黄光工艺流程
黄光制程工艺流程
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。
工艺流程图
工艺流程图一．黄光工艺流程1.单层激光ITO分切- 测量尺寸测量方阻（抽检）做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能（抽检）送印刷站2.双层激光ITO分切- 测量尺寸测量方阻（抽检）做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能（抽检）送印刷站3.印刷走线ITO分切- 测量尺寸测量方阻（抽检）做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能（抽检）送印刷站4.印刷+镭射走线ITO分切- 测量尺寸测量方阻（抽检）做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能（抽检）送印刷站二．印刷工艺流程1.单层激光印刷大正保烘烤印刷银浆前剥离大正保印刷银浆检验烘烤激光镭射检验镭射情况覆膜检查修补OK后转入大片贴合2. 双层激光印刷大正保烘烤印刷银浆前剥离大正保印刷银浆检验烘烤激光镭射检验镭射情况覆膜检查修补OK后转入大片贴合3. 印刷走线印刷大正保烘烤印刷绝缘前剥离大正保印刷绝缘检验UV固化印刷银线银线检验银线烘烤覆膜检查修补OK后转入大片贴合4. 印刷+镭射走线印刷大正保烘烤印刷绝缘前剥离大正保印刷绝缘检验UV固化印刷银线银线检验银线烘烤激光镭射检验镭射情况覆膜检查修补OK后转入大片贴合备注：以上“检查修补”中涉及补新银浆的流程如下：补银浆烘烤覆膜转入大片贴以上“检查修补”中涉及修银浆连线的流程如下：修银浆覆膜转入大片贴合三．大片贴合工艺流程1.单层激光OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor撕保护膜检查外观大张sensor与OCA贴合检查贴合情况转入冲切站2. 双层激光OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor上线撕保护膜检查外观大张sensor上线与OCA贴合（ITO面）检查贴合情况剥离高温PET 高温PET面与OCA贴合检查贴合情况开避让口大张sensor下线撕保护膜检验外观上下线贴合检查贴合情况转入冲切站3. 印刷走线OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor撕保护膜检查外观大张sensor与OCA贴合检查贴合情况转入冲切站4. 印刷+镭射走线OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor撕保护膜检查外观大张sensor与OCA贴合检查贴合情况转入冲切站四. 冲切以及电测工艺流程1.单层激光冲定位孔冲切检查冲切情况sensor外观检sensor电测包装入库2. 双层激光冲定位孔冲切检查冲切情况脱泡sensor外观检sensor电测包装入库3. 印刷走线冲定位孔冲切检查冲切情况sensor外观检sensor电测包装入库4. 印刷+镭射走线冲定位孔冲切检查冲切情况sensor外观检sensor电测包装入库五．后段工艺流程1. 单层激光烧录FW(按需要) FPC贴ACF胶热压FOG电测涂防水胶（按需要）撕离型纸玻璃盖板检验玻璃盖板覆保护膜分割保护膜小片贴合检查贴合情况点硅胶脱泡成品外观检验覆过程保护膜撕过程保护膜贴正面保护膜贴背面保护膜贴泡绵（按需要）贴导光膜（按需要）成品电测OQC抽检包装入库2. 双层激光烧录FW(按需要) FPC贴ACF胶两次热压FOG电测涂防水胶（按需要）撕离型纸玻璃盖板检验玻璃盖板覆保护膜分割保护膜小片贴合检查贴合情况点硅胶脱泡成品外观检验覆过程保护膜撕过程保护膜贴正面保护膜贴背面保护膜贴泡绵（按需要）贴导光膜（按需要）成品电测OQC抽检包装入库备注：双层激光工艺中的“热压”工序上下线需分两次热压，先压下线后压上线。
黄光蚀刻ag工艺
黄光蚀刻ag工艺
黄光蚀刻 AG 工艺是一种半导体制造中非常重要的工艺技术，它主要用于制作光刻胶图案以及图案转移至硅片表面的过程。
AG 工艺的主要步骤包括：前处理、光刻、蚀刻和清洗。
在前处理阶段，首先对硅片进行清洗，除去表面的杂质，然后进行氧化处理，形成一层氧化硅薄膜。
接着在氧化硅膜上涂覆一层光刻胶，使其表面变得均匀光滑。
在光刻阶段，使用光刻机进行曝光，将图案转移至光刻胶表面。
曝光后，使用显影液将未曝光的光刻胶去除，留下光刻胶图案。
在蚀刻阶段，将硅片放入蚀刻机中，蚀刻液会溶解未被光刻胶保护的硅片表面，留下光刻胶所保护的区域，形成精密的图像结构。
最后，进行清洗阶段，使用化学溶剂将光刻胶和残留的蚀刻液去除，使硅片表面干净透明。
AG 工艺在半导体制造中有着广泛的应用，例如制作集成电路、液晶显示器以及太阳能电池等领域。
它具有适应性强、制作精度高、可控性好等优点，成为了半导体工业中不可或缺的一环。
尽管 AG 工艺在制造过程中存在一些缺陷，例如光刻胶残留、图案偏移等问题，但通过不断的改进和优化，这些问题可以被有效地解决。
总之，黄光蚀刻 AG 工艺作为半导体制造中重要的工艺技术，在现代电子产业中发挥着重要的作用。
未来，随着技术不断的进步，AG 工艺将会更加高效、智能化，为电子制造产业的发展注入新的活力。
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步：准备光罩首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步：准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步：涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步：对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。
然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。
第五步：显影曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步：清洗将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。
第七步：检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性，以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步：后续处理根据芯片的具体用途，可能需要进行一些附加的工艺步骤，如沉积金属层、刻蚀等等。
oled 薄膜 黄光 阵列 工艺流程
oled 薄膜黄光阵列工艺流程
以下是OLED薄膜黄光阵列的工艺流程：
1. 基板清洗：将玻璃或塑料基板进行清洗，以去除表面的污垢和杂质。
2. 透明导电膜制备：在基板上涂覆一层透明导电材料，例如氧化锡或氧化铟锡。
3. 白色有机发光材料制备：制备一层白色有机发光层，这层层是OLED显示屏的一个重要组成部分。
4. 印刷黄色光栅：使用黄色光栅印刷技术，在白色有机发光材料上形成一个黄色的栅格。
5. 透明共层电极制备：在黄色光栅上涂覆一层透明电极材料，例如氧化锌。
6. 透明玻璃基板安装：将具有OLED结构的基板与透明玻璃基板粘合在一起。
7. 黄光曝光：使用精确的黄光曝光技术，通过光刻过程，在透明导电膜上形成一系列微小的电极结构。
8. 终端封装：将OLED结构的基板与其他组件（例如驱动电路和封装材料）封装在一起，形成完整的OLED显示屏。
这是OLED薄膜黄光阵列的基本工艺流程，实际流程可能因不同的制造商和产品而有所差异。
黄光生产工艺流程详解和注意事项
黄光生产工艺流程详解和注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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黄光工艺流程
黄光工艺流程
《黄光工艺流程》
黄光工艺是一种常用的光刻工艺，主要用于半导体器件制造。
它通过使用紫外线光源和光刻胶来将图案投射到硅片上，形成微米级别的结构。
黄光工艺的流程可以分为几个主要步骤。
首先，将硅片进行表面清洁处理，以确保光刻胶可以均匀地附着在硅片上。
接下来，将光刻胶涂覆在硅片表面，然后使用旋转涂覆机将光刻胶均匀地分布在整个表面。
一旦光刻胶涂覆完成，需要将硅片置于紫外线光源下。
通过光刻胶上的光掩模，紫外线光源可以将图案投射到硅片表面。
这个过程是非常精密的，精细的图案需要准确地投射到硅片上。
经过光刻曝光之后，硅片需要进行显影处理。
这一步是将硅片浸泡在显影液中，以去除未曝光的光刻胶。
这样就可以形成所需的图案结构。
最后，需要对硅片进行清洗、干燥和固化处理，以确保光刻胶牢固地附着在硅片上，并且形成微米级别的结构。
完成这些步骤之后，硅片就可以用于半导体器件的制造了。
总的来说，黄光工艺流程是一种复杂且精密的制造工艺，它为微电子器件的制造提供了重要的工艺支撑。
随着技术的不断发
展，黄光工艺也在不断地完善和创新，为半导体工业的发展做出了重要贡献。
黄光流程学习报告20130102
学习报告
随着TP行业的激烈竞争，触摸屏技术不断更新和创新，黄光制造成为了目前TP行业不可或缺的技术之一。
以下是电容屏黄光制程工艺：
一、制造之定义
所谓制造，不仅是生产产品，而且含有以正常成本的费用、正常的使用工时及在所定的期限内，制出品质稳定、符合客户规格的产品。
二、工作职掌
1、人员管理、教育培训
2、机器设备保养
3、生产进度控制及调整
4、物料控制
5、效率改善
6、品质改善
7、安全管理
8、现场管理及改善
三、工艺流程图
PR前清洗→印刷背保→ DI清洗→ PR涂布
↓
坚膜← 显影← UV曝光← PR固化
↓
蚀刻→ 脱膜→ DI清洗
1、PR 前清洗
ITOGLASS 清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程。
2、PR 涂佈
指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶。
3、前烘
指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形成固体的PR 层。
4、曝光
指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应。
5、显影
指用弱KOH 溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶。
6、坚膜
指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻
指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO 层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜
指用较强的KOH 剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥。
2013年01月02日。
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黄光工艺流程
黄光工艺流程是指在半导体制造过程中，使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面，然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。
下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。
第一步是准备硅片。
将硅片清洗干净，并使用酸洗去除硅片表面的污染物。
然后，在硅片上涂覆一层光刻胶，通常是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
第二步是光刻胶的曝光。
将硅片放入光刻机中，然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。
光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶，使其在受到光的作用下发生化学反应。
在曝光后，光刻胶的部分区域会发生化学变化，变得溶解性或不溶解性。
第三步是光刻胶的显影。
将曝光后的硅片放入显影剂中，显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶，而曝光后的光刻胶会保留下来。
根据需要，可以使用不同的显影剂，如碱性显影剂或酸性显影剂。
第四步是光刻胶的固化。
为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害，可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。
固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。
第五步是蚀刻。
将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中，蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。
根据需要，可以使用不同的蚀刻剂，如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。
蚀刻剂
的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。
第六步是去除光刻胶。
在完成蚀刻后，需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。
这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现，将硅片浸泡在其中，以溶解光刻胶并清洗硅片表面。
通过以上步骤，黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。
这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。
黄光工艺流程的精度和重复性较高，成本较低，因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。
总之，黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。
这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值，可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。