薄膜黄光蚀刻制程简介

項目
轉換 腔室chamber
規格
≦5E-06 hPa
項目
處理 chamber
規格
≦3E-06 hPa
2. 製程調整: 一般以舊有之機台之參數當參考 若第一次調機則先調整基板溫度至所需要的製程溫度 ;然後再調整腔體壓力至所需要的壓力範圍(通常為5.0~ 7.0 E-3)左右;最後再調整O2/Ar的比例，讓透過率及sheet 抵抗值得到最佳的數據。 3. 條件確認後，產品需作特性值(膜厚、阻抗值、透過率)， 剝落測試，膜附著力等確認。
ITO 靶材製造流程
原料 (In2O3 粉末 + SnO2 粉末)
秤量
混合 造粒
成形
脫脂
燒結
加工
粘著
最終製 品檢查
真空 包裝
NATIONAL QUALITY AWARD
出貨
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 20
UniDisplay Unimicron
100.0 99.0 98.0 97.0 96.0 95.0 94.0 93.0 92.0 91.0 90.0 89.0 88.0 87.0 86.0 85.0 84.0 83.0 82.0 81.0 80.0 79.0 78.0 77.0 76.0 75.0
700 695 690 685 680 675 670 665 660 655 650 645 640 635 630 625 620 615 610 605 600 595 590 585 580 575 570 565 560 555 550 545 540 535 530 525 520 515 510 505 500 495 490 485 480 475 470 465 460 455 450 445 440 435 430 425 420 415 410 405 400
UniDisplay Unimicron
• ITO = Indium Tin Oxide • 90 wt. % In2O3-10 wt.% SnO2
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 19
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
規格 200Å ≦ ± 5% 150 Ω/sqr. ≦ ± 5% ≦ ± 5% 無剝離 3M No 610 1/2" ≧ 50μm FREE 密度 ≧ 98% 370*470
檢查
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 18
NATIONAL QUALITY AWARD
nd
低溫成膜
真空回火 約 140℃ 大氣回火 約 140℃
1500A 1500A
NATIONAL QUALITY AWARD
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 11
UniDisplay Unimicron
成膜方式(續)
低溫成膜 200℃
140℃
高溫成膜 T
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 12
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
熱剖面圖
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 13
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
ITO 膜厚之決定方式
導電率 D
透過率
1500A
用電阻值及透過光性得最適當的膜厚
調整膜厚 現在電力值×1500A÷膜厚實測值＝變更電力值
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 14
NATIONAL QUALITY AWARD
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
ITO 製程腔室Chamber說明
製程气体 (Ar, Ar+O2 ) 背板 陰極遮板 絕緣板 冷卻水 靶材 基板 Carrier 真空計(MFC)
磁 鐵
配合箱
真空腔體

電漿(Plasma) DC 直流電源供應 真空幫浦
綱
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 4
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
Touch panel ITO layer剖面圖
ITO film 200A
玻璃基板 (0.55 mm)
ITO (Indium-Tin-Oxide) 透明導電膜 高透過率 低Sheet阻抗值(高導電性)
UniDisplay Unimicron
SINTEK fab1 ITO O2量vs透過率(Power=3.1Kw)
O2/Ar=0 O2/Ar=0.9 O2/Ar=0.35 O2/Ar=1.0 O2/Ar=0.5 O2/Ar=1.5 O2/Ar=0.6 FAB2 O2/Ar=0.75 O2/Ar=0.64
垂直加壓
ITO粉末 + DIW (Slurry狀)
過濾膜
Stainless成型框
明興光電股份有限公司 World Class Quality
真空吸引脫水
CONFIDENTIAL 24
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
ITO 靶材製程種類與密度特性
製程法 MMF CP 密度(g/cm³) 7.11 7.08 相對密度(%) 99.5 99.0
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 5
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
• 透明導電膜 可視透過率＞90﹪以上 (400~700nm)，sheet抵抗<180 Ω/□以下 • 高品質透明導電膜的基本要求： 高透過率，低sheet抵抗值。
透過率（％）
波長（nm）
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 15
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
ITO抵抗値 v.s. O2/Ar
25 24 23 22 21
抵抗値（Ω/□）
20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 0 0 .2 0 .4 0 .6 0 .8 1 1 .2 1 .4 1 .6
明興光電股份有限公司 World Class Quality
利用電漿所產生的離子，藉著離子對被覆材電極的轟 擊，使電漿內具有被覆材料的原子，再進行薄膜沉 積反應。在陰極靶(Target)加一負高壓，使帶正電離 子(一般為Ar +)加速之後，以高動量狀態撞擊靶材， 經動量交換後，將靶材表面原子、二次電子 (Secondary electron)等濺鍍出。其中，原子在基板 (Substrate)表面沈積，形成薄膜;而二次電子朝陽極 (基板)加速，並於加速過程中再撞擊Ar氣體，使游離 出更多帶正電離子(Ar +)，此正電離子再由負高壓來 加速並撞擊靶材，如此不斷重複此過程，置備所需 之薄膜。
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 17
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
ITO 濺鍍的規格資料 項目 平均層膜厚 膜厚的分布 平均 sheet 抵抗 sheet 阻抗分布 基板溫度 再現性 黏著力 針孔規格 靶材材質 基板尺寸
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 7
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
濺鍍的原理
-2kV 真空室
Ar+
靶材
e基板
電漿
氣入口
明興光電股份有限公司 World Class Quality
真空泵
CONFIDENTIAL 8
CP
CP HP
明興光電股份有限公司 World Class Quality
7.0
5.0 6.44
CONFIDENTIAL 25
98.0
70 90
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
ITO 靶材技術發展方向
• • • • 減少nodule發生 (nodule less) 降低成本 (cost down) 防止靶材破裂 (crack) 減少原始污染物 (initial particle)
薄膜黃光蝕刻製程簡介
顏良富、簡鼎杰
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 1
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
薄膜技術簡介
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 2
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
HP (Hot Press) 製程法
垂直加壓
加 熱
ITO 粉末(乾式)
加 熱
碳質成型框
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 22
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
CP (Cool Press) 製程法
垂直加壓
ITO 粉末(乾式)
不鏽鋼成型框
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 23
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
MMF (Mitsui Membrane Filter) 製程法
• ITO (Indium-Tin-Oxide): 與其他透明導電膜比較(IZO)，ITO膜的性 能好，生產安定性佳。
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 6
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
濺鍍(Sputtering)
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 10
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
成膜方式
• 濺鍍的種類 方法 回火
st
成膜溫度
膜厚
200A， 1300A
高溫成膜
1 約140℃ 無需回火 (約1.9kw) 2 約200℃ (3.8-4.0kw)
ITO 靶材製程種類
• MMF 製程法 (Mitsui Membrane Filtration Method) • CP 製程法 (Cold Press Method) • HP 製程法 (Hot Press Method)
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 21
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
Sputter ITO技術介紹
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 3
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
大
• 成膜製程 • ITO 靶材 • 品質異常處理
O2/Ar
明興光電股份有限公司 World Class Quality
CONFIDENTIAL 16
NATIONAL QUALITY AWARD
UniDisplay Unimicron
ITO 製程調校
1.確認濺鍍是否運轉符合規格書上訂定之規格
項目
進入/離開 腔室 chamber
規格
≦2Eபைடு நூலகம்02 hPa
CONFIDENTIAL 9
NATIONAL QUALITY AWARD
明興光電股份有限公司 World Class Quality
UniDisplay Unimicron
ITO成膜特性介紹
ITO膜性質的決定因素: 1.基板溫度:高溫成膜可降低sheet抵抗值 2.成膜壓力:成膜壓力會影響ITO膜與基板間的密著性， 一般成膜壓力控制在5E-03 h Pa ~ 7E-03 h Pa 3.氣體成份: 通常添加Ar及O2 作為濺鍍所需之氣體。理 論上，若O2 的比例越大，其透過率越佳;但 抵抗值則在某一比例時會得到最低值。