AVR单片机EEPROM和FLASH区别
RAM,ROM,EEPROM,FLASH区别
ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。
其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。
通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。
ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。
ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。
此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，计算机启动用的BIOS芯片，手机、MP3、MP4、数码相机等一些电子产品的相应的自带程序代码，这种用户可以通过刷机方式读写RAM。
此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM 。
EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和NAND Flash)，性能同ROM，但可改写。
一般读出比写入快，写入需要比读出更高的电压（读5V写12V）。
而Flash可以在相同电压下读写，且容量大、成本低，如今在U盘、MP3中使用广泛。
在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。
RAM（random access memory）随机存储器。
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。
这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。
相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）当电源关闭时RAM不能保留数据。
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)
单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花更多的心思。
在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。
下面就详细介绍 STC 单片机内置 EEPROM 及其使用方法。
flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 .一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00下面是网上详细的说法,感觉不错:FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别
单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RA M 中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPR OM或F LASHR OM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC或SPI等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。
在ST C 单片机中内置了E EPROM（其实是采用IAP技术读写内部FLAS H 来实现EEPR OM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。
下面就详细介绍STC单片机内置EEP ROM 及其使用方法。
f lash是用来放程序的，可以称之为程序存储器，可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的.一般来说单片机里的f lash都用于存放运行代码，在运行过程中不能改；EEPR OM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变，比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12：00，后来在运行中改为6：00，这是保存在EE PROM里，不怕掉电，就算重新上电也不需要重新调整到6：00下面是网上详细的说法，感觉不错：F LASH和EEPR OM的最大区别是FL ASH按扇区操作，E EPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLA SH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EE PROM低，因而适合用作程序存储器，EE PROM则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FL ASH做数据存储器也行，但操作比EEPR OM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成F LASH和EEPRO M两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLA SH，早期可电擦写型MCU则都是EEPR M结构，现在已基本上停产了。
EEPROM和FLASH的区别,单片机中为啥很少有EEPROM
EEPROM和FLASH的区别，单片机中为啥很少有EEPROMROM的发展ROM：Read-Only Memory，只读存储器。
以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息，信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。
最早的ROM是不能编程的，出厂时其存储内容（数据）就已经固定了，永远不能修改，也不灵活。
因为存在这种弊端，后来出现了PROM（Programmable read-only memory，可编程只读存储器），可以自己写入一次，要是写错了，只能换一块芯片。
因为只能写一次，还是存在很多不方便，于是出现了EPROM （Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦除可编程只读存储器），这种存储器就可以多次擦除，但是这种可擦除的存储是通过紫外线进行擦除，擦除的时候也不是很方便。
引用一个比如：如果你往单片机下载一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。
随着技术的不断进步，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦除可编程只读存储器）来了，解决了ROM过去历史中存在一些问题。
早期的EEPROM:早期的EEPROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1，现在基本以字节为单位了。
早期的EEPROM具有较高的可靠性，但是电路更复杂，其成本也更高，因此EEPROM的容量都很小，从几KB到几百KB不等。
（有点类似前面说的因为工艺和制造成本的原因，RAM的容量也不大）。
如今的EEPROM支持连续多字节读写操作了，算是已经发展到很先进的水平了。
至此，大家今天看到的EEPROM，基本都是发展的很成熟的EEPROM 了。
Flash的发展Flash，又叫Flash Memory，即平时所说的“闪存”。
Eeprom和Flash的区别
Eeprom和Flash的区别 存储器分为两⼤类：ram（内存：随机存储器）和rom（外存：程序存储器），分别存数据和程序。
ram就不讲了，今天主要讨论rom。
（1）rom最初不能编程，出⼚什么内容就永远什么内容，不灵活。
（2）后来出现了prom，可以⾃⼰写⼊⼀次，要是写错了，只能换⼀⽚，⾃认倒霉。
（3）⼈类⽂明不断进步，终于出现了可多次擦除写⼊的EPROM，每次擦除要把芯⽚拿到紫外线上照⼀下，想⼀下你往单⽚机上下了⼀个程序之后发现有个地⽅需要加⼀句话，为此你要把单⽚机放紫外灯下照半⼩时，然后才能再下⼀次，这么折腾⼀天也改不了⼏次。
（4）历史的车轮不断前进，伟⼤的EEPROM出现了，拯救了⼀⼤批程序员，终于可以随意的修改rom中的内容了。
（ROM--PROM--EPROM--EEPROM的进化！） EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器（不要觉得多⾼⼤上，其实经常都会⽤到），即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。
是相对于紫外擦除的rom来讲的。
但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了⼀类存储器的统称。
flash属于⼴义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。
但是为了区别于⼀般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。
狭义的EEPROM：这种rom的特点是可以随机访问和修改任何⼀个字节，可以往每个bit中写⼊0或者1。
这是最传统的⼀种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
具有较⾼的可靠性，但是电路复杂/成本也⾼。
因此⽬前的EEPROM都是⼏⼗千字节到⼏百千字节的，绝少有超过512K的。
flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，⽽是以块为单位，⼀次简化了电路，数据密度更⾼，降低了成本。
上M的rom⼀般都是flash。
flash分为nor flash和nand flash。
FLASH-SRAM-EEPROM-区别-【专业篇】加【通俗篇】
FLASH和EEPROM的最大区别专业篇FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。
至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。
在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。
没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。
现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM 主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼上说的很好另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
FLASH和EEPROM的最大区别
FLASH和EEPRO M的最大区别FLASH和EEPRO M的最大区别是FLA SH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比E EPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FLA SH做数据存储器也行，但操作比EE PROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FL ASH和E EPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有F LASH，早期可电擦写型MCU则都是EEP RM结构，现在已基本上停产了。
至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。
在芯片的内电路中，FLASH和EEPRO M不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FA LSH结构或EEPR OM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。
没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。
现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.楼上说的很好另外，一些变量，都是放到RA M里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FL ASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失ROM和RA M指的都是半导体存储器，ROM是Re ad Only Memory的缩写，RAM是Ra ndomAccess Memory的缩写。
FLASH存储器和EEPROM存储器的区别
FLASH存储器和EEPROM存储器的区别FLASH存储器和EEPROM存储器的区别1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。
而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。
并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。
2、从功能方面比较，EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部分芯片可以单字节写入(编程),一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。
但比单片机片内RAM的读写还要慢。
3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。
另供参考：EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。
EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister 组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。
技术上，FLASH是结合EPROM 和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。
但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。
其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是1。
EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。
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AVR单片机EEPROM和FLASH区别
为什么A VR单片机既有FLASH又有EEPROM？我如果要烧写程序只用HEX文件行么？那个EEP文件有什么作用?
你的程序代码是保存在FLASH里的，只烧写HEX文件就可以。
EEP文件是EEPROM的初始化数据文件，如果不烧写，EEPROM会保持FF，如果烧写了这个文件，就会按照你的初始化要求初始化EEPROM。
在实际中有时往往不仅仅需要程序代码，还需要用到一些数据，而这些数据又会根据情况的不同而变化。
举个例子，比如我要测量一个电机的转数，而每天电机最多测量12个小时，要求记录这12个小时的转数，然后第二天从这个数值继续测量，当然第二天单片机也会重新上电。
遇到这个情况你如何去保存你的记录数值呢？当然这就需要用到EEPROM了。
EEPROM存取数据方便，掉电不丢失，适合记录这种要求有变化又要求掉电不丢失的数据。
当然EEPROM也可以作为程序存储器来存放程序。
但是A VR单片机的BOOTLOADER是ATMEL提供的，只能够从FLASH开始。
其次，即使能够使用EEPROM做程序存储器，如今也不会采用这样的方式，因为EEPROM造价比FLASH要高很多，同时存取速度比FLASH要慢得多，因此如今的程序基本都是被放入FLASH中，而EEPROM只用来存放那些不希望丢失的数据而用了
FLASH 一个静态的只读存储器，单片机本身无法修改自己
EEPROM 是指5V或3.3V可擦写存储器，可以由单片机本身编程写入一般用来做掉电保护，也可以由烧程器写入。
烧程时当然只用HEX文件AVR编程的时候，可以对EEPROM编程 设置你想要的初始化量
简单的说，flash是保存程序的，eeprom是保存程序需要用到的，掉电不会丢失的变量，通常是初始值之类的。
通常flash不会被程序改写（avr有bootloader 功能，可以修改flash甚至bootloader自身），而eeprom则很容易被改写。
一般来讲，实际应用中eeprom用的不多，除非对成本极为看重，因为片内的eeprom比较不可靠，当电压不稳时，数据容易丢失。
AVR系列单片机的FLASH存储器、SRAM存储器、EEPROM存储器各有什么用途？
FLASH:单片机运行的程序存储的地方。
SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。
EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。
FLASH:存储程序，表格数据；SRAM：程序运行时的临时数据，从新上电不存在的数据；EEPROM：存储主要数据， 从新上电仍存在的数据。