模拟电子技术基础pdf
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版

第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率,并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P (吸收);W 5.15.032=×=P (吸收) W 15353−=×−=P (产生);W 5154=×=P (吸收); W 4225=×=P (吸收);元件1、2、4和5起负载作用,元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ;V 13335=+−=I I U电流源功率:W 2621−=⋅−=U P (产生),即电流源产生功率6W 2。
电压源功率:W 632−=⋅−=I P (产生),即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得:A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ;A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示:(1)求图(a)中的ab 端等效电阻;(2)求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示:(1)求图(a)中的电压S U 和U ;(2)求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
童诗白《模拟电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题考研真题

童诗白《模拟电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题考研真题完整版>精研学习䋞>无偿试用20%资料
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第1章常用半导体器件
1.1复习笔记
1.2课后习题详解
1.3名校考研真题详解
第2章基本放大电路
2.1复习笔记
2.2课后习题详解
2.3名校考研真题详解
第3章多级放大电路
3.1复习笔记
3.2课后习题详解
3.3名校考研真题详解
第4章放大电路的频率响应
4.1复习笔记
4.2课后习题详解
4.3名校考研真题详解
第5章放大电路中的反馈
5.1复习笔记
5.2课后习题详解
5.3名校考研真题详解
第6章信号的运算和处理
6.1复习笔记
6.2课后习题详解
6.3名校考研真题详解
第7章波形的发生和信号的转换
7.1复习笔记
7.2课后习题详解
7.3名校考研真题详解
第8章功率放大电路
8.1复习笔记
8.2课后习题详解
8.3名校考研真题详解
第9章直流电源
9.1复习笔记
9.2课后习题详解
9.3名校考研真题详解第10章模拟电子电路读图10.1复习笔记
10.2课后习题详解10.3名校考研真题详解。
电路与模拟电子技术基础(第三版)(真正完全版)

第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率,并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=⨯=P (吸收);W 5.15.032=⨯=P (吸收)W 15353-=⨯-=P (产生);W 5154=⨯=P (吸收);W 4225=⨯=P (吸收);元件1、2、4和5起负载作用,元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ;V 13335=+-=I I U电流源功率:W 2621-=⋅-=U P (产生),即电流源产生功率6W 2。
电压源功率:W 632-=⋅-=I P (产生),即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=-=I ;A 1322-=-=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得:A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab -=⨯+++⨯-=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=⨯+-⨯+-=IV 221021425)32(22S =+-=⨯+-⨯+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=-=I ;A 31X -=--=I I ; V 155X -=⋅=I UV 253245X X -=⨯--⋅=I U1.7 电路如图1.7所示:(1)求图(a)中的ab 端等效电阻;(2)求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++⨯+⨯⎪⎭⎫ ⎝⎛+⨯+=1046418666661866666abR(2) Ω=--=712432383R1.8 电路如图1.8所示:(1)求图(a)中的电压S U 和U ;(2)求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
电子技术基础pdf

电子技术基础pdf电子技术基础主要涵盖电子学的基础知识、电路分析与设计、信号处理等内容,是电子信息工程领域的核心课程。
本文将从以下几个方面对电子技术基础进行介绍。
一、电子学的基础知识电子学是电子器件、电路及其系统的理论和应用的一个综合性学科。
在电子技术基础中,学习者需要掌握电子学的基础知识,包括电子器件的种类、原理和特性,以及半导体物理、PN 结的形成和性质等。
此外,还需要了解基本电路、电学定理和电压、电流、电阻等基本概念及其在电路分析中的应用。
二、电路分析与设计电路分析与设计是电子技术基础中的核心部分。
学习者需要掌握基本电路的分析方法及其应用,例如电压分压定理、电流分流定理、诺顿定理、戴维南定理等。
另外,学习生还需要了解各种电路的特点及其设计方法,例如放大电路、滤波电路、正弦振荡器、脉冲调制等。
三、信号处理信号处理是电子技术基础中重要的一部分,其涉及的领域很广泛,包括模拟信号处理、数字信号处理、信号变换等。
学习者需要了解各种信号处理方法的原理及其应用,例如滤波、变换、编码等,还需要掌握相关设计工具的使用,例如MATLAB、Simulink等。
四、综合实验综合实验是电子技术基础中的重要环节之一,通过实验学习者可以将理论知识与实际应用结合起来,理解电路的实际工作原理,培养实际动手能力。
学习者需要选择不同的实验项目,例如基本电路实验、放大电路实验、振荡电路实验等,不断提高实验技能和观察数据的能力。
总之,电子技术基础是电子信息工程领域的核心课程,通过学习电子学的基础知识、电路分析与设计、信号处理以及综合实验等环节,能够使学习者逐步掌握电子技术的基础、方法和技能,为后续的学习和科研打下坚实的基础。
以上是本文对于电子技术基础的介绍,希望能对广大学习者有所帮助。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
(×)2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
(√)3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(×)4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
(×)5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
(√ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
(×)7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(×)三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压;V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦,则)V (2.11594TV T,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1e TVV,于是TV Vs eI I,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V ,于是s I I,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模拟电子电路试题及答案PDF.pdf

模拟电子技术试题二一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。
(20分) (1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
( ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。
( ) (3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
( ) (4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
( ) (5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
( ) (6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
( ) (7)未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。
( ) (8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
( ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
( ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
( ) 二、选择填空 (20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。
(A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈(D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。
(A )感性 (B )阻性 (C )容性(3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法(B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
(A )β (B )β2 (C )2β (D )1+β(5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 。
(A )共基放大电路 (B )共集放大电路 (C )共射放大电路(6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u Bu E 。
(A ) > (B ) < (C ) = (D )≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
(A ) 大 (B ) 小 (C ) 相等三、(10分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u0。
模拟电子技术基础

2022 模拟电子技术基础一、常用半导体器件1.1本征半导体纯净的,具有晶体结构的半导体1.1.1本征激发:自由电子导电;价电子依次填补空穴,形成了空穴的移动,空穴也能导电本征激发越多,导电能力越好复合:自由电子与空穴相撞,重新变成价电子1.1.2载流子的浓度载流子的浓度与本征激发,复合相关。
本征激发的速率与温度有关,温度越高,本征激发的速率越快。
复合的速率与载流子的浓度有关1.2杂质半导体在本征半导体掺入少量杂质元素1.2.1N型半导体掺入少量P(磷)多子→自由电子少子→空穴温度对N型半导体的多子影响不大,对少子浓度影响巨大施主原子:贡献载流子的原子1.2.2P型半导体掺入少量B(硼)多子→空穴少子→自由电子温度对P型半导体的少子影响不大,对多子浓度影响巨大1.3PN结由于扩散运动形成的空间电荷区,也称耗尽层(PN结)(阻挡层) 1.3.1基本概念漂移运动:少子在空间电荷区的运动漂移运动阻挡了因扩散运动而消耗势垒的可能多子的扩散运动与少子的漂移运动就会达到动态平衡空间电荷区的宽度与掺杂浓度有关,浓度高的区域PN结窄。
1.3.2单向导电性外电场削弱了内电场的作用,使得扩散运动得以重新恢复R限定了外电场通过的最大电流,防止PN结烧毁反向电压会增强内电场的作用,抑制扩散运动,促进漂移运动;但是漂移运动属于少子,且与温度相关,漂移运动形成的电流称为反向饱和电流。
1.4PN结的伏安特性曲线1.4.1正向特性:存在死区,有导通电压:PN结的电流方程Is为反向饱和电流U T为温度当量,仅跟温度相关。
在室温下U T=26mV U为PN结上外加电压1.4.2反向特性:Ge管的反向电流比Si管的大得多反向存在击穿:雪崩击穿:掺杂浓度低时,耗尽层宽度大,当外加反向电压时,耗尽层为粒子加速器,少子加速击穿带走价电子,形成链式反应温度越高,雪崩击穿所需电压越高。
齐纳击穿:掺杂浓度高时,PN结窄,当外加反向电压时,形成的电场强度大,直接将价电子从共价键内带出。
模拟电子技术基础课件(华成英)经典

V=10V,ID≈ 50mA
26 5 rd = ( )Ω = 0.52Ω,I d ≈ ( )mA = 9.6mA 50 0.52
在伏安特性上,Q点越高,二极管的动态电阻越小!
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第四讲
晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
2. 伏安特性受温度影响
T(℃)↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑,U(BR) ↓ T(℃)↑→正向特性左移,反向特性下移
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三、二极管的等效电路
1. 将伏安特性折线化
理想 二极管 导通时i与u成 线性关系
理想开关 导通时 UD=0 截止时IS=0
近似分析 中最常用
导通时UD=Uon 截止时IS=0
PN结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加 剧,由于外电源的作用,形 成扩散电流,PN结处于导通 状态。
PN结加反向电压截止: 耗尽层变宽,阻止扩散运动, 有利于漂移运动,形成漂移电 流。由于电流很小,故可近似 认为其截止。
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四、PN结的电容效应
1. 势垒电容 PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生 变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放 电相同,其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载 流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和 释放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容: C j = Cb + Cd 结电容不是常量!若PN结外加电压频率高到一定 程度,则失去单向导电性!
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四、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
基本概念:概念是不变的,应用是灵活的, “万 变不离其宗”。
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本书是参照1977年11月由高等学校基础工程课程的电气和无线电教材会议编写的“电子技术基础”(自动化)教科书的教学大纲,以及其他机构提出的修订建议而编写的。
兄弟学院和大学。
现在,它以两本书出版:模拟电子技术基础知识和数字电子技术基础知识。
该课程的基础部分可用于高校自动化专业的“电子技术基础”课程两个学期。
在编译过程中,我们尝试着重于分析和解决问题的能力的培养。
我们认为,自动化专业的毕业生应该具有先瞻,二算,三选四的能力。
能够阅读就是能够理解专业中典型的电子设备的原理图,了解各个部分的组成和工作原理;能够进行计算的是对每个环节的工作性能进行定性或定量的分析和估计;能够选择并做的是能够在满足专业的一般任务时大致选择方案并选择相关的元件和设备,并且通过安装和调试,基本上就可以开发出来了。
因此,为了能够阅读,本书加强了基本概念和各种典型基本单元电路的介绍,并专门设计了用于阅读图纸的章节;为了能够计算,本书加强了基本原理和基本分析方法。
至于选择和做事的能力,应该主要在设计课程实验课和其他后续教学环节中进行培养,但为了满足这方面的要求,还有一些设计实例和一些章节。
电子设备的实际问题。
在应对新技术日益增长与空间有限之间的矛盾时,我们在确保基本概念,基本原理和基本分析方法的前提下,采取措施使学生适应1980年代电子技术的发展需求。
因此,大大减少了由分立元件组成的一些单元的内容,例如调制放大器,功率放大器,门电路和触发电路,而与线性集成电路和数字集成电路有关的单元则相应地得到了增强。
此外,还使用小写字母(更深入的部分),星号(其他内容)和投注(补充说明和参考资料)来满足不同的要求。
在总结了模拟电子技术的基本章节之后,还附上了思路流程图,以帮助读者理解编译的意图和基本内容,并用粗线将其概述。
)
童世白,金国芬,严世,吴百春,孙家新,张乃国等同志参加了基本模拟电子技术的编写。
童世柏负责组织和完成草案。
马中普,董洪芳,杨素兴,王汉伟,孙长龄,胡东成,尤素英等同志参加了讨论和整理。
朱亚尔,蔡文华,朱占兴,杨,胡二山等同志参加了讨论和整理。
李世新同志协助部分制图工作。
在收集和征集60多家电子院校的意见的过程中,我们已经获得了来自教师和大学的宝贵意见。
在审查会议上,在西安交通大学沉尚贤教授的主持下,华中工学院,南京工学院,
浙江大学,山东理工学院,哈尔滨工业大学,上海交通大学的老老师,大连理工学院,昆明理工学院,太原理工学院,华南理工学院,天津大学,重庆大学,合肥工业大学和其他兄弟学院已经仔细阅读了原始手稿,指出了错误和缺点,并提出了改进建议,特别是西安交通大学的沉尚贤,叶德璇,王志宏等同志努力就复习和修改发表了详细的意见。
此外,我们还得到了计算机科学系,广播系和北京航空航天学院同志的更正和帮助。
我们大学建筑工程系的几位同志描述了所有插图。
在此我们要表示衷心的感谢s。
由于我们对先进的电子技术的了解不足,并且本教科书缺乏某些教学实践,因此该书必然存在许多缺陷和错误。
我们衷心希望兄弟学院的师生和其他读者给予批评和指正。