《半导体物理学》---固体物理第一章

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半导体物理-第1章-半导体中的电子态

半导体物理-第1章-半导体中的电子态
4. (111)面的堆积与面心立方的密堆积类 似,但其正四面体的中心有一个原子,面 心立方的中心没有原子。
金刚石结构的(111) 面层包含了套构的原 子,形成了双原子层 的A层。以双原子层的 形式按ABCABC层排 列
金刚石结构的[100]面的投 影。0和1/2表示面心立方 晶格上的原子,1/4,3/4 表示沿晶体对角线位移1/4 的另一个面心立方晶格上的 原子。
2.每个原子最外层价电子为一个s态电子和三个p态电 子。在与相邻四个原子结合时,四个共用的电子对完全 等价,难以区分出s与p态电子,因而人们提出了“杂 化轨道”的概念:一个s和三个p轨道形成了能量相同 的sp3杂化轨道。之间的夹角均为109°28 ’。
3. 结晶学元胞为立方对 称的晶胞,可看作是两 个面心立方晶胞沿立方 体的空间对角线互相位 移了1/4对角线长度套 构而成。
Ψ(r,t) = Aexp[i2π(k ·r – v t)]
(3)
其中k 为波矢,大小等于波长倒数1/λ ,方
向与波面法线平行,即波的传播方向。得
能量:E = hν
动量:p = hk
(4) (5)
对自由电子,势能为零,故薛定谔方程为:
2
2m0
d 2 (x)
dx2
E (x)
(6)
由于无边界条件限制,故k取值可连续变化。即:与经 典物理(粒子性)得出相同结论。
能带形成的另一种情况
硅、锗外壳层有4个价电子,形成晶体时,产生SP杂化 轨道。原子间可能先进行轨道杂化(形成成键态和反键 态),再分裂成能带。
原子能级
反成键态
成键态
半导体(硅、锗)能带的特点
存在轨道杂化,失去能带与孤立原子能级的对应关系。 杂化后能带重新分开为上能带和下能带,上能带称为导 带,下能带称为价带。

半导体物理第1章 半导体中的电子状态

半导体物理第1章 半导体中的电子状态
作用很强,在晶体中电子在理想的周期势场内 作共有化运动 。
能带成因
当N个原子彼此靠近时,根据不相容原理 ,原来分属于N个原子的相同的价电子能 级必然分裂成属于整个晶体的N个能量稍 有差别的能带。
S i1 4 :1 s 2 2 s 2 2 p 6 3 s 2 3 p 2
能带特点
分裂的每一个能带称为允带,允带间的能量范 围称为禁带
一.能带论的定性叙述 1.孤立原子中的电子状态
主量子数n:1,2,3,…… 角量子数 l:0,1,2,…(n-1)
s, p, d, ... 磁量子数 ml:0,±1,±2,…±l 自旋量子数ms:±1/2
n1
主量子数n确定后:n= 2(2l 1) 2n2 0
能带模型:
孤立原子、电子有确定的能级结构。 在固体中则不同,由于原子之间距离很近,相互
Ⅲ-Ⅴ族化合物,如 G a A S , I n P 等 部分Ⅱ-Ⅵ族化合物,如硒化汞,碲化汞
等半金属材料。
1.1.3 纤锌矿型结构
与闪锌矿型结构相比 相同点 以正四面体结构为基础构成 区别 具有六方对称性,而非立方对称性 共价键的离子性更强
1.2半导体中的电子状态和能带
1.2.1原子的能级和晶体的能带
1.3半导体中电子的运动——有效质量
1.3.1半导体中的E(k)与k的关系 设能带底位于波数k,将E(k)在k=0处按
泰勒级数展开,取至k2项,可得
E (k)E (0 )(d d E k)k 0k1 2(d d k 2E 2)k 0k2
由于k=0时能量极小,所以一阶导数为0,有
E(k)E(0)1 2(d d2E 2k)k0k2
1.1.2 闪锌矿型结构和混合键
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料 结晶学原胞结构特点 两类原子各自组成的面心立方晶格,沿

半导体物理学第一章PPT课件

半导体物理学第一章PPT课件
结晶学中的立方晶系,布喇菲原胞
简立方(SC)
体心立方(BCC) 面心立方(FCC)
16
17
18
19
1.金刚石型结构和共价键
Si,Ge都是第四周期的 元素,即外层有四个价 电子。硅、锗的结合依 靠共价键结合,组成金 刚石型结构。结构特点: 每一个原子周围有四个 最邻近的原子,这四个 原子分别处在四个顶角 上,任一顶角的原子和 中心原子各贡献一个价 电子为两个原子所共有。
25
2.闪锌矿型结构和离子键
由三族元素Al、Ga,铟和五族元素P、As组 成的三五族化合物,它们大都是闪锌矿型结 构。 闪锌矿结构:与金刚石型结构类似,由两 类原子组成,双原子复式格子。
以共价键为主,但有一定的离子键成分。
26
27
3.纤锌矿型结构
二-六族化合物,如锌、铬、汞和硫、 硒、碲等组成的化合物大部分具有闪 锌矿型结构,但其中有些也可具有纤 锌矿型结构。 离子键
28
29
30
1.2半导体中的电子状态和能带
半导体材料大都是单晶体。单晶体是 由靠得很紧密的原子周期性重复排列 而成,相邻原子之间间距在nm量级, 因此半导体中电子状态肯定和单原子 的电子状态有所不同。
31
电子的共有化运动
32
共有化运动的能量
33
原子能级分裂为能带的示意图
34
金刚石型结构价电子能带示意图 导带 价带 禁带
20
四面体的结合
21
结晶学原胞
两个面心立方沿立方 体的空间对角线互相 位移了空间对角线四 分之一的长度套构而 成。
8个原子在角顶,6个 在面中心,晶胞内部 有4个原子,顶角和 面心与这4个原子周 围不同,是相同原子 构成的复式格子。

半导体物理课件1-7章(第一章)

半导体物理课件1-7章(第一章)
半导体禁带宽度Eg比较小,数量在1eV左右, 在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去,所 以具有一定的导电能力,这是绝缘体和半导体的主 要区别。
室温下,金刚石的禁带宽度为6~7eV,它是绝 缘体;硅为1.12eV,锗为0.67eV,砷化镓为1.43eV, 所以它们都是半导体。
★本征激发:
一定温度下,价带电子依靠热激发获得能量脱 离共价键,成为准自由电子。价带电子激发成 为导带电子的过程,称为本征激发。
•*第8章 半导体表面MIS结构 •*第9章 半导体异质结构 •*第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象 •*第11章 半导体的热电性质 •*第12章 半导体磁和压阻效应 •*第13章 非晶态半导体
第1章 半导体中的电子状态
本章重点 •半导体材料中的电子状态及其运动规律
处理方法 •单电子近似——能带理论
Springer (2010) • 7 Donald A. Neamen 《半导体物理与器件》,4th Ed,电子工业出版社 • ……
课程设置:
绪论:
2014年诺贝尔物理学奖被授予了日 本科学家赤崎勇、天野浩和美籍日 裔科学家中村修二
表彰他们发明了蓝色发光二 极管(LED),并因此带来的
1.2.2 半导体中的电子状态和能带
•★自由电子运动规律
动量方程 p m0v
能量方程 E p2
波方程
Φ
(
r
,t
2m0
)=A
e
i
(k
r
t
)
( x )e it
k为波矢,大小等于2/λ
• 方向与波面法线平行,即波的传播方向。
德布罗意假设:一切微观粒子都具有波粒二象性.
具有确定的动量和确定能量的自由粒子,相当于 频率为和波长为的平面波

1.1 固体物理导论--半导体物理

1.1 固体物理导论--半导体物理
—— 碳原子构成的一个面心立 方原胞内还有四个原子,分别 位于四个空间对角线的 1/4处 —— 一个碳原子和其它四个碳 原子构成一个正四面体
—— 金刚石结构的半导体晶体
Ge、Si等
6. 几种化合物晶体的晶格
1) NaCl晶体的结构 氯化钠由Na+和Cl-结合而成 —— 一种典型的离子晶体 Na+构成面心立方格子;Cl-也构成面心立方格子
的整数倍
的倒数是晶面族中最靠近原点的晶面的截距
密勒指数 —— 标记这个晶面系 —— 以单胞的基矢为参考, 所得出的晶列指数和晶面的
密勒指数,有着重要的意义
立方晶格的几种主要晶面标记
面等效的晶面数分别为:3个 表示为
面等效的晶面数分别为:6个 表示为
面等效的晶面数分别为:4个 表示为
—— 符号相反的晶面指数只是在区别晶体的外表面时才有 意义, 在晶体内部这些面都是等效的
CsCl的复式晶格 —— CsCl结构是由两个简立方的子晶格彼此沿立方体空间 对角线位移1/2 的长度套构而成
ZnS的复式晶格 立方系的ZnS —— S和Zn分别组成面心立方结构的子晶格沿 空间对角线位移 1/4 的长度套构而成
复式晶格:任一原子A的位矢
原胞中各种等价原子之间的相对位移 —— 金刚石晶格
蚀刻:使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分,而剩 下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分 清除光刻胶:蚀刻完成后,光刻胶的使命宣告完成,全 部清除后就可以看到设计好的电路图案。
光刻胶:再次浇上光刻胶(蓝色部分),然后光刻,并洗掉曝光 的部分,剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材 料。 离子注入(Ion Implantation):在真空系统中,用经过加速的、 要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料,从而在被注入的 区域形成特殊的注入层,并改变这些区域的硅的导电性。经 过电场加速后,注入的离子流的速度可以超过30万千米每小 时 清除光刻胶:离子注入完成后,光刻胶也被清除,而注入区 域(绿色部分)也已掺杂,注入了不同的原子。注意这时候的 绿色和之前已经有所不同。

半导体物理第一章

半导体物理第一章
• -电子在周期性势场中的运动,用平均速度,即群 速度来描述
• -群速度是介质中能量的传输速度 • -布洛赫定理说明电子的运动可以看作是很多行波
的叠加,它们可以叠加为波包;而波包的群速就是 电子的平均速度。 • -波包由一个特定波矢k附近的诸波函数组成,则
波包群速Vg为半导体中电子的平均速度
1.3.3 半导体中电子的加速度
a
➢ 体心立方单原胞角落上的1个原子将被8个相邻的原胞所均 分,即一个角落原子将有1/8被包含在单原胞之中,因此一体 心立方的原胞将有两个原子
➢ 答案:1.6x1022个/cm3
4.晶面与晶向
晶面可以用平面与晶格坐标轴的截距来表达。 截距:l=2, m=1, n=3 倒数:(1/2, 1, 1/3) 乘以最小公分母:(3, 6, 2) 该平面成为:(362)面
1.2 半导体中的电子状态和能带
重点:
• 电子的共有化运动 • 导带、价带与禁带
1 、原子的能级和晶体的能带
(1)孤立原子的能级
原子中的电子在原子核和 其它电子的作用下,分别 处在不同的能级,形成所 谓的电子壳层。用不同的 符号表示。和能量一一对 应
角量子数 l:0,1,2,…(n-1) 磁量子数 ml:0,±1,±2,…±l 自旋量子数ms:±1/2
(x) Aei2kx
电子在空间是等几率分布的,即自由电子在空间作 自由运动。
波矢k描述自由电子的运动状态。
2.周期势场中电子的波函数
V

1
立 原
x


势 场
晶体的势能曲线
电子的运动方程为
2
2m0
d2 dx2
V (x) (x)
E (x)
( x) ei2kxuk ( x) 为布洛赫函数

半导体物理第一章

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2、闪锌矿结构和混合键

III-V族化合物半导体绝大 多数具有闪锌矿型结构。闪 锌矿结构由两类原子各自组 成的面心立方晶胞沿立方体 的空间对角线滑移了1/4空 间对角线长度套构成的。每 个原子被四个异族原子包围。 例: GaAs、GaP、ZnO

2、闪锌矿结构和混合键

两类原子间除了依靠共价键结合外,还有一定 的离子键成分,但共价键结合占优势。 以离子为结合单元,由正、负离子组成的、靠 库仑力而形成的晶体。此种结合力称为离子键。 由碱金属元素与卤族元素所组成的化合物晶体 是典型的离子晶体,如NaCl、CsCl等。II-VI族 化合物晶体也可以看成是离子晶体,如CdS、 ZnS等。

⑴ 每一个BZ 内包含了所有能带中的全部电子状态。或者说,每一个区 域所包含的波矢数(即 k 的取值个数)等于晶体所包含的原胞数( N)。 因此,电子的运动状态可以在一个 BZ内进行讨论,注意,在同一个BZ内, 电子的能量是准连续的。
布里渊区有如下若干主要特点:
布里渊区与能带:

求解一维条件下晶体中电子的薛定谔方程,可以得到如图所 示的晶体中电子的E(k)~k关系,虚线是自由电子 E(k)~k关 系。
1.自由电子的运动状态
(1)孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中 运动 (2)自由电子是在恒定势场中运动 (3)晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动
单电子近似——晶体中的某一个电子是在周期性排列且固 定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运 动,这个势场也是周期性变化的,而且它的周期与晶格周 期相同。

原子间通过共价键结合。
共价键的特点:饱和性、方向性。

⑴ 饱和性:共价键的饱和性是指,一个原子只能形成一定数目的共价 键。由于共价键是两个原子通过共用各自未配对的电子而形成的,而原 子的电子结构是确定的,某一原子在与其它原子化合时,能够形成共价 键的数目就完全取决于原子外层电子中未配对的电子数。此乃饱和性的 实质。 ⑵ 方向性:共价键的方向性是指,原子只能在某些特定的方向上形成 共价键。按量子理论,共价键实际上是由于相邻原子的电子云交叠而形 成的,电子云交叠程度的大小决定了共价键的强弱。因此,原子形成共 价键时,总是取电子云密度最大的方向。这就是方向性的根源。

半导体物理学_第01章绪论2016

半导体物理学_第01章绪论2016

半导体物理发展史
1900后的重大事件
理论的突破:肖克莱(W. shockley)。 1949年他在“the Bell System Technical Journal”上发表了题为“The Theory of PN Junction in semiconductor and PN Junction Transistors”的文章。
D. 参考文献 Tudor Jenkins, Physics Education 40 (5), 430, 2005
课程简介
半导体物理学发展与展望参考资料
Scientific American,Jan., 1998, Special Issue, Solid-State Century: the past, present and future of the transistor
而且它还是一系列新材料、新结构、新效应、新器件和 新工艺产生的源泉。极大地丰富了凝聚态物理的研究内容 和有力地促进了半导体科学技术的迅速发展。
半导体的基本概念
半导体的概论
Different kinds of semiconducting devices
半导体的基本概念
半导体的导电能力(电阻率)
半导体的基本概念
半导体物理学
物理科学与技术学院 夏向军
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
PART ONE
课程简介 Syllabus
内容概要
01 课程简介
02 半导体的基本概念
03 半导体的发展史
04
半导体物理的未来
课程简介 任课教师信息
主讲教师: 夏向军 办公室: 九号教学楼12楼
1206室 QQ:370048061
QQ群: 236473633 (半导体物理学_纳米所)
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r a1cos a1 ,n d s a2cos a2 ,n d t a3cos a3 ,n d
取a1 ,a2 ,a3为天然长度单位,则得:
A3
Nn
a 3 d
a2
O a1
A2 A1
111
cos a1 , n : cos a2 , n : cos a3 , n : : r st
本节主要内容: 1.5.1 倒格矢定义 1.5.2 倒格与正格的关系 1.5.3 倒格与傅里叶变换
1.5.1 倒格矢定义
晶体结构=晶格+基元
一个晶体结构有两个格子,一个是正格,另一个为倒格。
正格 正格基矢 a1 , a 2 , a 3 正格(点位)矢:
倒格 倒格基矢 b1,b2 ,b3 倒格(点位)矢:
1.4 晶向、晶面和它们的标志
2.晶面指数
晶面的法线方向(法线方向与三个坐标轴夹角) 晶面方位
晶面在三个坐标轴上的截距
(1)以固体物理学原胞基矢表示
如图取一格点为顶点,原胞的三个基
矢 a1,a2 ,a3 为坐标系的三个轴,设某一
晶面与三个坐标轴分别交于A1,A2,A3,设晶 面的法线ON交晶面A1A2A3于N,ON长度
是固体物理学原胞体积
与 K n h1b1 h2b2 h3b3 (h1, h2, h3为整数) 所联系的各点
的列阵即倒格。
1.5.1 倒格矢定义
倒格基矢的方向和长度如何呢?

b1 a2 a3 Ω
b3 ab3 2
a2

b2 a3 a1 Ω
b3 2π a1 a2 Ω
a1 b1
a1 n h1d a2 n h2d
a1 cos a1,n h1d a2 cos a2,n h2d
X n d
A3
Nn
a3 n h3d
a3 cos a3 , n h3d a 3 d
取 a1 ,a2 ,a3为天然长度单位得:
a2
A2
cosa1, n : cosa2 , n : cosa3 , n h1 : h2 : h3 O
其中 m,n, p 为有理数,将 m,n, p 化为互质的整数m,n,p,
记为[mnp],[mnp]即为该晶列的晶列指数.
1.4 晶向、晶面和它们的标志
例1:如图在立方体中,a i,b j,c k
D是BC的中点,求BE,AD的晶列指数。 A
解: OB i , OE i j k,
c
b
BE OE OB j k
(2)晶列指数用方括号表示[ ]; 晶列[11-1]
(3)遇到负数在该数上方加一横线。 晶列(111)
(4)等效晶向。
晶列[111]
1.4 晶向、晶面和它们的标志
在立方体中有,沿立方边的
晶列一共有6个不同的晶向,由于 晶格的对称性,这6个晶向并没有[100] 什么区别,晶体在这些方向上的
[001] [010]
晶列BE的晶列指数为:[011]
Oa
E
C D B
1.4 晶向、晶面和它们的标志
求AD的晶列指数。
E
OA k , OD i 1 j , 2
AD OD OA i 1 j k 2
AD的晶列指数为: [212] 注意:
A
c
b
Oa
C
D B
(1)晶列指数一定是一组互质的整数; 晶列(11-1)
复习:课堂问题
1、找出下面结构的晶格和基元,画出初基平移矢 量?
2、解释布喇菲晶格、简单晶格和复式晶格,以及 上图属于哪一种? 3、固体物理学原胞(原胞)和惯用晶胞(晶胞) 定义?
复习:课堂小测
1、画出下图的固体物理学原胞、惯用晶胞和W-S原胞?
2、画出面心立方的晶体结构、以及算出它的配位数? 3、写出体心立方惯用晶胞和固体物理学原胞的基矢转换 关系? 4、计算金刚石结构的致密度?
Rn n1a1 n2 a2 n3 a3
K n h1b1 h2b2 h3b3
1.5.1 倒格矢定义
倒格基矢定义为:
b1 2π a2 a3 Ω 2π b2 a3 a1
Ω

b3 a1 a2 Ω
其中 a1 , a2 , a3 是正格基矢,
Ω a1 a2 a3
晶面的法线方向与三个坐标轴(基矢)的夹角的余弦之比,
等于晶面在三个轴上的截距的倒数之比。
1.4 晶向、晶面和它们的标志
111
cos a1 , n : cos a2 , n : cos a3 , n : : r st
可以证明:r,s,t必是一组有理数---阿羽依的有理数定理。
设a1,a2 ,a3的末端上的格点分别在离原点距离h1d、h2d、
1.3 晶向、晶面和它们的标志
例2:如图所示abc ,I和H
分别为BC,EF之中点,试求晶面
AEG,ABCD,OEFG,DIHG的
密勒指数。
在三个坐标轴上 h'
的截距
k'
AEG 1
1
ABCD
l'
1
1
D
C
A
I
B
c
G
b
F
O
a
H
E
DIHG
2
1
1.4 晶向、晶面和它们的标志
在三个坐标 h' 轴上的截距 k'
a1
A1
晶面的法线与三个基矢的夹角余弦之比等于三个整数之比。

cosa1 , n : cosa2 , n : cosa3 , n
1 r
:
1 s
:
1 t
111 h1 : h2 : h3 r : s : t
1.4 晶向、晶面和它们的标志
111 h1 : h2 : h3 r : s : t
因为h1、h2、h3为整数,所以r、s、t必为有理数。 任一晶面在坐标轴上的截距r,s,t必是一组有理数。 可以证明h1,h2,h3一定是互质的,称它们为该晶面族 的面指数,记为(h1h2h3 ) 。

a1 b2 a1 2π a3 a1 Ω
0
1.5.2 倒格与正格的关系
2. Rl K h 2π (为整数)
其中Rl和K h分别为正格点位矢和倒格点位矢。
Rl l1 a1 l2 a 2 l3 a 3 K h h1 b1 h2 b2 h3 b3 Rl K h (l1 a1 l2 a 2 l3 a 3 ) (h1 b1 h2 b2 h3 b3 )
1.4 晶向、晶面和它们的标志
(1)平行晶列组成晶列族,晶列 族包含所有的格点;
(2)晶列上格点分布是周期性的; (3)晶列族中的每一晶列上, 格点分布都是相同的; (4)在同一平面内,相邻晶列间的 距离相等。
1.4 晶向、晶面和它们的标志
晶列的特点
1.4 晶向、晶面和它们的标志
2.晶向指数 (1) 用固体物理学原胞基矢表示
第四节 晶向、晶面和它们的标志
本节主要内容: 1.4.1 晶向及晶向指数 1.4.2 晶面及密勒指数
1.4 晶向、晶面和它们的标志
1.4.1 晶向及晶向指数
1.晶向
通过晶格中任意两个格点连一条 直线称为晶列,晶列的取向称为晶向 ,描写晶向的一组数称为晶向指数( 或晶列指数)。
过一格点可以有无数晶列。
如果从晶列上一个格点沿晶向到任一格点的位矢为
R l1a1 l2 a2 l3 a3
a1,a 2 ,a 3 为固体物理学原胞基矢
其中 l1, l2, l3 为整数,将 l1, l2, l3 化为互质的整数 l1 , l2 , l3 ,
记为[ l1l2l3], [l1l2l3 ]即为该晶列的晶列指数。
为d,d为该晶面族相邻晶面间的距离,
为整数,该晶面法线方向的单位矢量用 n
A3
n
a 3 d
N
a2
A2
O a1
A1
表示,则晶面A1A2A3的方程为: X n d
1.4 晶向、晶面和它们的标志
设OA1 ra1 ,OA2 sa2 ,OA3 ta3
X n d
ra1 n d sa2 n d ta3 n d
2π( l1h1 l2h2 l3h3 )

1.5.2 倒格与正格的关系
3.
Ω*
2π3
(其中和*分别为正、倒格原胞体积)
Ω
Ω* b1 b2 b3

3
a2 a3
a3 a1 a1 a2
Ω
A B C A CB A BC
a3 a1 a1 a2
a3 a1 a2 a1 a3 a1 a1 a2
h3d的晶面上,这里 h1、h2、h3为整数 。
(1)所有格点都包容在一族晶面上;因此给定晶面族中必
有一个晶面通过坐标系的原点;在基矢 a1,a2,a3 末端上的格点 也一定落在该晶面族的晶面上;
(2)同一晶面族中的晶面平行且相邻晶面间距相等,故在原
点与基矢的末端间一定只有整数个晶面。
1.4 晶向、晶面和它们的标志
O
a
H
E
1.4 晶向、晶面和它们的标志
例3: 在立方晶系中画出(210)、(121) 晶面。
晶面在三个坐标轴上的截距分别为:
a (210) 1
2
bc
1
(121) 1
1
1
2
C EB
cD
b aF GA
密勒指数是(210) 的晶面是ABCD面;
密勒指数是 (121) 的晶面是EFG面;
第五节 倒格空间
b1
a2 a3 2π

Ω
d1
b2 2π d2
b3 2π d3
一个倒格基矢是和正格原胞中一组晶面相对应的,它的方
向是该晶面的法线方向,它的大小则为该晶面族面间距倒数的
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