸附热与化学反应热相当;有选择性;大多为不可逆吸附; 吸附层能在较高温度下保持稳定等。化学吸附又可分为需要活化能的活化吸附(activated adsorption)和不需 活化能的非活化吸附(non-activated adsorption),前者吸附速度较慢,后者则较快。
简介
简介
同一物质,可能在低温下进行物理吸附而在高温下为化学吸附,或者两者同时进行。吸附作用的大小跟吸附 剂的性质和表面的大小、吸附质的性质和浓度的大小、温度的高低等密切相关。如活性炭的表面积很大,吸附作 用强;活性炭易吸附沸点高的气体,难吸附沸点低的气体。
吸附质分子与吸附剂表面原子或分子间以物理力进行的吸附作用。这种物理力是范德瓦耳斯力,它包括色散 力、静电力和诱导力。对于极性不大的吸附质和吸附剂,色散力在物理吸附中起主要作用。当极性分子与带静电 荷的吸附剂表面相互作用,或因吸附质与吸附剂表面分子作用,使二者的电子结构发生变化而产生偶极矩时,定 向力和诱导力在物理吸附中也有重要作用。有时吸附质分子与吸附剂表面以形成氢键的形式发生物理吸附。
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05 4 . 5 能 带理 论的其
他近似方法
02 4 . 2 周 期场 中单电
子状态的一般属性
04 4 . 4 紧 束缚 近似
06 4 . 6 晶 体中 电子的
准经典运动
第一部分
第4章能带理论
4.7固体导电性能的能 带论解释
本章要点
习题
4.8能态密度 思考题
第一部分
第5章金属电子论
01 5 . 1 金 属电 子的统
实验测定
06 3 . 6 晶 格振 动的热
力学函数模式密度
第一部分
第3章晶格振动与晶体的 热学性质
1 3.7晶格热 容
3.8晶体的
2 状态方程 和热膨胀
3 3.9晶格热 传导
4 本章要点
5 思考题
6 习题
第一部分
第4章能带理论
01 4 . 1 能 带理 论的基
本假定
03 4 . 3 近 自由 电子近
2.3晶体结合类型与原 子的负电性
思考题
2.2晶体结合的基本类 型及特性
本章要点
习题
第一部分
第3章晶格振动与晶体的热学性质
01 3 . 1 一 维晶 格振动
02 3 . 2 三 维晶 格振动
03 3 . 3 正 则坐 标与声
子
05 3 . 5 离 子晶 体中的
长光学波
04 3 . 4 晶 格振 动谱的
计分布费米能
03 5 . 3 金 属费 米面的
试验测定
05 5 . 5 功 函数 接触电
势
02 5 . 2 金 属的 费米面
04 5 . 4 金 属的 电导与
热导
06 5 . 6 金 属的 光学性
形核ppt

固体物理学基础
1 2
固体的结构和性质
介绍了固体的基本结构、性质和分类,包括金 属、半导体、绝缘体等。
固体中的电子结构和相互作用
探讨了固体中电子的能带结构、电子-电子相互 作用以及电子-声子相互作用等。
3
固体物理学与形核
简述了固体物理学在形核过程中的作用和影响 ,包括对原子排列和运动状态的影响。
材料科学基础
热力学条件
热力学条件如自由能的改变也会影响形核。在凝固过程中, 由于相变引起自由能的改变,使得原子倾向于在界面处形核 。
压强因素
气压影响
气压会影响物质的熔点和沸点,从而影响凝固过程中的形核。在高压环境下,物 质的熔点会升高,有利于形核。
压强分布
压强分布也会影响形核。在压强分布不均匀的情况下,压强梯度会驱动物质流动 ,影响形核过程。
介绍了热力学的基本概念和定律,包括能量守恒、熵增原理、热 力学第一定律等。
热力学在材料科学中的应用
探讨了热力学在材料科学中的应用,包括相变、热膨胀、热传导 等。
热力学与形核
简述了热力学对形核过程中的作用和影响,包括对形核驱动力和 形核过程的影响。
03
形核的相关因素
温度因素
温度梯度
温度梯度是影响形核的关键因素之一。在金属凝固过程中, 由于固液界面的存在,温度梯度使得原子在界面处积聚,形 成晶体核心。
规律和机制等方面。
02
形核的理论基础
量子力学基础
量子力学的发展
01
介绍了量子力学的起源、发展和应用,以及量子力学的基本原
理和重要理论。
量子力学与材料科学
02
探讨了量子力学在材料科学中的应用,包括对材料性质的解释
和预测。
固体物理学题库

固体物理学题库固体物理学题库 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN⼀、填空1. 固体按其微结构的有序程度可分为_______、_______和准晶体。
2. 组成粒⼦在空间中周期性排列,具有长程有序的固体称为_______;组成粒⼦在空间中的分布完全⽆序或仅仅具有短程有序的固体称为_________。
3. 在晶体结构中,所有原⼦完全等价的晶格称为______________;⽽晶体结构中,存在两种或两种以上不等价的原⼦或离⼦的晶格称为____________。
4晶体结构的最⼤配位数是____;具有最⼤配位数的晶体结构包括______________晶体结构和______________晶体结构。
5. 简单⽴⽅结构原⼦的配位数为______;体⼼⽴⽅结构原⼦的配位数为______。
6.NaCl 结构中存在_____个不等价原⼦,因此它是_______晶格,它是由氯离⼦和钠离⼦各⾃构成的______________格⼦套构⽽成的。
7. ⾦刚⽯结构中存在______个不等价原⼦,因此它是_________晶格,由两个_____________结构的布拉维格⼦沿空间对⾓线位移1/4的长度套构⽽成,晶胞中有_____个碳原⼦。
8. 以结晶学元胞(单胞)的基⽮为坐标轴来表⽰的晶⾯指数称为________指数。
9. 满⾜2,2,1,2,3)0i j ij i j a b i j i j ππδ=??===?≠?当时(,当时关系的123,,b b b 为基⽮,由112233h K hb h b h b =++构成的点阵,称为_______。
10. 晶格常数为a 的⼀维单原⼦链,倒格⼦基⽮的⼤⼩为________。
11. 晶格常数为a 的⾯⼼⽴⽅点阵初基元胞的体积为_______;其第⼀布⾥渊区的体积为_______。
12. 晶格常数为a 的体⼼⽴⽅点阵初基元胞的体积为_______;其第⼀布⾥渊区的体积为_______。
物理学

研究方法
物理学的方法和科学态度:提出命题 →理论解释 →理论预言 →实验验证 →修改理论。
现代物理学是一门理论和实验高度结合的精确科学,它的产生过程如下:
●学习物理的方法
著名物理学家费曼说:“科学是一种方法。它教导人们:一些事物是怎样被了解的,什么事情是已知的,了 解到了什么程度,如何对待疑问和不确定性,证据服从什么法则;如何思考事物,做出判断,如何区别真伪和表 面现象?”著名物理学家爱因斯坦说:“发展独立思考和独立判断的一般能力,应当始终放在首位,而不应当把 专业知识放在首位。如果一个人掌握了他的学科的基础理论,并且学会了独立思考和工作,他必定会找到自己的 道路,而且比起那种主要以获得细节知识为其培训内容的人来,他一定会更好地适应进步和变化。”
其次,物理又是一种智能。
诚如诺贝尔物理学奖得主、德国科学家玻恩所言:“如其说是因为我发表的工作里包含了一个自然现象的发 现,倒不如说是因为那里包含了一个关于自然现象的科学思想方法基础。”物理学之所以被人们公认为一门重要 的科学,不仅仅在于它对客观世界的规律作出了深刻的揭示,还因为它在发展、成长的过程中,形成了一整套独 特而卓有成效的思想方法体系。正因为如此,使得物理学当之无愧地成了人类智能的结晶,文明的瑰宝。
●量子力学(quantum mechanics)与量子场论(quantum field theory)研究微观尺度下物质的运动现 象以及基本运动规律。
此外,还有:
粒子物理学、原子核物理学、原子与分子物理学、固体物理学、凝聚态物理学、激光物理学、等离子体物理 学、地球物理学、生物物理学、天体物理学等。
5.预测性:正确的物理理论,不仅能解释当时已发现的物理现象,更能预测当时无法探测到的物理现象。例 如:麦克斯韦电磁理论预测电磁波存在、卢瑟福预言中子的存在、菲涅尔的衍射理论预言圆盘衍射中央有泊松亮 斑、狄拉克预言电子的存在。
固体物理学中平衡态的热力学条件分析

收稿日期:2004-06-14;修回日期:2005-02-12 基金项目:教育部国家理科基地创建名牌课程项目;北京师范大学创新研究群体资助项目 作者简介:刘惠民(1956—),男,山东海阳人,北京师范大学物理系工程师.固体物理学中平衡态的热力学条件分析刘惠民,田 强(北京师范大学物理系,北京 100875) 摘要:在具体分析和讨论肖特基缺陷热平衡浓度的热力学平衡条件的基础上,指出其热力学平衡条件是自由焓Φ最小的态;对于固体物理学中采用自由能F 最小作为热力学平衡态的条件进行了分析和讨论,在压强为大气压或压强足够低的条件下,自由焓Φ最小近似为自由能F 最小.关键词:固体物理;平衡态;自由能中图分类号:O 481 文献标识码:A 文章编号:100020712(2005)0620014202 固体物理学在讨论肖特基缺陷(单空位)热平衡浓度、弗仑克尔缺陷热平衡浓度等问题时,采用的热力学平衡条件为自由能F 最小[1~3],在讨论有限固溶体、连续固溶体、高温熔化的相平衡条件时,采用的也是自由能F 最小[4];但是,自由能F 最小是等温不作宏观功的系统达到平衡态的条件,而固体物理学的上述几个问题中,固体的体积都要发生变化,都存在宏观的膨胀功.本文将在具体分析和讨论肖特基缺陷热平衡浓度的热力学平衡条件的基础上,对于固体物理学中采用自由能F 最小作为热力学平衡态的条件进行分析和讨论.1 平衡态热力学条件的基本分析热力学基本等式与不等式为[5]d U ≤T d S -δA(1)对于固体物理学中的上述几个问题,除了体积变化时压强作的膨胀功以外,无其他广义力作功,故上式简化为d U ≤T d S -p d V(2)对于温度与压强均匀的系统,将上式的自变量S 、V 变换为T 、p ,得到d Φ≤-S d T +V d p(3)其中Φ=U -TS +pV 为自由焓,或称为吉布斯自由能.对于等温等压没有非膨胀功的系统,过程进行的方向由d Φ≤0(4)决定;当自由焓Φ达到最小值时,系统达到平衡态,平衡态对应于自由焓Φ最小的态.而对于温度均匀的系统,有d F ≤-S d T -p d V(5)其中F =U -TS 为亥姆霍兹自由能,通常简称为自由能.对于等温不作宏观功的系统,过程进行的方向由d F ≤0(6)决定;当自由能F 达到最小值时,系统达到平衡态,这时,平衡态对应于自由能F 最小的态.2 肖特基缺陷热平衡浓度问题的热力学条件分析 对于有N 个原子的简单晶体,晶体体积为N Ω,其中Ω是原胞体积.在一定温度下,晶体中会存在一定量的空位,即肖特基缺陷,空位数n 由热力学平衡条件来确定.晶体是一个温度与压强均匀的系统,在空位产生的前后,晶体的体积由N Ω增大为(N +n )Ω,对外作功p 0ΔV =p 0n Ω(7)其中p 0是大气压.这不是一个等温不作宏观功的系统,其平衡态不能直接根据自由能F 最小来决定;这时,平衡态对应于自由焓Φ最小的态.对于有n 个空位的晶体,自由焓Φ为Φ=Φ0+nw +k B T ln (N +n )!N !n !+p 0n Ω(8)其中Φ0=U 0+p 0N Ω是晶体无空位时的自由焓,第24卷第6期大 学 物 理Vol.24No.62005年6月COLL EGE PHYSICS J une.2005U 0是晶体无空位时的内能,w 是一个空位的形成能.将上式对n 求导,得到自由焓Φ取极小值时的空位数为n =N exp -w +p 0Ωk B T(9)下面作一定量分析.一个空位形成能w 的典型数值[3]为1eV =116×10-19J ,一般无机晶体原胞体积Ω的数量级为1nm 3,大气压p 0=11013×105Pa ,则p 0Ω=11013×10-22J即p 0Ω比空位形成能w 小3个数量级,所以w +p 0Ω≈w ,故式(9)可以写为n =N exp-w k B T(10)该式与根据自由能F 最小条件得到的结果[1~3]一致.3 分析和结论1)对于肖特基缺陷热平衡浓度问题,固体材料是一个温度与压强均匀的系统,在肖特基缺陷产生的前后,晶体的体积会有一定的变化,压强对外作膨胀功,平衡态对应于自由焓Φ最小的态.在通常的大气压或压强足够低的情况下,由自由焓Φ最小条件得到的肖特基缺陷热平衡浓度与根据自由能F 最小条件得到的结果相一致,换句话说,根据自由能F 最小讨论肖特基缺陷热平衡浓度的条件是压强为大气压或压强足够低.2)与肖特基缺陷热平衡浓度问题类似,固体物理学中的弗仑克尔缺陷热平衡浓度问题和有限固溶体、连续固溶体、高温熔化的相平衡条件等问题,其热力学平衡条件都应是自由焓Φ最小;但是由于通常压强为大气压,且固体体积变化不大,由自由焓Φ最小条件得到的结果可以很好地近似为自由能F 最小条件得到的结果.实际上,对于固体材料,由于压强为大气压或压强足够低且固体体积变化不大,因而p d V 与d U 及T d S 相比较,p d V 通常为小量,可以忽略[6];这时,式(2)可简化为d U ≤T d S (11)对于温度均匀的系统,将上式的自变量S 变换为T ,得到d (U -TS )≤-S d T(12)固体中等温过程进行的方向由d (U -TS )≤0(13)决定,即自由能F =U -TS 达到最小值时,系统达到平衡态.所以,固体物理学中的一些平衡态,经常采用自由能F 最小作为热力学平衡条件.参考文献:[1] 黄昆,韩汝琦.固体物理学[M ].北京:高等教育出版社,1988.543~544.[2] 方俊鑫,陆栋.固体物理学[M ].上海:上海科学技术出版社,1980.157~159.[3] 马本 ,杨先发,等.固体物理基础[M ].北京:高等教育出版社,1992.63~65.[4] 黄昆,韩汝琦.固体物理学[M ].北京:高等教育出版社,1988.572~577.[5] 马本 ,高尚惠,孙煜.热力学与统计物理学[M ].北京:人民教育出版社,1980.56~60.[6] Dekker A J.固体物理学[M ].高联佩译.北京:科学出版社,1965.566~567.The analysis of thermodynamic equilibrium conditions in solid state physicsL IU Hui 2min ,TIAN Qiang(Department of Physics ,Beijing Normal University ,Beijing 100875,China )Abstract :The thermo 2equilibrium density of Schottky defect is discussed.The thermodynamic equilibrium condition should be the minimization of free enthalpy.In the condition of atmosphere or low pressure ,the condi 2tion of the minimization of free enthalpy is approximated to the minimization of free energy.K ey w ords :solid state physics ;equilibrium condition ;free energy第6期 刘惠民等:固体物理学中平衡态的热力学条件分析15。
固体物理金属电子论作业答案

E48 1040 F m 2 105V m 1 9.25 1017 m 1.6 1019 C
Cl+离子位移:
l
Eeff
q
3.29 1040 F m 2 105V m 1 2.06 1016 m 1.6 1019 C
2m 2 9.1110 kg
8.711019 J 5.44eV
EF 0 8.7110 19 J TF 63116 K 23 k B 1.38 10 J / K
2)费米波矢
k F 3 n
2
1/ 3
(3 3.142 5.86 1022 cm3 )1/ 3 1.20 108 cm1
•传统硅基集成电路的栅介电材料和互连介质材料均为SiO2,但随集成度的提高, 需要提高栅介电的介电常数,而互连介质的介电常数最好能降低。根据克劳修斯莫索提关系,请试给出你认为可行的技术措施。 答:根据克劳修斯-莫索提关系,介电常数与原子密度和原子极化率有关。 提高介电常数:掺N(致密度或极化率提高)或采用其它氧化物(ZrO2、HfO2等) 降低介电常数:掺F(利用F离子强束缚电子特性降低极化率)或制备多空SiO2或 采用有机材料。
3) 费米速度
0 2 EF k F 1.05 10 34 J s vF 1.20 1010 m 1 m m 9.1110 31 kg
1.38 106 m / s 1.38 108 cm / s
3.用a3代表每个原子占据的体积,若金属中的自由电子气体在温 度为0K时能级被填充到kF0=(62)1/3/a,试计算每个原子的价电子 数目?并导出电子气在温度0K时的费米能的表达式? 解:假设价电子数位Z,则电子浓度为: n
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∫ dv
mv > χ
2
x
( − qv x )e
− k T j = − n0 q( B )1/ 2 e kBT 2π m
χ
在经典电子论中,功函数 W = χ —— 势阱的深度 V 量子理论热电子发射电流密度的计算 经典电子论中的电子相当于导带中的电子,导带底与势阱对应, χ 为导带底的一个电子离开金属必 须作的功(有时也称电子的真空能级) 。如图 XCH006_008 所示。
固体物理学_黄昆_第六章 金属电子论_20050406
§ 6.2 功函数和接触势差 1. 热电子发射和功函数
− W k BT
实验指出,热电子发射电流密度: j ~ e
—— W:功函数
—— 金属中,电子处于势阱高度为 χ (正离子的吸引) ,如图 XCH006_008 所示,当电子从外界获 得足够的能量,有可能脱离金属,产生热电子发射电流。 V 经典电子论热电子发射电流密度的计算 势阱中的电子服从麦克斯韦速率分布率,速度在
VB < 0 。 − qVB > 0
两块金属中的电子分别具有附加的静电势能: − qV A < 0 and
I1′ =
此时金属 A 和金属 B 发射电子数:
4π m( k BT ) 2 q − e (2π =)3
WA + qV A k BT
4π m( k BT ) 2 q − ′= I2 e (2π =)3
根据金属中电子气模型,电子的能量: E =
=2k 2 2m
K 1 dE ( k ) K =k ,v = 电子的速度: v ( k ) = = dk m
电子的动量: p = =k-1-
CREATED BY XCH
固体物理学_黄昆_第六章 金属电子论_20050406
单位时间从金属 B 单位表面逸出的电子数: I 2 =
如图 XCH006_011 所示,两种金属的费密能级不同,电子从费密能高的金属流向费密能低的金属。
REVISED TIME: 05-5-12
-3-
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固体物理学_黄昆_第六章 金属电子论_20050406
如果 W A < WB , 从金属 A 逸出的电子数大于从金属 B 逸出的电子数,金属 A 接触面带正电,金属 B 接触面带负电,它们分别产生的静电势: V A > 0,
接触电势差来源于两块金属的费米能级不一样高。 电子从费米能级较高的金属流向费米能级较低的金 属,达到平衡时,电子不再流动,两块金属的费米 能级相同,接触电势差只好补偿了原来两块金属的 费米能级差。如图 XCH006_012 所示。 —— 脱出功为电子的真空能级 χ 与费米能级 E F 之 差: W =
χ
3
k T 1/ 2 − k T 从 j = − n0 q( B ) e B 直接写出量子理论的计算结 2πm
果:
4π m( k BT ) 2 q − j=− e (2π =)3
功函数: W = χ − E F
χ − EF
k BT
—— 如图 XCH006_009 所示
REVISED TIME: 05-5-12
电子的能量: E =
1 2 mv 2
K
单位体积(V=1)中,在 dk = dk x dk y dk z 中量子态数: dZ = 2 ⋅
1 ( 2π )
K d k 3
K K 1 K K =k 由v = , k = mv —— 两边微分得到: = m
dk x =
1 1 1 mdv x , dk y = mdv y , dk z = mdv z = = = m 3 K ) dv 2π=
-2-
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固体物理学_黄昆_第六章 金属电子论_20050406
2. 不同金属中电子的平衡和接触电势 任意两块不同的金属 A 和 B 相互接触,或用导线连接,由于两块金属的费米能级不同,当相互接触 时可以发生电子交换,电子从费米能级较高的金属流向费米能级较低的金属,使一块金属的接触面 带正电(电子流出的金属) ,使另一块金属的接触面带负电(电子流入的金属) ,当两块金属达到平 衡后,具有相同的费米能级,电子不再流动交换。因此在两块金属中产生了接触电势差。如图 XCH006_010_01 和 XCH006_010_02 所示。
1 e
1 ( mv 2 − E F ) / k BT 2
dZ = 2 ⋅ (
费米分布函数: f ( v ) =
+1
m 3 K ) dv = dv x dv y dv z 内统计平均电子数: dZ = 2 ⋅ ( 2π = 1 2 mv − E F >> k B T 2
1 e
1 ( mv 2 − EF ) / k BT 2
K K K v → v + dv 区间的电子数密度:
3 mv 2
m 2 − 2 k BT K K dn = n0 ( ) e dv , dv = dv x dv y dv z 2πk B T
m 2 电子沿 X 方向发射,发射电流密度: j = n0 ( ) dv y ∫ dv z 2πk B T −∫ 1 ∞ −∞
WB + qVB k BT
′ = I2 ′ ⎯⎯ 当两块金属达到平衡时: I1 → WA + qVA = WB + qVB
接触电势差: VA − VB =
1 (WB − WA ) —— 将 WA = χ − EFA and WB = χ − EFB 代入得到: q
VA − VB =
1 ( EFA − EFB ) q
V 接触电势差的计算 —— 如果两种金属的真空能级相同,即:
χ A = χB = χ
4π m( k BT ) 2 q − kBA e T —— WA = χ − EFA 3 (2π =) 4π m( k BT ) 2 q − kBA e T —— WB = χ − EFB 3 (2π =)
W W
单位时间从金属 A 单位表面逸出的电子数: I1 =
χ − EF χ A − E FA and WB = χ B − EFB
—— 如果两种金属的真空能级不同,即: WA =
接触电势差: VA − VB =
1 1 ( EFA − E FB ) + ( χ B − χ A ) q q
REVISED TIME: 05-5-12
-4-
CREATED BY XCH
K dv +1
离开金属表面电子的能量满足:
mv 2 / k BT K m 2 − mv 2 / 2 k BT K m 3 EF / k BT − 1 )e ) e dv 对比 dn = 2 ⋅ ( e 2 dv —— 与 dn = n0 ( 2π = 2πk B T
3
m 3 E F / k BT m 2 —— 2 ⋅ ( ) e ⇒ n0 ( ) 2π= 2πk B T