黄光制程讲义工艺流程

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黄光制程工艺流程29页PPT

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谢谢!
6、法律的基础有两个,而且只有两个……公平和实用。——伯克 7、有两种和平的暴力,那就是法律和礼节。——歌德
8、法律就是秩序,有好的法律才有好的秩序。——亚里士多德 9、上帝把法律和公平凑合在一起,可是人类却把它拆开。——查·科尔顿 10、一切法律都是无用的,因为好人用不着它们,而坏人又不会因为它们而变得规矩起来。——德谟耶则就不是奢侈 。——CocoCha nel 62、少而好学,如日出之阳;壮而好学 ,如日 中之光 ;志而 好学, 如炳烛 之光。 ——刘 向 63、三军可夺帅也,匹夫不可夺志也。 ——孔 丘 64、人生就是学校。在那里,与其说好 的教师 是幸福 ,不如 说好的 教师是 不幸。 ——海 贝尔 65、接受挑战,就可以享受胜利的喜悦 。——杰纳勒 尔·乔治·S·巴顿

薄膜黄光蚀刻制程简介ppt课件

薄膜黄光蚀刻制程简介ppt课件
基板行進方向
37
廠務給水
廠務端 DETERGENT
DRAIN DRAIN
DETERGENT TANK UNIT
DETERGENT TANK UNIT
廠務給水 DRAIN
D.I.W. TANK
BRUSH AREA D.I.W. 1
C.J. AREA
上方噴嘴 下方噴嘴
D.I.W. 2
AIR FILTER
52
玻璃基板經過Developer後,正型光阻曝光的部分將被去除。 變因: (1)顯影液種類及濃度: (2)顯影壓力: (3)顯影速度: (4)流量: (5)溫度:
平均層膜厚 膜厚的分布 平均 sheet 抵抗 sheet 阻抗分布 基板溫度 再現性 黏著力 針孔規格 靶材材質 基板尺寸
規格
200Å ≦ ±5% 150 Ω/sqr. ≦ ±5%
370*470
≦ ±5% 無剝離 3M No 610 1/2"
≧ 50μm FREE 密度 ≧ 98%
檢查
ITO = Indium Tin Oxide 90 wt. % In2O3-10 wt.% SnO2
若第一次調機則先調整基板溫度至所需要的製程溫度 ;然後再調整腔體壓力至所需要的壓力範圍(通常為5.0~ 7.0 E-3)左右;最後再調整O2/Ar的比例,讓透過率及sheet 抵抗值得到最佳的數據。
3. 條件確認後,產品需作特性值(膜厚、阻抗值、透過率), 剝落測試,膜附著力等確認。
17
ITO 濺鍍的規格資料 項目
45
常壓式plasma cleaner的特點: 在常壓下即可產生電漿 不需要真空腔體,設備體積較小 污染小
46
47
藉由壓力將光阻均勻塗佈於玻璃基板上。

触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺

触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺

BOE(NH4F/HF)
谢谢!
黄光制程:
来料玻璃
黄光制程由此开 始
作出所需的图形
ITO、Metal、PI制程 为Sensor提供第一层保 护
Passivation (Organic)
为黄光后的工序作准备
蚀刻膏印刷/可剥胶印刷
切割
黄光制程到此结 束
整个制程的相关示意图-1
微影技术!
光阻塗佈
清洗
烘乾
顯影
曝光
PI和Passivation制程只需到这一 步
Oven
Metal Patterning Flow
Metal Patterning
Glass Cleaning
IR/UV/CP
PR Coating
Pre-Bake
Pattern Exposure
Developing
Post-Bake
Stripping
Etching
各制程效果图 (以Spark为制版)
Via hole
结果是等 效的
反制程:
Jumper PI

Pattern Trace
粗略的生产流程:
来料玻璃
Sheet
最终成品! pcs
常见尺寸: 370×470mm 厚度则有0.33、0.4、 0.5、0.55、1.1、 1.3mm不等
一路OK Boding、贴合等白光制程
什么是黄光?
ITO
PI
Metal (已喷AG)
反制程全制程
主要机台和常用药液
分为: Roller式 Slit式 Spin式
涂 布 机 :
清洗设备
清和曝光机 DNK曝光机
限于篇幅,仅举部分实例!

黄光玻璃生产流程及制程

黄光玻璃生产流程及制程

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晶圆厂黄光工艺流程

晶圆厂黄光工艺流程

晶圆厂黄光工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。

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黄光工艺讲解

黄光工艺讲解
Q Tech
Q Technology Limited.
光刻要求
4.大尺寸硅片的加工 提高了经济效益。 但是要在大面积的晶圆上实现均匀的胶膜 涂覆,均匀感光,均匀显影,比较困难。 高温会引起晶圆的形变,需要对周围环境 的温度控制要求十分严格,否则会影响光 刻质量。Leabharlann 昆山西钛微电子科技有限公司
Q Tech
Q Technology Limited.
光刻机
昆山西钛微电子科技有限公司
Q Tech
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光刻机
接触式曝光 Contact printing
Mask P. R. SiO2
Si 优点:结构简单、产量高、成本低,光的衍射效应最小而 分辨率高,特征尺寸小。 主要缺点:容易造成掩模版和光刻胶的损伤。每一次接触 都有可能在掩模版和光刻胶上造成缺陷。
昆山西钛微电子科技有限公司
Q Tech
Q Technology Limited.
光刻机
接近式曝光-proximity printing
d= 10 ~ 25 μm

最小线宽: W= (dλ)1/2 d:间隔; λ:光源波长 分辨率取决于间隙的大小,一般分辨率较差, 为2-4µm
昆山西钛微电子科技有限公司
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Q Tech
Q Technology Limited.
光刻初步

集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小, 也 与 光刻技术的进一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的 技术水平。 所谓特征尺寸(CD:characteristic dimension) 是指设计的多晶硅栅长,它标志了器件工艺的总体 水平,是设计规则的主要部分。 通常我们所说的0.13m,0.09m工艺就是指的光刻 技术所能达到最小线条的工艺。

黄光工艺介绍

黄光工艺介绍

4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力
耐酸印刷制程
制程规 耐酸印 格项目 刷制程
评判
线宽线 0.3*0.3

mm
一般
蚀刻痕 明显
一般
是否扩 散
产品设 计图形 复杂的
程度
精度
印刷容 易扩散
设计图 形简单
0.1mm
一般 一般 一般
黄光制程
制程规 黄光制 格项目 程
,容易扩散。 容易受ITO图案复杂性
影响
良率高不受其它影响
Remark: 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。


黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29

1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源
黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术,使用的材料为感光材料,这
种材料称之为光阻(PR,photo resistance)。PR具有独特的特性,在UV光的作 用下,会发生化学变化,变成易容与酸或者碱的新物质。
微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上,再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留,形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
黄光制程名称的来源 由于微影制程的环境照明光源是黄光,而非一般摄影暗房的红光,所以这
一制程常被简称为“黄光”制程。 黄光制程线路精准度水平高,被广泛应用在电容式触摸屏sensor的加工。
Remark:黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升,可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题,复杂ITO图案产品的批量性低。

4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力

电容屏ITO黄光制程工艺

电容屏ITO黄光制程工艺

电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步:ITO GLASS参数规格:长宽:14*16 厚度:0.55,0.7,1.1规格:普通,钢化等,特性:AR(抗反射),AG(防眩光),AS(防水防污),AF(防指纹)等电容玻璃:安可,冠华,正达,正太等。

第二步:素玻璃参数规格:素玻璃:康宁,旭硝子等。

500*500规格第三步:清洗参数规格:1.将GLASS 表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥。

2.将素玻璃表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥,然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。

第四步:背保丝印参数规格:膜厚:10-20μM,250-420 目聚酯网,此背保要求高,不能有一点脏污,油污,杂质等,要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。

日本朝日,丰阳等,热固型。

第五步:光刻胶整版丝印参数规格:膜厚:5-10μM,300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。

光刻胶:田菱THC-29(耐酸曝光显影型光刻胶)等。

第六步:前烘参数规格:让印有光刻胶的材料在一定的温度,时间下固化。

温度:80-90 度。

时间15-20 分钟。

第七步:曝光参数规格:通过紫外线和菲林的垂直照射,让光刻胶形成反应。

光能量:60-120MJ/C ㎡,时间:6-9s第八步:显影参数规格:用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶,留下没有曝光的光刻胶。

弱碱:0.05-0.2 MOL.温度:20±3 度,压力:0.02-0.05KG,速度:5.5±2.5M/MIN。

第九步:坚膜参数规格:让显影留下的光刻胶经高温处理,让光刻胶完全固化。

温度:120-150度,时间:20-30.第十步:蚀刻参数规格:酸度:3.5-6.5MOL,温度:45±5 度,压力:1-2KG,速度:0.8-1.5M/MIN。

碱度:0.5-0.8MOL,温度:35±5 度,压力:1-2KG,速度:1.5-3.5M/MIN。

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